JP2012085259A - 積層型チップフィルタ用カップリング構造、積層型チップフィルタ、及びこれを含む電子デバイス - Google Patents

積層型チップフィルタ用カップリング構造、積層型チップフィルタ、及びこれを含む電子デバイス Download PDF

Info

Publication number
JP2012085259A
JP2012085259A JP2011096835A JP2011096835A JP2012085259A JP 2012085259 A JP2012085259 A JP 2012085259A JP 2011096835 A JP2011096835 A JP 2011096835A JP 2011096835 A JP2011096835 A JP 2011096835A JP 2012085259 A JP2012085259 A JP 2012085259A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
coupling structure
coupling
pattern
resonator
patterns
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011096835A
Other languages
English (en)
Inventor
Yon-Gyu Ahn
アン・ヨン・ギュ
Don-Seok Park
パク・ドン・ソク
San-Soo Park
パク・サン・ス
Sung-Jin Park
パク・スン・ジン
Yong-Sun Park
パク・ヨン・スン
Bon-Seop Lim
リム・ボン・スプ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electro Mechanics Co Ltd filed Critical Samsung Electro Mechanics Co Ltd
Publication of JP2012085259A publication Critical patent/JP2012085259A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/203Strip line filters
    • H01P1/20327Electromagnetic interstage coupling
    • H01P1/20336Comb or interdigital filters
    • H01P1/20345Multilayer filters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P5/00Coupling devices of the waveguide type
    • H01P5/02Coupling devices of the waveguide type with invariable factor of coupling

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

【課題】カップリング構造を改善して上述した従来のカップリングの限界を克服できる積層型チップフィルタ用カップリング及びこれを含む積層型チップフィルタを提供する。
【解決手段】本発明に係る積層型チップフィルタ用カップリング構造は、共に積層される共振器層に形成されたパターンと重ね合わされる、少なくとも2つの互いに離隔された重複面積をそれぞれ形成するように構成された少なくとも2つの重合部パターンと、少なくとも2つの重合部パターンを互いに接続させるように、所定長さの少なくとも3つの線型ラインが互いに接続される接続部パターンと、を含むことを特徴とする。
【選択図】図3

