JP2012006219A - ナノインプリント用モールド - Google Patents

Abstract

【課題】光インプリント後の被加工物との離型性に優れたナノインプリント用モールドを提供する。
【解決手段】ナノインプリント用モールド１を、基部３と該基部３の一方の面から突出する凸構造部４とを有する基材２と、凸構造部４の上面４ａに位置する転写形状部５と、凸構造部４の側面４ｂの周囲方向全域に位置する傾斜部６と、を備えたものとする。
【選択図】 図２

Description

本発明は、被加工物に所望の線、模様等の図形（以下、本発明ではパターンとも言う）、表面形状を転写形成するナノインプリント用モールドに関する。

微細加工技術として、近年ナノインプリント技術に注目が集まっている。ナノインプリント技術は、基材の表面に微細な凹凸構造を形成した型部材を用い、凹凸構造を被加工物に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である（特許文献１）。
上記のナノインプリント技術の一つの方法として、光インプリント法が知られている。この光インプリント法では、例えば、基板表面に被加工物として光硬化性の樹脂層を形成し、この樹脂層に所望の凹凸構造を有するモールド（型部材）を押し当てる。そして、この状態でモールド側から樹脂層に光を照射して樹脂層を硬化させ、その後、モールドを樹脂層から引き離す。これにより、モールドが有する凹凸が反転した凹凸構造（凹凸パターン）を被加工物である樹脂層に形成することができる（特許文献２）。このような光インプリントは、従来のフォトリソグラフィ技術では形成が困難なナノメートルオーダーの微細パターンの形成が可能であり、次世代リソグラフィ技術として有望視されている。
しかし、光インプリント法では、図８に示されるように、基板６１の表面に被加工物として配設された光硬化性の樹脂層６２にモールド５１を押し当てると、余剰となった樹脂が、モールド５１と接触している領域よりも外側にはみ出し、モールドの側面５２に付着する。この側面５２に付着した光硬化性の樹脂は光照射によって、凹凸構造（凹凸パターン）を形成すべき部位の樹脂と同時に硬化する。そして、モールド５１を離型する際に、硬化した樹脂層６２とモールド５１の側面５２との間に摩擦力が発生し、離型に要する力（離型力）が一定せず変動を生じ、モールドや被加工物に損傷を与え、特に形成される凹凸構造（凹凸パターン）が微細な場合に損傷が発生し易いという問題があった。

また、モールドが有する微細な凹凸構造を、被加工物上の複数箇所へ形成する際には、ステップアンドリピート方式でパターン形成を行う場合がある。従来のモールドを用いた場合、凹凸構造が形成されているパターン領域より外側を通過する光により、凹凸構造を形成すべき部位より外側の樹脂層も露光され、一度のパターン形成で硬化する領域はモールドのパターン領域よりも大きくなる。一方、光硬化性樹脂層が露光され硬化してしまうと、その箇所にはパターン形成が行えない。このため、隣接するパターンが形成された領域間の境界幅を大きく設定せざるを得ないという問題があった。
このような問題を解消するために、パターン領域ではない部位（非パターン領域）に遮光部材を設けたモールドが提案されている（特許文献３）。

米国特許第５，７７２，９０５号 特表２００２−５３９６０４号公報 特開２００７−１０３９２４号公報

上記の遮光部材を設けたモールドは、モールドの側面に遮光部材を設けることにより、モールドの押し当て時に外側にはみ出した光硬化性の樹脂層の硬化を防止している。
しかし、このようなモールドでは、ステップアンドリピート方式でパターン形成を行う場合に、加工前の領域の樹脂が露光され硬化することを防止することは可能であるが、以下のような問題が存在する。
まず、モールドの側面に設けた遮光部材による遮光が完全である場合、モールドの押し当て時に外側にはみ出した光硬化性の樹脂層は硬化されていないので、モールドが樹脂層から離間した後、未硬化の樹脂層が流動して、転写形成された凹凸構造の部位に流れ込んで欠陥を生じさせるという問題があった。また、モールドを離型する際に未硬化の樹脂層が異物としてモールドに付着し、この異物が次の加工領域に欠陥を生じるという問題もあった。

