JP2008012705A - スタンパー修復方法およびスタンパー製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高精度な凹凸パターンを有するスタンパーを大量に製造し得るスタンパー修復方法を提供する。
【解決手段】マザースタンパー１における凹凸パターン５の形成面に導電性薄膜を形成する薄膜形成処理と、形成面に剥離層１２を形成する剥離層形成処理とをこの順で実行しててマザースタンパー１を修復する。この場合、上記の剥離層形成処理として、導電性薄膜の表面を改質する改質処理を実行して剥離層１２を形成する、または、導電性薄膜の上に剥離層形成用材料からなる層を剥離層１２として形成する。また、マザースタンパー１における凹凸パターン５の形成面に剥離層形成用材料からなりマザースタンパー１の減耗分の厚みの剥離層を形成する剥離層形成処理を実行してマザースタンパー１を修復する。
【選択図】図１

Description

本発明は、インプリント法や射出成形法による情報媒体の製造時に用いるスタンパーの修復方法、およびスタンパーの製造方法に関するものである。

インプリント法による磁気ディスクの製造時や、射出成形法による光ディスクおよび光磁気ディスクの製造時には、情報媒体製造用の中間体に凹凸パターンを転写するためのスタンパーが使用される。この場合、レーザービーム描画装置や電子ビーム描画装置を用いたパターン描画処理、および描画処理後の現像処理を必要とするマスタースタンパーは、パターン描画処理および現像処理に要する時間の分だけ１枚当りの製造時間が長く、これに起因して、その製造コストの低減が困難となっている。したがって、マスタースタンパーの凹凸パターンをスタンパー形成用材料に転写して複数枚のマザースタンパーを製造し、このマザースタンパーの凹凸パターンをスタンパー形成用材料に転写して複数枚のチャイルドスタンパーを製造することにより、１枚のマスタースタンパーから多数のチャイルドスタンパーを低コストで複製する（製造する）方法が提案されている。

例えば、特開平６−１１１３８４号公報には、電鋳処理によってスタンパー形成用材料に凹凸パターンを転写してスタンパーを製造するスタンパー複製方法が開示されている。この複製方法では、まず、ニッケル電鋳処理によって製造されたマスタースタンパーの表面（凹凸パターンの形成面）に対して酸素プラズマアッシング処理を行うことにより、その表面を洗浄すると共に酸化膜からなる剥離皮膜を形成する。次いで、このマスタースタンパーを電極としてニッケル電鋳処理を行うことによってマスタースタンパーの表面に上記のスタンパー形成用材料としてのニッケルを堆積させてニッケル層を形成した後に、このニッケルの層をマスタースタンパーから剥離する。これにより、マスタースタンパーの凹凸パターンがニッケルの層に転写され、マスタースタンパーの凹凸パターンとは凹凸形状が反転した凹凸パターンを有するマザースタンパーが製造される。この場合、マザースタンパー（ニッケルの層）の剥離が完了したマスタースタンパーに対して上記の酸素プラズマアッシング処理およびニッケル電鋳処理を行うことにより、１枚のマスタースタンパーから複数枚のマザースタンパーが製造される。具体的には、一例として、１枚のマスタースタンパーから１０枚〜３０枚程度のマザースタンパーが製造される。

続いて、マザースタンパーの表面（凹凸パターンの形成面）に対して酸素プラズマアッシング処理を行うことにより、その表面を洗浄すると共に酸化膜からなる剥離皮膜を形成する。次いで、このマザースタンパーを電極としてニッケル電鋳処理を行うことによってマザースタンパーの表面にスタンパー形成用材料としてのニッケルを堆積させてニッケル層を形成した後に、このニッケルの層をマザースタンパーから剥離する。これにより、マザースタンパーの凹凸パターンがニッケルの層に転写され、マザースタンパーの凹凸パターンとは凹凸形状が反転し、かつ、マスタースタンパーの凹凸形状と同様の凹凸パターンを有するチャイルドスタンパー（サンスタンパー）が製造される。この場合、チャイルドスタンパー（ニッケルの層）の剥離が完了したマザースタンパーに対して上記の酸素プラズマアッシング処理およびニッケル電鋳処理を行うことにより、１枚のマザースタンパーから複数枚のチャイルドスタンパーが製造される。具体的には、一例として、１枚のマザースタンパーから１０枚〜３０枚程度のチャイルドスタンパーが製造される。
特開平６−１１１３８４号公報（第２−３頁、第１−２図）

ところが、従来のスタンパー複製方法には、以下の問題点がある。すなわち、従来の複製方法では、マザースタンパーの剥離が完了したマスタースタンパーに対してプラズマアッシング処理および電鋳処理を行うことで１枚のマスタースタンパーから複数枚のマザースタンパーを製造すると共に、チャイルドスタンパーの剥離が完了したマザースタンパーに対してプラズマアッシング処理および電鋳処理を行うことで１枚のマザースタンパーから複数枚のチャイルドスタンパーを製造している。この場合、例えばマザースタンパーからチャイルドスタンパーを製造する際には、上記のニッケル電鋳処理時や剥離処理時において、マザースタンパーの凹凸パターンにおける凸部の幅（凹凸パターンの形成面に沿った長さ）が短くなる現象が生じる。

具体的には、図１０に示すマザースタンパー１Ｘ（以下、従来の複製方法において使用するスタンパーや製造されるスタンパーについては、符号の末尾に「Ｘ」を付すと共に、その構成要素については、符号の末尾に「ｘ」を付して説明する）は、マスタースタンパー（図示せず）を電極として用いたニッケル電鋳処理によって形成されたニッケル電鋳層１１ｘの表面に酸素プラズマアッシング処理によって厚みＴ１ｘの剥離層１２ｘが形成されて構成されている。この場合、マザースタンパー１Ｘの表面には、複数の凸部５ａｘおよび凹部５ｂｘを有する凹凸パターン５ｘが形成され、凸部５ａｘの幅は幅Ｌ１ｘとなっている。このマザースタンパー１Ｘを電極として用いて上記のニッケル電鋳処理を実行したときには、図１１に示すように、凹凸パターン５ｘにおける各凹部５ｂｘ内がニッケルで埋め尽くされることにより、凹凸パターン５ｘの形成面に沿った向き（矢印Ａの向き）で凸部５ａｘを押し縮める力（応力）が生じる。この結果、マザースタンパー１Ｘにおける各凸部５ａｘが凹凸パターン５ｘの形成面に沿って押し縮められて、電鋳処理の開始以前に幅Ｌ１ｘであった各凸部５ａｘが、幅Ｌ１ｘよりも狭い幅Ｌ２ｘとなる。

また、電鋳処理の完了後にマザースタンパー１Ｘからニッケル電鋳層１３ｘ（チャイルドスタンパー１ＡＸ）を剥離した際には、図１２に示すように、マザースタンパー１Ｘにおける剥離層１２の表面部位が、チャイルドスタンパー１ＡＸに付着した状態でマザースタンパー１Ｘから剥がれることがある。この結果、チャイルドスタンパー１ＡＸの剥離以前に幅Ｌ２ｘであった各凸部５ａｘが、幅Ｌ２ｘよりもさらに狭い幅Ｌ３ｘとなる。したがって、各凸部５ａｘが幅Ｌ３ｘとなったマザースタンパー１Ｘを用いて２枚目のチャイルドスタンパー１ＡＸを製造した場合には、その凹凸パターン６ｘにおける凹部６ｂｘの開口長が１枚目のチャイルドスタンパー１ＡＸにおける凹部６ｂｘの開口長Ｌ３ａｘよりも短く、かつ、２枚目のチャイルドスタンパー１ＡＸにおける凸部６ａｘの幅が１枚目のチャイルドスタンパー１ＡＸにおける凸部６ａｘの幅Ｌ３ｂｘよりも長くなる。

