JP2012049394A - 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 - Google Patents
成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012049394A JP2012049394A JP2010191247A JP2010191247A JP2012049394A JP 2012049394 A JP2012049394 A JP 2012049394A JP 2010191247 A JP2010191247 A JP 2010191247A JP 2010191247 A JP2010191247 A JP 2010191247A JP 2012049394 A JP2012049394 A JP 2012049394A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- intensity
- thin film
- film
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 228
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 110
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 30
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 222
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 87
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 78
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 40
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 39
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 27
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 22
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 claims description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 54
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 111
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 10
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 10
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BIVNKSDKIFWKFA-UHFFFAOYSA-N N-propan-2-yl-N-silylpropan-2-amine Chemical compound CC(C)N([SiH3])C(C)C BIVNKSDKIFWKFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N N-silylbutan-1-amine Chemical compound CCCCN[SiH3] CGRVKSPUKAFTBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010068 TiCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N [SiH2] Chemical compound [SiH2] XMIJDTGORVPYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- ZWYDDDAMNQQZHD-UHFFFAOYSA-L titanium(ii) chloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ti+2] ZWYDDDAMNQQZHD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
- C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
-
- H01L21/205—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
【解決手段】回転テーブル2を回転させることにより、Si含有ガスとO3ガスとを用いてウエハWに反応生成物を形成する成膜ステップと、プラズマにより前記反応生成物を改質する改質ステップと、からなる成膜−改質処理を複数回行うと共に、薄膜の形成途中にてプラズマの強度を変更する。具体的には、反応生成物の積層膜厚が薄い時(成膜−改質処理を開始した初期)にはプラズマの強度を小さくすると共に、反応生成物の積層膜厚が増加する程(成膜ステップの回数が増える程)、ウエハWに供給するプラズマの強度を段階的に大きくする。あるいは、反応生成物の膜厚が薄い時にプラズマの強度を強くして、その後弱くする。
【選択図】図9
Description
特許文献1〜3には、ALD法などについて記載されているが、既述の課題については検討されていない。
真空雰囲気にて複数種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成し、複数種類の反応ガスのうちの一つは、基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成するものである成膜装置において、
真空容器内に設けられ、基板を載置するための基板載置領域を備えた載置台と、
前記真空容器内を真空排気するための真空排気機構と、
前記基板載置領域に載置された基板に前記複数種類の反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給部と、
基板に吸着された前記他の反応ガスの分子と反応する成分を含むプラズマを、薄膜の形成中において基板に供給して、基板上の薄膜の改質処理を行うためのプラズマ発生部と、
薄膜の形成途中にて、前記プラズマ発生部から薄膜に供給されるプラズマの強度を、それ以前に薄膜に供給されていたプラズマの強度とは異なる強度に変更するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする。
複数種類の反応ガスの一つは、基板に吸着された反応ガスの成分を酸化または窒化するためのガスであり、