一方、モールドの側面に設けた遮光部材による遮光が不完全であり、モールドの側面に接触した部位の光硬化性樹脂層の一部が硬化した場合、未硬化の樹脂と硬化した樹脂との結合力が不十分であるため、未硬化の樹脂が基板上の硬化した樹脂側に残らず、離型の際にモールド側へ付着し、結果として異物となり、次の加工領域に欠陥を生じるという問題があった。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、光インプリント後の被加工物との離型性に優れたナノインプリント用モールドを提供することを目的とする。

このような目的を達成するために、本発明のナノインプリント用モールドは、基部と該基部の一方の面から突出する凸構造部とを有する基材と、前記凸構造部の上面に位置する転写形状部と、前記凸構造部の側面の周囲方向全域に位置する傾斜部と、を備えるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記傾斜部と前記凸構造部の上面とがなす角度が１０°〜６０°の範囲内であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記傾斜部は前記凸構造部の上面に対する角度に変化を有するものであり、最大角度が１０°〜６０°の範囲内であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記傾斜部は凸構造部の側面の高さ方向の全面を占めるような構成、あるいは、前記傾斜部は前記凸構造部の側面の高さ方向の一部を占め、傾斜部の開始部位は前記凸構造部の上面と一致するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記転写形状部は凹部を有し、前記凸構造部の上面から傾斜部の終了部位までに要求される高さは、前記凹部の最大深さより大きいような構成とした。
本発明の他の態様として、前記転写形状部は凹部を有し、前記凸構造部の上面から傾斜部の終了部位までに要求される高さは、前記凸構造部の高さ方向で、傾斜部の終了部位と前記凹部の最深部とが１０μｍ以上離間する位置であるような構成とした。

上記の本発明では、ナノインプリント時に光照射が完了してナノインプリント用モールドを被加工物から離型する際に、硬化した被加工物とナノインプリント用モールドの側面との間に発生する摩擦力が、凸構造部の側面に位置する傾斜部によって低減され、離型に要する力（離型力）の変動が抑制され、これにより、ナノインプリント用モールドや被加工物への損傷が防止され、微細な凹凸構造（凹凸パターン）を安定して形成することができるという効果が奏される。

本発明のナノインプリント用モールドの一実施形態を示す平面図である。 図１に示されるナノインプリント用モールドのＡ−Ａ線における断面図である。 図１および図２に示されるナノインプリント用モールドの傾斜部を説明するための部分拡大断面図である。 ナノインプリント用モールドの傾斜部の他の例を説明するための図である。 本発明のナノインプリント用モールドの他の実施形態を説明するための図である。 図１および図２に示されるナノインプリント用モールドを用いたインプリント装置によるナノインプリントでのパターン形成の一例を説明するための図である。 本発明のナノインプリント用モールドの転写形状部の他の例を説明するための図である。 従来のナノインプリント用モールドの一例を示す図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１は本発明のナノインプリント用モールドの一実施形態を示す平面図であり、図２は図１に示されるナノインプリント用モールドのＡ−Ａ線における断面図である。図１に示されるモールド１は、メサ構造のナノインプリント用モールドであり、基部３と、この基部３の一方の面から突出した凸構造部４とを有する透明な基材２と、凸構造部４の上面４ａに位置する転写形状部５と、凸構造部４の側面４ｂの周囲方向全域に位置する傾斜部６（図１では斜線を付している）とを備えている。また、基材２は、パターン領域Ｘと、このパターン領域Ｘの周囲に位置する非パターン領域Ｙと、凸構造部領域Ｚに画定されている。この凸構造部領域Ｚは、凸構造部４が位置するとともに、ナノインプリント時にモールド１が被加工物に接触する可能性のある領域（最大領域）を示している。また、転写形状部５はパターン領域Ｘに位置し、傾斜部６はパターン領域Ｘの周囲の凸構造部領域Ｚに位置している。尚、図１では、凸構造部４の上面４ａに位置する転写形状部５を構成する後述の凹部５ｂを省略している。
本発明のモールド１を構成する基材２は、被加工物を硬化させるための照射光を透過可能な透明基材である。このような基材２の材料としては、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。さらに、本発明のナノインプリント用モールドは、熱ナノインプリントにおいても同様の効果を奏するものであり、基材２の材料として、銅、ニッケル、鉄等の金属やその合金、または珪素を用いることができる。また、基材２の厚みは被加工物の材質、凸構造部４の形状、基材の強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。