Description

本発明は、積層型チップフィルタ用カップリング構造と、これを含む積層型チップフィルタのデバイスに関する。
最近、移動通信用端末機及び無線通信機器の急激な増加に伴い、これらの必須構成要素である帯域通過フィルタ(BPF:Band Pass Filter)として、表面弾性波(SAW:Surface Acoustic Wave)フィルタと共に、性能、サイズ、信頼性、価格などの側面に優れた低温同時焼成セラミック(LTCC:Low Temperature Co−fired Ceramic)チップフィルタが広く用いられている。
通常、LTCCとは、低温(low temperature)で金属とそのセラミック基板が同時に製造される(co−fire)工程技術とその結果を指す。従来の誘電体セラミックを用いた高温焼成方法は、その特性上、Pt、Pdのような高価の金属を用いなければならないが、この金属は高価であるだけでなく、伝送損失が大きいという短所がある。
ところが、ガラス(glass)系あるいはそれを混ぜた形態のセラミックを用いると、800〜1000℃程度で金属を被せた基板を圧着焼成することができ、高周波特性も良い。
このようなLTCC方法を用いて薄膜多層回路を構成することができるが、特に、インダクタ(inductor)のように、サイズの大きい素子の製造に有利である。例えば、MMICやRFICなどのチップダイの上にインダクタを載置する場合、その大きさのため損失が大きいが、これをLTCCにより下に配置したり、外部素子も薄膜形態にしてチップの下に配置したりすることで、空間を節約することができる。
このようなLTCC工程を用いて、上述したようにMMIC/RFICに集積される内部素子だけでなく、C、Lなどの一般の積層型単位受動素子や、チップカプラー(chip coupler)のような受動素子も製造することができる。
一般的に、LTCC工程などにより多層に形成された積層型フィルタの構造は、図1(a)に示すように、共振器層20,40、カップリング(coupling)層30、接地層(ground layer)10で構成されており、これに対する基本的な等価回路が図1(b)に示されている。
一方、このような積層型フィルタにおいて、スカート(skirt)特性の改善または減衰極(attenuation pole)の調整による減衰特性の改善のために、図1に示すように、共振器または入出力端の間にカップリング(coupling)を挿入する方法が広く用いられている。
図2は、高周波の3次元シミュレーションを用いてカップリング31の使用によるフィルタの周波数特性の変化を示した図であって、スカート特性と減衰特性が改善されて減衰極が低周波に移動し、通過帯域幅が狭くなることが示されており、カップリング31と共振器41との間の重複面積(overlap area)が大きくなるほど上述した現象がさらに強くなることを確認できる。
しかしながら、カップリング面積が増加するほど通過帯域幅は減少するため、減衰特性の改善及び減衰極の移動は制約的に可能である。
特開平7−142902号公報 特開2004−159305号公報 特開2005−159512号公報
本発明では、カップリング構造を改善して上述した従来のカップリングの限界を克服できる積層型チップフィルタ用カップリング及びこれを含む積層型チップフィルタを提供することをその目的とする。
一方、本発明に係る積層型チップフィルタ用カップリング構造及びこれを含む積層型チップフィルタデバイスは、上述した主要目的を達成するために考案されたものであるが、必ずしもこれに限定されるものではなく、これら具体的な目的に対する記載が、後述する本発明の構成から創出されたり、予測可能な新しい目的または効果を排除したりするものではないことに注意しなければならない。
このような技術的課題を達成するために、本発明に係る積層型チップフィルタ用カップリング構造は、通常のカップリングと共振器との間の重複面積を同一に維持し、そのカップリングの長さを長くすることを基本とする。
これに基づいて、本発明に係る積層型チップフィルタ用カップリング構造は、共に積層される共振器層に形成されたパターンと重ね合わされる、少なくとも2つの互いに離隔された重複面積をそれぞれ形成するように構成された少なくとも2つの重合部パターンと、前記少なくとも2つの重合部パターンを互いに接続させるように、所定長さの少なくとも3つの線型ラインが互いに接続される接続部パターンと、を含むことを特徴とする。
ここで、前記少なくとも3つの線型ラインは、互いに直交して接続されることを特徴とする。
また、前記少なくとも2つの重合部パターンは、互いに対称構造をなして離隔形成されることが好ましい。
そして、前記カップリングの接続部パターンは、前記少なくとも2つの重合部パターンの間の中心を貫通する縦方向軸を中心に対称形状に形成されることを特徴とする。
また、前記カップリングの接続部パターンは、前記少なくとも2つの重合部パターンを貫通する横方向軸を中心に対称形状に形成されることを特徴とする。
さらに、前記カップリングの接続部パターンは、非対称形状に形成されることを特徴とする。
一方、前記少なくとも2つの重合部パターンの幅と前記接続部パターンの幅は、同一に構成されてもよく、または、前記少なくとも2つの重合部パターンの幅は、前記接続部パターンの幅よりも大きく構成されてもよい。
また、前記共振器層に形成されたパターンは、互いに離隔された2つの部分で構成され、それぞれが前記カップリングの少なくとも2つ以上の重合部パターンと重ね合わされることを特徴とする。
ここで、前記共振器層に形成されたパターンの2つの部分は、前記少なくとも2つの重合部パターンの間の中心を貫通する縦軸方向に延びるように形成されてもよく、または、前記共振器層に形成されたパターンの2つの部分は、前記少なくとも2つの重合部パターンを貫通する横軸方向に延びるように形成されてもよい。
一方、本発明に係る他の積層型チップフィルタ用カップリング構造は、共に積層される共振器層に形成される、互いに分離された2つの部分で構成される共振器パターンにおいて、前記分離された2つの部分とそれぞれ重ね合わされて重複面積を形成するように構成されたカップリングを含み、前記カップリングは、所定長さの少なくとも3つの線型ラインが互いに直交するように接続されることを特徴とする。
さらに、本発明に係る積層型チップフィルタは、第1共振器層と、第2共振器層と、前記第1共振器層と前記第2共振器層との間のカップリング層と、接地層と、を含み、前記カップリング層に形成されたカップリングは上述したカップリング構造の特徴の何れか1つからなることを特徴とする。
積層型チップフィルタの一般的な構造(a)とこれに対する等価回路(b)を示す図面である。 積層型チップフィルタのカップリング面積に応じる周波数特性の変化に対するグラフである。 本発明の実施形態に係る積層型チップフィルタ用カップリング構造を従来構造と比較した図面である。 図3における従来構造と本発明の実施形態に係るカップリング構造をそれぞれ有するフィルタの周波数特性を比較したグラフである。 本発明に係る積層型チップフィルタ用カップリング構造において、共振器パターンの配列による様々な変形例を例示的に示す図面である。 本発明に係る積層型チップフィルタ用カップリング構造において、共振器パターンの配列による様々な変形例を例示的に示す図面である。 本発明に係る積層型チップフィルタ用カップリング構造において、共振器パターンの配列による様々な変形例を例示的に示す図面である。 本発明に係るカップリング構造を含む積層型チップフィルタを例示的に示す図面である。
発明を実施するための具体的な内容
以下、添付した図面を参考して本発明の実施形態に対して、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。
カップリング構造
上述したように、積層型チップフィルタにおいて、カップリング面積の増加は、通過帯域幅の減少を引き起こし、減衰特性の改善及び減衰極の移動を制限するため、減衰特性のさらなる改善と減衰極の移動のために、基本的に図3に示すようなカップリング構造を提案する。
具体的に説明すると、本発明により改善されたカップリング構造は、基本的に従来技術のような通常のカップリングと共振器パターンとの重複面積はできるだけ同一に維持し、その長さを長く構成することにより、通過帯域幅の減少を防止するとともに、減衰特性の改善及び減衰極の移動を可能にするものである。
このような技術的効果を達成するために、本発明が適用されるカップリング31の構造は、図3に示すように、少なくとも2つ以上の重合部パターン31a(重合部は共振器パターンと重なる部分を意味する)と、これら複数の重合部パターン31aを互いに接続させる接続部パターン31b(接続部は共振器と重なる部分を除いた残りラインの部分を意味する)と、で形成される。
図3は、本発明の実施形態に係る積層型チップフィルタ用カップリング構造を従来構造と比較した図面であって、図3(a)及び(b)にそれぞれ示すように、「Aタイプ」及び「Bタイプ」の2つのタイプに分けられ、図3(a)のAタイプは、カップリング31の構造において、重合部パターン31aと接続部パターン31bが別途の異なる形状で接続されるのではなく、1つの同一の幅を有する一体のライン形状に形成され、図3(b)のBタイプは、全体的なカップリング31の構造において、重合部パターン31aが接続部パターン31bとは異なる形状、たとえば、正四角形の重合部パターン31a(“■”と“■”)が、重合部パターン31aよりも小さい幅を有するラインからなる接続部パターン31bにより互いに接続される形状に形成される。
注目すべきことは、本発明に係るカップリング31の接続部パターン31bが、少なくとも2つの重合部パターン31aを互いに接続させるように、所定長さの少なくとも3つの線型ラインで構成されるという点である。図3(a)の「A−1」の場合は、3つの線型ラインが接続されて接続部パターン31bを形成しており、図3(a)の「A−2」の場合には、5つの線型ラインが接続されて接続部パターン31bを形成していることが分かる。両方とも、対応するそれぞれの従来技術と比較すると、カップリング31と共振器との間の重複面積は実質的に同一またはほぼ同様に維持し、カップリング31の全長は増加するように構成している。
すなわち、図3に示すように、本発明は、従来技術のような通常のカップリング31と共振器パターン41との重複面積をできるだけ同一に維持し、カップリング31の長さを長く構成することにより、通過帯域幅の減少を防止するとともに減衰特性の改善及び減衰極の移動を可能にする。
図4は、図3(a)の「A−2」タイプのカップリング構造と、それに対応する従来構造との差による積層型チップフィルタの周波数特性を3次元シミュレーションした結果を比較したグラフである。
図4のグラフに示すように、改善されたカップリング構造によれば、通過帯域幅が変化することなく、減衰極の移動と減衰特性が改善されたことが分かる。
一方、図3(a)のAタイプのカップリング31は、共振器層に形成される共振器パターン41(前記共振器パターンは互いに分離された2つの部分で構成される)の分離された2つの部分とそれぞれ重ね合わされて重複面積を形成する線形(接続)ラインだけで構成され、カップリング31を構成する線型ラインが少なくとも3つ要求され、これらは互いに直交するように接続してもよい。
特に、図3(a)のAタイプのようなカップリング構造の場合、積層工程における位置合わせ(alignment)が全方向に対して少しずれても共振器パターン41とカップリング31のパターンの重複面積を常に一定に維持できるため、工程における様々な変動に対応できる堅実な構造といえる。
カップリング構造に関するその他の様々な実施形態
上述した図3に示す実施形態は共振器の構造に応じて、図5〜図7に示すような様々な変形例として実現してもよい。
図5〜図7は、本発明に係る積層型チップフィルタ用カップリング構造において、共振器パターン41の配列による様々な変形例を例示的に示す図面である。
図5は、共振器層に形成された共振器パターン41が2つの部分で互いに直列的に分離され、横軸方向(すなわち、横方向)に長く延びて形成される場合に実現可能になるカップリング31の構造を例示的に示す。
図6は、共振器層に形成された共振器パターン41が2つの部分で互いに並列的に分離され、縦軸方向(すなわち、縦方向)に長く延びて形成される場合に実現可能になるカップリング31の構造を例示的に示す。
また、図7は、図6と同様に、共振器層に形成された共振器パターン41が2つの部分で互いに並列的に分離され、縦軸方向(すなわち、縦方向)に長く延びてジグザグ状に配置される場合に実現可能になるカップリング31の構造を例示的に示す。
図5〜図7に示された実施形態では、少なくとも3つの線型ラインは互いに直交して接続されることが好ましいが、必ずしも線形のラインだけで限定されるものではなく、同一類似の効果を奏する範囲内の曲線も本発明に係る変形例に含まれるといえる。
また、上述した図面から分かるように、カップリング31の接続部パターン31bは、2つの重合部パターン31aの間の中心を貫通する縦方向軸(すなわち、縦軸)を中心に対称形状に形成されてもよく、または、カップリング31の接続部パターン31bは、2つの重合部パターン31aを貫通する横方向軸(すなわち、横軸)を中心に対称形状に形成されてもよい。
このようなカップリングパターンの対称構造は、積層工程における位置合わせ(alignment)が全方向に対して少しずれても共振器パターン41とカップリングパターンの重複面積を実質的に一定に維持できるため、その他の非対称構造に比べて工程の変動に対応できる堅実な構造といえる。
さらに、図5〜図7に一部の変形例として示されたように、カップリング31の接続部パターン31bは、必要であれば、非対称形状に形成されてもよい。
図5〜図7に、本発明に係るカップリングパターンを実現できる変形例を示したが、必ずしもこれら例に限定されるものではない。共振器パターン41と重ね合わされるカップリング31の重合部の2つの部分を、最短距離である「直線」状に互いに接続せず、一部が迂回するカップリング31の接続部パターン31bに対する実施形態は、基本的に本発明が達成しようとする技術的思想の範疇内に属することが明らかである。
カップリング構造を含む積層型チップフィルタ構造
以上、積層型チップフィルタ100において、カップリング層30に形成されるカップリング31の幾何学的形状に関して説明した。
このようなカップリング31の構造を反映した積層型チップフィルタ100が図8に示されている。
図8に示すように、本実施形態に係る積層型チップフィルタ100は、第1共振器層20、第2共振器層40、第1共振器層20と第2共振器層40との間に位置するように積層されるカップリング層30、及び接地層10を含んで形成される。
例えば、第1共振器層に形成されたパターンはインダクタであり、第2共振器層に形成されたパターンはキャパシタである。
このようなカップリング層30にパターニングされたカップリング31は、基本的に、第2共振器層40に形成された共振器パターン41との重複面積をそれぞれ形成する左右2つの重合部パターン31aと、左右2つの重合部パターン31aを互いに接続させるように構成された接続部パターン31bと、で形成され、このような接続部パターン31bは所定長さの少なくとも3つの線形接続ラインで形成されるように構成される。
カップリング層30に形成されるカップリング31の構造に対しては、上述した様々な実施形態を、本発明に係る積層型チップフィルタに適用できるため、重複説明は省略する。
以上、説明した内容は本発明の好ましい実施形態として提供されたため、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、これら実施形態から様々な変形例及び均等な他の実施形態が実現できる点を理解すべきである。したがって、本発明の権利範囲は、開示された実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を用いた当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するものである。
100 積層型チップフィルタ
10 接地層
20 第1共振器層
30 カップリング層
31 カップリング
31a 重合部パターン
31b 接続部パターン
40 第2共振器層
41 共振器パターン

Claims (13)

  1. 積層型チップフィルタ用カップリング構造であって、
    前記カップリング構造は、
    共に積層される共振器層に形成されたパターンと重ね合わされる、少なくとも2つの互いに離隔された重複面積をそれぞれ形成するように構成された少なくとも2つの重合部パターンと、
    前記少なくとも2つの重合部パターンを互いに接続させるように、所定長さの少なくとも3つの線型ラインが互いに接続される接続部パターンと、
    を含むカップリング構造。
  2. 前記少なくとも3つの線型ラインは、互いに直交して接続されることを特徴とする請求項1に記載のカップリング構造。
  3. 前記少なくとも2つの重合部パターンは、互いに対称構造をなして離隔形成されることを特徴とする請求項1に記載のカップリング構造。
  4. 前記カップリング構造の接続部パターンは、前記少なくとも2つの重合部パターンの間の中心を貫通する縦方向軸を中心に対称形状に形成されることを特徴とする請求項1に記載のカップリング構造。
  5. 前記カップリング構造の接続部パターンは、前記少なくとも2つの重合部パターンを貫通する横方向軸を中心に対称形状に形成されることを特徴とする請求項1に記載のカップリング構造。
  6. 前記カップリング構造の接続部パターンは、非対称形状に形成されることを特徴とする請求項1に記載のカップリング構造。
  7. 前記少なくとも2つの重合部パターンの幅と前記接続部パターンの幅は、同一であることを特徴とする請求項1に記載のカップリング構造。
  8. 前記少なくとも2つの重合部パターンの幅は、前記接続部パターンの幅よりも大きいことを特徴とする請求項1に記載のカップリング構造。
  9. 前記共振器層に形成されたパターンは、互いに離隔された2つの部分で構成され、それぞれが前記カップリングの少なくとも2つ以上の重合部パターンとそれぞれ重ね合わされることを特徴とする請求項1に記載のカップリング構造。
  10. 前記共振器層に形成されたパターンの2つの部分は、前記少なくとも2つの重合部パターンの間の中心を貫通する縦軸方向に延びるように形成されることを特徴とする請求項9に記載のカップリング構造。
  11. 前記共振器層に形成されたパターンの2つの部分は、前記少なくとも2つの重合部パターンを貫通する横軸方向に延びるように形成されることを特徴とする請求項9に記載のカップリング構造。
  12. 積層型チップフィルタに用いるためのカップリング構造であって、
    共に積層される共振器層に形成される、互いに分離された2つの部分で構成される共振器パターンにおいて、前記分離された2つの部分とそれぞれ重ね合わされて重複面積を形成するように構成されたカップリングを含み、前記カップリングは、所定長さの少なくとも3つの線型ラインが互いに直交するように接続されることを特徴とするカップリング構造。
  13. 第1共振器層と、
    第2共振器層と、
    前記第1共振器層と前記第2共振器層との間のカップリング層と、
    接地層と、を含み、前記カップリング層に形成されたカップリングは、請求項1から12の何れか1項に記載のカップリング構造からなることを特徴とする積層型チップフィルタ。
JP2011096835A 2010-10-14 2011-04-25 積層型チップフィルタ用カップリング構造、積層型チップフィルタ、及びこれを含む電子デバイス Pending JP2012085259A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2010-0100326 2010-10-14
KR1020100100326A KR101138479B1 (ko) 2010-10-14 2010-10-14 적층형 칩 필터용 커플링 구조, 적층형 칩 필터 및 이를 포함하는 전자 디바이스

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012085259A true JP2012085259A (ja) 2012-04-26

Family

ID=45933639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011096835A Pending JP2012085259A (ja) 2010-10-14 2011-04-25 積層型チップフィルタ用カップリング構造、積層型チップフィルタ、及びこれを含む電子デバイス

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9041493B2 (ja)
JP (1) JP2012085259A (ja)
KR (1) KR101138479B1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5793089B2 (ja) * 2012-01-05 2015-10-14 パナソニック株式会社 直交ハイブリッドカプラ、増幅器及び無線通信装置
KR20150114747A (ko) * 2014-04-02 2015-10-13 삼성전기주식회사 칩형 코일 부품 및 그 실장 기판
FI127061B (en) 2014-05-23 2017-10-31 Tongyu Tech Oy Radio frequency resonator tuning elements
CN105552491B (zh) * 2015-12-16 2018-04-03 中国电子科技集团公司第四十三研究所 一种微型l频段叠层宽带带通滤波器
WO2020148683A1 (en) * 2019-01-15 2020-07-23 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Miniature filter design for antenna systems

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11284408A (ja) * 1999-01-08 1999-10-15 Ngk Insulators Ltd 積層型誘電体フィルタ
JP2003179404A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Kyocera Corp 積層型誘電体フィルタ
JP2003324301A (ja) * 2002-04-25 2003-11-14 Samsung Electro Mech Co Ltd 積層型誘電体フィルター
JP2006101500A (ja) * 2004-09-03 2006-04-13 Taiyo Yuden Co Ltd フィルタ
JP2007325047A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Tdk Corp 電子部品

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5412358A (en) * 1992-02-28 1995-05-02 Ngk Insulators, Ltd. Layered stripline filter
JP2806710B2 (ja) * 1992-10-06 1998-09-30 日本碍子株式会社 積層型誘電体フィルタ
JP3144744B2 (ja) 1993-11-02 2001-03-12 日本碍子株式会社 積層型誘電体フィルタ
JPH11266103A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Ngk Insulators Ltd 積層型誘電体フィルタ
JP3575378B2 (ja) * 2000-03-13 2004-10-13 株式会社村田製作所 デュアルモード・バンドパスフィルタの減衰極の周波数調整方法
JP4242738B2 (ja) 2002-10-18 2009-03-25 コーア株式会社 積層型帯域通過フィルタ
JP2005159512A (ja) 2003-11-21 2005-06-16 Koa Corp 積層型バンドパスフィルタ
JP2008099060A (ja) * 2006-10-13 2008-04-24 Taiyo Yuden Co Ltd 積層型誘電体帯域通過フィルタ
JP4305779B2 (ja) * 2007-01-30 2009-07-29 Tdk株式会社 積層型ローパスフィルタ
JP4901823B2 (ja) * 2007-09-26 2012-03-21 京セラ株式会社 フィルタ装置、これを用いた無線通信モジュール及び無線通信機器
EP2068393A1 (en) * 2007-12-07 2009-06-10 Panasonic Corporation Laminated RF device with vertical resonators
DE102008020597B4 (de) * 2008-04-24 2017-11-23 Epcos Ag Schaltungsanordnung
US8680952B2 (en) * 2008-12-30 2014-03-25 Tdk Corporation Bandpass filter with dual band response

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11284408A (ja) * 1999-01-08 1999-10-15 Ngk Insulators Ltd 積層型誘電体フィルタ
JP2003179404A (ja) * 2001-12-11 2003-06-27 Kyocera Corp 積層型誘電体フィルタ
JP2003324301A (ja) * 2002-04-25 2003-11-14 Samsung Electro Mech Co Ltd 積層型誘電体フィルター
JP2006101500A (ja) * 2004-09-03 2006-04-13 Taiyo Yuden Co Ltd フィルタ
JP2007325047A (ja) * 2006-06-02 2007-12-13 Tdk Corp 電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
US9041493B2 (en) 2015-05-26
KR101138479B1 (ko) 2012-04-25
KR20120038719A (ko) 2012-04-24
US20120092090A1 (en) 2012-04-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI505539B (zh) Laminated bandpass filter
CN101326713B (zh) 使用电感-电容谐振器的薄膜带通滤波器
JP2012085259A (ja) 積層型チップフィルタ用カップリング構造、積層型チップフィルタ、及びこれを含む電子デバイス
JP4845503B2 (ja) 分波器および携帯型通信装置
JP2008113432A (ja) 積層型帯域通過フィルター
JP5804076B2 (ja) Lcフィルタ回路及び高周波モジュール
TWI608699B (zh) 電子零件
CN107710605B (zh) 互感耦合滤波器及无线保真WiFi模组
JP2016225399A (ja) 積層型電子部品
JP4926031B2 (ja) フィルタ装置
US11239017B2 (en) Common mode choke coil and electronic apparatus
JP4901823B2 (ja) フィルタ装置、これを用いた無線通信モジュール及び無線通信機器
JP4895982B2 (ja) フィルタ装置
KR100716156B1 (ko) 저온 동시 소성 세라믹 다층 기판을 이용한 초광대역통신용대역통과필터
JP2007089000A (ja) ストリップラインフィルタ
US11201599B2 (en) Band pass filter
JP4415279B2 (ja) 電子部品
TWI584585B (zh) Laminated LC filter
JP2021150840A (ja) フィルタおよびマルチプレクサ
KR200454577Y1 (ko) 에어 갭 과전압 보호소자를 가지는 적층 칩형 lc 필터
TWM445817U (zh) 雙頻高通濾波器
JP2007096939A (ja) 共振器、フィルタ、及び、共振器の製造方法
JP2008271502A (ja) フィルタ装置
JP2011050045A (ja) フィルタ装置
JP2010147320A (ja) 高周波回路モジュール

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121024

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121030

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130326