JP2012043622A - 厚膜導体形成用組成物、この組成物を用いて形成された厚膜導体、およびこの厚膜導体を用いたチップ抵抗器 - Google Patents
厚膜導体形成用組成物、この組成物を用いて形成された厚膜導体、およびこの厚膜導体を用いたチップ抵抗器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012043622A JP2012043622A JP2010183323A JP2010183323A JP2012043622A JP 2012043622 A JP2012043622 A JP 2012043622A JP 2010183323 A JP2010183323 A JP 2010183323A JP 2010183323 A JP2010183323 A JP 2010183323A JP 2012043622 A JP2012043622 A JP 2012043622A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- thick film
- mass
- film conductor
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
Abstract
【解決手段】本発明は、チップ抵抗器の電極として用いられる厚膜導体を形成するための組成物に関する。本発明の組成物は、導電粉末としてAg粉末が、酸化物粉末として、SiO2−B2O3−Al2O3−CaO−Li2O系ガラス粉末と、Al2O3粉末とが、それぞれ含まれており、かつ、添加物としてカーボン粉末が添加されている。導電粉末100質量部に対し、カーボン粉末が1〜10質量部、前記ガラス粉末が0.1〜15質量部、前記Al2O3粉末が0.1〜8質量部である。前記ガラス粉末の組成比は、SiO2:20〜60質量%、B2O3:2〜25質量%、Al2O3:2〜25質量%、CaO:20〜50質量%、およびLi2O:0.5〜6質量%である。
【選択図】図1
Description
表1に6種類のガラス粉末の組成比(質量%)を示した。これらのうち、ガラス粉末A、B、C、Fが本発明の組成範囲に該当する。一方、ガラス粉末DはLi2Oが含まれず、ガラス粉末EはCaOが含まれず、それぞれ本発明の組成範囲外である。
平均粒径1.5μmの粒状Ag粉末、および平均粒径0.1μmの粒状Pd粉末からなる導電粉末に対して、表1に示した組成で、平均粒径3μmのガラス粉末と、平均粒径0.5μmのAl2O3粉末と、平均粒径0.1μmのカーボン粉末とを、ターピネオール溶液にエチルセルロース樹脂を溶解して得た有機ビヒクルと混合し、3本ロールミルで混練することにより、ペースト状の厚膜導体形成用組成物を作製した。Ag粉末とPd粉末の合計からなる導電粉末の合計量を100質量部として、有機ビヒクルは導電粉末100質量部に対して25質量部とし、その他の材料に関しては、導電粉末100質量部に対して、表2に記載した質量部とした。
表2に示すとおり、Ag粉末とPd粉末の比率(質量比)を99.3:0.7とし、カーボン粉末の添加量を導電粉末100質量部に対して4.0質量部とし、Al2O3粉末の添加量と、ガラス粉末A、B、C、D、Eを用いて、添加量を3.0〜5.0質量部の範囲として、各材料の組合せとその添加量を変えて、ペースト状の厚膜導体形成用組成物を作製した。測定された厚膜導体の膜厚、面積抵抗値、接着強度、耐半田食われ性および耐硫化性の結果とその評価について、それぞれ表2に示す。
実施例4、実施例5、実施例6、および比較例4には、本発明の組成範囲であるガラス粉末Fを用いた。ガラス粉末Fは、本発明範囲内のガラス組成に加えて、さらなる導体特性の向上を図るために。Bi2O3、CuO、MnO2を表2に示す分量だけ添加したものである。それぞれ、ガラスFの添加量を6.3質量部、AgとPdの比率(質量比)を99.3:0.7として、カーボン粉末の添加量を0から6.0質量部まで変化させた。
実施例7、実施例8は、実施例5の系列であって、Al2O3粉末の添加量をそれぞれ0.5質量部、3.0質量部としたものである。
実施例9も、実施例5の系列であって、Pd粉末を添加せずに、導電粉末をAg粉末のみで構成したものである。
比較例5、比較例6、比較例7は、それぞれCaOを含まない本発明の組成範囲外のガラス粉末Eを用いて、Al2O3粉末を1.0質量部添加し、カーボン粉末を無添加とする組成物を用いて得た厚膜導体であり、組成物中のAg粉末とPd粉末の比率を変化させて、この組成におけるPd添加の効果を確認したものである。いずれも、耐半田食われ性や耐硫化性を向上させるPd粉末が添加されているが、アノーサイトの析出がなく、かつ、アノーサイトとカーボンの添加効果による特殊な結晶構造を有しないこれらの比較例の厚膜導体では、いずれも耐半田食われ性は劣っていた。
Claims (6)
- 導電粉末と、酸化物粉末と、添加物と、有機ビヒクルとからなる厚膜導体形成用組成物であって、前記導電粉末として、少なくともAg粉末が含まれており、前記酸化物粉末として、SiO2−B2O3−Al2O3−CaO−Li2O系ガラス粉末と、Al2O3粉末とが含まれており、かつ、前記添加物としてカーボン粉末が添加されていることを特徴とする、厚膜導体形成用組成物。
- 前記導電粉末100質量部に対し、前記カーボン粉末が1〜10質量部、前記SiO2−B2O3−Al2O3−CaO−Li2O系ガラス粉末が0.1〜15質量部、前記Al2O3粉末が0.1〜8質量部である、請求項1に記載の厚膜導体形成用組成物。
- 前記SiO2−B2O3−Al2O3−CaO−Li2O系ガラス粉末の組成比が、SiO2:20〜60質量%、B2O3:2〜25質量%、Al2O3:2〜25質量%、CaO:20〜50質量%、およびLi2O:0.5〜6質量%である、請求項1または2に記載の厚膜導体形成用組成物。
- 前記導電粉末において、前記Ag粉末100質量部に対し、Au、PdおよびPtから選択される少なくとも1種を0.1〜5質量部添加されている、請求項1〜3のいずれかに記載の厚膜導体形成用組成物。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の厚膜導体形成用組成物を、セラミック基板に塗布した後、500℃以上、900℃未満の温度で焼成することにより得られ、内部にアノーサイトが均一に析出しており、かつ、前記Li2Oがアノーサイトに固定化されていることを特徴とする、厚膜導体。