より具体的には、一例として、未使用状態における凸部５ａｘの形成ピッチが３００ｎｍで、凸部５ａｘの幅と凹部５ｂｘの開口長とが１：１のマザースタンパー１Ｘを用いて複数枚のチャイルドスタンパー１ＡＸを製造した場合、図１３に示すように、１枚目のチャイルドスタンパー１ＡＸを製造した直後のマザースタンパー１Ｘにおける凸部５ａｘの幅Ｌ３ｘを基準としたときに、２枚目のチャイルドスタンパー１ＡＸを製造した直後のマザースタンパー１Ｘにおける凸部５ａｘの幅Ｌ３ｘは、１．７ｎｍも短くなっている。また、３枚目のチャイルドスタンパー１ＡＸを製造した直後のマザースタンパー１Ｘにおける凸部５ａｘの幅Ｌ３ｘは、１枚目のチャイルドスタンパー１ＡＸを製造した直後のマザースタンパー１Ｘよりも２．３ｎｍも短くなり、８枚目のチャイルドスタンパー１ＡＸを製造した直後のマザースタンパー１Ｘにおける凸部５ａｘの幅Ｌ３ｘに至っては、１枚目のチャイルドスタンパー１ＡＸを製造した直後のマザースタンパー１Ｘよりも９．８ｎｍも短くなっている。

この場合、マスタースタンパーからマザースタンパーを製造する際にも、そのニッケル電鋳処理時や剥離処理時において、上記の凸部５ａｘの寸法変化と同様の寸法変化が生じる。このように、１枚のスタンパーから複数枚のスタンパーを製造する際に、製造されるスタンパーにおける凹部の開口長、および凸部の幅が徐々に変化する従来の複製方法には、凹部６ｂｘの開口長Ｌ３ａｘや凸部６ａｘの幅Ｌ３ｂｘが基準範囲内の高精度な凹凸パターン６ｘを有するチャイルドスタンパー１ＡＸを大量に製造するのが困難となっているという問題点がある。この場合、図１４に示すように、凸部５ａｘの幅に対する寸法変化量の割合は、凸部５ａｘの形成ピッチが小さくなるほど（凸部５ａｘの幅が狭くなるほど）大きくなる傾向がある。このため、高密度記録化を図るべく、その凹凸パターンにおける凹部や凸部の形成ピッチが小さくなる傾向にある今日の情報記録媒体の製造に際しては、上記のようにマスタースタンパーからマザースタンパーを製造する際や、マザースタンパーからチャイルドスタンパーを製造する際に、凹凸パターンの転写元となるスタンパーに生じる凸部および凹部の寸法変化が大きな問題となる。

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、高精度な凹凸パターンを有するスタンパーを大量に製造し得るスタンパー修復方法を提供することを主目的とする。

上記目的を達成すべく本発明に係るスタンパー修復方法は、スタンパーにおける凹凸パターンの形成面に導電性薄膜を形成する薄膜形成処理と、当該形成面に剥離層を形成する剥離層形成処理とをこの順で実行して前記スタンパーを修復する。なお、本明細書における「凹凸パターンの形成面」とは、スタンパーの表面および裏面のうちの凹凸パターンが形成されている側の面をいう。

また、本発明に係るスタンパー修復方法は、前記剥離層形成処理として、前記導電性薄膜の表面を改質する改質処理を実行して前記剥離層を形成する。

さらに、本発明に係るスタンパー修復方法は、前記改質処理として、前記導電性薄膜の表面を酸化させる酸化処理を実行して前記剥離層を形成する。

また、本発明に係るスタンパー修復方法は、前記剥離層形成処理時において、前記導電性薄膜の上に剥離層形成用材料からなる層を前記剥離層として形成する。

さらに、本発明に係るスタンパー修復方法は、前記薄膜形成処理時において、イオンビームデポジション法によって前記形成面に対して斜めから導電性薄膜形成用材料の粒子を照射して前記導電性薄膜を形成する。

なお、本明細書における「イオンビームデポジション法」とは、イオンビームを利用して被加工体に対して成膜材料の粒子を一方向で直線的に照射する成膜法を意味する。具体的には、成膜材料としてのターゲットに対して希ガス等のイオンビームを所定の一方向で直線的に衝突させてターゲットの粒子を被加工体に飛散させて照射するイオンビームスパッタリング法、成膜材料の粒子のイオンビームを被加工体に対して一方向で直線的に照射する質量分離方式または質量非分離方式のイオンビーム法、および成膜材料の粒子をクラスター化したクラスターのイオンビームを被加工体に対して一方向で直線的に照射するクラスターイオンビーム法などの各種成膜法がこれに含まれる。この場合、イオンビームスパッタリング法は、ターゲットに対して所定の一方向から直線的にイオンビームを照射する（イオンを衝突させる）という点において、ターゲットに対して様々な方向からイオンを照射する（衝突させる）一般的なスパッタリング法とは相違する。

また、本発明に係るスタンパー修復方法は、前記薄膜形成処理に先立ち、前記形成面に残存している剥離層を除去する剥離層除去処理を実行する。なお、本発明における剥離層除去処理には、剥離層を構成している材料をスタンパー上から取り除いて除去する処理、剥離層を構成している材料を化学的に変化させることでスタンパー上から剥離層を実質的に除去する処理、およびこれらの処理を組み合わせて行う処理が含まれる。

さらに、本発明に係るスタンパー修復方法は、前記剥離層除去処理時において、水素元素を含むガスのプラズマに前記スタンパーを曝して前記剥離層を除去する。

また、本発明に係るスタンパー修復方法は、前記薄膜形成処理時において、前記剥離層除去処理の完了後の前記スタンパーにおける前記形成面の表面部位を構成する材料と同種の材料を用いて前記導電性薄膜を形成する。なお、本明細書における「表面部位を構成する材料」とは、例えば、剥離層除去処理の完了後から薄膜形成処理の開始時点までの間にスタンパーが大気に晒されることでその表面が極く僅かに酸化した場合においては、その表面部位の酸化した材料を意図するものではなく、酸化以前の材料を意図するものである。また、本発明における「同種の材料」とは、組成が実質的に同一である材料を意味する。

さらに、本発明に係るスタンパー修復方法は、スタンパーにおける凹凸パターンの形成面に剥離層形成用材料からなり当該スタンパーの減耗分の厚みの剥離層を形成する剥離層形成処理を実行して当該スタンパーを修復する。

また、本発明に係るスタンパー修復方法は、前記剥離層形成処理時において、イオンビームデポジション法によって前記形成面に対して斜めから前記剥離層形成用材料の粒子を照射して前記剥離層を形成する。

また、本発明に係るスタンパー製造方法は、上記のいずれかのスタンパー修復方法に従って修復した前記スタンパーの凹凸パターンをスタンパー形成用材料に転写して当該修復したスタンパーの凸部に対応する凹部と当該修復したスタンパーにおける凹部に対応する凸部とを有するスタンパーを製造する。

本発明に係るスタンパー修復方法によれば、凹凸パターンの形成面に導電性薄膜を形成する薄膜形成処理と剥離層を形成する剥離層形成処理とをこの順で実行してスタンパーを修復することにより、例えばマザースタンパーの凹凸パターンを転写して複数のチャイルドスタンパーを製造する場合において、このスタンパー修復方法に従ってマザースタンパーを修復することで、マザースタンパーに生じる減耗（凸部および凹部の寸法変化）に起因して、製造したチャイルドスタンパーにおける凸部の幅や凹部の開口長が変化する事態を回避して、凸部の幅や凹部の開口長が一定範囲内のチャイルドスタンパーを大量に製造することができる。したがって、高価なマスタースタンパーを大量に製造することなく、修復したマザースタンパーから製造したチャイルドスタンパーを用いて、凸部の幅や凹部の開口長が均一な凹凸パターンを有する情報媒体を低コストで大量に製造することができる。

