JP2012046634A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
(主剤)
1.常温で液状のエポキシ樹脂
ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ジャパンエポキシレジン(株)製「エピコート828」
2.アミノグリシジルエーテル
N,N−ビス(2,3−エポキシプロピル)−4−(2,3−エポキシプロポキシ)アニリン、ジャパンエポキシレジン(株)製「EP−630」
3.エピスルフィド樹脂
水添ビスフェノールA型エピスルフィド樹脂、ジャパンエポキシレジン(株)製「YL7007」
(硬化剤)
1.アミン系硬化剤1
ジアミノジフェニルメタン、保土谷化学工業(株)製「DDM」
2.アミン系硬化剤2
1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼン、略称PEMPB、セイカ(株)製
3.アミン系硬化剤3
1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼン、略称PEPPB、セイカ(株)製
(無機充填剤)
球状シリカ、(株)アドマテックス製「SO−C1」、平均粒径0.3μm
表1および表2に示す配合量で各成分が配合された半導体封止用エポキシ樹脂組成物を、主剤と、硬化剤と、無機充填剤とを常法に従って撹拌、溶解、混合、分散することにより調製した。表2では主剤としてエポキシ樹脂とともにエピスルフィド樹脂を用いた場合についても検討した。
[靭性]
半導体封止用エポキシ樹脂組成物をガラス板で挟み込み、硬化させた後、長さ58mm、厚さ7mm、幅14mmの試験片を作製した。硬化条件は165℃、2時間とした。この試験片に予めクラックを入れ、シャルピー耐衝撃性試験JISK 7111を行い、次の基準により評価した。
○:10kJ/m2以上
△:5kJ/m2以上10kJ/m2未満
×:5kJ/m2未満
[反応性]
半導体封止用エポキシ樹脂組成物をセラミック基板に塗布し、塗布面に2mm角のシリコンチップ(ポリイミド膜コート)を設置し、半導体封止用エポキシ樹脂組成物を硬化させて基板にシリコンチップを接着し、その密着強度を測定した。
○:90%以上
△:50%以上90%未満
×:50%未満
[耐吸湿性]
半導体封止用エポキシ樹脂組成物をセラミック基板に塗布し、165℃、2時間の硬化条件にて硬化させた。得られた硬化物にPCT処理(121℃、2atm、48時間)を施し、処理前後における重量増加率を測定して次の基準により評価した。
○:1.0%未満
△:1.0%以上2%未満
×:2.0%以上
主剤としてエポキシ樹脂(エピコート828、EP−630)を用いた場合の靭性および反応性についての評価結果を表1に示し、主剤としてさらにエピスルフィド樹脂を用いた場合も含めた靭性、反応性、および耐吸湿性についての評価結果を表2に示す。
Claims (7)
- 主剤として前記エポキシ樹脂とともにエピスルフィド樹脂を含有することを特徴とする請求項1に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記エピスルフィド樹脂を前記主剤の全量に対して20質量%以上含有することを特徴とする請求項2に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記一般式(I)の硬化剤として、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼンおよび1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼンから選ばれる少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項1ないし3いずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼンおよび1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)−5−(2−フェニルエチニル)ベンゼンから選ばれる少なくとも1種を前記硬化剤の全量に対して30質量%以上含有することを特徴とする請求項4に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 前記常温で液状のエポキシ樹脂として、N,N−ビス(2,3−エポキシプロピル)−4−(2,3−エポキシプロポキシ)アニリンを含有することを特徴とする請求項1ないし5いずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
- 請求項1ないし6いずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて半導体チップと回路基板との間が封止されていることを特徴とする半導体装置。
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