凸構造部４の上面４ａに位置する転写形状部５は、図２に示される例では、上面４ａと共通面をなす平坦面５ａと、この平坦面５ａに位置する凹部５ｂで構成されている。凹部５ｂは、ナノインプリントによって形成しようとするパターン形状の凹凸が反転した形状に対応した凹部であり、適宜設定することができ、エッチング等により形成することができる。
凸構造部４の側面４ｂに位置する傾斜部６は、ナノインプリント時に光照射が完了してモールド１を被加工物から離型する際に、硬化した被加工物とモールド１の側面との間に発生する摩擦力を低減し、離型に要する力（離型力）の変動を抑制して、モールドや被加工物に損傷が生じることを防止するためのものである。すなわち、モールド１を押し当てることで余剰となった被加工物は、パターン形成領域Ｘよりも外側（パターン領域Ｘの周囲の凸構造部領域Ｚ）にはみ出し、凸構造部４の側面４ｂに付着する。そして、凸構造部４の側面４ｂに付着した被加工物は、パターン領域Ｘに位置する被加工物と同時に硬化する。このため、モールド１を離型する際に、硬化した被加工物と凸構造部４の側面４ｂとの間に摩擦力が発生するが、この摩擦力を傾斜部６により低減するものである。

図３は、図１および図２に示されるナノインプリント用のモールド１の傾斜部６を説明するための部分拡大断面図である。図示例では、傾斜部６は、その開始部位６ａが凸構造部４の上面４ａと一致し、この上面４ａに対し一定の角度θをなし、また、凸構造部４の側面４ｂの高さ方向（矢印ａで示される方向）の一部を占めている。したがって、凸構造部４の側面４ｂは、この傾斜部６と、凸構造部４の上面４ａに対して垂直（θ＝９０°）となっている側面４ｂ′で構成されている。ここで、凸構造部４の側面４ｂ全体が凸構造部４の上面４ａに対して垂直（θ＝９０°）となっている場合（図８のモールド５１を参照）に、硬化した被加工物と凸構造部４の側面４ｂとの間に生じる摩擦力をＦとすると、硬化した被加工物と傾斜部６との間に生じる摩擦力はＦsinθとなる。このため、傾斜部６が凸構造部４の上面４ａに対してなす一定の角度θは小さいほど好ましいこととなり、パターン領域Ｘよりも外側に存在する凸構造部領域Ｚの幅Ｗ、凸構造部４の上面４ａから傾斜部６の終了部位６ｂまでに要求される高さｈ等を考慮して適宜設定することができ、角度θは、例えば、１０°〜６０°の範囲内とすることができる。傾斜部６が凸構造部４の上面４ａに対してなす角度θが６０°を超えると、ナノインプリント用モールドを被加工物から離型する際に、硬化した被加工物とナノインプリント用モールドの側面との間に発生する摩擦力の低減が不充分なものとなり、離型に要する力（離型力）の変動が大きくなり、ナノインプリント用モールド１や被加工物への損傷が生じることがあり好ましくない。また、１０°未満である場合、ナノインプリント装置におけるステージの平行度やナノインプリント用モールドの平行度の影響を受けやすく、本発明の効果である摩擦力の低減が不十分なものとなるため好ましくない。

