JP6634721B2 - インプリント用モールド、および、その離型処理方法 - Google Patents
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Description
cos θ=A cos θa + B cos θb 式(1)
空気表面の場合、θ=180°となるため、空気表面の割合を増加させるほど、理論的に接触角は大きくなる(Eiji Hosono,” Superhydrophobic perpendicular nanopin film by the bottom-up process”, Journal of American Chemical Sociery, 127,(2005), 13458-9)。
まず、6インチ角の石英ガラスを基材100として、電子線リソグラフィによりメインパターン200と補助パターン300を形成し、インプリント用モールド400を得た(図3(a))。メインパターン200は幅100nm〜1000nmのL/S形状とドット形状の混合パターンであり、補助パターンは幅200nm、ピッチ400nmのドット形状である。パターン深さはどちらも200nmである。補助パターン形成領域301の幅は10μmとし、形状は八角形とした。
一般的なインプリント用モールドと、そのモールドを使用した離型処理方法について一比較例を以下に示す。
一般的なインプリント用モールドと、そのモールドを使用した離型処理方法について一比較例を以下に示す。
200 …… メインパターン
201 …… メインパターン形成領域
300 …… 補助パターン
301 …… 補助パターン形成領域
400 …… インプリント用モールド
401 …… インプリント用モールド
501 …… 離型剤
502 …… 離型層
503 …… 離型層
601 …… 離型処理後のインプリント用モールド
602 …… 離型処理後のインプリント用モールド
603 …… 離型処理後のインプリント用モールド
701 …… 容器
702 …… 異物
801 …… 離型層の液膜
802 …… フッ素系成分
803 …… 活性基
901 …… 水滴
902 …… 微細パターン表面
Claims (2)
- 基板の表面に微細パターンを有し、前記微細パターンが前記基板とシランカップリング結合をするフッ素系の離型剤で離型処理されるインプリント用モールドであって、
メインパターン領域と、
メインパターン領域の周辺部に、メインパターン領域と一定の距離をおいて囲むように連続的に形成され、幅が1μm〜1000μmである補助パターン領域とを有し、
前記補助パターン領域が、左右対称、且つ、上下対称に配置され、
前記補助パターン領域に直角部または鋭角部が存在せず、
前記補助パターン領域に設けられる微細パターンが、ドット形状、もしくは、前記補助パターン領域の内周縁に対して平行なライン形状であり、前記ドット形状、もしくは、前記ライン形状の底部の幅が0.05〜100μmであることを特徴とする、インプリント用モールド。 - 請求項1に記載のインプリント用モールドの表面にスピンコート法により離型剤をコートして離型層を付与することを特徴とする、インプリント用モールドの離型処理方法。
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