JP2016098122A - 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶の製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016098122A JP2016098122A JP2014233764A JP2014233764A JP2016098122A JP 2016098122 A JP2016098122 A JP 2016098122A JP 2014233764 A JP2014233764 A JP 2014233764A JP 2014233764 A JP2014233764 A JP 2014233764A JP 2016098122 A JP2016098122 A JP 2016098122A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat insulating
- insulating material
- silicon carbide
- crucible
- insulating portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 165
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 133
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 45
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 180
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 67
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 44
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 41
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 34
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 28
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000005092 sublimation method Methods 0.000 description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
- C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
昇華法においては、一般的に、坩堝内に炭化珪素原料および種結晶が配置され、かつ、当該坩堝の周囲を覆うように断熱材が配置された状態で、炭化珪素原料を昇華させて原料ガスを発生させる。昇華した原料ガスが種結晶の表面で再結晶化することにより、種結晶の表面上に炭化珪素単結晶が成長する。
(1)本発明の一態様に係る炭化珪素単結晶の製造方法は、昇華法により炭化珪素単結晶を成長させる製造方法であって、頂面と、頂面と反対側の底面と、頂面と底面との間に位置する筒状の側面とを有する坩堝と、坩堝内の底面側に配置された原料と、坩堝内の頂面側に、原料と対面して配置された種結晶と、坩堝を加熱するための加熱部と、内部に坩堝を収容可能に構成された断熱材とを準備する工程と、断熱材の少なくとも一部分の質量を測定する工程と、測定する工程により得られた質量の測定値と、閾値とを比較する工程と、断熱材内に坩堝を配置した状態で加熱部を用いて坩堝を加熱することにより、原料を昇華させて種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程とを備える。比較する工程において質量の測定値が閾値未満である場合に、炭化珪素単結晶を成長させる工程を少なくとも1回以上実施する。
以下、本発明の実施形態の具体例を図面を参照しつつ説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。また、本明細書中においては、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示す。また、負の指数については、結晶学上、”−”(バー)を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。
<炭化珪素単結晶の製造装置の構成>
まず、本発明の実施の形態1に係る炭化珪素単結晶の製造装置100の構成について説明する。
次に、実施の形態1に係る炭化珪素単結晶の製造方法について説明する。
「熱伝導率の増加率」は、断熱材4が劣化する前の初期(たとえば新品時)の熱伝導率の大きさに対する、劣化により増加した熱伝導率の大きさの比率を表わす。実施の形態1では、上記の測定方法を用いて、断熱材4が劣化する前の初期の熱伝導率κ0を測定した。熱伝導率κ0の測定値は、たとえば0.3〜0.5(W/mK)程度であった。さらに、断熱材4を用いて結晶成長をn回行なった後の熱伝導率κnを測定した。そして、熱伝導率κ0,κnの測定値を次式(2)に代入することにより、熱伝導率の増加率Δκを算出した。
熱伝導率κ0とκnとが等しいとき、熱伝導率の増加率は0%である。熱伝導率の増加率が大きいほど、熱伝導率が増加した状態であり、断熱材4の劣化が進んだ状態である。
質量M0と質量Mnとが等しいときは、質量増加率は0%である。質量増加率が大きいほど、断熱材4の質量が増加した状態である。図4に示されるように、断熱材4の劣化が進み熱伝導率の増加率が大きくなるに従って、質量増加率も大きくなっている。これは、昇華した原料ガスが坩堝5の外部に拡散し、断熱材4の内部で再結晶化した炭化珪素が、断熱材4の熱伝導率を増加させるとともに、断熱材4の質量を増加させることによる。
