CN104779022A - 负特性热敏电阻及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够使元件尺寸小型化，并且具有内部电极的挥发少的高覆盖的内部电极，使用可靠性高的Mn-Ni-Ti系材料的负特性热敏电阻。盖层叠芯片型负特性热敏电阻，其是0603尺寸以下，具备：陶瓷元件，其由以Mn以及Ni为主要成分，并包含Ti的陶瓷材料构成；和内部电极，其包含70重量％以上的Pd。

Description

负特性热敏电阻及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种负特性热敏电阻(thermistor)及其制造方法。
背景技术
近年来，电子元件被要求面安装对应，具有负的电阻温度特性的负特性(NTC)热敏电阻也向芯片化进展。这种被芯片化了的层叠型负特性热敏电阻(层叠芯片型负特性热敏电阻)例如在专利文献1(特开2004-104093号公报)中被公开。
专利文献1所示的层叠芯片型负特性热敏电阻由陶瓷坯体构成，该陶瓷坯体具有：具有负的电阻温度特性的多个陶瓷层、和分别沿着陶瓷层的界面形成的多个内部电极，在所述陶瓷坯体的端面，按照与内部电极导通的方式形成外部电极。
这里，陶瓷层是使用以Mn以及Ni为主要成分，添加了Al作为添加剂的陶瓷材料(热敏电阻材料)来形成的，使用Pd电极作为内部电极，使用Ag电极作为外部电极。
这种层叠芯片型负特性热敏电阻通过以下的方法而被制作。首先，向陶瓷粉末添加并混合有机粘合剂使其为泥状，然后，使用刮刀成膜(doctorblade)法等来实施制作加工，制作陶瓷生片。接下来，使用将Pd作为主要成分的内部电极用糊膏，在陶瓷生片上实施网版印刷，来形成电极图案。接下来，在层叠了网版印刷有这些电极图案的陶瓷生片之后，上下夹持电极图案未被网版印刷的陶瓷生片并进行压接，制作层叠体。接下来，在对得到的层叠体进行了脱粘合剂处理之后，进行烧制(烧成)，并形成内部电极层与陶瓷层交互层叠的陶瓷坯体。然后，在得到的陶瓷坯体的两端部涂敷烧制由Ag等构成的外部电极用糊膏，形成外部电极。
在将具备如上那样得到的外部电极的陶瓷坯体面安装在基板时，通常进行焊锡附着。在进行该焊锡附着时，可能产生外部电极熔融并溶出到焊锡中，也就是吞焊。为了防止该吞焊，或者为了确保焊锡的湿润性，因此在进行焊锡附着之前，一般预先在外部电极的表面形成Ni以及Sn等镀膜。
另外，在专利文献1的实施例中，公开了使用Mn-Ni-Al-Ti系的陶瓷材料作为热敏电阻材料，使用Pd电极作为内部电极。
此外，专利文献2(特开2004-311588号公报)中也记载了使用Mn-Ni-Al系的热敏电阻材料与Pd制的内部电极的实施例。此外，专利文献3(特开2001-237105号公报)中记载了使用Mn-NI-Co系的热敏电阻材料与Pd制的内部电极的实施例。专利文献4(特开2000-124006号公报)中记载了使用Mn-Ni-Cr系的热敏电阻材料与Pd制的内部电极的实施例。专利文献5(特开2000-106304号公报)中记载了使用Mn-NI-Cu系材料的热敏电阻材料与Pd制的内部电极的实施例。
但是，在形成在陶瓷坯体的端面的外部电极形成镀膜时，镀液也会与陶瓷坯体接触，存在陶瓷坯体被侵蚀的问题。此外，若陶瓷坯体被镀液侵蚀，则产生陶瓷坯体的坯体强度也降低的问题。特别地，如专利文献1所示的，使用以Mn以及Ni为主要成分，并含有Al的热敏电阻材料来形成的陶瓷坯体14，虽然具有经时变化小并且可靠性优良的效果，但不能充分防止由于镀液导致的侵蚀。
为了解决这种以往的问题，研究使用Mn-Ni-Ti系的陶瓷材料作为热敏电阻材料。例如，专利文献6(国际公开第2006/085507号)中，公开了使用Mn-Ni-Ti系的陶瓷材料作为热敏电阻材料，使用由包含60～90重量％的Ag的AgPd等构成的内部电极。此外，专利文献7(专利第5064286号公报)中，公开了使用Mn-Ni-Ti系材料的陶瓷材料作为热敏电阻材料，使用至少包含Ag的内部电极。
在上述的使用Mn系的陶瓷材料的层叠型负特性热敏电阻中，AgPd、Pd等作为内部电极的材料而被使用。此外，由于专利文献6以及7中公开的使用Mn-Ni-Ti系材料的层叠型负特性热敏电阻是能够以比较低温的区域(900～1100℃)进行烧制的组成，因此Ag比率高的AgPd制的内部电极的使用是优选的结构。由于Ag远比Pd低价，因此在不存在烧制过程中的挥发问题的范围内提高Ag的比率，在成本方面更有利。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-104093号公报
专利文献2：日本特开2004-311588号公报
专利文献3：日本特开2001-237105号公报
专利文献4：日本特开2000-124006号公报
专利文献5：日本特开2000-106304号公报
专利文献6：国际公开第2006/085507号
专利文献7：专利第5064286号公报
发明要解决的课题
若将层叠芯片型负特性热敏电阻的元件尺寸小型化，则内部电极形成部到周围环境的外层距离变短。因此，陶瓷坯体容易受到高温环境下、潮湿环境下的影响，其影响的程度由陶瓷的烧结状态控制。因此，为了提高热敏电阻的耐环境性，陶瓷坯体的致密化是最有效的，因此提高烧制温度是有效的。
但是，由于AgPd内部电极中的Ag的熔点低，因此若烧制温度高则在烧制时Ag容易挥发。并且，在Ag挥发的情况下，Ag从层叠芯片等的端面挥发。因此，越使芯片尺寸小型化，对于内部电极彼此的重合部分的、由于Ag的挥发(Ag飞溅)而导致的影响越大，其中，该内部电极是对作为负特性热敏电阻的主要特性的电阻值的贡献大的内部电极。并且，由于Ag飞溅，内部电极的覆盖降低，因此电阻值的偏差变大，此外，也带来耐高温环境性、耐湿性等可靠性的恶化。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种能够使元件尺寸小型化，并且具有内部电极的挥发少的高覆盖的内部电极，并使用可靠性高的Mn-Ni-Ti系材料的负特性热敏电阻。
解决课题的手段
本发明涉及一种层叠芯片型负特性热敏电阻，其是0603尺寸以下，具备：陶瓷元件，其由以Mn以及Ni为主要成分，并包含Ti的陶瓷材料构成；和内部电极，其包含70重量％以上的Pd。所述陶瓷元件的厚度优选为24μm以下。
此外，本发明涉及一种层叠芯片型负特性热敏电阻，其是0402尺寸以下，具备：陶瓷元件，其由以Mn以及Ni为主要成分，并包含Ti的陶瓷材料构成；和内部电极，其由Pd构成。所述陶瓷元件的厚度优选为16μm以下。
在上述层叠芯片型负特性热敏电阻中，所述陶瓷元件的陶瓷平均颗粒直径优选为3.0μm以下。
此外，本发明涉及一种制造方法，其是上述负特性热敏电阻的制造方法，包含1100℃以上的温度下的烧制工序。
发明效果
根据本发明，在这里使用Mn-Ni-Ti系材料的负特性热敏电阻中，通过在使该元件尺寸小型化时，有意使用高熔点的电极(Pd比率高的AgPd电极或者由Pd构成的电极)作为内部电极，从而能够提供一种具有内部电极的挥发少的高覆盖的内部电极，并且使用可靠性高的Mn-Ni-Ti系材料的负特性热敏电阻。
此外，通过在高温下进行烧制、使烧制后的陶瓷元件中的陶瓷颗粒小直径化，从而陶瓷坯体变得致密，提供一种具备难以受到外部环境的影响、机械强度优良的陶瓷坯体的负特性热敏电阻。
附图说明
图1是表示在试验例1中，高温放置的时间与电阻变化率的关系的图表。
图2是表示在试验例2中，内部电极的组成与电阻变化率的关系的图表。
图3是实施例4～6的层叠芯片型负特性热敏电阻的陶瓷元件的表面的电子显微镜照片像。
图4是表示在试验例3中，陶瓷颗粒的平均颗粒直径与电阻变化率的关系的图表。
图5是表示在试验例3中，陶瓷颗粒的平均颗粒直径与抗折强度的关系的图表。
图6是表示在试验例5中，内部电极的组成与电阻变化率的关系的图表。
图7是表示在试验例6中，陶瓷颗粒的平均颗粒直径与电阻变化率的关系的图表。
具体实施方式
(实施方式1)
本实施方式的层叠芯片型负特性热敏电阻具备：由以Mn以及Ni为主要成分，并包含Ti的陶瓷材料构成的陶瓷元件、和包含70重量％以上的Pd的内部电极，其尺寸为0603尺寸以下。由于基本的结构与例如专利文献1所述的一般的结构相同，因此省略详细的说明。
这里，所谓0603尺寸，是指在长边方向上为0.6mm，在短边方向上为0.3mm，在高度方向上为0.3mm的大小。另外，所谓1005尺寸，是指在长边方向上为1.0mm，在短边方向上为0.5mm，在高度方向上为0.5mm的大小。
作为构成陶瓷坯体的陶瓷材料，是以Mn以及Ni为主要成分(Mn与Ni的合计量超过全量的50重量％)，并含有Ti的材料即可，并不特别限定，例如，能够使用下面的(1)或者(2)的陶瓷材料。
(1)是包含Mn、Ni以及Ti的陶瓷材料，在将Mn的摩尔量设为a，将Ni的摩尔量设为b时，Mn与Ni的摩尔比为55/45≤a/b≤90/10，在将Mn以及Ni的总摩尔量设为100摩尔部时，是含有0.5摩尔部以上25摩尔部以下的Ti的陶瓷材料。
(2)是包含Mn、Ni、Co以及Ti的陶瓷材料，由0.1mol％以上90mol％以下的Mn、0.1mol％以上45mol％以下的Ni、以及0.1mol％以上90mol％以下的Co构成(其中，Mn、Ni以及Co的和为100mol％)，并且，在陶瓷材料中，将Mn、Ni以及Co的总摩尔量设为100摩尔部时，是含有0.5摩尔部以上30摩尔部以下的Ti的陶瓷材料。
通过如上述(1)、(2)的陶瓷材料那样，对于含有Mn和Ni的材料，通过让其含有规定量的Ti，从而能够防止由于镀液而导致陶瓷坯体被侵蚀，并且能够提高陶瓷坯体的强度。
在本实施方式中，陶瓷元件的厚度优选为24μm以下。这是由于在层叠芯片型负特性热敏电阻的尺寸为0402尺寸以下的情况下，陶瓷元件的厚度为16μm左右。另外，1005尺寸的陶瓷元件的厚度为36μm左右。
此外，陶瓷元件的陶瓷结晶的平均颗粒直径优选为3.0μm以下。通过使陶瓷颗粒小直径化，从而陶瓷坯体被致密化，可提供具备难以受到外部环境的影响并且机械强度也优良的陶瓷坯体的负特性热敏电阻。此外，由于通过陶瓷颗粒的小直径化，能够使陶瓷元件薄层化，因此层叠芯片型负特性热敏电阻的小型化变得容易。此外，能够进行热敏电阻的所希望的电阻值设计。根据以上所述，能够提供一种电阻值偏差被抑制，耐环境性优良的超小型的层叠芯片型负特性热敏电阻。
(实施方式2)
本实施方式在使用由Pd构成的内部电极，层叠芯片型负特性热敏电阻的尺寸为0402尺寸以下方面，与实施方式1不同，但除此以外与实施方式1相同。由于除此以外的方面与例如专利文献1所述的一般的结构相同，因此省略详细的说明。
这里，所谓0402尺寸，是指在长边方向上为0.4mm，在短边方向上为0.2mm，在高度方向上为0.2mm的大小。
在本实施方式中，陶瓷元件的厚度优选为16μm以下。这是由于在层叠芯片型负特性热敏电阻的尺寸为0402尺寸以下的情况下，陶瓷元件的厚度为16μm左右。
(实施方式3)
本实施方式是实施方式1或者2中所说明的层叠芯片型负特性热敏电阻的制造方法，包含在1100℃以上的温度下的烧制工序。通过使烧制工序的温度为1100℃以上，能够使烧制后的陶瓷元件致密化。
另外，优选调整为使烧制后的陶瓷元件的陶瓷结晶的平均颗粒直径为3.0μm以下，作为为此的方法，例如举例有：缩小陶瓷元件的原料粉末的颗粒直径的方法、陶瓷生片内的有机粘合剂量的最佳化。
根据本实施方式的制造方法，即使是0603尺寸、0402尺寸以下的层叠芯片型负特性热敏电阻，也能够赋予与1005尺寸以上的大型尺寸的热敏电阻同等级别的可靠性。
【实施例】
(实施例1)
在本实施例中，使用包含Mn、Ni以及Ti的Mn-Ni-Ti系陶瓷材料作为陶瓷元件的材料，并通过一般的制造方法(与专利文献1所述的制造方法基本同样的方法)，制作具备含有70重量％的Pd的AgPd内部电极的0603尺寸的层叠芯片型负特性热敏电阻。其中，烧制工序的温度为1130℃。此外，上述Mn-Ni-Ti系陶瓷材料含有65mol％的Mn以及28mol％的Ni，进一步地，在将该陶瓷材料中的Mn以及Ni的总摩尔量设为100摩尔部时，含有6摩尔部的Ti。
另外，得到的层叠芯片型负特性热敏电阻的陶瓷元件中的陶瓷结晶的平均颗粒直径是0.5μm。另外，平均颗粒直径的测量是通过对陶瓷元件的表面进行图像识别而计算出的(对于其他实施例以及比较例也是同样的)。
(比较例1)
除了将烧制工序的温度设为1090℃以外，与实施例1同样地，制作0603尺寸的层叠芯片型负特性热敏电阻。另外，得到的层叠芯片型负特性热敏电阻的陶瓷元件中的陶瓷结晶的平均颗粒直径是0.7μm。
<试验例1>
针对实施例1以及比较例1的层叠芯片型负特性热敏电阻，进行了基于高温放置试验的可靠性评价。
具体来讲，将实施例1以及比较例1的层叠芯片型负特性热敏电阻放置在125℃恒温槽内。在从放置开始起经过了规定时间(100、300、500、1000小时)时，将热敏电阻从恒温槽取出，在25℃环境下放置足够的时间，并在热敏电阻变成25℃之后，测定各热敏电阻的电阻值。根据该测定值，计算对于预先在试验开始前测定的热敏电阻的电阻值的电阻变化率。图1中，通过图表来表示高温放置的时间与电阻变化率的关系。
由图1所示，可知通过提高烧制温度，电阻变化率显著降低，热敏电阻的耐环境性显著提高。另外，经过1000小时后的电阻变化率为1％以下，在保证热敏电阻的可靠性的基础上，为一般的指标。
在1005尺寸以上的热敏电阻的情况下，由于即使在1100℃以下进行了烧制，对于内部电极彼此的重合部分的影响也少，因此在耐环境性方面基本没有问题，其中，该内部电极是对作为负特性热敏电阻的主要特性的电阻值的贡献大的内部电极。但是，在0603尺寸以下的小型尺寸，由于内部电极形成部到周围环境的外层距离变短，因此容易受到高温环境下、潮湿环境下的影响。
因此，根据图1的结果，在0603尺寸以下的层叠芯片型负特性热敏电阻中，需要通过使陶瓷坯体致密化来提高耐环境性，为此，以1100℃以上的温度进行烧制变得重要。
但是，由于若烧制温度为1100℃以上，则Ag的挥发对热敏电阻的可靠性不能忽略，因此在实施例1中，使用Pd比率为70重量％以上的内部电极。
(实施例2)
除了将尺寸设为0402尺寸以外，其他与实施例1同样地，制作层叠芯片负特性热敏电阻。也就是说，作为内部电极，使用含有70重量％的Pd的AgPd电极。
(实施例3)
除了使用Pd电极(由Pd构成的电极)作为内部电极以外，其他与实施例2同样地，制作层叠芯片型负特性热敏电阻。
<试验例2>
针对实施例2以及3的层叠芯片型负特性热敏电阻，与试验例1同样地，进行了基于高温放置试验的可靠性评价。其中，仅进行从放置开始起经过1000小时的测定。图2中，表示内部电极的组成与电阻变化率的关系。
如图2所示，可知在比0603尺寸小的0402尺寸的热敏电阻中，使用Pd电极作为内部电极比使用AgPd电极作为内部电极的情况下的电阻变化率更降低。根据该结果可知，特别是为了提高0402尺寸以下的热敏电阻的可靠性，则最好使用Pd电极作为内部电极。
(实施例4～6)
除了将烧制后的陶瓷元件的陶瓷平均颗粒直径设为7.0μm(实施例4)、5.0μm(实施例5)、3.0μm(实施例6)这方面以外，与实施例3同样地，制作层叠芯片型负特性热敏电阻。另外，烧制后的陶瓷平均颗粒直径的调整是通过对Mn-Ni-Ti系材料的原料粉末的平均颗粒直径进行调整而进行的。具体来讲，通过陶瓷生片内的有机粘合剂量的调整与烧制温度的调整，从而对烧制后的陶瓷平均颗粒直径进行了调整。
对于实施例4～6的层叠芯片型负特性热敏电阻，图3(a)～(c)表示陶瓷元件的表面的电子显微镜照片像。
<试验例3>
针对实施例4～6的层叠芯片型负特性热敏电阻，与试验例2同样地，进行了基于高温放置试验的可靠性评价。图4中，表示陶瓷颗粒的平均颗粒直径与电阻变化率的关系。
如图4所示，可知在0402尺寸的超小型热敏电阻中，具有由Pd构成的内部电极，并且通过使烧制后的陶瓷颗粒微粒化从而让耐环境性提高。另外，在平均颗粒直径为3.0μm的情况下，能够得到与0603尺寸、1005尺寸等更大型尺寸同等(图中的虚线)的耐环境性。
此外，针对实施例4～6的层叠芯片型负特性热敏电阻，进行了抗折强度的测定。具体来讲，在该芯片的中央通过探测器附加负荷，来测定完成品芯片(外部电极形成以及镀敷后)的坯体强度。图5中，表示陶瓷颗粒的平均颗粒直径与抗折强度的关系。
如图5所示，可知通过使烧制后的陶瓷颗粒微粒化，也能够提高层叠芯片型负特性热敏电阻的机械强度。
<试验例4>
针对表1～3所示的烧制温度与内部电极组成的组合，与实施例1同样地制作层叠芯片型负特性热敏电阻，与试验例2同样地，进行了基于高温放置试验的可靠性评价。另外，在表1～3中，层叠芯片型负特性热敏电阻的尺寸分别为1005尺寸、0603尺寸、0402尺寸。表1～3中，表示针对基于各个组合的层叠芯片型负特性热敏电阻的可靠性评价结果。另外，在表1～3中，电阻变化率为1％以下的情况由○表示，电阻变化率超过1％的情况由×表示。
【表1】
【表2】
【表3】
根据表1～3可知，在1005尺寸中，由于即使进行比较低温下的烧制也能够得到可靠性，因此能够使用Pd比率低的内部电极，与此相对，在0603尺寸以及0402尺寸中，在比较低温下的烧制中难以得到所希望的可靠性，为了提高热敏电阻的可靠性，需要高温下的烧制，并且，需要使用Pd比率高的内部电极。
<试验例5>
与实施例1同样地，制作基于表4所示的芯片尺寸以及内部电极的组成的组合的层叠芯片型负特性热敏电阻，并与试验例2同样地，进行了基于高温放置试验的可靠性评价。表4中表示各个电阻变化率。此外，图6中通过图表来表示表4的结果。
【表4】
根据表4以及图6可知，在1005尺寸中，即使提高内部电极中的Pd比率，电阻变化率的减少也少，与此相对，在0603尺寸以及0402尺寸中，通过提高内部电极中的Pd比率，电阻变化率大幅度减少，热敏电阻的可靠性提高效果非常高。
<试验例6>
与实施例4～6同样地，制作基于表5所示的芯片尺寸以及内部电极的组成的组合的层叠芯片型负特性热敏电阻，并与试验例2同样地，进行了基于高温放置试验的可靠性评价。表5中表示各个电阻变化率。此外，在图7中通过图表来表示表5的结果。
【表5】
根据表5以及图7可知，在1005尺寸中，即使缩小烧制后的陶瓷颗粒的平均颗粒直径，电阻变化率的减少也少，与此相对，在0603尺寸以及0402尺寸中，通过减小烧制后的陶瓷颗粒的平均颗粒直径，电阻变化率大幅度减少，热敏电阻的可靠性提高效果非常高。
应该认为这次公开的实施方式以及实施例的全部方面都是示例，并不限定于此。本发明的范围包含不是上述的说明，而是通过权利要求所示的，与权利要求等同的含义以及范围内的所有变更。

Claims (6)

1.一种层叠芯片型负特性热敏电阻，其是0603尺寸以下，具备：
陶瓷元件，其由以Mn以及Ni为主要成分，并包含Ti的陶瓷材料构成；和
内部电极，其包含70重量％以上的Pd。
2.根据权利要求1所述的层叠芯片型负特性热敏电阻，
所述陶瓷元件的厚度为24μm以下。
3.一种层叠芯片型负特性热敏电阻，其是0402尺寸以下，具备：
陶瓷元件，其由以Mn以及Ni为主要成分，并包含Ti的陶瓷材料构成；和
内部电极，其由Pd构成。
4.根据权利要求3所述的层叠芯片型负特性热敏电阻，
所述陶瓷元件的厚度为16μm以下。
5.根据权利要求2所述的层叠芯片型负特性热敏电阻，
所述陶瓷元件的陶瓷结晶的平均颗粒直径为3.0μm以下。
6.一种制造方法，其是权利要求1～5的任意一项所述的负特性热敏电阻的制造方法，
包含1100℃以上的温度下的烧制工序。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108291908A (zh) * 2015-05-25 2018-07-17 黄菊 用免疫和化学方法快速简便测定s-腺苷蛋氨酸，s-腺苷同型半胱氨酸和同型半胱氨酸
CN114207747A (zh) * 2019-12-06 2022-03-18 Tdk株式会社 Ntc热敏电阻元件

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7281142B1 (ja) * 2021-11-11 2023-05-25 株式会社芝浦電子 サーミスタ焼結体およびサーミスタ焼結体の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1975940A (zh) * 2006-12-22 2007-06-06 上海维安热电材料股份有限公司 一种ntc热敏电阻及其制造方法
WO2011024724A1 (ja) * 2009-08-28 2011-03-03 株式会社村田製作所 サーミスタ及びその製造方法
JP2011187648A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Tdk Corp 積層型チップ部品
CN102290174A (zh) * 2005-02-08 2011-12-21 株式会社村田制作所 表面安装型负特性热敏电阻

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5057509U (zh) * 1973-09-25 1975-05-29
JP2001118731A (ja) * 1999-10-19 2001-04-27 Murata Mfg Co Ltd チップ型複合電子部品およびその製造方法
JP2001232981A (ja) * 2000-02-21 2001-08-28 Tonbo Hamono Seisakusho:Kk 書類等のホルダ−
JP3146197U (ja) * 2008-08-27 2008-11-06 イガラシプロ有限会社 表示用スタンド
JP2011025486A (ja) * 2009-07-24 2011-02-10 Norio Obana 押え片付ホルダー及び押え片付ホルダーの製造方法
JP5423899B2 (ja) * 2010-09-14 2014-02-19 株式会社村田製作所 半導体セラミック素子およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102290174A (zh) * 2005-02-08 2011-12-21 株式会社村田制作所 表面安装型负特性热敏电阻
CN1975940A (zh) * 2006-12-22 2007-06-06 上海维安热电材料股份有限公司 一种ntc热敏电阻及其制造方法
WO2011024724A1 (ja) * 2009-08-28 2011-03-03 株式会社村田製作所 サーミスタ及びその製造方法
JP2011187648A (ja) * 2010-03-08 2011-09-22 Tdk Corp 積層型チップ部品

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108291908A (zh) * 2015-05-25 2018-07-17 黄菊 用免疫和化学方法快速简便测定s-腺苷蛋氨酸，s-腺苷同型半胱氨酸和同型半胱氨酸
CN114207747A (zh) * 2019-12-06 2022-03-18 Tdk株式会社 Ntc热敏电阻元件
CN114207747B (zh) * 2019-12-06 2024-07-09 Tdk株式会社 Ntc热敏电阻元件

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