また、本発明に係るスタンパー修復方法によれば、導電性薄膜の表面を改質する改質処理を剥離層形成処理として実行して剥離層を形成することにより、導電性薄膜を構成している材料とは全く相違する種類の材料で剥離層を形成する方法とは異なり、導電性薄膜との密着性が十分に高い剥離層を形成することができる。したがって、このスタンパー修復方法に従って例えばマザースタンパーを修復することで、チャイルドスタンパーの製造時（例えば、電鋳処理時）においてマザースタンパーの導電性薄膜から剥離層が剥がれる事態を回避することができる。

さらに、本発明に係るスタンパー修復方法によれば、導電性薄膜の表面を酸化させる酸化処理を改質処理として実行することにより、このスタンパー修復方法に従って例えばマザースタンパーを修復することで、チャイルドスタンパーの剥離性が良好な剥離層を確実かつ容易に形成することができる。また、チャイルドスタンパーのスムーズな剥離が可能となるため、マザースタンパーの凹凸パターンやチャイルドスタンパーの凹凸パターンに破損が生じる事態を回避することができる。

また、本発明に係るスタンパー修復方法によれば、剥離層形成処理時において、導電性薄膜の上に剥離層形成用材料からなる層を剥離層として形成することにより、このスタンパー修復方法に従って例えばマザースタンパーを修復することで、チャイルドスタンパーの母材に対する剥離性が良好な材料を剥離層形成用材料として採用してマザースタンパーに剥離層を形成することができる。これにより、チャイルドスタンパーのスムーズな剥離が可能となるため、マザースタンパーの凹凸パターンやチャイルドスタンパーの凹凸パターンに破損が生じる事態を回避することができる。

さらに、本発明に係るスタンパー修復方法によれば、薄膜形成処理時において、イオンビームデポジション法によって凹凸パターンの形成面に対して斜めから導電性薄膜形成用材料の粒子を照射して導電性薄膜を形成することにより、このスタンパー修復方法に従って例えばマザースタンパーを修復することで、マザースタンパーの各凸部の突端面や各凹部の底面のみならず、各凸部の側面（各凹部の内壁面）に対して導電性薄膜を確実に成膜することができる。したがって、チャイルドスタンパーの製造よって各凸部の幅が短くなっているマザースタンパーを確実に修復することができる。また、他の成膜方法と比較して、修復対象のスタンパーに対する密着性が良好な導電性薄膜を形成することができる。

また、本発明に係るスタンパー修復方法によれば、薄膜形成処理に先立ち、凹凸パターンの形成面に残存している剥離層を除去する剥離層除去処理を実行することにより、剥離層を除去することなく導電性薄膜を形成する方法と比較して、修復対象のスタンパーにおける母材（剥離層を除去した状態において凹凸パターンの形成面を構成している材料）に対する導電性薄膜の密着性を十分に向上させることができる。

さらに、本発明に係るスタンパー修復方法によれば、剥離層除去処理時において、水素元素を含むガスのプラズマにスタンパーを曝して剥離層を除去することにより、修復対象のスタンパーにおける母材自体を侵すことなく、また、修復対象のスタンパー表面を荒らすことなく、剥離層のみを選択的に除去することができる。したがって、本発明における剥離層除去処理によって修復対象のスタンパーにおける凹凸パターンに大きな寸法変化が生じる事態を回避することができる。

また、本発明に係るスタンパー修復方法によれば、薄膜形成処理時において、剥離層除去処理の完了後のスタンパーにおける凹凸パターンの形成面の表面部位を構成する材料と同種の材料を用いて導電性薄膜を形成することにより、修復対象のスタンパーにおける母材（剥離層を除去した状態において凹凸パターンの形成面を構成している材料）との密着性が良好な導電性薄膜を形成することができる。

さらに、本発明に係るスタンパー修復方法によれば、スタンパーにおける凹凸パターンの形成面に剥離層形成用材料からなりスタンパーの減耗分の厚みの剥離層を形成する剥離層形成処理を実行してスタンパーを修復することにより、例えばマザースタンパーの凹凸パターンを転写して複数のチャイルドスタンパーを製造する場合において、このスタンパー修復方法に従ってマザースタンパーを修復することで、マザースタンパーに生じる減耗（凸部および凹部の寸法変化）に起因して、製造したチャイルドスタンパーにおける凸部の幅や凹部の開口長が変化する事態を回避して、凸部の幅や凹部の開口長が一定範囲内のチャイルドスタンパーを大量に製造することができる。したがって、高価なマスタースタンパーを大量に製造することなく、修復したマザースタンパーから製造したチャイルドスタンパーを用いて、凸部の幅や凹部の開口長が均一な凹凸パターンを有する情報媒体を低コストで大量に製造することができる。

また、本発明に係るスタンパー修復方法によれば、剥離層形成処理時において、イオンビームデポジション法によって凹凸パターンの形成面に対して斜めから剥離層形成用材料の粒子を照射して剥離層を形成することにより、スタンパーにおける各凸部の突端面や各凹部の底面のみならず、各凸部の側面（各凹部の内壁面）に対して剥離層を確実に形成することができる。したがって、このスタンパー修復方法に従って例えばマザースタンパーを修復することで、チャイルドスタンパーの製造よって各凸部の幅が短くなっているマザースタンパーを確実に修復して新たなマザースタンパーを製造することができる。また、他の成膜方法と比較して、修復対象のスタンパーに対する密着性が良好な剥離層を形成することができる。

また、本発明に係るスタンパー製造方法によれば、上記のいずれかのスタンパー修復方法に従って修復したスタンパーを用いてスタンパーを製造することにより、凸部の幅や凹部の開口長が一定範囲内のマザースタンパーやチャイルドスタンパーを大量に製造することができる。したがって、高価なマスタースタンパーを大量に製造することなく、修復したスタンパーを用いて製造したスタンパーを用いて、凸部の幅や凹部の開口長が均一な凹凸パターンを有する情報媒体を低コストで大量に製造することができる。

以下、添付図面を参照して、本発明に係るスタンパー修復方法およびスタンパー製造方法の最良の形態について説明する。なお、本発明に係るスタンパー修復方法は、マスタースタンパーからマザースタンパーを製造するとき、マザースタンパーからチャイルドスタンパーを製造するとき、および、チャイルドスタンパーからグランドチャイルドスタンパーを製造するときなどの各種のスタンパー製造時において実施することができるが、本発明についての理解を容易とするために、まず、マザースタンパーを用いてチャイルドスタンパーを製造する際に本発明に係るスタンパー修復方法に従ってマザースタンパーを修復する例について、図面を参照して説明する。

図１に示すマザースタンパー１は、一例として、インプリント法によってディスクリートトラック型等のパターンド媒体（磁気ディスク）を製造する際に用いるチャイルドスタンパー１Ａ（図２，３参照）を製造可能なスタンパーであって、チャイルドスタンパー１Ａにおける凹凸パターン６の各凹部６ｂに対応して形成された複数の凸部５ａと、凹凸パターン６の各凸部６ａに対応して形成された複数の凹部５ｂとを有する凹凸パターン５が形成されている。このマザースタンパー１は、一例として、図９に示すマスタースタンパー１Ｃの凹凸パターン４をスタンパー形成材料に転写することによって上記の凹凸パターン５が形成されている。

具体的には、マザースタンパー１は、マスタースタンパー１Ｃを電極として用いてスタンパー形成用材料の一例であるニッケルを用いた電鋳処理（ニッケル電鋳処理）によって形成されたニッケル電鋳層１１と、ニッケル電鋳層１１の表面に形成された剥離層１２とを備えて、全体として円板状に形成されている。なお、同図では、凹凸パターン５における凸部５ａの幅Ｌ１（凹凸パターンの形成面に沿った長さ）と、凹部５ｂの開口長とが１：１となっている状態を図示しているが、実際には、情報媒体に形成すべき凹凸パターン（図示せず）における凸部の幅や凹部の開口長に応じて、凸部５ａの幅Ｌ１および凹部５ｂの開口長が凹凸パターン５の各部において相違するように形成されている。この場合、上記のマスタースタンパー１Ｃの製造方法については、公知の各種のスタンパー製造方法を採用することができる。

このマザースタンパー１を用いてチャイルドスタンパー１Ａを製造する際には、まず、マスタースタンパー１Ｃから剥離した状態の（剥離層１２が形成されていない状態の）マザースタンパー１に対して、厚みＴ１が４ｎｍ程度の剥離層１２を形成する。具体的には、一例として、リアクティブイオンエッチング装置を用いてＡｒおよびＯ_２の混合ガスを用いたプラズマ処理によってニッケル電鋳層１１の表面（凹凸パターン５の形成面）を酸化処理することによってニッケル電鋳層１１の表面を改質処理して剥離層１２を形成する。この際に、マザースタンパー１（ニッケル電鋳層１１）に対するプラズマ処理条件は、一例として、ソースパワーを１０００Ｗとし、バイアスパワーを０Ｗとし、ＡｒとＯ_２との混合比を３：７とし、混合ガスの圧力を１．０Ｐａとし、処理時間を１５秒とする。

次いで、図２に示すように、ニッケル電鋳層１１を電極として用いたニッケル電鋳処理を実行することにより、剥離層１２の上に厚み０．３ｍｍ程度のニッケル電鋳層１３を形成する。この際には、前述したように、マザースタンパー１の凹凸パターン５における各凹部５ｂ内がニッケルで埋め尽くされることにより、凹凸パターン５の形成面に沿った向き（矢印Ａの向き）で各凸部５ａを押し縮める力（応力）が生じる。この結果、マザースタンパー１における各凸部５ａが凹凸パターン５の形成面に沿って押し縮められて、電鋳処理の開始以前に幅Ｌ１であった各凸部５ａが、幅Ｌ１よりも狭い幅Ｌ２となる。

続いて、図３に示すように、マザースタンパー１からニッケル電鋳層１３を剥離する。これにより、マザースタンパー１における凹凸パターン５の各凸部５ａに対応する複数の凹部６ｂと、凹凸パターン５の各凹部５ｂに対応する複数の凸部６ａとを有する凹凸パターン６がニッケル電鋳層１３に転写されて、１枚目のチャイルドスタンパー１Ａが完成する。この際には、マザースタンパー１における剥離層１２の表面部位がチャイルドスタンパー１Ａにおける凹凸パターン６の表面に厚みＴ２だけ付着した状態でマザースタンパー１から剥がれる。この結果、チャイルドスタンパー１Ａの剥離以前に幅Ｌ２であったマザースタンパー１の各凸部５ａが、幅Ｌ２よりもさらに狭い幅Ｌ３となる。また、マザースタンパー１の剥離層１２は、チャイルドスタンパー１Ａの製造に使用する以前の厚みＴ１よりも薄い厚みＴ３となる。

次いで、チャイルドスタンパー１Ａの剥離が完了したマザースタンパー１をアルカリ洗浄処理した後に、洗浄処理後のマザースタンパー１を用いて１枚目のチャイルドスタンパー１Ａの製造方法と同様の手順でプラズマ処理（剥離層形成処理）、ニッケル電鋳処理および剥離処理することにより、２枚目のチャイルドスタンパー１Ａおよび３枚目のチャイルドスタンパー１Ａを順次製造する。この場合、この種のスタンパー製造方法では、前述したように、チャイルドスタンパー１Ａを１枚製造する毎に、マザースタンパー１における各凸部５ａの幅Ｌ３が徐々に狭くなる。したがって、３枚目のチャイルドスタンパー１Ａの製造が完了した時点において、本発明に係るスタンパー修復方法に従い、マザースタンパー１を修復する。

具体的には、３枚目のチャイルドスタンパー１Ａの剥離が完了したマザースタンパー１に対して、凹凸パターン５の表面をアルカリ洗浄によって洗浄処理した後に、リアクティブイオンエッチング装置によって凹凸パターン５の表面に残存している剥離層１２を除去する（本発明における「剥離層除去処理」）。この際には、図４に示すように、洗浄処理後のマザースタンパー１を水素ガスプラズマ中に曝すことにより、マザースタンパー１（ニッケル電鋳層１１上）から剥離層１２を除去する。なお、マザースタンパー１に対するプラズマ処理条件は、一例として、ソースパワーを１０００Ｗとし、バイアスパワーを０Ｗとし、水素ガスの圧力を２．０Ｐａとし、処理時間を１５秒とする。この際に、エッチングガスとして水素ガス（本発明における「水素元素を含むガス」の一例）を用いることにより、ニッケル電鋳層１１の表面を酸化処理して形成された剥離層１２に対して水素ガスが還元性を有するため、剥離層１２の下のニッケル電鋳層１１が除去されることなく、剥離層１２のみが還元または消失によってマザースタンパー１上から選択的に除去される。これにより、マザースタンパー１における凸部５ａが幅Ｌ４となる。なお、本発明における「水素元素を含むガス」は、上記の水素ガスに限定されず、例えばＮＨ_３ガスやこれらを含む各種ガスを使用することもできる。

次いで、剥離層１２の剥離が完了したマザースタンパー１（ニッケル電鋳層１１）に対して、本発明における導電性薄膜に相当するニッケル薄膜１１ａ（図７参照）を形成する処理（本発明における「薄膜形成処理」）を実行する。具体的には、図５に示すように、ニッケル電鋳層１１を構成する材料（この例では、ニッケル）と同種の材料（この例では、ニッケル）を凹凸パターン５の表面にイオンビームデポジション装置５０を用いて付着させることでニッケル薄膜１１ａを形成する。

この場合、イオンビームデポジション装置５０は、本発明におけるイオンビームデポジション法のうちのイオンビームスパッタリング法による導電性薄膜の形成が可能な装置の一例であって、図５に示すように、真空チャンバ５１、保持機構５２、照射源５３およびイオンビーム発生源５４を備えて構成されている。真空チャンバ５１は、保持機構５２や照射源５３などを収容可能な箱体で構成されると共に、その排気口に接続された真空ポンプ５１ａによって真空引きされることにより、内部空間を真空状態に維持することができるように構成されている。保持機構５２は、マザースタンパー１を保持する保持用治具５２ａと、保持用治具５２ａと共にマザースタンパー１を回転させる回転機構５２ｂとを備えている。この場合、保持機構５２は、後述するように照射源５３から照射される導電性薄膜形成用材料の粒子（この例では、ニッケル粒子）を保持用治具５２ａによって保持しているマザースタンパー１に対して所望の角度で照射できるように、照射源５３に対する角度を調整可能に構成されている。

照射源５３は、本発明における導電性薄膜形成用材料に相当するニッケルをターゲットとして備え、イオンビーム発生源５４からのイオンビームの照射によって生じるニッケルの粒子を保持機構５２によって保持されているマザースタンパー１に向けて放出する。イオンビーム発生源５４は、一例として、Ａｒのイオンビームを照射可能に構成されている。なお、ニッケル薄膜１１ａの形成時における処理条件としては、一例として、イオンビーム発生源５４における高圧側のグリッド電圧を１２００Ｖとし、低圧側のグリッド電圧を３２５Ｖとし、ビーム電流を１７８ｍＡとする。また、図６に示すように、マザースタンパー１の凹凸パターンの形成面に対するニッケル粒子の照射角（同図に示すマザースタンパー１の凹凸パターンの形成面と照射方向との成す角度θ）については、一例として、４５°とする（凹凸パターン５の形成面に対して斜めから導電性薄膜形成用材料の粒子を照射する方法の一例）。

この場合、マザースタンパー１における凹凸パターン５の形成面と直交する向きでマザースタンパー１（ニッケル電鋳層１１）に対してニッケル粒子を照射した場合には、凹凸パターン５における各凸部５ａの突端面および各凹部５ｂの底面（凹凸パターン５の形成面と平行な面）のみにニッケル薄膜１１ａが成膜されて各凸部５ａの側面（各凹部５ｂの内壁面：凹凸パターン５の形成面と交差する面）にニッケル薄膜１１ａが成膜されない事態が生じるおそれがある。これに対して、保持機構５２によって照射源５３に対してマザースタンパー１を斜めに傾けて保持した状態においてニッケル粒子を照射することにより、図６に示すように、各凸部５ａの突端面、および各凹部５ｂの底面のみならず、各凸部５ａの側面（各凹部５ｂの内壁面）にもニッケル薄膜１１ａを確実に成膜することが可能となっている。また、回転機構５２ｂによってマザースタンパー１（保持用治具５２ａ）を回転させつつ成膜処理することにより、各凸部５ａにおけるいずれかの側面にニッケル薄膜１１ａが成膜されずにニッケル電鋳層１１が露出した状態となる不具合、およびいずれかの側面においてニッケル薄膜１１ａの厚みが極端に薄くなるという不具合を招くことなく、各凸部５ａのすべての側面に対してほぼ均等な厚みでニッケル薄膜１１ａを成膜することが可能となっている。

また、このマザースタンパー１の修復方法では、ニッケル薄膜１１ａの成膜に先立ち、マザースタンパー１に残存していた剥離層１２を除去する剥離層除去処理を実行して凹凸パターン５の全域に亘ってニッケル電鋳層１１を露出させると共に、この剥離層除去処理の完了後のマザースタンパー１における凹凸パターン５の形成面の表面部位を構成する材料（ニッケル電鋳層１１を構成している材料：この例では、ニッケル）と同種の材料（ニッケル）を用いてニッケル薄膜１１ａを成膜している。したがって、ニッケル電鋳層１１とニッケル薄膜１１ａとの間に他の材料が介在せず、しかも、ニッケル電鋳層１１からニッケル薄膜１１ａにかけて同種の材料が連続するため、ニッケル電鋳層１１に対するニッケル薄膜１１ａの密着性が十分に高くなっている。これにより、図７に示すように、凹凸パターン５を覆うようにして厚みＴ４のニッケル薄膜１１ａ（本発明における「導電性薄膜」）が形成される。

この場合、上記のニッケル薄膜１１ａの成膜に際しては、ニッケル薄膜１１ａの厚みＴ４が、各チャイルドスタンパー１Ａの製造時にマザースタンパー１に生じた寸法変化の分（各チャイルドスタンパー１Ａの製造によってマザースタンパー１に生じた減耗分）の厚みとなるまでマザースタンパー１に対する成膜処理を継続する。また、上記の剥離層除去処理時において、処理以前に剥離層１２を構成していた材料の一部または全部がマザースタンパー１上から取り除かれてマザースタンパー１が減耗した場合には、この剥離層除去処理によってマザースタンパー１に生じた減耗分と、上記のように各チャイルドスタンパー１Ａの製造によってマザースタンパー１に生じた減耗分との和と等しい厚みとなるまでマザースタンパー１に対する成膜処理を継続する。これにより、マザースタンパー１における各凸部５ａの幅Ｌ５は、修復以前の幅Ｌ４よりも広く、かつ、未使用のマザースタンパー１における凸部５ａの幅Ｌ１と等しい幅となる。

続いて、ニッケル薄膜１１ａの表面に対する改質処理を実行することにより、剥離層１２を形成する。具体的には、マスタースタンパー１Ｃから剥離した直後のマザースタンパー１に対して剥離層１２を形成した際の処理と同様にして、リアクティブイオンエッチング装置を用いてＡｒおよびＯ_２の混合ガスを用いたプラズマ処理によってニッケル電鋳層１１の表面（凹凸パターン５の形成面）を酸化処理することにより、厚みＴ１が４ｎｍ程度の剥離層１２を形成する。この際に、マザースタンパー１（ニッケル電鋳層１１）に対するプラズマ処理の条件は、一例として、ソースパワーを１０００Ｗとし、バイアスパワーを０Ｗとし、ＡｒとＯ_２との混合比を３：７とし、混合ガスの圧力を１．０Ｐａとし、処理時間を１５秒とする。これにより、図１に示すように、マザースタンパー１の修復が完了する。なお、同図では、ニッケル電鋳層１１の上に形成したニッケル薄膜１１ａがニッケル電鋳層１１と同化した状態を図示している。

この後、前述した手順に従い、修復が完了したマザースタンパー１を用いてチャイルドスタンパー１Ａを製造する（本発明に係る「スタンパー製造方法」の実施）。また、３枚のチャイルドスタンパー１Ａを製造する都度、上記の一連の修復処理を実行する。これにより、凸部６ａの幅や凹部６ｂの開口長が大きく変化することなく一定範囲内となるように形成された凹凸パターン６を有するチャイルドスタンパー１Ａを大量に製造することができる。この場合、図１４に示すように、凸部５ａの形成ピッチが５０ｎｍのチャイルドスタンパー１Ａを１枚のマザースタンパー１から製造したときに、１枚目から３枚目のチャイルドスタンパー１Ａについては、凸部の幅に対する寸法変化量の割合が５％未満であるのに対し、４枚目のチャイルドスタンパー１Ａでは、凸部の幅に対する寸法変化量の割合が８％程度と非常に大きくなる。したがって、３枚のチャイルドスタンパー１Ａを製造する都度、上記の一連の修復処理を実行することにより、凸部の幅に対する寸法変化量の割合が５％未満のチャイルドスタンパー１Ａを製造することができる。

このように、上記のマザースタンパー１の修復方法によれば、凹凸パターン５の形成面にニッケル薄膜１１ａ（導電性薄膜）を形成する薄膜形成処理と剥離層１２を形成する剥離層形成処理とをこの順で実行してマザースタンパー１を修復することにより、チャイルドスタンパー１Ａの製造によってマザースタンパー１に生じる減耗（凸部５ａおよび凹部５ｂの寸法変化）に起因して製造したチャイルドスタンパー１Ａにおける凸部６ａの幅や凹部６ｂの開口長が変化する事態を回避して、凸部６ａの幅や凹部６ｂの開口長が一定範囲内のチャイルドスタンパー１Ａを大量に製造することができる。したがって、高価なマスタースタンパー１Ｃを大量に製造することなく、マザースタンパー１を用いて製造したチャイルドスタンパー１Ａを用いて、凸部の幅や凹部の開口長が均一な凹凸パターンを有する情報媒体を低コストで大量に製造することができる。

また、上記のマザースタンパー１の修復方法によれば、本発明における剥離層形成処理として、ニッケル薄膜１１ａ（導電性薄膜）の表面を改質する改質処理を実行して剥離層１２を形成することにより、ニッケル電鋳層１１を構成している材料とは全く相違する種類の材料で剥離層１２を形成する方法とは異なり、ニッケル薄膜１１ａとの密着性が十分に高い剥離層１２を形成することができる。したがって、チャイルドスタンパー１Ａの製造時（例えば、ニッケル電鋳処理時）において、マザースタンパー１のニッケル薄膜１１ａから剥離層１２が剥がれる事態を回避することができる。

さらに、上記のマザースタンパー１の修復方法によれば、ニッケル薄膜１１ａ（導電性薄膜）の表面を酸化させる酸化処理を本発明における改質処理として実行することにより、ニッケル電鋳層１３（チャイルドスタンパー１Ａ）の剥離性が良好な剥離層１２を確実かつ容易に形成することができる。また、チャイルドスタンパー１Ａのスムーズな剥離が可能となるため、マザースタンパー１の凹凸パターン５やチャイルドスタンパー１Ａの凹凸パターン６に破損が生じる事態を回避することができる。

また、上記のマザースタンパー１の修復方法によれば、本発明における薄膜形成処理時において、イオンビームデポジション法によって凹凸パターン５の形成面に対して斜め（この例では、４５°）から導電性薄膜形成用材料の粒子（この例では、ニッケル粒子）を照射してニッケル薄膜１１ａ（導電性薄膜）を形成することにより、マザースタンパー１の各凸部５ａの突端面や各凹部５ｂの底面のみならず、各凸部５ａの側面（各凹部５ｂの内壁面）に対してニッケル薄膜１１ａを確実に成膜することができる。したがって、チャイルドスタンパー１Ａの製造よって各凸部５ａの幅が短くなっているマザースタンパー１を確実に修復することができる。また、他の成膜方法と比較して、修復対象のマザースタンパー１（この例では、ニッケル電鋳層１１）に対する密着性が良好なニッケル薄膜１１ａを形成することができる。

さらに、上記のマザースタンパー１の修復方法によれば、本発明における薄膜形成処理に先立ち、凹凸パターン５の形成面に残存している剥離層１２を除去する剥離層除去処理を実行することにより、剥離層１２を除去することなくニッケル薄膜１１ａを形成する方法と比較して、修復対象のマザースタンパー１における母材（剥離層１２を除去した状態において凹凸パターン５の形成面を構成している材料：この例では、ニッケル電鋳層１１）に対するニッケル薄膜１１ａの密着性を十分に向上させることができる。

また、上記のマザースタンパー１の修復方法によれば、本発明における剥離層除去処理時において、水素元素を含むガス（この例では、水素ガス）のプラズマにマザースタンパー１を曝して剥離層１２を除去することにより、マザースタンパー１の母材であるニッケル電鋳層１１自体を侵すことなく、また、マザースタンパー１の表面を荒らすことなく、剥離層１２のみを選択的に除去することができる。したがって、本発明における剥離層除去処理によってマザースタンパー１の凹凸パターン５に大きな寸法変化が生じる事態を回避することができる。

さらに、上記のマザースタンパー１の修復方法によれば、本発明における薄膜形成処理時において、上記した剥離層１２の除去処理完了後のマザースタンパー１（ニッケル電鋳層１１）における凹凸パターン５の形成面の表面部位を構成する材料（この例では、ニッケル）と同種の材料を用いて本発明における導電性薄膜としてのニッケル薄膜１１ａを形成することにより、マザースタンパー１の母材（剥離層１２を除去した状態において凹凸パターン５の形成面を構成している材料）であるニッケル電鋳層１１との密着性が良好なニッケル薄膜１１ａを形成することができる。

また、上記のチャイルドスタンパー１Ａの製造方法によれば、凹凸パターン５の形成面にニッケル薄膜１１ａ（導電性薄膜）を形成する薄膜形成処理と剥離層１２を形成する剥離層形成処理とをこの順で実行して修復したマザースタンパー１を用いてチャイルドスタンパー１Ａを製造することにより、凸部６ａの幅や凹部６ｂの開口長が一定範囲内のチャイルドスタンパー１Ａを大量に製造することができる。したがって、高価なマスタースタンパーを大量に製造することなく、修復したマザータンパー１を用いて製造したチャイルドスタンパー１Ａを用いて、凸部の幅や凹部の開口長が均一な凹凸パターンを有する情報媒体を低コストで大量に製造することができる。

なお、本発明は、上記した本発明の構成および方法に限定されない。例えば、ニッケル薄膜１１ａの形成が完了したマザースタンパー１の表面を酸化処理することで剥離層１２を形成する方法について説明したが、本発明における剥離層形成処理はこの方法に限定されない。具体的には、上記の酸化処理に代えて、本発明における導電製薄膜の表面を窒化する窒化処理、フッ化するフッ化処理、および水酸化する水酸化処理などを実行することで、上記の剥離層１２と同様にしてニッケル電鋳層１３に対する剥離性が良好な剥離層を形成する方法を採用することができる。この場合、剥離層を形成するための表面改質処理としては、リアクティブイオンエッチング装置を用いるようなプラズマ処理に限定されず、過マンガン酸水溶液や重クロム酸水溶液にマザースタンパー１を浸漬することで凹凸パターン５の表面を改質して剥離層を形成する方法を採用することもできる。

また、本発明における剥離層形成処理は、上記の酸化処理、窒化処理、フッ化処理および水酸化処理などの表面改質処理による剥離層の形成方法に限定されず、本発明における導電性薄膜の表面に剥離層形成用材料（一例として、酸化ニッケルや酸化クロム等）からなる層を剥離層として形成する方法を採用することができる。このように、マザースタンパーの修復に際して、本発明における剥離層形成処理として導電性薄膜の上に剥離層形成用材料からなる層を形成して剥離層を形成することにより、ニッケル電鋳層１３に対する剥離性が良好な材料を剥離層形成用材料として採用して剥離層を形成することができる。これにより、チャイルドスタンパー１Ａのスムーズな剥離が可能となるため、マザースタンパー１の凹凸パターン５やチャイルドスタンパー１Ａの凹凸パターン６に破損が生じる事態を回避することができる。

この場合、本発明における薄膜形成処理に先立ち、凹凸パターンの形成面に残存している剥離層を除去する剥離層除去処理を実行することにより、剥離層１２を除去することなくニッケル薄膜１１ａを形成する方法と比較して、修復対象のスタンパーにおける母材（剥離層１２を除去した状態において凹凸パターンの形成面を構成している材料）に対するニッケル薄膜１１ａの密着性を十分に高めることができる。

さらに、剥離層１２の剥離処理が完了した状態におけるマザースタンパー１（ニッケル電鋳層１１）と同種の材料で本発明における導電性薄膜としてのニッケル薄膜１１ａを形成する例について説明したが、導電性薄膜を形成するための材料は、剥離層剥離処理後のマザースタンパー１における表面部位の材料と同種の材料に限定されず、チャイルドスタンパー１Ａの製造に際してニッケル電鋳処理を実行する際に、修復したマザースタンパー１を電極として利用することが可能である限り、ニッケル電鋳層１１を構成する材料とは相違する各種の導電性材料で本発明における導電性薄膜を形成することができる。具体的には、一例として、クロム、銅および金等の導電性材料で導電性薄膜を形成することにより、上記したニッケル薄膜１１ａの形成によるマザースタンパー１の修復方法と同様にして、チャイルドスタンパー１Ａの製造に際してニッケル電鋳層１３を形成するためのニッケル電鋳処理時に電極として使用可能なようにマザースタンパー１を十分に修復することができる。

また、本発明における剥離層除去処理として、水素ガスプラズマを用いたリアクティブイオンエッチング法によって剥離層１２を除去する方法について説明したが、本発明はこれに限定されず、水素ガスプラズマ以外の各種不活性ガスを用いたプラズマ（一例として、ＡｒやＮ_２を用いたプラズマ）によるプラズマ処理、および各種の酸性溶液（一例として、スルファミン酸ニッケル溶液）にマザースタンパー１を浸漬することで剥離層１２を除去する方法などを採用することができる。この場合、上記のプラズマ処理としては、一例として、イオンビームエッチング（イオンミリング）や、スタンパー側にバイアス電圧を印加してスタンパー表面をプラズマ処理する逆スパッタ法などを実施することができる。さらに、本発明における薄膜形成処理に先立って剥離層を除去する剥離層除去処理を実行するスタンパー修復方法について説明したが、この剥離層除去処理はスタンパーの修復時における必須の工程ではなく、剥離層除去処理を実行することなく、薄膜形成処理を直ちに実行してスタンパーを修復することもできる。

また、チャイルドスタンパー１Ａの製造によって生じた減耗量に応じてニッケル薄膜１１ａ（導電性薄膜）を形成した後に剥離層１２を形成してマザースタンパー１を修復する方法について説明したが、マザースタンパー１の修復方法はこれに限定されない。例えば、上記のマザースタンパー１の修復時に形成したニッケル薄膜１１ａに代えて、図８に示すように、剥離層形成用材料（一例として、酸化ニッケルや酸化クロム等）で所望の厚みの剥離層２２を形成することにより、マザースタンパー１の修復物としてのマザースタンパー１Ｂを製造する方法を採用することもできる。具体的には、一例として、前述したマザースタンパー１の修復方法において剥離層除去処理が完了した状態のマザースタンパー１をイオンビームデポジション装置５０にセットして、イオンビームスパッタリング法によって厚みＴ４の剥離層２２を形成する。なお、剥離層２２の形成方法は、イオンビームデポジション法に限定されず、各種の形成方法を採用することができる。

この場合、剥離層２２の厚みＴ４については、各チャイルドスタンパー１Ａの製造時にマザースタンパー１（または、マザースタンパー１の修復物としてのマザースタンパー１Ｂ）に生じた寸法変化の分（各チャイルドスタンパー１Ａの製造によって生じた減耗分）の厚みとする。また、剥離層除去処理時において、処理以前に剥離層１２を構成していた材料の一部または全部がマザースタンパー１上から取り除かれてマザースタンパー１が減耗している場合には、剥離層２２の厚みＴ４については、剥離層除去処理によってマザースタンパー１に生じた減耗分と、各チャイルドスタンパー１Ａの製造によってマザースタンパー１に生じた減耗分との和と等しい厚みとする。したがって、本発明における剥離層除去処理を実行することなくマザースタンパー１Ｂを製造する場合には、ニッケル電鋳層１１上に残存している厚みＴ３の剥離層１２の上に、各チャイルドスタンパー１Ａの製造時においてマザースタンパー１（１Ｂ）に生じた寸法変化の分（各チャイルドスタンパー１Ａの製造によって生じた減耗分）の厚みＴ５の剥離層２２を形成すればよい。これにより、各凸部５ａの幅Ｌ５が修復以前のマザースタンパー１における凸部５ａの幅Ｌ４よりも広く、かつ、マスタースタンパー１Ｃから剥離した直後のマザースタンパー１における凸部５ａの幅Ｌ１と等しい幅のマザースタンパー１Ｂが完成する。

この後、前述した手順に従い、製造したマザースタンパー１Ｂ（修復が完了したマザースタンパー１）を用いてチャイルドスタンパー１Ａを製造する。また、３枚のチャイルドスタンパー１Ａを製造する都度、上記の一連の修復処理（マザースタンパー１Ｂの製造処理）を実行する。これにより、凸部６ａの幅や凹部６ｂの開口長が大きく変化することなく一定範囲内となるように形成された凹凸パターン６を有するチャイルドスタンパー１Ａを大量に製造することができる。

このように、上記のマザースタンパー１Ｂの修復方法によれば、マザースタンパー１，１Ｂにおける凹凸パターン５の形成面に剥離層形成用材料（この例では、酸化ニッケルや酸化クロム等）からなりマザースタンパー１，１Ｂの減耗分の厚みの剥離層２２を形成する剥離層形成処理を実行してマザースタンパー１，１Ｂを修復することにより、チャイルドスタンパー１Ａの製造によってマザースタンパー１に生じる減耗（凸部５ａおよび凹部５ｂの寸法変化）に起因してチャイルドスタンパー１Ａにおける凸部６ａの幅や凹部６ｂの開口長が変化する事態を回避して、凸部６ａの幅や凹部６ｂの開口長が一定範囲内のチャイルドスタンパー１Ａを大量に製造することができる。したがって、高価なマスタースタンパー１Ｃを大量に製造することなく、マザースタンパー１Ｂを用いて製造したチャイルドスタンパー１Ａを用いて、凸部の幅や凹部の開口長が均一な凹凸パターンを有する情報媒体を低コストで大量に製造することができる。

また、上記のマザースタンパー１Ｂの修復方法によれば、本発明における剥離層形成処理時において、イオンビームデポジション法によって凹凸パターン５の形成面に対して斜めから剥離層形成用材料の粒子を照射して剥離層２２を形成することにより、マザースタンパー１，１Ｂの各凸部５ａの突端面や各凹部５ｂの底面のみならず、各凸部５ａの側面（各凹部５ｂの内壁面）に対して剥離層２２を確実に形成することができる。したがって、チャイルドスタンパー１Ａの製造よって各凸部５ａの幅が短くなっているマザースタンパー１を確実に修復してマザースタンパー１Ｂを製造することができる。また、他の成膜方法と比較して、修復対象のスタンパー（この例では、マザースタンパー１のニッケル電鋳層１１）に対する密着性が良好な剥離層２２を形成することができる。

また、前述した修復方法に従って修復したマザースタンパー１に代えて、上記の修復方法に従って修復したマザースタンパー１Ｂを用いてチャイルドスタンパー１Ａを製造することにより、マザースタンパー１を用いてチャイルドスタンパー１Ａを製造した場合と同様にして、凸部６ａの幅や凹部６ｂの開口長が一定範囲内のチャイルドスタンパー１Ａを大量に製造することができる。したがって、高価なマスタースタンパーを大量に製造することなく、修復したマザースタンパー１Ｂを用いて製造したチャイルドスタンパー１Ａを用いて、凸部の幅や凹部の開口長が均一な凹凸パターンを有する情報媒体を低コストで大量に製造することができる。

さらに、３枚のチャイルドスタンパー１Ａを製造する都度マザースタンパー１を修復する各種の修復方法について説明したが、マザースタンパー１の修復を行う頻度については、チャイルドスタンパー１Ａの製造によってマザースタンパー１に生じる減耗量に応じて適宜変更することができる。したがって、減耗の度合いが大きいときには、１枚のチャイルドスタンパー１Ａを製造する都度、本発明に係るスタンパー修復方法に従ってマザースタンパー１を修復し、減耗の度合いが小さいときには、例えば１０枚のチャイルドスタンパー１Ａを製造する都度、マザースタンパー１を修復すればよい。

また、マザースタンパーからチャイルドスタンパーを製造する際にマザースタンパーを修復する修復方法について説明したが、本発明はこれに限定されず、前述したように、マスタースタンパーからマザースタンパーを製造するときや、チャイルドスタンパーからグランドチャイルドスタンパーを製造するときなどの各種のスタンパー製造時において本発明に係るスタンパー修復方法を実施することができる。具体的には、図９に示すマスタースタンパー１Ｃを用いて前述したマザースタンパー１を製造する際に、一例として、３枚のマザースタンパー１を製造する都度、マスタースタンパー１Ｃに対する修復処理を実行する。この場合、マスタースタンパー１Ｃは、蒸着ニッケル薄膜１０ａを電極として用いたニッケル電鋳処理によって形成されたニッケル電鋳層１０と、蒸着ニッケル薄膜１０ａの表面を改質処理（一例として、酸化処理）することで形成された剥離層１２とを備えて全体として円板状に形成されている。また、このマスタースタンパー１Ｃには、マザースタンパー１の各凹部５ｂを形成するために複数の凸部４ａと、マザースタンパー１の各凸部５ａを形成するための複数の凹部４ｂとを有する凹凸パターン４が形成されている。

このマスタースタンパー１Ｃの修復に際しては、前述したマザースタンパー１の修復時と同様にして、まず、凹凸パターン４の表面をアルカリ洗浄によって洗浄処理した後に、リアクティブイオンエッチング装置によって凹凸パターン４の表面に残存している剥離層１２を除去する（本発明における「剥離層除去処理」）。この際には、一例として、洗浄処理後のマザースタンパー１を水素ガスプラズマ中に曝すことにより、マスタースタンパー１Ｃから剥離層１２を選択的に除去する。次いで、剥離層１２の剥離が完了したマスタースタンパー１Ｃ（ニッケル電鋳層１０および蒸着ニッケル薄膜１０ａの積層体）に対して、本発明における導電性薄膜に相当するニッケル薄膜の形成処理（本発明における「薄膜形成処理」）を実行する。具体的には、この際には、蒸着ニッケル薄膜１０ａを構成する材料（この例では、ニッケル）と同種の材料（同種の材料：この例では、ニッケル）を凹凸パターン４の表面にイオンビームデポジション法によって付着させることでニッケル薄膜（図示せず）を形成する。続いて、形成したニッケル薄膜の表面に対する改質処理（一例として、酸化処理）を実行することにより、剥離層１２を形成する。これにより、図９に示すように、マスタースタンパー１Ｃの修復が完了する。

さらに、インプリント処理によって磁気ディスクを製造するためのスタンパーの製造時に本発明に係るスタンパー修復方法を実施する例について説明したが、修復対象のスタンパーは、インプリント処理用のスタンパーに限定されず、射出成形法によって光ディスクや光磁気ディスクの基材を成形するためのスタンパーがこれに含まれる。

マザースタンパー１の断面図である。 マザースタンパー１を電極として用いた電鋳処理によってチャイルドスタンパー１Ａを製造している際のマザースタンパー１およびチャイルドスタンパー１Ａの断面図である。 電鋳処理後にマザースタンパー１からチャイルドスタンパー１Ａを剥離した状態のマザースタンパー１およびチャイルドスタンパー１Ａの断面図である。 剥離層１２を剥離した状態のマザースタンパー１の断面図である。 イオンビームデポジション装置５０の構成を示す構成図である。 イオンビームデポジション装置５０によってニッケル薄膜１１ａを形成している状態のマザースタンパー１の断面図である。 ニッケル薄膜１１ａの形成が完了した状態のマザースタンパー１の断面図である。 マザースタンパー１Ｂの断面図である。 マスタースタンパー１Ｃの断面図である。 従来の複製方法において使用されるマザースタンパー１Ｘの断面図である。 従来の複製方法に従い、マザースタンパー１Ｘを電極として用いた電鋳処理によってチャイルドスタンパー１ＡＸを製造している際のマザースタンパー１Ｘおよびチャイルドスタンパー１ＡＸの断面図である。 従来の複製方法に従い、電鋳処理後にマザースタンパー１Ｘからチャイルドスタンパー１ＡＸを剥離した状態のマザースタンパー１Ｘおよびチャイルドスタンパー１ＡＸの断面図である。 チャイルドスタンパーの製造枚数とマザースタンパーにおける凸部の寸法変化量との関係を説明するための説明図である。 凸部の形成ピッチが相違する各種のマザースタンパーについて、凸部の幅に対する寸法変化量の割合と、チャイルドスタンパーの製造枚数との関係を説明するための説明図である。

符号の説明

１，１Ｂ マザースタンパー
１Ａ チャイルドスタンパー
１Ｃ マスタースタンパー
４〜６ 凹凸パターン
４ａ〜６ａ 凸部
４ｂ〜６ｂ 凹部
１０，１１，１３ ニッケル電鋳層
１０ａ 蒸着ニッケル薄膜
１１ａ ニッケル薄膜
１２，２２ 剥離層
５０ イオンビームデポジション装置
５１ 真空チャンバ
５１ａ 真空ポンプ
５２ 保持機構
５２ａ 保持用治具
５２ｂ 回転機構
５３ 照射源
５４ イオンビーム発生源
Ｌ１〜Ｌ５ 幅
Ｔ１〜Ｔ５ 厚み

Claims (11)

1. スタンパーにおける凹凸パターンの形成面に導電性薄膜を形成する薄膜形成処理と、当該形成面に剥離層を形成する剥離層形成処理とをこの順で実行して前記スタンパーを修復するスタンパー修復方法。
2. 前記剥離層形成処理として、前記導電性薄膜の表面を改質する改質処理を実行して前記剥離層を形成する請求項１記載のスタンパー修復方法。
3. 前記改質処理として、前記導電性薄膜の表面を酸化させる酸化処理を実行して前記剥離層を形成する請求項２記載のスタンパー修復方法。
4. 前記剥離層形成処理時において、前記導電性薄膜の上に剥離層形成用材料からなる層を前記剥離層として形成する請求項１記載のスタンパー修復方法。
5. 前記薄膜形成処理時において、イオンビームデポジション法によって前記形成面に対して斜めから導電性薄膜形成用材料の粒子を照射して前記導電性薄膜を形成する請求項１から４のいずれかに記載のスタンパー修復方法。
6. 前記薄膜形成処理に先立ち、前記形成面に残存している剥離層を除去する剥離層除去処理を実行する請求項１から５のいずれかに記載のスタンパー修復方法。
7. 前記剥離層除去処理時において、水素元素を含むガスのプラズマに前記スタンパーを曝して前記剥離層を除去する請求項６記載のスタンパー修復方法。
8. 前記薄膜形成処理時において、前記剥離層除去処理の完了後の前記スタンパーにおける前記形成面の表面部位を構成する材料と同種の材料を用いて前記導電性薄膜を形成する請求項６または７記載のスタンパー修復方法。
9. スタンパーにおける凹凸パターンの形成面に剥離層形成用材料からなり当該スタンパーの減耗分の厚みの剥離層を形成する剥離層形成処理を実行して当該スタンパーを修復するスタンパー修復方法。
10. 前記剥離層形成処理時において、イオンビームデポジション法によって前記形成面に対して斜めから前記剥離層形成用材料の粒子を照射して前記剥離層を形成する請求項９記載のスタンパー修復方法。
11. 請求項１から１０のいずれかに記載のスタンパー修復方法に従って修復した前記スタンパーの凹凸パターンをスタンパー形成用材料に転写して当該修復したスタンパーの凸部に対応する凹部と当該修復したスタンパーにおける凹部に対応する凸部とを有するスタンパーを製造するスタンパー製造方法。

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