準備工程(S10)では、断熱材4、第1抵抗ヒータ1、第2抵抗ヒータ2、第3抵抗ヒータ3、および坩堝5が準備される。さらに、種結晶11および炭化珪素原料12が準備される。断熱材4は、互いに分離可能に構成された第1の断熱部4a、第2の断熱部4bおよび第3の断熱部4cを有している。図8に示されるように、炭化珪素原料12は坩堝5の収容部5b内に配置される。炭化珪素原料12は、たとえば多結晶炭化珪素の粉末である。種結晶11は、たとえば接着剤を用いて台座5aの種結晶保持面5a2に固定される。種結晶11は、たとえばポリタイプ4Hの六方晶炭化珪素の基板である。種結晶11は、台座5aの種結晶保持面5a2に固定される裏面11aと、裏面11aと反対側の表面11bとを有する。表面11bの直径は、たとえば100mm以上であり、好ましくは150mm以上である。表面11bは、たとえば{0001}面から8°以下程度オフした面である。種結晶11は、表面11bが表面12aに対面するように配置される。
質量測定工程(S20)では、断熱材4の少なくとも一部分の質量が測定される。好ましくは、断熱材4の少なくとも一部分は第1の断熱部4aを含んでいる。実施の形態1では、たとえば第1の断熱部4aの質量を測定する。
比較工程(S30)では、質量測定工程(S20)により得られた質量の測定値と閾値とが比較される。「閾値」は、図4に示される断熱材4の熱伝導率と質量との相関において、交換時期の判断基準となる質量増加率(たとえば10%)に基づいて設定される。詳細には、測定対象となる断熱材4の少なくとも一部分の初期の質量の測定値に判断基準(10%)を乗算した値を、当該初期の質量の測定値に加算することにより、閾値が設定される。実施の形態1では、たとえば、断熱材4の新品時または結晶成長回数が少ない時点に測定した第1の断熱部4aの質量に基づいて閾値を予め設定しておき、比較工程(S30)では、第1の断熱部4aの質量の測定値と閾値とを比較するものとする。
結晶成長工程(S40)では、まず、チャンバ6内に断熱材4が配置され、続いて断熱材4内に第1抵抗ヒータ1、第2抵抗ヒータ2、第3抵抗ヒータ3および坩堝5が配置される。さらに、チャンバ6の外部には、下部放射温度計9a、側部放射温度計9bおよび上部放射温度計9cが設置される。
以下、実施の形態1に係る炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法の変形例について説明する。
図7に示される炭化珪素単結晶の製造方法は、炭化珪素単結晶を成長する際に、質量測定工程(S20)および比較工程(S30)を毎回実施する構成としたが、所定時間間隔で定期的に質量測定工程および比較工程を実施する構成としてもよい。言い換えれば、比較工程において質量の測定値が閾値未満であると判定された場合には、少なくとも1回以上結晶成長工程(S40)を実施する。
実施の形態1では、断熱材4を3つの断熱部4a〜4cにより構成する例を示したが、断熱材4をさらに細分化した構成とすることで、断熱材4をより扱いやすくするとともに、質量を測定する部分の選択の幅を広げることができる。図13には、第2の断熱部4bを、第1の断熱部4aと第3の断熱部4cとの間に備えられ、互いに分離可能に構成された複数の断熱部分4b_1,4b_2,4b_3で構成した例が示されている。
質量測定工程(S20:図7)では、第1の断熱部4a、第2の断熱部4bおよび第3の断熱部4cのいずれかから一部分を取り出して、当該一部分の質量を測定する構成としてもよい。たとえば、図14に示されるように、第1の断熱部4aに着脱可能な一部分4a4を設けておき、質量測定工程では、当該一部分4a4を取り出してその質量を測定するようにしてもよい。たとえば断熱部の大型化が進み、断熱部の取り扱いが困難となる場合であっても、図14に示される構成を採用することで、質量測定工程の実施が容易となる。
図15および図16に示されるように、実施の形態2に係る炭化珪素単結晶の製造装置110は、実施の形態1に係る製造装置100(図1および図2)と基本的に同様の構成を有している。しかしながら、坩堝5を加熱する加熱部として、第1抵抗ヒータ1、第2抵抗ヒータ2および第3抵抗ヒータ3に代えて、高周波加熱コイル7を有している点、および、断熱材4に代えて断熱材4Aを有している点で製造装置100とは異なっている。そのため、同一または対応する構成には同じ符号を付し、同じ説明は繰り返さない。
2 第2抵抗ヒータ
3 第3抵抗ヒータ
4,4A 断熱材
4a,4a1 第1の断熱部
4b,4b1 第2の断熱部
4c,4c1 第3の断熱部
5 坩堝
5a1 頂面
5a2 種結晶保持面
5a 台座
5b1 側面
5b2 底面
6 チャンバ
7 高周波加熱コイル
9a 下部放射温度計
9b 側部放射温度計
9c 上部放射温度計
11 種結晶
11a 裏面
11b,12a 表面
12 原料(炭化珪素原料)
20 炭化珪素単結晶
100,110 製造装置
Claims (7)
- 頂面と、前記頂面と反対側の底面と、前記頂面と前記底面との間に位置する筒状の側面とを有する坩堝と、
前記坩堝内の前記底面側に配置された原料と、
前記坩堝内の前記頂面側に、前記原料と対面して配置された種結晶と、
前記坩堝を加熱するための加熱部と、
内部に前記坩堝を収容可能に構成された断熱材とを準備する工程と、
前記断熱材の少なくとも一部分の質量を測定する工程と、
前記測定する工程により得られた前記質量の測定値と、閾値とを比較する工程と、
前記断熱材内に前記坩堝を配置した状態で前記加熱部を用いて前記坩堝を加熱することにより、前記原料を昇華させて前記種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程とを備え、
前記比較する工程において前記質量の測定値が前記閾値未満である場合に、前記炭化珪素単結晶を成長させる工程を少なくとも1回以上実施する、炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記比較する工程において前記質量の測定値が前記閾値以上である場合に、前記断熱材を、前記質量の測定値が前記閾値未満である別の断熱材と交換する工程をさらに備え、
前記別の断熱材と交換する工程の後、前記炭化珪素単結晶を成長させる工程を実施する、請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記断熱材は、前記頂面を覆うように設けられた第1の断熱部と、前記側面を覆うように設けられた第2の断熱部と、前記底面を覆うように設けられた第3の断熱部とを有し、前記第1から第3の断熱部は互いに分離可能であり、
前記測定する工程において、前記断熱材の少なくとも一部分は、前記第1の断熱部を含む、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記第2の断熱部は、前記第1の断熱部と前記第3の断熱部との間に備えられ、互いに分離可能に配置された複数の断熱部分を含み、
前記測定する工程において、前記断熱材の少なくとも一部分は、前記第1の断熱部に直接的に連なる前記断熱部分をさらに含む、請求項3に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 前記断熱材は、前記頂面を覆うように設けられた第1の断熱部と、前記側面を覆うように設けられた第2の断熱部と、前記底面を覆うように設けられた第3の断熱部とを有し、前記第1から第3の断熱部は互いに分離可能であり、
前記測定する工程では、前記第1の断熱部、第2の断熱部および第3の断熱部のいずれかから取り出した一部分の質量を測定する、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 内部に坩堝を収容可能に構成された断熱材と、
前記断熱材の内側および外側のいずれかに、前記坩堝の周囲を囲うように設けられた加熱部と、
少なくとも前記断熱材を収容可能に構成されたチャンバとを備え、
前記坩堝は、頂面と、前記頂面と反対側の底面と、前記頂面と前記底面との間に位置する筒状の側面とを有し、
前記断熱材は、前記頂面を覆うように設けられた第1の断熱部と、前記側面を覆うように設けられた第2の断熱部と、前記底面を覆うように設けられた第3の断熱部とを有し、前記第1から第3の断熱部は互いに分離可能である、炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記第2の断熱部は、前記第1の断熱部と前記第3の断熱部との間に備えられ、互いに分離可能に配置された複数の断熱部分を含む、請求項6に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014233764A JP6398640B2 (ja) | 2014-11-18 | 2014-11-18 | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶の製造装置 |
US14/817,662 US9856583B2 (en) | 2014-11-18 | 2015-08-04 | Method of manufacturing silicon carbide single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014233764A JP6398640B2 (ja) | 2014-11-18 | 2014-11-18 | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶の製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016098122A true JP2016098122A (ja) | 2016-05-30 |
JP6398640B2 JP6398640B2 (ja) | 2018-10-03 |
Family
ID=55961178
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014233764A Active JP6398640B2 (ja) | 2014-11-18 | 2014-11-18 | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶の製造装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9856583B2 (ja) |
JP (1) | JP6398640B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201807272A (zh) * | 2016-08-26 | 2018-03-01 | 國家中山科學研究院 | 一種用於成長單晶晶體之裝置 |
KR102236396B1 (ko) * | 2020-05-29 | 2021-04-02 | 에스케이씨 주식회사 | 탄화규소 잉곳의 제조방법 및 탄화규소 잉곳 제조용 시스템 |
CN115198366B (zh) * | 2022-09-14 | 2022-11-25 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 一种大尺寸碳化硅晶体的生长装置及生长方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08337491A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | チョクラルスキー法による結晶製造装置および製造方法 |
JP2008074662A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶製造装置 |
JP2008290885A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
JP2011140413A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2011213563A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2012091967A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7387680B2 (en) * | 2005-05-13 | 2008-06-17 | Cree, Inc. | Method and apparatus for the production of silicon carbide crystals |
SE537049C2 (sv) | 2008-12-08 | 2014-12-16 | Ii Vi Inc | Process och apparat för tillväxt via axiell gradienttransport (AGT) nyttjande resistiv uppvärmning |
-
2014
- 2014-11-18 JP JP2014233764A patent/JP6398640B2/ja active Active
-
2015
- 2015-08-04 US US14/817,662 patent/US9856583B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08337491A (ja) * | 1995-06-09 | 1996-12-24 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | チョクラルスキー法による結晶製造装置および製造方法 |
JP2008074662A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶製造装置 |
JP2008290885A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
JP2011140413A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置およびそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2011213563A (ja) * | 2010-04-02 | 2011-10-27 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP2012091967A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置および製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9856583B2 (en) | 2018-01-02 |
US20160138187A1 (en) | 2016-05-19 |
JP6398640B2 (ja) | 2018-10-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10526722B2 (en) | Method for manufacturing silicon carbide single crystal | |
JP6398640B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶の製造装置 | |
WO2016084674A1 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
US9777401B2 (en) | Method for producing single crystal | |
US9799735B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide single crystal and silicon carbide single crystal substrate | |
KR101028116B1 (ko) | 다수의 탄화규소 단결정 성장을 위한 장치 | |
US20140299048A1 (en) | Method of manufacturing silicon carbide single crystal | |
JP6869077B2 (ja) | 炭化珪素単結晶インゴットの製造方法 | |
US10724151B2 (en) | Device of manufacturing silicon carbide single crystal | |
US20160083865A1 (en) | Method for manufacturing silicon carbide single crystal | |
US9845549B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide single crystal | |
CN106167916B (zh) | SiC单晶的制造方法 | |
JP6387895B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2016117624A (ja) | 坩堝 | |
JP6428188B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP7494468B2 (ja) | 坩堝および単結晶製造装置 | |
JP5573753B2 (ja) | SiC成長装置 | |
JP2016088805A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JP2013256424A (ja) | サファイア単結晶育成装置 | |
KR20140019393A (ko) | 고온 용광로 단열재 | |
JP2017206408A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
KR20120138112A (ko) | 잉곳 제조 장치 | |
JP2017078008A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素単結晶の製造装置 | |
JP2016088789A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 | |
WO2016147824A1 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170622 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180208 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180403 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180518 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180807 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180820 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6398640 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |