JP2012030215A - ハニカム構造体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ハニカム構造体1は、基材としてのハニカム体2に対して一対の電極11としての導電セラミックス層4及び中間層3を形成してなる。ハニカム体2は、SiCを主成分とする多孔質セラミックスによって、セル形成部21とセル形成部21の周囲を覆う外皮部22とを形成してなる。導電セラミックス層4は、SiC、Si及びCを含有し、外皮部22における互いに対向する表面に一対に設けられている。中間層3は、SiC、Si及びCを含有し、一対の導電セラミックス層4に対面する位置において外皮部22自体に形成されている。ハニカム構造体1は、中間層3の厚みをt、外皮部22の厚みをTとしたとき、0.5≦t/T≦1の関係を有している。
【選択図】図1
Description
ところで、触媒の活性化には例えば温度400℃程度の加熱が必要になる。そのため、ハニカム体の表面に一対の電極を形成し、一対の電極に通電を行ってハニカム体を加熱する電気加熱式触媒コンバータ(EHC)が開発されている。
特に、後者のものとしては、例えば、特許文献1に開示された炭化珪素発熱体がある。この炭化珪素発熱体の接合部は、炭化珪素から発熱部を形成すると共に炭化珪素と珪素の複合材から端部を形成してなる。また、例えば、特許文献2のSiC多孔体とSiC−Si複合体の接合方法においては、SiC多孔体と、SiC基材にSiが含浸されたSiC−Si複合体とを接着層によって接合する際に、熱処理を行って、SiC−Si複合体中のSiを接着層に浸透させることが開示されている。これにより、接着層を緻密化させて、接合体の機械的強度を向上させている。
かかる要求を満たすためには、上記特許文献1、2に開示された技術では不十分であり、更なる工夫が必要とされる。
SiC及びSiを含有し、上記外皮部の表面に対に設けられた少なくとも一対以上の導電セラミックス層と、
SiC及びSiを含有し、上記導電セラミックス層に対面する位置において上記外皮部自体に形成された中間層とを備え、
該中間層の厚みをt、上記外皮部の厚みをTとしたとき、0.5≦t/T≦1の関係を有することを特徴とするハニカム構造体にある(請求項1)。
上記第1工程において、上記複合材におけるSiと上記接着剤におけるCとの比率Si/Cを調整することにより、上記第2工程において、上記複合材におけるSiと上記接着剤におけるCとを上記外皮部へ浸透させて、上記中間層の厚みtと上記外皮部の厚みTとの関係を0.5≦t/T≦1に調整して、上記導電セラミックス層と上記中間層とを形成することを特徴とするハニカム構造体の製造方法にある(請求項8)。
そして、本発明のハニカム構造体は、中間層の厚みをt、外皮部の厚みをTとしたとき、0.5≦t/T≦1の関係を有している。中間層の厚みtが外皮部の厚みTの半分以上であることにより、一対の導電セラミックス層及び中間層を一対の電極として、一対の電極間に通電を行って繰り返し使用する際に、一対の電極の抵抗値が変動し難くすることができ、かつ、一対の導電セラミックス層に剥離、破損等が生じ難くすることができる。
また、ハニカム体の気孔率が30%未満の場合には、ハニカム体の質量が増大し、通電加熱を行う際に多量の電力及び時間を要することになる。一方、ハニカム体の気孔率が50%超過の場合には、ハニカム体の強度が低下し、ハニカム体2が破損しやすくなる。
以上、第1の発明のハニカム構造体によれば、通電を行って繰り返し使用する際の電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性を確保することができる。
以上、第2の発明のハニカム構造体の製造方法によれば、通電を行って繰り返し使用する際の電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性を確保できるハニカム構造体を容易に製造することができる。
本発明において、上記中間層の厚みは、導電セラミックス層及び中間層の形成部分においてハニカム体を切断し、この切断を行った断面を観察することによって測定することができる。より具体的には、導電セラミックス層及び中間層を形成した範囲を、SEM(走査型電子顕微鏡)、デジタルマイクロスコープ等を用いて、等間隔に10点を計測し、計測した中間層の厚みの平均値を中間層の厚みとした。
SiC及びSiが良好な導電性を発揮するためには、導電セラミックス層は、不純物を添加して半導体化させることが一般的である。導電セラミックス層におけるAlの含有量が多い場合には、中間層を形成する熱処理温度1410〜1800℃において、SiCを主成分として構成されるハニカム体にAlが分散してしまう。この場合には、Alの分散が、所望の抵抗値に調整されているハニカム体の抵抗値を変動させるため好ましくない。従って、導電セラミックス層におけるAlの含有量は、半導体化に必要な少量とすることが好ましく、0.1質量%以下であることが好ましい。このAlの含有量は、0.01〜0.1質量%とすることができる。
SiCには結晶多形が存在し、結晶系によって電子移動度が異なる。SiCの中でも比較的低温で生成される4H型、3C型は、主として高温で生成される6H型に比べて電子移動度が大きく、導電性が良い。
低温型SiCは1410〜2200℃で生成される。これより、導電セラミックス層及び中間層を形成する際の熱処理温度(接合処理温度)は、1410〜1800℃とすることが好ましい。これにより、ハニカム体の外皮部における中間層に新たに生成するSiCを、より確実に低温型とすることができる。
この場合には、導電セラミックス層及び中間層から構成する電極の抵抗値を低減し、その導電性を向上させることができる。
この場合には、導電セラミックス層及び中間層において、骨材として強度に寄与するSiC、溶融拡散し接合に寄与するSi、導電材として抵抗値に寄与するCの含有量が適切であり、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性に優れたハニカム構造体を容易に形成することができる。
また、導電セラミックス層の組成は、JIS R 6124に示される化学分析法を用いて測定することができる。
この場合には、導電セラミックス層の厚みが適切であり、ハニカム構造体を製造する際に、適切な厚みの中間層を容易に形成することができる。
一方、導電セラミックス層の厚みが2mm超過の場合には、電極自体の質量が大きくなり、ハニカム体を所望の温度まで通電加熱するための投入電力量が増加してしまう。この場合には、投入電力量が同じときには、通電加熱を行う時間が長くなってしまう。さらにこの場合には、ハニカム構造体を排気管に封入して車両に搭載する際に、ハニカム構造体の円筒形状が歪み、封入時もしくは使用環境下においてハニカム体が破損するおそれがある。
この場合には、外皮部の厚みが適切であり、外皮部に対して適切な厚みの割合の中間層を容易に形成することができる。
外皮部の厚みを0.1mm未満とすることは製造上困難である。外皮部の厚みを1mm超過とすると、形成される中間層の厚みのばらつきが大きくなり、所望する中間層の厚みが得られないおそれがある。
この場合には、導電セラミックス層及び中間層による電極の電気抵抗値を低く維持することができ、電極において発熱により電力が消費されてしまうことを抑制することができる。
本例のハニカム構造体1は、図1に示すごとく、基材としてのハニカム体2に対して一対の電極11としての導電セラミックス層4及び中間層3を形成してなる。ハニカム体2は、SiC(炭化珪素)を主成分(不可避的不純物を含むことがある。)とする気孔率30〜50%の多孔質セラミックスによって、セル形成部21とセル形成部21の周囲を覆う外皮部22とを形成してなる。導電セラミックス層4は、SiC(炭化珪素)、Si(珪素)及びC(炭素)を含有し、外皮部22の表面に一対に設けられている。中間層3は、SiC(炭化珪素)、Si(珪素)及びC(炭素)を含有し、導電セラミックス層4に対面する位置において外皮部22自体に形成されている。
ハニカム構造体1は、中間層3の厚みをt、外皮部22の厚みをTとしたとき、0.5≦t/T≦1の関係を有している。
図1、図2に示すごとく、本例のハニカム体2は、円柱形状に形成されており、セル形成部(格子部)21の隔壁211に対して、円柱形状の軸方向に開口するセル(孔)212を形成し、円柱形状の外周を外皮部22によって覆って形成されている。
図2に示すごとく、本例のハニカム構造体1は、導電セラミックス層4と中間層3とによる一対の電極11に対して電力を供給し、ハニカム体2を触媒活性を発現する温度に加熱して、排ガスの浄化を行う電気加熱式触媒コンバータ(EHC)として用いる。
一対の導電セラミックス層4には、SiC−Siの複合材から構成した端子部42がそれぞれ形成してある。そして、一対の端子部42に電源6を接続して、ハニカム構造体1に対して通電を行う。
なお、導電セラミックス層4は、対に設けてあればよく、少なくとも一対以上設けてあれば、複数対にして設けることもできる。また、対に設けられた導電セラミックス層4は、互いに対向して配置される場合、一部対向して配置される場合、対向して配置されない場合を含み、導電セラミックス層4と中間層3とにより形成される対の電極11に対して電力を供給する作用をなせば何れの配置構造をとることもできる。ただし、この中でも、特に、導電セラミックス層4と中間層3とによる一対の電極11を互いに対向するように配置することが好ましい。
また、外皮部22における中間層3の気孔率pは、Si及びCが浸透したことにより、外皮部22における基材層(Si、C等が浸透していない部分)221の気孔率Pに対し、p≦1/2Pの関係にあることが好ましい。
図4、図6は、ハニカム体2の外皮部22の表面に対して接着剤5を介して導電セラミックス層4を構成するSiC−Siの複合材41を配置した状態を示す。図6において、外皮部22には、多数のSiCの粒子101が結合する隙間として多数の微細孔102が形成されている。一方、SiC−Siの複合材41には、多数のSiCの粒子101の間にSi(遊離珪素)103が存在する状態にある。また、接着剤5にはC(遊離炭素)104が含有されている。
また、導電セラミックス層4を形成するために、ペースト状のSiC−Siの複合材41を用いる場合には、この複合材41に対してC(炭素)を含有させておくことができる。
また、図8には記載されていないが、基材層221には、SiCの粒子の間の気孔(隙間)αが形成されている。そして、基材層221は、導電セラミックス層4及び中間層3に比べて9倍以上高い電気抵抗値を示し、弱い導電性を有している。
本例の中間層3は、SiCを70〜94質量%、Siを5〜20質量%、Cを1〜10質量%含有するものであり、その厚みは、ハニカム体2の外皮の厚みに対して0.5〜1倍であり、0.05〜1mmの範囲内で略均一な厚みに設定されている。
電気回路モデルの中心部には、基材としてのハニカム体2の抵抗(セル形成部21及び外皮部22における基材層221の抵抗)r1があり、ハニカム体2の抵抗r1の外側には、中間層3の抵抗r2、r2’があり、中間層3の抵抗r2、r2’の外側には、導電セラミックス層4の抵抗r3、r3’がある。ハニカム構造体1の電気回路モデルは、各抵抗r1、r2、r2’、r3、r3’が直列に接続された関係にある。
中間層3の抵抗r2及び導電セラミックス層4の抵抗r3は、一方の電極11の抵抗R1を構成し、R1=r2+r3である。中間層3の抵抗r2’及び導電セラミックス層4の抵抗r3’は、他方の電極11の抵抗R1’を構成し、R1’=r2’+r3’である。そして、一対の電極11の電気抵抗値R1+R1’は、一対の電極11間(ハニカム構造体1全体)の電気抵抗値Rの10%以下である。
まず、成形工程として、SiCの材料から、複数のセル212を形成してなるセル形成部21と、セル形成部21の周囲を覆う外皮部22とからなるハニカム体2を成形する。また、導電セラミックス層4となるSiC−Siの複合材41の焼成体又はシートを成形する。
次いで、複合材配置・塗布工程(第1工程)として、ハニカム体2の外皮部22の表面に、SiCとCとを含有してなるペースト状の接着剤5を塗布する。次いで、ハニカム体2の外皮部22の表面であって接着剤5を塗布した表面に、SiC、Si及びCを含有する固形状又はペースト状の複合材41を配置又は塗布する(図4参照)。また、複合材仮接合工程においては、複合材41におけるSiと接着剤5におけるCとの比率Si/Cを適切に調整する。このSi/Cは、2.6〜3.3とした。
こうして、中間体の焼成を行ったときには、ハニカム体2の外皮部22に中間層3を形成すると共に、導電セラミックス層4を形成して、ハニカム構造体1を製造することができる。また、中間層3の厚みtと外皮部22の厚みTとの関係を0.5≦t/T≦1に調整して、導電セラミックス層4と中間層3とを形成する。
導電セラミックス層4及び中間層3において、未反応のCの量を調整する方法として、接着剤5におけるカーボンの粒子径を調整する方法がある。そして、カーボンの粒子径を大きくしたときには、粒子の表面部においてはSiCを生成する一方、粒子の内部においてはCを残留させることができる。一方、カーボンの粒子径を小さくしたときには、粒子の略全体をSiCの生成に供することができる。
また、カーボンの粒子径は、ハニカム体2の外皮部22における気孔内(粒子間の隙間)に浸透させるために、ハニカム体2の外皮部22における気孔の穴径よりも小さくすることが好ましい。
それ故、本例のハニカム構造体1によれば、通電を行って繰り返し使用する際の電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性を確保することができる。また、複合材41におけるSiと接着剤5におけるCとの比率Si/Cを、2.6〜3.3に適切に調整したことにより、0.5≦t/T≦1の関係を有する適切な厚みtの中間層3を容易に形成することができる。
本確認試験においては、外皮部22の厚みTに対して、外皮部22自体の表面部に形成する中間層3の厚みtを変化させて、所定温度に繰り返し加熱した後の電気抵抗値(電気的接合信頼性)、及び剥離又は亀裂の有無(機械的接合信頼性)について測定した。本確認試験においては、導電セラミックス層4は、SiCを約83%、Siを約15%、Cを約2%含有する層として形成した。
また、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性の測定は、ハニカム構造体1の試料をエンジン排気管に設置し、ハニカム体2の中心部が900℃になるまで約100秒間加熱し、次いで、この加熱後の状態に約200秒間保持し、次いで、ハニカム体2の中心部が200℃になるまで約300秒間冷却する冷熱サイクル(1サイクル/600秒)を500サイクル繰り返した後に実施した。
なお、外皮部22の厚み及び中間層3の厚みは、ハニカム構造体1を電極11の形成部分において切断し、この切断を行った断面において、走査型電子顕微鏡を用いて等間隔に10点計測した厚みの平均値として求めた。
ここで、外皮部22の厚みを0.1mm未満とすると、ハニカム体2の強度が著しく低下するため、外皮部22の厚みは0.1mm以上とした。一方、外皮部22の厚みを1mm超過とすると、ハニカム体2の熱容量が増加し、昇温性が悪化するため、外皮部22の厚みは1mm以下とした。
ハニカム構造体1の試料X1〜X25としては、接着材5におけるCの含有量、導電セラミックス層4におけるSiの含有量、及び熱処理時間を調整し、中間層3の厚みtの異なるものを複数準備した。
ハニカム構造体1におけるハニカム体2の気孔率は、水銀圧入式のポロシメータ((株)島津製作所:オートポア)を用いた水銀圧入法により測定した(測定範囲:0.5〜10000psia)。
一方、機械的接合信頼性の評価については、加熱冷却サイクルを行う前と行った後の試料における導電セラミックス層4の剥離又は亀裂の有無を観察し、導電セラミックス層4の剥離又は亀裂が認められなかった場合を○、導電セラミックス層4が略完全に剥離又は亀裂していた場合を×、どれだけか剥離又は亀裂を生じていた場合を△とした。
表1に、ハニカム体2の気孔率(%)と、ハニカム体2の外皮部22の厚みTに対する中間層3の厚みtの比率t/Tとを変化させたときのハニカム構造体1の試料X1〜X25の電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性について評価を行った結果を示す。
厚みの比率t/Tが0.25、0.38(試料X3、X4)の場合は、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性のいずれもが△又は×となった。この場合、加熱冷却サイクルにおいて導電セラミックス層4の一部に亀裂が生じ、これに伴う接合面積の低下によりハニカム構造体1の電気抵抗値が増大した。
一方、厚みの比率t/Tが1.2、1.5(試料X9、X10)の場合は、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性のいずれもが○である。しかし、この場合は、ハニカム体2のセル形成部21内にまで中間層3が形成された場合であり、ハニカム体2のセル形成部21が導電性を有することになり、セル形成部21が有効に昇温されず、ハニカム構造体1の触媒活性を低下させてしまうため好ましくない。
また、ハニカム体2の気孔率が50.4%、58.9%である場合、ハニカム体2の強度が低下してしまう。この場合、厚みの比率t/Tが0.5〜1の範囲内にあったとしても、使用に適さない。
一方、ハニカム体2の気孔率が29.8%である場合、ハニカム体2の質量が増大してしまい、通電加熱を行う際に多量の電力及び時間を要する。この場合、厚みの比率t/Tが0.5〜1の範囲内にあったとしても、使用に適さない。
本確認試験においては、導電セラミックス層4と中間層3とからなる電極11の組成を異ならせ、所定温度に繰り返し加熱した後の電気抵抗値(電気的接合信頼性)、及び剥離又は亀裂の有無(機械的接合信頼性)について測定した。
本確認試験においては、導電セラミックス層4及び中間層3を、SiCとSiとを含有する2成分系の層と、SiCとSiとCとを含有する3成分系の層とから形成した。この2成分系及び3成分系の電極11を用いたハニカム構造体1の試料Y1〜Y11を表2に示す。同表において、SiC、Si、Cの前の数字は、組成全体における成分の割合(質量%)を示す。
なお、導電セラミックス層4及び中間層3の組成は、JIS R 6124に示される化学分析法を用いて測定した。
そして、ハニカム構造体1全体の抵抗Rに対する一対の電極11の抵抗(R1+R1’)の割合(百分率)を、(R1+R1’)/R×100(%)の式から求めた。
また、機械的接合信頼性の評価として、上記確認試験1と同様の加熱冷却サイクルを繰り返した後、導電セラミックス層4に剥離又は亀裂が生じなかったものを○、導電セラミックス層4の一部に剥離又は亀裂が生じたものを△とした。また、導電セラミックス層4とハニカム体2とを接合することができなかったものを×とした。
これらの各評価を表2に示す。
また、2成分系の電極11について、Siが10質量%(試料Y3)、20質量%(試料Y4)、30質量%(試料Y5)の場合には、電気的接合信頼性がいずれも△となり、機械的接合信頼性が○又は△となった。この場合、導電セラミックス層4の接合はできるものの、一対の電極11の抵抗を充分に低くすることができなかった。また、Siが30質量%の場合は、ハニカム体2の外皮へ溶融拡散するSiの量が多いため、導電セラミックス層4の強度が低下し、導電セラミックス層4に亀裂が生じた。
また、3成分系の電極11について、Siが5質量%及びCが1質量%(試料Y7)、Siが5質量%及びCが5質量%(試料Y8)、Siが5質量%及びCが10質量%(試料Y9)の場合には、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性がいずれも○となった。この場合、未反応のC(中間層3におけるSiCの形成反応に使用されないC)が導電セラミックス層4及び中間層3に残留し、Cによる良好な導電性が発揮されるため、一対の電極11の抵抗を低く抑えることができた。また、適切なSiの量により、一対の電極11の強度を高く維持することができた。
また、3成分系の電極11について、Siが20質量%及びCが10質量%(試料Y11)の場合には、電気的接合信頼性及び機械的接合信頼性がいずれも○となった。この場合、Siを30質量%含有する2成分系の試料X15に比べて、Siの量が減った分、Cの量が増加したことにより、一対の電極11の抵抗を低く抑え、一対の電極11の強度を高く維持できるためであると考える。
Siが5質量%未満の場合には、ハニカム体2の外皮部22に対してSiが充分に浸透することができず、ハニカム体2の外皮における中間層3と導電セラミックス層4とを接合することが困難である。一方、Siが20質量%超過の場合には、ハニカム体2の外皮へ浸透するSiの量が多くて、導電セラミックス層4の強度が低下してしまうおそれがある。
Cが1質量%未満の場合には、一対の電極11の電気抵抗値を充分に低くすることができないおそれがある。一方、Cが10質量%超過の場合には、一対の電極11の強度が低下してしまうおそれがある。
本確認試験においては、外皮部22の厚みTが異なるハニカム体2の試料Z1〜Z6に対して導電セラミックス層4を形成する際に、導電セラミックス層4と同時に形成される中間層3の厚みtのばらつきの大きさを確認した。中間層3は、厚みtが0.5T〜Tの範囲内になるように形成した。また、形成する中間層3の厚みtに生じるばらつきを評価するために、外皮部22の厚みTが同じである10個のサンプルに対して、同じ製造条件で導電セラミックス層4及び中間層3を形成した、そして、試料Z1〜Z6それぞれの10個ずつのサンプルについて、中間層3の厚みtを測定し、その測定値の標準偏差Dを求めた。評価は、外皮部22の厚みTに対する中間層3の厚みtのばらつきを見るために、D/Tによって行った。
表3に、外皮部22の厚みTに対する、中間層3の厚みtのばらつきDの比率D/Tを測定した結果を示す。この評価結果より、外皮部22の厚みTが1.0mmよりも大きい場合、D/Tが0.2を超えることになり、所望する厚みtの中間層3が得られないおそれがある。また、厚みTが0.1mm未満である外皮部22を製造することは困難である。従って、外皮部22の厚みは、0.1〜1mmの範囲内にすることが好ましい。
本確認試験においては、複合材41におけるSiと接着剤5におけるCとの比率Si/Cを変化させた試料W1〜W7について、形成される中間層3の厚みtを確認した。
本確認試験においても、ハニカム構造体1は確認試験1と同様に製造し、製造したハニカム体2の気孔率は42%であった。
ハニカム構造体1の試料W1〜W7について、導電セラミックス層4は、SiCを83質量%、Siを15質量%、Cを2質量%含有するものとした。また、ハニカム体2の外皮部22の厚みTを0.3mmとし、Si/Cを適宜変更したときに形成された中間層3の厚みtを確認した。
そして、本確認試験の評価においては、形成された中間層3の厚みtが0.15〜0.3mmとなって、中間層3の形成が認められたものを○とし、それ以外を×とした。
表4に、Si/Cと、形成された中間層3の厚みtとの関係について評価した結果を示す。
一方、Si/Cが3.6、4.0である場合(試料W6、W7)については、形成された中間層3の厚みが0.3mmを超えて大きくなり、評価が×となった。この場合、複合材41における余剰のSiがSiCに変化することなく溶融拡散を繰り返し、ハニカム体2の外皮部22を大きく超えて、セル形成部(格子部)21の隔壁211まで拡散するため好ましくない。
この結果より、Si/Cは、2.6〜3.3の範囲内に調整するのが最適であることがわかった。
ハニカム体2の外皮部22の厚みTに対する、複合材41におけるSi及び接着剤5におけるCの適正量については、ハニカム体2の外皮部22の厚みT、ハニカム体2の気孔率等を考慮して調整することができる。ハニカム体2の外皮部22の厚みTに対して、中間層3の厚みtが0.5≦t/T≦1の関係を満たすように、Si及びCの量を調整することができる。
11 電極
2 ハニカム体
21 セル形成部
22 外皮部
221 基材層
3 中間層
4 導電セラミックス層
41 複合材
5 接着剤
Claims (7)
- SiCを主成分とする気孔率30〜50%の多孔質セラミックスによって、セル形成部と該セル形成部の周囲を覆う外皮部とを形成してなるハニカム体と、
SiC及びSiを含有し、上記外皮部の表面に対に設けられた少なくとも一対以上の導電セラミックス層と、
SiC及びSiを含有し、上記導電セラミックス層に対面する位置において上記外皮部自体に形成された中間層とを備え、
該中間層の厚みをt、上記外皮部の厚みをTとしたとき、0.5≦t/T≦1の関係を有することを特徴とするハニカム構造体。 - 請求項1に記載のハニカム構造体において、上記導電セラミックス層及び上記中間層は、上記SiC及びSi以外にも、Cを含有していることを特徴とするハニカム構造体。
- 請求項2に記載のハニカム構造体において、上記導電セラミックス層及び上記中間層は、SiCを70〜94質量%、Siを5〜20質量%、Cを1〜10質量%含有することを特徴とするハニカム構造体。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のハニカム構造体において、上記導電セラミックス層の厚みは、0.5〜2mmであることを特徴とするハニカム構造体。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載のハニカム構造体において、上記外皮部の厚みは、0.1〜1mmであることを特徴とするハニカム構造体。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載のハニカム構造体において、上記導電セラミックス層と上記中間層とを接合して一対の電極を形成してなるとともに、該一対の電極自体の電気抵抗値は、該一対の電極間の電気抵抗値の10%以下であることを特徴とするハニカム構造体。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のハニカム構造体を製造する方法において、上記ハニカム体の上記外皮部の表面に、SiCとCとを含有してなるペースト状の接着剤を介して、SiC、Si及びCを含有する固形状又はペースト状の複合材を配置又は塗布する第1工程と、該接着剤及び該複合材を加熱・焼成する第2工程とを有し、
上記第1工程において、上記複合材におけるSiと上記接着剤におけるCとの比率Si/Cを調整することにより、上記第2工程において、上記複合材におけるSiと上記接着剤におけるCとを上記外皮部へ浸透させて、上記中間層の厚みtと上記外皮部の厚みTとの関係を0.5≦t/T≦1に調整して、上記導電セラミックス層と上記中間層とを形成することを特徴とするハニカム構造体の製造方法。
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