ここで、凸構造部４の上面４ａから傾斜部６の終了部位６ｂまでに要求される高さｈは、パターン領域Ｘからはみ出した被加工物の高さに応じて設定され、被加工物へのモールド１の押し当て量（押し込み深さ）、被加工物の流動性、粘弾性等のほか、モールドとの濡れ性により決まる。この高さｈのとりうる値の範囲について、詳細に検討する。
まず、高さｈの上限は、凸構造部４の高さＨに等しい。これは被加工物が傾斜部６にのみ接触している場合に摩擦力の低減が見込めるからである。パターン領域Ｘからはみ出した被加工物の高さが、高さｈの上限（高さＨ）を超えてしまうような場合には、摩擦力を制御できない。この考え方を言い換えれば、被加工物がパターン領域Ｘからはみ出しても、傾斜部６にのみ接触していれば良いことになる。

以上の考え方を基に、次に高さｈの下限について検討する。モールド１の凹部５ｂを有する転写形状部５が被加工物に接触した際、被加工物は毛細管現象により凹部５ｂ内部に入り込む場合がある。ただし傾斜部６では、モールドと被加工物との濡れ性によってメニスカスが形成されることになり、これが被加工物のはみ出しになる。このとき、被加工物は傾斜部６へはみ出していることから、はみ出した被加工物の高さは、凹部５ｂの深さｄと比べて低くなり、実質的に平滑面と変わらなくなる。よって傾斜部６による摩擦力の低減効果を得るためには、モールドと被加工物とを接触させただけでなく、ごく僅かにでも力を加えてモールドを被加工物に押し込む必要が生じる。しかしこの場合、下記のように、樹脂の滴下量と、ナノインプリント装置の駆動制御性に起因する理由により、被加工物のはみ出し量を常に一定に制御することは困難となる。すなわち、例えば、被加工物として基板に供給した樹脂液滴の滴下量が１０ｐｌであり、この液滴の直径が２０〜３０μｍである場合、このような液滴サイズはナノインプリントにより得ようとするパターンサイズが仮に１００ｎｍ程度とした場合であっても、非常に大きな数字である。このようにパターンサイズに比べて大きい直径の液滴を用いてモールドの凹部５ｂに樹脂を充填させ、かつ、はみ出す樹脂の量を制御しようとする場合、ナノインプリント装置内では、モールドと基板との平行度や、押し込み量の再現性等をナノスケールで制御しなければならない。したがって、被加工物のはみ出し量を常に一定に制御することは困難であり、これらを制御するよりも、モールドの傾斜部の高さｈを大きくし、被加工物がはみ出る空間に余裕をとる方が、実用上は平易であり、好ましい。ここで、傾斜部６が凸構造部４の上面４ａに対してなす角度θの範囲が、上記のように、１０°〜６０°の範囲内であることから、被加工物は水平方向に広がる。よって被加工物がはみ出る量を考慮すると、高さｈは、凹部５ｂの最大深さｄmaxよりも大きい必要がある。

上記のような検討から、高さｈと、凹部５ｂの最大深さｄ、凸構造部４の高さＨと間にｄmax＜ｈ≦Ｈの関係が成立する。更に水平方向へはみ出た樹脂を広げる場合、高さｈを十分大きくし、樹脂がはみ出すことが可能な空間を確保しておく必要がある。よって高さｈは、好ましくは凹部５ｂの最大深さｄmaxの５０倍以上となるように設定することが望ましい。
また、高さｈは、凸構造部４の高さ方向で、傾斜部６の終了部位６ｂと凹部５ｂの最深部とが１０μｍ以上、好ましくは１５μｍ以上離間するように設定することができる。このような高さｈが上記の範囲未満であると、モールド１を押し当てることで余剰となりパターン形成領域Ｘよりも外側（パターン領域Ｘの周囲の凸構造部領域Ｚ）にはみ出した被加工物が傾斜部６を超え、凸構造部４の上面４ａに対して垂直（θ＝９０°）となっている側面４ｂ′に付着し、本発明の効果に支障を来すことがある。
上記のように凸構造部４の側面４ｂの周囲方向全域に位置する傾斜部６は、例えば、凸構造部４の周縁部をマスクエッチング、ラッピングやポリッシング、バフ研磨等により研磨することにより形成することができる。上記のように、傾斜部６が上面４ａに対して一定の角度θをなしている場合、モールド１を被加工物から離型する際に、傾斜部６から被加工物が剥がれる動作中に傾斜部６と被加工物との間に作用する摩擦力が一定となるので、離型力のバラツキが低減される。

本発明では、上記の傾斜部６は図３に示される形状に限定されるものではなく、傾斜部６が凸構造部４の上面４ａに対してなす角度θが一定でないものであってもよい。例えば、図４（Ａ）に示されるように、傾斜部６が凸面形状であってもよい。この例では、凸構造部４の上面４ａから傾斜部６が開始する部位６ａにおける上面４ａに対する角度がθ₁であり、傾斜部６の終了部位６ｂにおける上面４ａに対する角度がθ₂であり、上面４ａに対する角度は、角度θ₁から角度θ₂まで徐々に大きくなっている。このような実施形態においても、凸構造部４の上面４ａに対する傾斜部６の角度は上記の例と同様に設定することがでる。例えば、（θ₁＋θ₂）／２を６０°以下、好ましくは４５°以下とすることができ、より好ましくは、最も大きい角度θ₂を４５°以下とすることができる。
また、図４（Ｂ）に示されるように、傾斜部６が凹面形状であってもよい。この例では、凸構造部４の上面４ａから傾斜部６が開始する部位６ａにおける上面４ａに対する角度がθ₁であり、傾斜部６の終了部位６ｂにおける上面４ａに対する角度がθ₂であり、上面４ａに対する角度は、角度θ₁から角度θ₂まで徐々に小さくなっている。このような態様においても、凸構造部４の上面４ａに対する傾斜部６の角度は上記の例と同様に設定することがでる。例えば、（θ₁＋θ₂）／２を６０°以下、好ましくは４５°以下とすることができ、より好ましくは、最も大きい角度θ₁を４５°以下とすることができる。

さらに、傾斜部６が段階的に角度が変化する凸面形状、あるいは、凹面形状であってもよく、このような例として、凸面形状の例を図４（Ｃ）に示す。図４（Ｃ）に示されるように、凸構造部４の上面４ａから傾斜部６が開始する面６Ａにおける上面４ａに対する角度がθ₁であり、この面６Ａに続く面６Ｂが上面４ａに対する角度がθ₂であり、この面６Ｂに続く面６Ｃにおける上面４ａに対する角度がθ₃であり、上面４ａに対する角度は、角度θ₁から角度θ₃まで段階的に大きくなっている。このような態様においても、凸構造部４の上面４ａに対する傾斜部６Ａ，６Ｂ，６Ｃの角度は上記の例と同様に設定することがでる。例えば、（θ₁＋θ₂＋θ₃）／３を６０°以下、好ましくは４５°以下とすることができ、より好ましくは、最も大きい角度θ₃を４５°以下とすることができる。
このように、凸構造部４の上面４ａに対する角度に変化を有する傾斜部６は、例えば、ウェットエッチング、ラッピングやポリッシング、バフ研磨等により研磨することによって形成することができる。そして、図４（Ａ）、図４（Ｃ）に示すように、傾斜部６が凸面形状である場合、モールド１と被加工物との離型において、両者の剥離が生じる箇所が傾斜部６を外側から内側へ移行して上面４ａに近づくにしたがって角度θが小さくなり、応力発生を抑制することができ、被加工物の破損を抑えることができる。

また、凸構造部４の側面４ｂに占める傾斜部６は、上記の図３、図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に示される形態に限定されるものではない。例えば、図５（Ａ）に示されるように、凸構造部４の側面４ｂの高さ方向の全面が傾斜部６（図３においてｈ＝Ｈ）であってもよい。さらに、凸構造部領域Ｚが基材２の全域に亘る場合（Ｚ＝Ｘ＋Ｙ）の場合、図５（Ｂ）に示されるように、傾斜部６の終了する部位６ｂが基材２（基部３）の端部に位置するものであってもよい。

次に、このようなナノインプリント用のモールド１を用いたインプリント装置によるナノインプリントでのパターン形成の一例を図６を参照して説明する。
図６に示されるように、基板２１の表面に被加工物として配設された光硬化性の樹脂層２２に、モールド１の凸構造部４を所定の深さまで押し込む。そして、この状態で照明光学系（図示せず）から遮光マスク３１を介してモールド１の裏面２ｂに紫外線を照射し、モールド１を透過した紫外線により樹脂層２２を硬化させる。このとき、パターン領域Ｘに位置する樹脂層２２とともに、凸構造部領域Ｚに位置する樹脂層２２も硬化される。
その後、ナノインプリント用のモールド１を樹脂層２２から離型することにより、モールド１が有する凹部５ｂが反転した凹凸構造（凹凸パターン）２３が被加工物である樹脂層２２に転写形成される。この離型の際、パターン領域Ｘの外側に位置する硬化された樹脂層２２は、モールド１の傾斜部６に接触しているので、硬化した樹脂層２２とモールド１との間に発生するモールド側面の傾斜に対して平行に働く力（摩擦力）が低減され、離型に要する力（離型力）の変動が抑制される。これにより、ナノインプリント用モールド１や被加工物２２への損傷が防止され、微細な凹凸構造（凹凸パターン）２３を安定して形成することができる。

上述の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、凸構造部４の上面４ａに位置する転写形状部５は、図２に示されるものに限定されものではなく、図７（Ａ）に示されるように、上面４ａと共通面をなす平坦面５ａと、凹平面５ｃと、この凹平面５ｃに位置する凹部５ｂで構成されるものであってもよい。また、図７（Ｂ）に示されるように、上面４ａと共通面をなす平坦面５ａと、凸平面５ｄと、この凸平面５ｄに位置する凹部５ｂで構成されるもの、さらに、図７（Ｃ）に示されるように、上面４ａと共通面をなす平坦面５ａのみで構成されるものであってもよい。

次に、より具体的な実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
厚み６．３５ｍｍの石英ガラス（６５ｍｍ角）をナノインプリント用モールド用基材として準備した。
次に、この基材の周縁部（端部から１２．５ｍｍの幅）をバフ研磨することにより、図５（Ｂ）に示されるような傾斜部を形成した。この傾斜部が凸構造部の上面（４０ｍｍ角）となす角度は６０°（一定）であり、凸構造部の上面から傾斜部の終了部位までの高さｈ（図５（Ｂ）参照）は４ｍｍであった。

次に、上記の基材上に市販の感光性レジストを塗布し、凸構造部の上面に位置する感光性レジストを電子線描画により露光、現像して、ピッチ２００ｎｍ、パターン幅１００ｎｍのＬＳパターンのレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとし、凸構造部の上面を下記の条件でドライエッチングして、深さ１００ｎｍの凹部を形成して転写形状部とした。
（ドライエッチング条件）
・エッチングガス ： ＣＦ₄
・ガス流量 ： ４０ｓｃｃｍ
・チャンバー圧力 ： ４Ｐａ
・投入ＲＦ電力 ： ４００Ｗ
これにより、図５（Ｂ）に示されるようなナノインプリント用モールドを得た。

［比較例］
ナノインプリント用モールド用基材の周縁部（端部から１２．５ｍｍの幅）に対してドライエッチングによるメサ加工を行い、高さ１５μｍの凸構造部（４０ｍｍ角）を形成し、この凸構造部の外周部には傾斜部を形成しない以外は、実施例１と同様にして、図８に示されるようなナノインプリント用モールドを作製した。

＜評 価＞
このように作製したナノインプリント用モールド（実施例、比較例）を用いて、下記のように、ナノインプリントを行った。
すなわち、厚み６２５μｍの石英ウエハ上に光硬化性樹脂（東洋合成工業（株）製 ＰＡＫ−０１）を塗布して被加工物とし、石英ウエハ側が当接するようにインプリント装置の基板ステージに載置した。次いで、光硬化性樹脂層にモールドを押し込んだ。このときの光硬化性樹脂層へのモールドのプレス力は１ｋＮであり、比較例のモールドにおける凸構造部の高さ（１５μｍ）よりも小さいものとした。この状態でインプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）を１００ｍＪ／ｃｍ²照射した。これにより、光硬化性樹脂層を硬化させ、その後、モールドを引き離してパターンを形成した。

このようなパターン形成を各モールドで１０回行い、モールドを引き離す際に要した力（Ｎ）をナノインプリント装置に内蔵されたロードセルを用いて測定し、この測定値（Ｎ）を樹脂とモールドが接触した面積（ｍｍ²）で除すことにより離型力（ＭＰａ）を算出し、その平均値と変動量（最大値と最小値の差）を表１に示した。また、形成されたパターンについて、欠陥率を下記のように測定し、その結果を表１に示した。
（欠陥率の測定）
光学顕微鏡で各パターンについて５箇所観察し、一つの観察箇所（１．０ｍｍ×１．０ｍｍ）内で、パターン欠損が確認できた面積の割合を測定し、１００個のパターン、計５００箇所の平均を算出した。したがって、この欠陥率が大きい程、欠陥が多いことを意味し、本発明では、欠陥率が０．１未満を実用レベルと判定する。

表１に示されるように、実施例のモールドを使用した場合、比較例のモールドを使用した場合に比べて離型力の変動量が少なく、欠陥率が小さいことが確認された。

ナノインプリント技術を用いた微細加工に利用可能である。

１…ナノインプリント用モールド
２…基材
３…基部
４…凸構造部
４ａ…上面
４ｂ…側面
５…転写形状部
６…傾斜部
Ｘ…パターン領域
Ｙ…非パターン領域
Ｚ…凸構造部領域

Claims (7)

1. 基部と該基部の一方の面から突出する凸構造部とを有する基材と、前記凸構造部の上面に位置する転写形状部と、前記凸構造部の側面の周囲方向全域に位置する傾斜部と、を備えることを特徴とするナノインプリント用モールド。
2. 前記傾斜部と前記凸構造部の上面とがなす角度が１０°〜６０°の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリント用モールド。
3. 前記傾斜部は前記凸構造部の上面に対する角度に変化を有するものであり、最大角度が１０°〜６０°の範囲内であることを特徴とする請求項２に記載のナノインプリント用モールド。
4. 前記傾斜部は凸構造部の側面の高さ方向の全面を占めることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のナノインプリント用モールド。
5. 前記傾斜部は前記凸構造部の側面の高さ方向の一部を占め、傾斜部の開始部位は前記凸構造部の上面と一致することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のナノインプリント用モールド。
6. 前記転写形状部は凹部を有し、前記凸構造部の上面から傾斜部の終了部位までに要求される高さは、前記凹部の最大深さより大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のナノインプリント用モールド。
7. 前記転写形状部は凹部を有し、前記凸構造部の上面から傾斜部の終了部位までに要求される高さは、前記凸構造部の高さ方向で、傾斜部の終了部位と前記凹部の最深部とが１０μｍ以上離間する位置であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載のナノインプリント用モールド。

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