JP2012033646A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、SiC基板10上に設けられ、遷移金属であるFeとFeよりも深い準位を有する不純物であるCとをそれぞれ一定の濃度で含有する第1のGaN層20と、第1のGaN層20上に設けられ、Feの濃度の変化に従いCの濃度が変化する第2のGaN層22と、第2のGaN層22上に設けられ、GaNよりもバンドギャップが大きい電子供給層18と、を有する半導体装置である。
【選択図】図6
Description
原料ガス:TMA(トリメチルアルミニウム)、NH3(アンモニア)
成長温度:1100℃
圧力 :13.3kPa
膜厚 :25nm
原料ガス :TMG(トリメチルガリウム)、NH3
成長温度 :1050℃
圧力 :13.3kPa
V/III比:1000
成長速度 :0.3nm/sec
ドープ :Feを1.0×1016cm−3ドープ
膜厚 :200nm
原料ガス :TMG、NH3
成長温度 :1100℃
圧力 :13.3kPa
V/III比:5000
成長速度 :0.2nm/sec
膜厚 :1500nm
原料ガス :TMA、TMG、NH3
Al組成比:20%
膜厚 :25nm
原料ガス:TMA、NH3
成長温度:1100℃
圧力 :13.3kPa
膜厚 :25nm
原料ガス :TMG、NH3
成長温度 :1050℃
圧力 :13.3kPa
V/III比:1000
成長速度 :0.3nm/sec
ドープ :Feを1.0×1016cm−3ドープ
膜厚 :200nm
原料ガス :TMG、NH3
成長温度 :1050℃から1100℃に徐々に上昇
圧力 :13.3kPa
V/III比:1000
成長速度 :0.3nm/sec
膜厚 :600nm
原料ガス :TMG、NH3
成長温度 :1100℃
圧力 :13.3kPa
V/III比:5000
成長速度 :0.2nm/sec
膜厚 :600nm
原料ガス :TMA、TMG、NH3
Al組成比:20%
膜厚 :25nm
12 シード層
14 Fe−GaN層
16 GaN層
18 AlGaN電子供給層
20 第1のGaN層
22 第2のGaN層
24 第3のGaN層
26 ソース電極
28 ドレイン電極
30 ゲート電極
Claims (8)
- 基板上に設けられ、遷移金属と前記遷移金属よりも深い準位を有する不純物とをそれぞれ一定の濃度で含有する第1のGaN層と、
前記第1のGaN層上に設けられ、前記遷移金属の濃度の変化に従い前記不純物の濃度が変化する第2のGaN層と、
前記第2のGaN層上に設けられ、GaNよりもバンドギャップが大きい電子供給層と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記不純物の濃度は、前記遷移金属の濃度よりも低いことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第2のGaN層において、前記遷移金属の濃度の変化率と前記不純物の濃度の変化率とは同じであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記第2のGaN層と前記電子供給層との間に、一定の濃度の前記不純物を含有する第3のGaN層を有することを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記遷移金属は、二つの準位を形成することを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記不純物は、前記二つの準位の間に準位を有することを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 前記遷移金属は、Feであることを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の半導体装置。
- 前記不純物は、Cであることを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載の半導体装置。
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