JP2012033705A - 2次元フォトニック結晶レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】2次元フォトニック結晶レーザ10は、AlαGa1-αAs(0<α<1)又は(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≦β<1, 0<γ<1)を母材とする母材層152内に空孔151が周期的に設けられた2次元フォトニック結晶層15と、2次元フォトニック結晶層15の上にエピタキシャル法によって作製されるエピタキシャル成長層16を有する。母材層152の材料に上記のものを用いることにより、エピタキシャル成長層16を形成する際に空孔151が変形したり崩れたりすることがないため、2次元フォトニック結晶層の共振器としての性能を低下させることがない。
【選択図】図3
Description
AlαGa1-αAs(0<α<1)又は(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≦β<1, 0<γ<1)を母材とする層内に異屈折率領域が周期的に設けられた2次元フォトニック結晶層と、
前記2次元フォトニック結晶層の上にエピタキシャル法によって作製されるエピタキシャル成長層と、
を有することを特徴とする。
11…基板
12…第1クラッド層
13…活性層
14…キャリアブロック層
15、15A、15C、10D…2次元フォトニック結晶層
151、151A…空孔
152、152A…母材層
1521A…第1母材層
1522A…第2母材層
152B…母材
16…第2クラッド層(エピタキシャル成長層)
17…コンタクト層
18…下部電極
19…上部電極
21…レジスト
31、31A、31B…再成長界面層
32、32A…異屈折率部材
33…異屈折率領域前駆層
33A…スペーサ層
Claims (8)
- AlαGa1-αAs(0<α<1)又は(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≦β<1, 0<γ<1)を母材とする層内に異屈折率領域が周期的に設けられた2次元フォトニック結晶層と、
前記2次元フォトニック結晶層の上にエピタキシャル法によって作製されるエピタキシャル成長層と、
を有することを特徴とする2次元フォトニック結晶レーザ。 - 前記母材層が、組成の異なる複数の層を積層させた構造を有していることを特徴とする
請求項1に記載の2次元フォトニック結晶レーザ。 - 前記母材層を構成する複数の層のうち、前記エピタキシャル層に最近接する層におけるAlの含有率が0.1以下であることを特徴とする請求項2に記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
- 前記母材層がGaAsから成る層を有していることを特徴とする請求項2又は3に記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
- 前記エピタキシャル成長層の材料がAlxGa1-xAs(0<x<1)であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
- 前記異屈折率領域が空孔であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
- 前記異屈折率領域が、AlxGa1-xAs(0<x<1)をエピタキシャル成長させたものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
- 前記エピタキシャル成長層の上に、p型又はn型のクラッド層が積層されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
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