前記薄膜は、金属またはシリコンの酸化膜、あるいは金属またはシリコンの窒化膜であること構成。前記薄膜の下地膜は前記金属またはシリコンを含む膜である構成。前記制御部は、前記プラズマ発生部に供給する高周波電力と前記真空容器内の真空度との少なくとも一方を調整することによってプラズマの強度を変更する構成。
前記載置台の基板載置領域が前記複数の反応ガス供給部から夫々供給される複数種類の反応ガスの供給領域を順番に通過するように、前記複数の反応ガス供給部及びプラズマ発生部に対して載置台を鉛直軸回りに回転させる回転機構を設けたことと、
基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成する反応ガスの反応領域、または当該反応領域よりも載置台の回転方向下流側領域にプラズマを発生させるようにプラズマ発生部が配置されていることと、
前記複数の反応ガス供給部から夫々反応ガスが供給される複数の領域の各々の間に、各領域を互に分離するために分離ガス供給部から分離ガスが供給される分離領域を設けた構成。
真空雰囲気にて複数種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成し、複数種類の反応ガスのうちの一つは、基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成するものである成膜方法において、
真空容器内に設けられた載置台の基板載置領域に基板を載置する工程と、
前記真空容器内を真空排気する工程と、
次いで、前記基板載置領域に載置された基板に対して、複数種類の反応ガスを複数の反応ガス供給部から夫々順番に供給し、薄膜を形成する工程と、
基板に吸着された前記他の反応ガスの分子と反応する成分を含むプラズマを、薄膜の形成中においてプラズマ発生部から基板に供給して、基板上の薄膜の改質処理を行う工程と、
薄膜の形成途中にて、前記プラズマ発生部から薄膜に供給されるプラズマの強度を、それ以前に薄膜に供給されていたプラズマの強度とは異なる強度に変更する工程と、を含むことを特徴とする。
前記改質処理を行う工程は、前記プラズマ発生部に対して前記載置台を回転させることにより、基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成する反応ガスの反応領域、または当該反応領域よりも載置台の回転方向下流側領域において基板にプラズマを照射する工程であり、
前記複数の反応ガス供給部から夫々反応ガスが供給される複数の領域を互いに分離するために、各領域間に設けられた分離領域に対して分離ガス供給部から分離ガスを供給する工程を行っても良い。
真空雰囲気にて複数種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成し、複数種類の反応ガスのうちの一つは、基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成するものである成膜方法において、
真空容器内に設けられた載置台の基板載置領域に基板を載置する工程と、
前記真空容器内を真空排気する工程と、
次いで、前記他の反応ガスの分子あるいは基板上の一部または全部と反応する成分を含むプラズマを、プラズマ発生部から基板に供給すると共に、このプラズマ発生部に対して前記載置台を鉛直軸周りに複数回回転させる工程と、
続いて、前記載置台の基板載置領域が複数種類の反応ガスの供給領域及びプラズマの照射領域を順番に通過するように、前記真空容器の周方向に沿って互いに離間して設けられた複数の反応ガス供給部及び基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成する反応ガスの反応領域、または当該反応領域よりも載置台の回転方向下流側領域に設けられた前記プラズマ発生部に対して、前記載置台を鉛直軸周りに回転させると共に、複数の反応ガス供給部及び前記プラズマ発生部から夫々複数の反応ガス及びプラズマを基板に供給する工程と、を含むことを特徴とする。
真空容器内にて複数種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成する成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、既述の成膜方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする。
本発明の第1の実施の形態の一例である成膜装置について、図1〜図7を参照して説明する。この成膜装置は、図1(図3のI−I’線に沿った断面図)に示すように平面形状が概ね円形である扁平な真空容器1と、この真空容器1内に設けられ、当該真空容器1の中心に回転中心を有する載置台である回転テーブル2と、を備えている。真空容器1は天板11が容器本体12から着脱できるように構成されている。天板11は、真空容器1内が減圧されることにより、容器本体12の上面の周縁部にリング状に設けられたシール部材例えばOリング13を介して容器本体12側に引きつけられて気密状態を維持しているが、容器本体12から分離するときには図示しない駆動機構により上方に持ち上げられる。
分離ガスノズル41、42の下面側には、ガス吐出孔33が例えば等間隔に形成されている。これら分離ガスノズル41、42は、第1の処理領域P1と第2の処理領域P2とを分離する分離領域Dを形成するためのものであり、この分離領域Dにおける真空容器1の天板11には、図2及び図3に示すように、概略扇形の凸状部4が設けられている。分離ガスノズル41、42は、この凸状部4に形成された溝部43内に収められている。
前記プログラムは後述の装置の動作を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体である記憶部101から制御部100内にインストールされる。
また、真空容器1の内部において、回転テーブル2の周方向においてウエハWが各処理領域P1、P2を通過する経路の途中において成膜処理に干渉しないように改質処理を行っているので、例えば薄膜の成膜が完了した後で改質処理を行うよりも短時間で改質処理を行うことができる。
ここで、成膜−改質処理を開始した初期において、プラズマの強度を例えば既述の酸化膜厚jが2Åに相当するように、電極36a、36b間の電力を5W程度に設定しても良いが、このように弱い出力のプラズマを安定的に保つことが困難であることから、既述のようにゼロにすることが好ましい。
続いて、本発明の第2の実施の形態について、既述の酸化シリコン膜をゲート酸化膜として用いる場合について説明する。このゲート酸化膜では、酸化シリコン膜と下層側のシリコン層(ウエハW)との間における界面の平坦性の高いことが特に重要であり、一方通常のCVD(Chemical Vapor Deposition)やALD(Atomic Layer Deposition)またはMLD(Multi Layer Deposition)により成膜した酸化シリコン膜は、図19に示すように、当該平坦性が熱酸化膜などに比べて悪い場合がある。そこで、シリコンからなる下層膜と、当該下層膜の上層側の酸化シリコン膜との間の界面について良好な平坦性の得られる成膜方法について、以下に説明する。
また、既述の例では成膜初期においてプラズマの強度を大きくしたが、ウエハWの表面を酸化すると共に緻密な薄膜を形成するにあたって、以下のようにしても良い。具体的には、各反応ガスの供給を開始する前に、真空雰囲気に保たれた真空容器1内においてウエハWを載置した回転テーブル2を回転させると共に、活性化ガスインジェクター220においてプラズマを発生させる。薄膜の形成されていないウエハWの表面にプラズマが照射されるので、当該表面がプラズマにより速やかに酸化される。そして、回転テーブル2を複数回例えば2回以上回転させた後、各反応ガス及び分離ガスを真空容器1内に供給して、薄膜の成膜と改質とを開始する。このような場合であっても、ウエハWの表面には酸化膜94が形成されると共に、緻密な薄膜が得られる。この時、プラズマの強度については、成膜を開始した後、成膜を開始する前よりも弱くしても良いし、あるいは成膜開始前後において揃えても良い。
従って、以上の第1の実施の形態及び第2の実施の形態では、プラズマの強度を調整することにより、薄膜の下地層への影響を制御していると言える。
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図24は、既述の第2の実施の形態において改質ステップを複数回行うにあたり、多層に積層された反応生成物を模式的に示したものである。図24には、各々の反応生成物に対して照射されたプラズマについて模式的に矢印で示している。また、各々のプラズマは、膜厚方向に亘って例えば各々複数層の反応生成物を透過(照射)しているものとする。各々のプラズマを示す矢印については、下層側の反応生成物に照射されたプラズマに対して、上層側に照射されたプラズマを模式的に順次右側にずらして描画している。
また、既述の第1の実施の形態においても、この第3の実施の形態のように膜厚方向に亘って膜質を均質化しても良く、具体的には図28に示すように、ウエハWの表層から0〜40Åまでは酸化膜厚jが15Åに相当する強度から酸化膜厚jが20Åに相当する強度まで曲線的にプラズマの強度を大きくして、40Å〜70Åについてはプラズマの強度をゼロにする。そして、70Å〜100Åについては酸化膜厚jが30Åに相当する強度(電極36a、36bに供給する電力:110W)から酸化膜厚jが53Åに相当する強度まで曲線的にプラズマの強度を大きくしても良い。このようにプラズマの強度を調整することにより、薄膜の下層のウエハWの酸化を抑えながら、膜厚方向に亘って膜質が均質な薄膜を得ることができる。この場合においても、成膜を開始した初期(例えば膜厚が10Åに達するまで)は、プラズマの強度をゼロにしても良い。
更に、例えば第1の反応ガス及び第2の反応ガスとして夫々TiCl2(塩化チタン)ガスとNH3(アンモニア)ガスとを用いて窒化チタン(TiN)膜を成膜しても良い。この場合には、ウエハWとしてはチタンからなる基板が用いられ、プラズマを発生させるためのプラズマ生成ガスとしては、アルゴンガス及び窒素ガスなどが用いられる。
(実施例1)
先ず、真空容器1内の圧力及び高周波電力によってプラズマの強度が変化するかどうか確認した。実験には、バッチ型の実験装置を用いて、真空容器内にウエハWを載置すると共に、このウエハWに対向するようにICP型のプラズマ源(いずれも図示せず)を配置して、当該ウエハWにプラズマを180秒間照射した時に生成した酸化膜の膜厚jを確認した。そして、高周波電力を例えば2000Wに固定して真空容器内の圧力を種々変化させた時の酸化膜厚jと、真空容器内の圧力を266Pa(2Torr)に固定して高周波電力を種々変化させた時の酸化膜厚jと、を夫々評価した。これらの結果を図30及び図31に示す。尚、この時のウエハWとプラズマ源との間の離間距離は、各々80mmとした。
これらの図30及び図31から、真空容器内の圧力及び高周波電力のいずれを調整することによっても、プラズマの強度の変化することが分かった。
改質ステップを行わずにウエハW上に薄膜を形成した場合に対して、成膜ステップと共に改質ステップを行った場合について、薄膜の収縮率がどの程度となるかを計算した。この時、改質ステップを行うにあたり、プラズマの強度については種々変えて実験を行った。
その結果、図32に示すように、プラズマの強度と膜厚の収縮率とがほぼ比例関係にあることが分かった。そのため、既述の第3の実施の形態で説明したように、膜厚方向に亘って均質な膜質を形成するためには、当該膜厚方向に亘ってプラズマの強度を調整すれば良いことが分かる。
続いて、O2ガスを含むガスのプラズマによってシリコンからなるウエハWが酸化されるか否か実験を行った。この実験には、表面が清浄な(シリコン層が露出した)ベアシリコンウエハと、表面に膜厚が100Åの熱酸化膜が形成されたウエハとを用いた。そして、プラズマの照射時間を種々変えて実験を行った。尚、この実験は、既述の成膜装置を用いて、回転テーブル2を回転させながらプラズマを照射した。
その結果、ベアシリコンウエハ上には、プラズマを10分照射することにより、2.8nmの酸化膜が形成されていた。そのため、既述の各実施の形態で説明したように、膜厚方向においてプラズマの強度を調整することにより、ウエハWの表層への影響(酸化膜の有無)を調整できることが分かった。
1 真空容器
2 回転テーブル
4 凸状部
31 第1の反応ガスノズル
32 第2の反応ガスノズル
34 ガス導入ノズル
35a、35b シース管
41、42 分離ガスノズル
220 活性化ガスインジェクター
Claims (18)
- 真空雰囲気にて複数種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成し、複数種類の反応ガスのうちの一つは、基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成するものである成膜装置において、
真空容器内に設けられ、基板を載置するための基板載置領域を備えた載置台と、
前記真空容器内を真空排気するための真空排気機構と、
前記基板載置領域に載置された基板に前記複数種類の反応ガスを夫々供給するための複数の反応ガス供給部と、
基板に吸着された前記他の反応ガスの分子と反応する成分を含むプラズマを、薄膜の形成中において基板に供給して、基板上の薄膜の改質処理を行うためのプラズマ発生部と、
薄膜の形成途中にて、前記プラズマ発生部から薄膜に供給されるプラズマの強度を、それ以前に薄膜に供給されていたプラズマの強度とは異なる強度に変更するように制御信号を出力する制御部と、を備えたことを特徴とする成膜装置。 - 複数種類の反応ガスの一つは、基板に吸着された反応ガスの成分を酸化または窒化するためのガスであり、
前記薄膜は、金属またはシリコンの酸化膜、あるいは金属またはシリコンの窒化膜であることを特徴とする請求項1記載の成膜装置。 - 前記薄膜の下地膜は前記金属またはシリコンを含む膜であることを特徴とする請求項2記載の成膜装置。
- 前記制御部は、前記プラズマ発生部に供給する高周波電力と前記真空容器内の真空度との少なくとも一方を調整することによってプラズマの強度を変更することを特徴とする請求項1ないし3のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記制御部は、薄膜の形成初期には、前記プラズマ発生部から薄膜に供給されるプラズマの強度を第1の強度に設定し、薄膜の形成初期よりも後の時点では、プラズマの強度を第1の強度よりも大きい第2の強度に設定することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記制御部は、薄膜の形成初期には、前記プラズマ発生部から薄膜に供給されるプラズマの強度を第2の強度に設定し、薄膜の形成初期よりも後の時点では、プラズマの強度を第2の強度よりも小さい第1の強度に設定することを特徴とする請求項1ないし4のいずれか一つに記載の成膜装置。
- 前記制御部は、プラズマの強度を前記第1の強度に設定した後、当該第1の強度よりも強い第3の強度に設定することを特徴とする請求項6に記載の成膜装置。
- 前記複数の反応ガス供給部及びプラズマ発生部は、前記真空容器の周方向に沿って互に離間して設けられることと、
前記載置台の基板載置領域が前記複数の反応ガス供給部から夫々供給される複数種類の反応ガスの供給領域を順番に通過するように、前記複数の反応ガス供給部及びプラズマ発生部に対して載置台を鉛直軸回りに回転させる回転機構を設けたことと、
基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成する反応ガスの反応領域、または当該反応領域よりも載置台の回転方向下流側領域にプラズマを発生させるようにプラズマ発生部が配置されていることと、
前記複数の反応ガス供給部から夫々反応ガスが供給される複数の領域の各々の間に、各領域を互に分離するために分離ガス供給部から分離ガスが供給される分離領域を設けたことと、を備えたことを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の成膜装置。 - 真空雰囲気にて複数種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成し、複数種類の反応ガスのうちの一つは、基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成するものである成膜方法において、
真空容器内に設けられた載置台の基板載置領域に基板を載置する工程と、
前記真空容器内を真空排気する工程と、
次いで、前記基板載置領域に載置された基板に対して、複数種類の反応ガスを複数の反応ガス供給部から夫々順番に供給し、薄膜を形成する工程と、
基板に吸着された前記他の反応ガスの分子と反応する成分を含むプラズマを、薄膜の形成中においてプラズマ発生部から基板に供給して、基板上の薄膜の改質処理を行う工程と、
薄膜の形成途中にて、前記プラズマ発生部から薄膜に供給されるプラズマの強度を、それ以前に薄膜に供給されていたプラズマの強度とは異なる強度に変更する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 複数種類の反応ガスの一つは、基板に吸着された反応ガスの成分を酸化または窒化するためのガスであり、
前記薄膜は、金属またはシリコンの酸化膜、あるいは金属またはシリコンの窒化膜であることを特徴とする請求項9記載の成膜方法。 - 前記薄膜の下地膜は前記金属またはシリコンを含む膜であることを特徴とする請求項10記載の成膜方法。
- 前記それ以前に薄膜に供給されていたプラズマの強度とは異なる強度に変更する工程は、前記プラズマ発生部に供給する高周波電力と前記真空容器内の真空度との少なくとも一方を調整することよってプラズマの強度を変更する工程であることを特徴とする請求項9ないし11のいずれか一つに記載の成膜方法。
- 薄膜の形成初期には、前記プラズマ発生部から薄膜に供給されるプラズマの強度を第1の強度に設定し、
前記それ以前に薄膜に供給されていたプラズマの強度とは異なる強度に変更する工程は、プラズマの強度を第1の強度よりも大きい第2の強度に設定する工程であることを特徴とする請求項9ないし12のいずれか一つに記載の成膜方法。 - 薄膜の形成初期には、前記プラズマ発生部から薄膜に供給されるプラズマの強度を第2の強度に設定し、
前記それ以前に薄膜に供給されていたプラズマの強度とは異なる強度に変更する工程は、プラズマの強度を第2の強度よりも小さい第1の強度に設定する工程であることを特徴とする請求項9ないし12のいずれか一つに記載の成膜方法。 - 前記それ以前に薄膜に供給されていたプラズマの強度とは異なる強度に変更する工程は、プラズマの強度を前記第1の強度に設定した後、当該第1の強度よりも強い第3の強度に設定する工程であることを特徴とする請求項14に記載の成膜方法。
- 前記薄膜を形成する工程は、前記載置台の基板載置領域が前記複数の反応ガス供給部から夫々供給される複数種類の反応ガスの供給領域を順番に通過するように、前記真空容器の周方向に沿って互いに離間して設けられた前記反応ガス供給部に対して前記載置台を鉛直軸周りに回転させる工程であり、
前記改質処理を行う工程は、前記プラズマ発生部に対して前記載置台を回転させることにより、基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成する反応ガスの反応領域、または当該反応領域よりも載置台の回転方向下流側領域において基板にプラズマを照射する工程であり、
前記複数の反応ガス供給部から夫々反応ガスが供給される複数の領域を互いに分離するために、各領域間に設けられた分離領域に対して分離ガス供給部から分離ガスを供給する工程を行うことを特徴とする請求項9ないし15のいずれか一つに記載の成膜方法。 - 真空雰囲気にて複数種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成し、複数種類の反応ガスのうちの一つは、基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成するものである成膜方法において、
真空容器内に設けられた載置台の基板載置領域に基板を載置する工程と、
前記真空容器内を真空排気する工程と、
次いで、前記他の反応ガスの分子あるいは基板上の一部または全部と反応する成分を含むプラズマを、プラズマ発生部から基板に供給すると共に、このプラズマ発生部に対して前記載置台を鉛直軸周りに複数回回転させる工程と、
続いて、前記載置台の基板載置領域が複数種類の反応ガスの供給領域及びプラズマの照射領域を順番に通過するように、前記真空容器の周方向に沿って互いに離間して設けられた複数の反応ガス供給部及び基板に吸着された他の反応ガスの分子と反応して薄膜成分を形成する反応ガスの反応領域、または当該反応領域よりも載置台の回転方向下流側領域に設けられた前記プラズマ発生部に対して、前記載置台を鉛直軸周りに回転させると共に、複数の反応ガス供給部及び前記プラズマ発生部から夫々複数の反応ガス及びプラズマを基板に供給する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 真空容器内にて複数種類の反応ガスを順番に基板に供給するサイクルを複数回繰り返して薄膜を形成する成膜装置に用いられるコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記コンピュータプログラムは、請求項9ないし17のいずれか一つに記載の成膜方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010191247A JP5625624B2 (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
US13/216,350 US20120052693A1 (en) | 2010-08-27 | 2011-08-24 | Film deposition apparatus, film deposition method, and computer program storage medium |
CN201110249999.XA CN102383109B (zh) | 2010-08-27 | 2011-08-26 | 成膜装置和成膜方法 |
KR1020110085751A KR101501802B1 (ko) | 2010-08-27 | 2011-08-26 | 성막 장치, 성막 방법 및 기억 매체 |
TW100130598A TWI526569B (zh) | 2010-08-27 | 2011-08-26 | 成膜裝置、成膜方法、以及記憶媒體 |
US15/811,919 US11118265B2 (en) | 2010-08-27 | 2017-11-14 | Film deposition method and computer program storage medium |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010191247A JP5625624B2 (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012049394A true JP2012049394A (ja) | 2012-03-08 |
JP5625624B2 JP5625624B2 (ja) | 2014-11-19 |
Family
ID=45697841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010191247A Active JP5625624B2 (ja) | 2010-08-27 | 2010-08-27 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20120052693A1 (ja) |
JP (1) | JP5625624B2 (ja) |
KR (1) | KR101501802B1 (ja) |
CN (1) | CN102383109B (ja) |
TW (1) | TWI526569B (ja) |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013137115A1 (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2014017296A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
JP2014123675A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
JP2014123676A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
JP2014135464A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-07-24 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法 |
WO2014148551A1 (ja) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
JP2015073099A (ja) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 窒化ケイ素膜被着方法 |
WO2015056458A1 (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 三井造船株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2015079937A (ja) * | 2014-07-18 | 2015-04-23 | 三井造船株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2015090916A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2015097255A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置 |
JP2016184754A (ja) * | 2016-06-03 | 2016-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | シード層の形成方法、シリコン膜の成膜方法および成膜装置 |
KR20180104765A (ko) * | 2016-02-12 | 2018-09-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 일괄 처리 시스템에서의 다중막 퇴적 및 에칭을 위한 방법 및 장치 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5993154B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2016-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | パーティクル低減方法 |
TWI627305B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-06-21 | 應用材料股份有限公司 | 用於轉盤處理室之具有剛性板的大氣蓋 |
TWI683382B (zh) * | 2013-03-15 | 2020-01-21 | 應用材料股份有限公司 | 具有光學測量的旋轉氣體分配組件 |
JP6115244B2 (ja) * | 2013-03-28 | 2017-04-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6146160B2 (ja) * | 2013-06-26 | 2017-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、記憶媒体及び成膜装置 |
JP2015056632A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン酸化膜の製造方法 |
JP6221932B2 (ja) * | 2014-05-16 | 2017-11-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5837962B1 (ja) * | 2014-07-08 | 2015-12-24 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびガス整流部 |
US9490116B2 (en) * | 2015-01-09 | 2016-11-08 | Applied Materials, Inc. | Gate stack materials for semiconductor applications for lithographic overlay improvement |
US10121655B2 (en) | 2015-11-20 | 2018-11-06 | Applied Materials, Inc. | Lateral plasma/radical source |
JP6545094B2 (ja) * | 2015-12-17 | 2019-07-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP6767885B2 (ja) * | 2017-01-18 | 2020-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 保護膜形成方法 |
JP6772886B2 (ja) * | 2017-02-20 | 2020-10-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP6728087B2 (ja) * | 2017-02-22 | 2020-07-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP6832808B2 (ja) | 2017-08-09 | 2021-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置 |
JP6873007B2 (ja) | 2017-08-09 | 2021-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置 |
KR102416568B1 (ko) * | 2017-08-14 | 2022-07-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 금속 산화막 형성 방법 및 플라즈마 강화 화학기상증착 장치 |
JP6929209B2 (ja) | 2017-12-04 | 2021-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化膜の成膜方法及び成膜装置 |
JP6910311B2 (ja) * | 2018-01-04 | 2021-07-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜時間の設定方法 |
JP7085929B2 (ja) | 2018-07-13 | 2022-06-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
KR20200021834A (ko) * | 2018-08-21 | 2020-03-02 | 주성엔지니어링(주) | 박막 형성 장치 및 이를 이용한 박막 형성 방법 |
JP7238350B2 (ja) * | 2018-11-12 | 2023-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP7090568B2 (ja) | 2019-01-30 | 2022-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005243921A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007077455A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2007247066A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Asm Japan Kk | 回転サセプタを備える半導体処理装置 |
WO2008100846A2 (en) * | 2007-02-12 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Limited | Atomic layer deposition systems and methods |
WO2008121463A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Limited | Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films |
JP2010153795A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4672023A (en) * | 1985-10-21 | 1987-06-09 | Avantek, Inc. | Method for planarizing wafers |
US5338362A (en) | 1992-08-29 | 1994-08-16 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for processing semiconductor wafer comprising continuously rotating wafer table and plural chamber compartments |
JP3630982B2 (ja) | 1997-05-22 | 2005-03-23 | キヤノン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP3812232B2 (ja) | 1998-10-23 | 2006-08-23 | 日新電機株式会社 | 多結晶シリコン薄膜形成方法及び薄膜形成装置 |
KR100458982B1 (ko) * | 2000-08-09 | 2004-12-03 | 주성엔지니어링(주) | 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법 |
US6869641B2 (en) | 2002-07-03 | 2005-03-22 | Unaxis Balzers Ltd. | Method and apparatus for ALD on a rotary susceptor |
US7153542B2 (en) | 2002-08-06 | 2006-12-26 | Tegal Corporation | Assembly line processing method |
WO2006093136A1 (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法 |
JP4935684B2 (ja) * | 2008-01-12 | 2012-05-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
US8247315B2 (en) | 2008-03-17 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
JP3144664U (ja) | 2008-04-08 | 2008-09-11 | みや子 竹内 | 2ways歯ブラシ |
JP5310283B2 (ja) * | 2008-06-27 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法、成膜装置、基板処理装置及び記憶媒体 |
US8465591B2 (en) * | 2008-06-27 | 2013-06-18 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
JP5423205B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
-
2010
- 2010-08-27 JP JP2010191247A patent/JP5625624B2/ja active Active
-
2011
- 2011-08-24 US US13/216,350 patent/US20120052693A1/en not_active Abandoned
- 2011-08-26 CN CN201110249999.XA patent/CN102383109B/zh active Active
- 2011-08-26 TW TW100130598A patent/TWI526569B/zh not_active IP Right Cessation
- 2011-08-26 KR KR1020110085751A patent/KR101501802B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-11-14 US US15/811,919 patent/US11118265B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005243921A (ja) * | 2004-02-26 | 2005-09-08 | Nec Electronics Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2007077455A (ja) * | 2005-09-14 | 2007-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法 |
JP2007247066A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Asm Japan Kk | 回転サセプタを備える半導体処理装置 |
WO2008100846A2 (en) * | 2007-02-12 | 2008-08-21 | Tokyo Electron Limited | Atomic layer deposition systems and methods |
WO2008121463A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-09 | Tokyo Electron Limited | Method for forming strained silicon nitride films and a device containing such films |
JP2010153795A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-07-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 |
Cited By (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013137115A1 (ja) * | 2012-03-15 | 2015-08-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
WO2013137115A1 (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2014135464A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-07-24 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置及び成膜方法 |
KR101794380B1 (ko) * | 2012-06-15 | 2017-11-06 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 성막 장치, 기판 처리 장치 및 성막 방법 |
JP2014017296A (ja) * | 2012-07-06 | 2014-01-30 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
JP2014123675A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
JP2014123676A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法 |
US9786493B2 (en) | 2013-03-22 | 2017-10-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, and recording medium |
JPWO2014148551A1 (ja) * | 2013-03-22 | 2017-02-16 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
KR101752075B1 (ko) * | 2013-03-22 | 2017-07-11 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 기록 매체 |
WO2014148551A1 (ja) * | 2013-03-22 | 2014-09-25 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理装置および記録媒体 |
JP2015073099A (ja) * | 2013-10-03 | 2015-04-16 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | 窒化ケイ素膜被着方法 |
US9905415B2 (en) | 2013-10-03 | 2018-02-27 | Versum Materials Us, Llc | Methods for depositing silicon nitride films |
JP2015097255A (ja) * | 2013-10-07 | 2015-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | シリコン窒化物膜の成膜方法および成膜装置 |
WO2015056458A1 (ja) * | 2013-10-16 | 2015-04-23 | 三井造船株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
JP2015090916A (ja) * | 2013-11-06 | 2015-05-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2015079937A (ja) * | 2014-07-18 | 2015-04-23 | 三井造船株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
KR20180104765A (ko) * | 2016-02-12 | 2018-09-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 일괄 처리 시스템에서의 다중막 퇴적 및 에칭을 위한 방법 및 장치 |
KR102469407B1 (ko) | 2016-02-12 | 2022-11-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 일괄 처리 시스템에서의 다중막 퇴적 및 에칭을 위한 방법 및 장치 |
JP2016184754A (ja) * | 2016-06-03 | 2016-10-20 | 東京エレクトロン株式会社 | シード層の形成方法、シリコン膜の成膜方法および成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201229304A (en) | 2012-07-16 |
US20120052693A1 (en) | 2012-03-01 |
CN102383109B (zh) | 2015-03-18 |
US20180080123A1 (en) | 2018-03-22 |
JP5625624B2 (ja) | 2014-11-19 |
KR20120021222A (ko) | 2012-03-08 |
KR101501802B1 (ko) | 2015-03-11 |
TWI526569B (zh) | 2016-03-21 |
US11118265B2 (en) | 2021-09-14 |
CN102383109A (zh) | 2012-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5625624B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5131240B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5423529B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5327147B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP5181100B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP5287592B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5423205B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5712874B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
KR101407112B1 (ko) | 반도체 처리용 성막 장치 | |
JP5599350B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP5870568B2 (ja) | 成膜装置、プラズマ処理装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP5392069B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP6146160B2 (ja) | 成膜方法、記憶媒体及び成膜装置 | |
JP5549754B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5750190B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP5447632B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5692337B2 (ja) | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 | |
JP6453727B2 (ja) | 基板処理装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法 | |
JP2011066367A (ja) | 基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130408 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131224 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140408 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140609 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140811 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140902 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140915 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5625624 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |