JP2012019019A - テンプレートの製造方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】実施の形態のテンプレートの製造方法は、主面11に凹凸を有するパターン130が形成され、パターン130をウエハ4上に形成されたレジスト材5に接触させてパターン130をレジスト材5に転写するインプリント処理に用いるテンプレート1であって、テンプレート1の少なくとも凹部132の底部132aに荷電粒子を打ち込む工程を含む。
【選択図】図1
Description
(テンプレートの構成)
図1(a)は、第1の実施の形態に係るテンプレートを主面側から見た概略図であり、(b)は、テンプレートの要部断面図であり、(c)は、テンプレートのパターンの一部を拡大した拡大図である。なお、図1(a)においては、パターン部13に形成されるパターンの図示は省略している。また、以下では、パターン部13に形成されるパターン130は、例えば、ラインとスペースが等間隔に並ぶラインアンドスペースパターンとして記載しているが、パターン130の形状はこれに限定されない。
(テンプレートの製造方法)
図2(a)〜(e)は、第1の実施の形態に係るテンプレートの製造工程を示す要部断面図である。
図4(a)〜(f)は、第1の実施の形態に係るテンプレートを用いた半導体装置の製造工程を示す要部断面図である。以下に示す半導体装置の製造工程は、レジスト材の充填速度を向上させるため、不活性ガス雰囲気中で行われるものとする。本実施の形態においては、不活性ガスとしてHeガス6を用いる。
第1の実施の形態によれば、テンプレート1が脱ガスチャンネル16を有することにより、凹部132とレジスト材5の間のHeガス6を排出することができるので、レジスト材5の充填不良に起因する転写パターンの不良を防止することができる。
第2の実施の形態は、荷電粒子線3の進行方向とテンプレート1の主面11の法線との相対角度がθとなる点で第1の実施の形態と異なっている。ただし、θはゼロではない角度である。なお、以下の各実施の形態において、第1の実施の形態と同様の構成および機能を有する部分については、第1の実施の形態と同じ符号を付し、その説明は省略するものとする。
まず、複数の凸部131および凹部132が主面11側に形成されたテンプレート1を用意する。
第2の実施の形態によれば、角度を変えて荷電粒子線3をテンプレート1に打ち込むので、密度および加速エネルギーが同じで、1つの方向から打ち込む場合と比べて、より多くの脱ガスチャンネル16をテンプレート1に形成することができる。具体的には、凸部131側面にも脱ガスチャンネル16が形成される。テンプレート1は、多くの脱ガスチャンネル16が形成されているので、Heガス6を排出する時間が早くなり、レジスト材5の充填速度が向上する。また、テンプレート1は、凸部131および凹部132に多数の脱ガスチャンネル16が形成されているので、テンプレート1の主面11の表面が改質され、レジスト材5との離型性に優れる。
第3の実施の形態は、プラズマドーピング法により、脱ガスチャンネルを形成する点で上記の各実施の形態と異なっている。
まず、複数の凸部131および凹部132が主面11側に形成されたテンプレート1を用意する。
第3の実施の形態によれば、テンプレート1にポーラス層160を形成するので、高い加速エネルギーを用いて貫通孔となる脱ガスチャンネルを形成する場合と比べて、製造コストが低減する。
以上説明した実施の形態によれば、転写パターンの不良を低減することができる。また、以上説明した実施の形態によれば、荷電粒子線3の種類、加速エネルギー等を調整することにより、インプリント処理に用いる不活性ガス種に応じて脱ガスチャンネル16の個数、形状等を、制御することができる。
Claims (5)
- 主面に凹凸を有するパターンが形成され、前記パターンを被処理基板上に形成されたレジスト材に接触させて前記パターンを前記レジスト材に転写するインプリント処理に用いるテンプレートであって、
前記テンプレートの少なくとも凹部の底部に荷電粒子を打ち込む工程を含むテンプレートの製造方法。 - 前記荷電粒子は、前記主面の法線に対して傾いた方向から前記テンプレートの凸部の側面に対しても打ち込まれる請求項1に記載のテンプレートの製造方法。
- 前記荷電粒子は、プラズマドープ法により前記テンプレートのパターン表面に対して打ち込まれる請求項1に記載のテンプレートの製造方法。
- 前記荷電粒子は、ハロゲン系の元素からなる粒子である請求項1乃至3のいずれか1項に記載のテンプレートの製造方法。
- 被処理基板上にレジスト材を塗布する工程と、
主面に凹凸を有するパターンが形成され少なくとも凹部の底部に荷電粒子が打ち込まれたテンプレートを前記レジスト材に接触させ、前記パターンを前記レジスト材に転写する工程と、
前記パターンが転写された前記レジスト材をマスクとして前記被処理基板を加工する工程を備えた半導体装置の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013239510A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Toyama Prefecture | 焼成体の製造方法 |
JP2017034165A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | インプリント用テンプレート基板の製造方法、インプリント用テンプレート基板、インプリント用テンプレート、および半導体装置の製造方法 |
JP2019527938A (ja) * | 2016-08-05 | 2019-10-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 導電性材料のインプリントリソグラフィの方法、インプリントリソグラフィのためのスタンプ、及びインプリントリソグラフィのための装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8470188B2 (en) * | 2008-10-02 | 2013-06-25 | Molecular Imprints, Inc. | Nano-imprint lithography templates |
JP5289492B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2013-09-11 | 株式会社東芝 | インプリント方法およびインプリント装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63197611A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体の製造方法 |
JPH0663958A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-08 | F Tec:Kk | 通気性成形用金型の製造方法 |
JP2005055731A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Victor Co Of Japan Ltd | 成形型,その製造方法及び光学素子の製造方法 |
JP2006278879A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Tdk Corp | スタンパの製造方法 |
JP2007253577A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用型部材、インプリント用型部材の製造方法、及びインプリント方法 |
JP2008006639A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法 |
JP2008012705A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Tdk Corp | スタンパー修復方法およびスタンパー製造方法 |
JP2009096191A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute | 微細成形型および微細成形型用基材並びに微細成形型の製造方法 |
WO2009067241A1 (en) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Molecular Imprints, Inc. | Porous template and imprinting stack for nano-imprint lithography |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5772905A (en) * | 1995-11-15 | 1998-06-30 | Regents Of The University Of Minnesota | Nanoimprint lithography |
WO2005105401A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Minuta Technology Co. Ltd. | Mold made of amorphous fluorine resin and fabrication method thereof |
US8069782B2 (en) * | 2004-12-20 | 2011-12-06 | Nanoink, Inc. | Stamps with micrometer- and nanometer-scale features and methods of fabrication thereof |
US7771917B2 (en) * | 2005-06-17 | 2010-08-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of making templates for use in imprint lithography |
JP2008078550A (ja) | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Toppan Printing Co Ltd | インプリントモールドおよびその製造方法およびパターン形成方法 |
JP5064078B2 (ja) | 2007-03-30 | 2012-10-31 | 株式会社日立産機システム | 微細パターン転写用金型およびそれを用いた樹脂製転写物の製造方法 |
JP2009083125A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Fujifilm Corp | 機能性膜の製造方法および製造装置 |
US20100104852A1 (en) * | 2008-10-23 | 2010-04-29 | Molecular Imprints, Inc. | Fabrication of High-Throughput Nano-Imprint Lithography Templates |
-
2010
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2011
- 2011-06-01 US US13/150,961 patent/US8609014B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63197611A (ja) * | 1987-02-10 | 1988-08-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 情報記録担体の製造方法 |
JPH0663958A (ja) * | 1992-08-12 | 1994-03-08 | F Tec:Kk | 通気性成形用金型の製造方法 |
JP2005055731A (ja) * | 2003-08-06 | 2005-03-03 | Victor Co Of Japan Ltd | 成形型,その製造方法及び光学素子の製造方法 |
JP2006278879A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Tdk Corp | スタンパの製造方法 |
JP2007253577A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-04 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用型部材、インプリント用型部材の製造方法、及びインプリント方法 |
JP2008006639A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | インプリント用モールドおよびインプリント用モールド製造方法 |
JP2008012705A (ja) * | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Tdk Corp | スタンパー修復方法およびスタンパー製造方法 |
JP2009096191A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-05-07 | Tokyo Metropolitan Industrial Technology Research Institute | 微細成形型および微細成形型用基材並びに微細成形型の製造方法 |
WO2009067241A1 (en) * | 2007-11-21 | 2009-05-28 | Molecular Imprints, Inc. | Porous template and imprinting stack for nano-imprint lithography |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013239510A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Toyama Prefecture | 焼成体の製造方法 |
JP2017034165A (ja) * | 2015-08-04 | 2017-02-09 | 株式会社東芝 | インプリント用テンプレート基板の製造方法、インプリント用テンプレート基板、インプリント用テンプレート、および半導体装置の製造方法 |
JP2019527938A (ja) * | 2016-08-05 | 2019-10-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 導電性材料のインプリントリソグラフィの方法、インプリントリソグラフィのためのスタンプ、及びインプリントリソグラフィのための装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120009799A1 (en) | 2012-01-12 |
US8609014B2 (en) | 2013-12-17 |
JP5491997B2 (ja) | 2014-05-14 |
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