- 前記セラミック基板と、該セラミック基板上に形成され、上面電極と側面電極と裏面電極とからなる内部電極と、該セラミック基板および該上面電極上に形成される抵抗膜と、該抵抗膜を覆う絶縁ガラス保護膜と、前記内部電極を覆うNiメッキからなる中間電極と、半田メッキからなる外部電極とを備えるチップ抵抗器であって、少なくとも前記上面電極が請求項5に記載の厚膜導体のみから構成されていることを特徴とする、チップ抵抗器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010183323A JP5454414B2 (ja) | 2010-08-18 | 2010-08-18 | 厚膜導体形成用組成物、この組成物を用いて形成された厚膜導体、およびこの厚膜導体を用いたチップ抵抗器 |
KR1020110075793A KR101274927B1 (ko) | 2010-08-18 | 2011-07-29 | 후막도체형성용 조성물, 이 조성물을 이용하여 형성된 후막도체 및 이 후막도체를 이용한 칩 저항기 |
CN201110234203.3A CN102426871B (zh) | 2010-08-18 | 2011-08-12 | 厚膜导体形成用组合物、使用该组合物形成的厚膜导体及使用该厚膜导体的芯片电阻器 |
TW100129331A TWI429609B (zh) | 2010-08-18 | 2011-08-17 | 厚膜導體形成用組成物、使用該組成物形成的厚膜導體及使用該厚膜導體的晶片電阻器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010183323A JP5454414B2 (ja) | 2010-08-18 | 2010-08-18 | 厚膜導体形成用組成物、この組成物を用いて形成された厚膜導体、およびこの厚膜導体を用いたチップ抵抗器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012043622A true JP2012043622A (ja) | 2012-03-01 |
JP2012043622A5 JP2012043622A5 (ja) | 2012-12-27 |
JP5454414B2 JP5454414B2 (ja) | 2014-03-26 |
Family
ID=45839356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010183323A Active JP5454414B2 (ja) | 2010-08-18 | 2010-08-18 | 厚膜導体形成用組成物、この組成物を用いて形成された厚膜導体、およびこの厚膜導体を用いたチップ抵抗器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5454414B2 (ja) |
KR (1) | KR101274927B1 (ja) |
CN (1) | CN102426871B (ja) |
TW (1) | TWI429609B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013230580A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Brother Industries Ltd | 液滴噴射装置、及び、圧電アクチュエータ |
JP2014086398A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Kyocera Corp | 導電性ペーストおよび回路基板ならびに電子装置 |
KR20190072424A (ko) | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 후막 도체 형성용 분말 조성물 및 후막 도체 형성용 페이스트 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6201190B2 (ja) * | 2014-04-25 | 2017-09-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜導体形成用組成物及びそれを用いて得られる厚膜導体 |
MY183351A (en) * | 2014-09-12 | 2021-02-18 | Shoei Chemical Ind Co | Resistive composition |
KR102247431B1 (ko) * | 2014-11-10 | 2021-04-30 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 유리 세라믹스, 리튬 이온 도전체, 전지, 전자 기기 및 전극의 제조 방법 |
JP2016219256A (ja) * | 2015-05-20 | 2016-12-22 | 住友金属鉱山株式会社 | Cuペースト組成物および厚膜導体 |
JP6952949B2 (ja) * | 2016-10-04 | 2021-10-27 | 日本電気硝子株式会社 | ホウケイ酸系ガラス、複合粉末材料及び複合粉末材料ペースト |
WO2018190057A1 (ja) * | 2017-04-14 | 2018-10-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | チップ抵抗器 |
CN111453987B (zh) * | 2019-01-21 | 2022-04-22 | 中国科学院过程工程研究所 | 一种与氧化铝完全化学相容的玻璃组合物、其制备方法和应用 |
CN110660544B (zh) * | 2019-10-14 | 2021-09-28 | 安徽翔胜科技有限公司 | 一种抗环境气体腐蚀的电阻 |
CN112071465B (zh) * | 2020-09-18 | 2022-04-08 | 西安宏星电子浆料科技股份有限公司 | 一种包含含镍的合金粉的抗银迁移片式电阻正面电极浆料 |
CN113782251A (zh) * | 2021-09-09 | 2021-12-10 | 南京汇聚新材料科技有限公司 | 一种电极膏体和电极厚膜及其制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06223616A (ja) * | 1993-01-27 | 1994-08-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 導電ペースト用組成物 |
JPH0797269A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-11 | Mitsubishi Materials Corp | 低温焼結性セラミックスの製造方法 |
JP4432161B2 (ja) | 1999-10-20 | 2010-03-17 | 株式会社村田製作所 | ガラスセラミック基板の製造方法 |
US20060102228A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Ferro Corporation | Method of making solar cell contacts |
JP4466402B2 (ja) | 2005-02-17 | 2010-05-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜導体形成用組成物 |
JP2006294589A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-10-26 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 抵抗ペースト及び抵抗体 |
KR101623597B1 (ko) * | 2007-04-25 | 2016-05-23 | 헤레우스 프레셔스 메탈즈 노스 아메리카 콘쇼호켄 엘엘씨 | 은과 니켈 또는 은과 니켈 합금을 포함하는 후막 컨덕터 조성물 및 이로부터 제조된 태양 전지 |
-
2010
- 2010-08-18 JP JP2010183323A patent/JP5454414B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-29 KR KR1020110075793A patent/KR101274927B1/ko active IP Right Grant
- 2011-08-12 CN CN201110234203.3A patent/CN102426871B/zh active Active
- 2011-08-17 TW TW100129331A patent/TWI429609B/zh active
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013230580A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Brother Industries Ltd | 液滴噴射装置、及び、圧電アクチュエータ |
JP2014086398A (ja) * | 2012-10-26 | 2014-05-12 | Kyocera Corp | 導電性ペーストおよび回路基板ならびに電子装置 |
KR20190072424A (ko) | 2017-12-15 | 2019-06-25 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 후막 도체 형성용 분말 조성물 및 후막 도체 형성용 페이스트 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI429609B (zh) | 2014-03-11 |
KR101274927B1 (ko) | 2013-06-17 |
CN102426871A (zh) | 2012-04-25 |
KR20120017396A (ko) | 2012-02-28 |
CN102426871B (zh) | 2015-07-01 |
TW201213269A (en) | 2012-04-01 |
JP5454414B2 (ja) | 2014-03-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5454414B2 (ja) | 厚膜導体形成用組成物、この組成物を用いて形成された厚膜導体、およびこの厚膜導体を用いたチップ抵抗器 | |
JP4466402B2 (ja) | 厚膜導体形成用組成物 | |
JP4645594B2 (ja) | 導電性ペースト及びそれを用いたセラミック電子部品 | |
KR101786722B1 (ko) | 도전성 페이스트 | |
US11174193B2 (en) | Conductive composition and method for producing terminal electrode | |
KR102292562B1 (ko) | 도전성 페이스트 | |
JP2000048642A (ja) | 導電性ペースト及びガラス回路基板 | |
JP5673515B2 (ja) | 厚膜導体形成用組成物およびこれを用いた厚膜導体とその製造方法 | |
JP6201190B2 (ja) | 厚膜導体形成用組成物及びそれを用いて得られる厚膜導体 | |
KR20180008390A (ko) | 후막 도체 형성용 Cu 페이스트 조성물 및 후막 도체 | |
JP5556518B2 (ja) | 導電性ペースト | |
JP6769208B2 (ja) | 鉛フリー導電ペースト | |
JP4760836B2 (ja) | 導電性ペーストおよびガラス回路構造物 | |
KR102639865B1 (ko) | 후막 도체 형성용 분말 조성물 및 후막 도체 형성용 페이스트 | |
JP7187832B2 (ja) | 厚膜導体形成用粉末組成物および厚膜導体形成用ペースト | |
JP2022082004A (ja) | 厚膜導体形成用粉末組成物、厚膜導体形成用ペーストおよび厚膜導体 | |
JP2019110105A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121113 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121113 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131210 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5454414 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |