JP2012043622A5 - - Google Patents

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これに対して、特開平７−９７２６９号公報および特開２００１−１１４５５６号公報には、ＳｉＯ₂−Ｂ₂Ｏ₃−Ａｌ₂Ｏ₃−ＣａＯ系ガラス粉末と、Ａｌ₂Ｏ₃粉末との含む厚膜導体形成用組成物を焼成することによって、厚膜導体にアノーサイトを析出させることが開示されている。しかしながら、これらの場合、十分な大きさのアノーサイトを析出させるためには、その結晶化温度が高い（ガラスの軟化温度が高い）ことから、９００℃以上の高温が必要である。９００℃以上の温度で厚膜導体形成用組成物を焼成すると,厚膜導体が過焼結となったり、Ａｇの融点が低いため、Ａｇ系の厚膜導体からなる電極が島状になって,均質な電極の形成が困難になったりするなどの問題がある。

特開２００４−２５０３０８号公報 特開平７−３３５４０２号公報 特開２００３−２２４００１号公報 特開２００４−２２１００６号公報 特開２００２−３２４４２８号公報 特開２００４−３２７３５６号公報 特開平６−２２３６１６号公報 特開平７−９７２６９号公報 特開２００１−１１４５５６号公報 特開２００６−２２８５７２号公報

本発明においては、導電粉末１００質量部に対して、カーボン粉末を１〜１０質量部、好ましくは３〜７質量部だけ、さらに添加している点に特徴がある。カーボン粉末は、導電性を有することから、広い意味での導電ペーストの分野において、導電粉末として用いられる材料である。ただし、貴金属粉末を用いる厚膜導体形成用組成物においては、その導電材料としての単なる添加は、得られる厚膜導体の本来の導体性能ないしは接着強度を含む電極性能を低下させるものであるため、通常、添加されることはない。また、カーボン粉末を、Ａｇを導体粉末の主材料とするが、アノーサイトが形成されることのない厚膜導体形成用組成物の材料として単に添加した場合に、Ａｇの硫化を好適に防止することはできない。