JP2012089694A - 2層rf構造のウエハ保持体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ウエハ搭載面1aを有するセラミックス基体1と、セラミックス基体1内においてウエハ搭載面1aからの深さが互いに異なるように埋設されている円形状RF電極2及び円環状RF電極3と、円形状RF電極2及び円環状RF電極3にそれぞれ電気的に接続される第1及び第2外部端子5、6と、円環状RF電極3と第2外部端子6との間に介在してこれらを電気的に接続する複数の接続回路11とを備えたウエハ保持体100であって、複数の接続回路11は、円環状RF電極3と同じ深さにおいて放射状で且つ円環状RF電極3の中心軸に関して実質的に回転対称に形成されている。
【選択図】 図1
Description
図1に示すようなウエハ保持体100を作製すべく、先ず窒化アルミニウム粉末99.5重量部に焼結助剤として酸化イットリウム0.5重量部を加え、さらにバインダー及び有機溶剤を加えてボールミル混合することによりスラリーを作製した。得られたスラリーからスプレードライにより顆粒を作製し、これをプレス成形して成形体を作製した。
反応容器を真空にし、セラミックス基体1に埋設されている抵抗発熱体回路4に通電してセラミックス基体1を300℃に加熱した。反応容器内に設置された対向平板上部電極とセラミックス基体1内に埋設された両RF電極(円形状RF電極2と円環状RF電極3)とからなる平行平板電極間に13.56MHz、1500Wの高周波電力を印加してプラズマを発生させた。
実施例1で作製した試料1のウエハ保持体100に対して、円形状RF電極2と円環状RF電極3にそれぞれ別の電源供給回路を接続し、それぞれ異なる高周波電力を印加した以外は実施例1と同様にして評価試験を実施した。具体的には、円形状RF電極2には13.56MHz、200Wの電力を印加し、円環状RF電極3には13.56MHz、100Wの電力を印加した。その結果を実施例1の試料1の結果と共に下記の表2に示す。
1a ウエハ搭載面
2 円形状RF電極
3 円環状RF電極
4 抵抗発熱体回路
5 第1外部端子
6 第2外部端子
7 第3外部端子
8、9、10 リード線
11 複数の接続回路
11a 第2の接続回路
12 支持部材
100 ウエハ保持体
Claims (3)
- ウエハ搭載面を有するセラミックス基体と、セラミックス基体内においてウエハ搭載面からの深さが互いに異なるように埋設されている円形状RF電極及び円環状RF電極と、円形状RF電極及び円環状RF電極にそれぞれ電気的に接続される第1及び第2外部端子と、円環状RF電極と第2外部端子との間に介在してこれらを電気的に接続する複数の接続回路とを備えたウエハ保持体であって、該複数の接続回路は、円環状RF電極と同じ深さにおいて放射状で且つ円環状RF電極の中心軸に関して実質的に回転対称に形成されていることを特徴とするウエハ保持体。
- 前記複数の接続回路と前記第2外部端子との間に介在してこれらを電気的に接続する第2の接続回路がさらに埋設されていることを特徴とする、請求項1に記載のウエハ保持体。
- 請求項1又は2のいずれかに記載のウエハ保持体が搭載されていることを特徴とする半導体製造装置。
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