JP2012091967A - 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加熱容器8の周囲に配置される第1外周断熱材10を円筒形状で構成すると共に、中心軸に平行に円筒形状を複数に分断した分割部10a〜10cを備えた構成とする。そして、各分割部10a〜10cの繋ぎ目の箇所を覆うように低抵抗部材20を備えた構造とする。これにより、複数の分割部10a〜10cの間の空隙のうち比較的幅が狭い部分において局所的な放電現象が起こることを抑制でき、誘導電力を安定して供給することが可能となる。
【選択図】図1
Description
図1に、本実施形態のSiC単結晶製造装置1の断面図を示す。以下、この図を参照してSiC単結晶製造装置1の構造について説明する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して低抵抗部材20の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対して低抵抗部材20の構成を変更したものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
本発明の第4実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対して低抵抗部材20の構成を変更したものであり、その他に関しては第2実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記第1実施形態では、第1外周断熱材10に備えた低抵抗部材20にて、各分割部10a〜10cの繋ぎ目の箇所を全域覆うようにしているが、繋ぎ目の箇所の少なくとも一部を覆うように低抵抗部材20が備えられていれば良い。また、第1実施形態では、低抵抗部材20を第1外周断熱材10の内周面側に配置した構造としているが、外周面側に配置するようにしても良い。
3 原料ガス
5 種結晶
6 真空容器
8 加熱容器
8a ガス導入口
9 台座
10 第1外周断熱材
12 第2外周断熱材
13 第1加熱装置
14 第2加熱装置
20 低抵抗部材
Claims (6)
- 台座(9)に対して炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶(5)を配置し、該種結晶(5)の下方から炭化珪素の原料ガス(3)を供給することにより、前記種結晶(5)の表面に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記台座(9)よりも前記原料ガス(3)の流動経路上流側に配置され、前記原料ガス(3)の加熱を行う加熱容器(8)と、
前記加熱容器(8)を誘導加熱する加熱装置(13、14)と、
前記加熱容器(8)の外周を囲んで配置された黒鉛にて構成される円筒形状の外周断熱材(10)とを有し、
前記外周断熱材(10)は、該外周断熱材(10)の中心軸に沿った方向に分割する分割面にて分割された複数の分割部(10a〜10c)を有し、複数の分割部(10a〜10c)が組み合わされることで円筒形状を構成し、
さらに、前記外周断熱材(10)を構成する黒鉛よりも低抵抗材料で構成され、前記複数の分割部(10a〜10c)の繋ぎ目の箇所に固定されることで隣り合う分割部(10a〜10c)同士を接続する低抵抗部材(20)が備えられていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記低抵抗部材(20)は、前記外周断熱材(10)の内周面もしくは外周面に沿う円筒形状とされ、前記外周断熱材(10)の内周面もしくは外周面の少なくとも一部を覆っていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記低抵抗部材(20)は、前記外周断熱材(10)の内周面もしくは外周面に沿う円筒形状とされ、前記外周断熱材(10)の内周面および外周面の少なくとも一方の全域を覆っていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記低抵抗部材(20)は、前記外周断熱材(10)のうち、前記台座(9)と前記加熱容器(8)の間を流動する前記原料ガス(3)が最初に衝突する位置を覆っていることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記低抵抗部材(20)は、黒鉛シートもしくは高融点金属炭化物にて構成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 台座(9)に対して炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶(5)を配置し、炭化珪素の原料ガス(3)を下方から供給することで上方に位置する前記種結晶(5)に供給し、前記種結晶(5)の表面に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
中空円筒状部材にて構成される加熱容器(8)の中空部をガス供給経路として、該加熱容器(8)の外周を囲むように円筒形状の外周断熱材(10)を配置し、
前記外周断熱材(10)を、該外周断熱材(10)の中心軸に沿った方向に分割する分割面にて分割された複数の分割部(10a〜10c)にて構成して、複数の分割部(10a〜10c)が組み合わされることで円筒形状が構成されるようにすると共に、該外周断熱材(10)を構成する前記複数の分割部(10a〜10c)の繋ぎ目の箇所に該外周断熱材(10)を構成する黒鉛よりも低抵抗材料で構成される低抵抗部材(20)を固定することで隣り合う分割部(10a〜10c)同士を接続した状態とし、
この状態で、前記加熱容器(8)を加熱装置(13、14)にて誘導加熱しつつ、前記加熱容器(8)の一端側から前記原料ガス(3)を導入し、前記加熱容器(8)の他端側から前記原料ガス(3)を導出することで前記種結晶(5)に対して供給して前記炭化珪素単結晶を成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
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JP5381957B2 JP5381957B2 (ja) | 2014-01-08 |
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JP2012091966A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
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US11339497B2 (en) | 2020-08-31 | 2022-05-24 | Senic Inc. | Silicon carbide ingot manufacturing method and silicon carbide ingot manufactured thereby |
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