JP2005101233A - 金型の製造方法、金型、および成形品 - Google Patents

金型の製造方法、金型、および成形品 Download PDF

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Abstract

【課題】 高価な設備が必要で、かつ、加工に時間がかかる薄膜技術を用いず、しかも大量生産可能な転写技術によってナノオーダーの凹凸パターンを形成可能なナノプリント用金型の製造方法、この方法で製造された金型、およびこの金型を用いて製造した成形品を提供すること。
【解決手段】 金型素材20に対して、刃先33がV字形状のバイト32を用い、フライカット方式により、回折格子を形成するためのV字溝26を備えた成形面25を形成する。このようにして製作した金型10を用いて回折格子を形成する場合には、金型内での樹脂成形やエンボス加工を行い、成形面25の凹凸形状を成形素材に転写する。
【選択図】 図6

Description

本発明は、1μm以下の凹凸がストライプ状に多数形成されたフォトニック結晶などの成形品を製造するためのナノプリント用金型の製造方法、この方法で製造された金型、およびこの金型を用いて製造した成形品に関するものである。
光の波長と同程度の周期な屈折率分布をもつ光材料であるフォトニック結晶は、光の伝播や発生を自在に制御できる新たな光ナノ材料として、大きな注目を浴びている。一方、有機半導体を用いた発光素子は、柔軟性と色素材料の選択枝の多さに着目され、そのうち、有機LED素子(OLED)については、すでにディスプレイの分野に応用されている。このような有機発光素子は、図14(A)に示すように、無機LED素子の電子輸送層101および正孔輸送層102を有機材料で置き換えた構造を有しており、ITOなどからなる透明電極103と、Mg−Ag合金などからなる背面電極104との間に電界を加えることにより、ガラス基板105の側から光を出射する。
また、レーザ素子の分野においては、上記の有機発光素子を用いた有機レーザ素子の開発が進められている。
ここで、無機薄膜レーザでは、共振器として結晶のへき開面を利用したファブリー・ペロ共振器を用いることができるが、有機材料を用いた場合には、綺麗なへき開面を形成することが困難である場合が多い。このため、図14(B)に示すように、回折格子200を素子内に組み込んだ分布帰還形の共振器300が必要となり、この共振器300における回折格子200の格子周期は、レーザ発振波長のオーダーで設計される。従って、可視光で設計した場合、格子周期は、1μm以下となる。また、図15に示すように、電流励起形の有機薄膜レーザ素子400も検討されており、この種のレーザ素子400においても、格子周期が発振波長以下の回折格子200を素子内に組み込んだ共振器300が必要である。このような微細構造を備えた回折格子200を形成するにあたって、X線リソグラフィや電子線描画などといった薄膜技術(半導体プロセス)を利用することが考えられる。
このため、従来は、共振器300を製造するのに高価な設備が必要であり、加工に時間がかかり、かつ、大量生産できないという問題点がある。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、高価な設備が必要で、加工に時間がかかり、かつ、大量生産できない薄膜技術を用いなくても、転写技術によってナノオーダーの凹凸パターンを形成可能なナノプリント用金型の製造方法、この方法で製造された金型、およびこの金型を用いて製造した成形品を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明では、幅寸法が1μm以下の凹凸がストライプ状に多数形成された成形品を製造するためのナノプリント用金型の製造方法であって、V字形状の刃先を備えたバイトで素材の表面を切削して、前記凹凸を形成するための断面V字状の溝を多数、形成することを特徴とする。
本発明において、前記成形品は、例えば、フォトニック結晶である。
本発明において、前記フォトニック結晶としては、前記凹凸として、レーザ用のブラッグ反射共振器用の回折格子を形成することが好ましい。ここで、前記ブラッグ反射共振器は、例えば、分布帰還形共振器である。
本発明において、前記レーザは、有機薄膜レーザであることが好ましい。
本発明において、前記バイトで前記素材の表面を切削して前記断面V字状の溝を形成する際、前記多数の溝のうち、最も端に位置する溝、あるいはそれにより形成された断面V字状の突起では、その外側斜面をそのまま延長した延長斜面を形成することが好ましい。
本発明において、前記断面V字状の溝の形成領域は、全体として凸部として形成されている構成を採用することができる。
本発明において、前記素材における前記バイトによる加工領域は、その周辺領域から突き出した段部の上面であり、前記断面V字状の溝は、前記段部の幅方向における両端縁に届いていることが好ましい。
本発明において、前記断面V字状の溝の形成領域は、全体として凹部として形成されている構成を採用してもよい。
この場合も、前記素材における前記バイトによる加工領域として、その周辺領域から突き出した段部の上面を切削してもよい。その場合、前記断面V字状の溝は、前記段部の幅方向における両端縁に届いていることが好ましい。
本発明に係る方法で製造された金型によれば、薄膜レーザ用のブラッグ反射共振器用の回折格子として機能するフォトニック結晶を安価に製造することができる。
本発明では、V字形状の刃先を備えたバイトで素材の表面を切削して、凹凸を形成するための断面V字状の溝を多数、形成して、幅寸法が1μm以下の凹凸がストライプ状に多数形成された成形品を製造するためのナノプリント用金型の製造する。このため、薄膜技術と違って、高価な設備が不要であり、かつ、加工時間を短縮することができる。さらに、製造された金型によれば、薄膜レーザ用のブラッグ反射共振器用の回折格子として機能するフォトニック結晶などを安価にしかも大量に製造することができる。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明では、幅寸法が1μm以下の凹凸がストライプ状に多数形成された成形品を製造するためのナノプリント用金型の一例として、薄膜レーザ用のブラッグ反射共振器のうち、分布帰還形共振器の回折格子を構成するフォトニック結晶を成形により製造するための金型に本発明に適用した例を説明する。
[実施の形態1]
図1は、本発明が適用される分布帰還形共振器の説明図である。図2(A)、(B)は、図1に示す回折格子を形成するための金型の斜視図、および断面図である。図3(A)、(B)は、この種の金型の良品を示す説明図、および不具合品の説明図である。図4(A)、(B)は、刃先がV字形状のバイトを用いた加工例の説明図、および刃先が矩形のバイトを用いた加工例の説明図である。図5(A)、(B)は、本発明に係る金型を製造するための素材の説明図、およびバイトの説明図である。図6(A)、(B)、(C)、(D)はそれぞれ、図5(A)に示す素材を図5(B)に示すバイトで加工して金型を製造するときの説明図である。図7は、本発明を適用した金型を用いてインプリント成形する様子を示す説明図である。図8は、本発明を適用した金型の第1の使用方法を示す説明図である。図9は、本発明を適用した金型の第2の使用方法を示す説明図である。図10は、本発明を適用した金型の第3の使用方法を示す説明図である。
図1に示すように、有機発光素子を用いたレーザ素子の分布帰還形共振器300では、クラッド層として機能する有機膜500(成形品)の表面に、ストライプ状の断面V字状のV字突起201(凸部)と、ストライプ状の断面V字状のV字溝202(凹部)とが、例えば300nmピッチで交互に配列された回折格子200が形成され、この回折格子200が形成されている側の面に有機色素を含有する活性層350が形成されている。このため、図14(A)、(B)を参照して示すように、活性層350の側から励起した光を入射させると、回折格子200によって特定波長光の反射、増幅が起こり、特定波長のレーザ光が出射される。
このような回折格子200を金型成形により製造することを目的に、本形態では、図2(A)、(B)に示す金型10を製作する。
ここに示す金型10では、素材20の上端面に段部21が周囲から突き出すように形成され、この段部21の上面に、回折格子200を形成するためのストライプ状の断面V字状のV字突起26と、ストライプ状の断面V字状のV字溝27が、例えば300nmピッチで交互に配列された成形面25が形成されている。また、V字突起27の頂部は最も高い位置にあり、成形面25(V字溝26の形成領域)は、全体として凸部として形成されている。また、成形面25において、V字溝26は、段部21の幅方向における両端縁に届いている。このため、成形面のV字溝26が延びている方向Aにおける両側、およびV字溝26が配列している方向Bにおける両側には、垂直面211、212が形成されている。
このような構成の金型10において、図3(A)に示すように、V字溝26およびV字突起27は、いずれも等ピッチで形成され、かつ、それらの配列方向Bにおける端に位置するV字溝261およびV字突起271も、その他の領域に形成されたV字溝26およびV字突起27と同様な斜面を有している必要がある。これに対して、図3(B)に示すように、V字溝26およびV字突起27の配列方向Bにおける端に位置するV字溝261およびV字突起271であっても、斜面が欠けていると、それを用いて成形した回折格子200でも、V字溝202およびV字突起201(図1を参照)の配列方向における端に位置するV字溝およびV字突起で斜面が欠けてしまうことになる。かといって、図4(A)に示すように、平バイトなどで段部21を形成した後、バイト32のV字形状の刃先33を段部21の縁に合わせて、端に形成されるV字溝261およびV字突起271の形状を完全なものとするのは、機械の位置合わせ精度が、通常、1μm程度しかないことから不可能である。また、図4(B)に示すように、V字形状の刃先を備えたバイトでV字溝26を形成した後、端部を平バイト35で削り落として、端に位置するV字溝261およびV字突起271の形状を完全なものとするのも、機械の位置合わせ精度が、通常、1μm程度しかないことから不可能である。
そこで、本形態では、図5(A)、(B)に示すように、円柱状の本体の上面に矩形の段部21を備える金型10用の素材20を準備する一方、シャンク31の軸線Lに対して直角に突き出たバイト32を備えるフライカット方式の工具30を準備する。ここで、バイト32は、単結晶ダイヤモンドからなり、角度が90°のV字形状の刃先33を有している。ここで、段部21の長さ寸法は、必要な共振器の長さよりやや大きく、幅は必要最小限の寸法である。
そして、図6(A)および図5(B)に示すように、シャンク31を軸線L周りに回転させながら、素材20と工具30とを相対移動させて、まず、バイト32の側面34で段部21の一方の角を深く、例えば、1μmの深さまで切削する。
次に、シャンク31と素材20とを所定寸法だけ相対的に送り動作させた後、図6(B)に示すように、シャンク31を軸線L周りに回転させながら素材20と工具30とを相対移動させてV字溝26を形成し、このような動作を形成すべきV字溝26の本数分だけ繰り返す。
しかる後には、図6(C)に示すように、段部21の他方の角部において、再び、バイト32を深く沈めて、段部21の角部を深く、例えば、1μmの深さまで研削する。
その結果、図2(A)、(B)に示すように、金型10には、素材20の段部21の上面にV字溝26とV字突起27が交互に形成されるとともに、最も端に位置するV字溝261により形成されたV字突起271では、その外側斜面272をそのまま延長した延長斜面273が形成される。従って、本形態の金型10では、いずれのV字溝26およびV字突起27も完全な形状に形成される。また、溝加工の長さは、段部21の幅寸法分で済むので、加工時間を短縮でき、かつ、刃先の磨耗を防止できる。
ここで、金型10の形状や寸法などにおいて不具合があった場合には、図6(D)に示すように、先に形成した成形面25の上から素材20の段部25を再度、切削して、新たな成形面25を形成する。
このようにして製造した金型10を用いて、回折格子200を備えた成形品をホットエンボス法により製造する場合には、図7に示すように、熱可塑性樹脂あるいは熱硬化樹脂からなる成形素材50を、加熱した金型10の成形面25でプレスする。その結果、成形素材50には、金型10の成形面に形成した多数のV字溝26およびV字突起27の形状が転写され、図1を参照して説明した回折格子200を備えた有機膜500(成形品60)が形成される。
ここで、図8に示すように、成形面25を成形素材50に対して、金型10のV字突起
27の高さ寸法(V字溝26の深さ寸法)に相当する分だけ食い込ませると、成形品60には、V字溝202およびV字突起201が交互に並んだ回折格子200が形成される。
これに対して、図9に示すように、成形面25を成形素材50に対して、金型10のV字突起の高さ寸法(V字溝26の深さ寸法)より浅く食い込ませると、成形品60には、V字溝202および断面台形形状の突起204が交互に並んだ回折格子200が形成される。
また、図10に示すように、成形面25を成形素材50に対して、金型10のV字突起27の高さ寸法(V字溝26の深さ寸法)より深く食い込ませると、成形品60には、V字溝202よびV字突起201が交互に並んだ回折格子200を備えた成形品60が形成され、かつ、この成形品60では、多数のV字溝202のうち、最も端に位置するV字溝202では、外側斜面206がそのまま延長された延長斜面207が形成される。
[実施の形態2]
図11(A)、(B)は、本発明の実施の形態2に係る金型の斜視図、および断面図である。図12(A)、(B)、(C)は、図12に示す金型を用いて成形した回折格子を備えた成形品の斜視図、この成形品の回折格子上に有機色素を含有する活性層(ガイド層)を形成した状態の斜視図、および有機色素を含有する活性層に励起光を入射した状態を示す斜視図である。
本形態の金型10も、実施の形態1と同様、有機薄膜レーザ用のブラッグ反射共振器300(分布帰還形共振器)用の回折格子200(図1を参照)を形成するためのものであり、図11(A)、(B)に示すように、金型10の素材20の上端面では、段部21が周囲から突き出すように形成され、この段部21の上面に、回折格子200を形成するためのストライプ状の断面V字状のV字突起26と、ストライプ状の断面V字状のV字溝27が交互に配列された成形面25が形成されている。ここで、V字突起27の頂部は、段部21の上面からみて低い位置にあり、成形面25(V字溝26の形成領域)は、全体として凹部として形成されている。また、成形面25において、V字溝26は、段部21の幅方向における両端縁に届いている。このため、成形面25のV字溝26が延びている方向Aにおける両側、およびV字溝26が配列している方向Bにおける両側には、垂直面211、212が形成されている。
このような構成の金型10においても、実施の形態1と同様、V字溝26およびV字突起27は、いずれも等ピッチで形成され、かつ、それらの配列方向における端に位置するV字溝261およびV字突起271も、その他の領域に形成されたV字溝26およびV字突起27と同様な斜面を有している必要がある。このため、本形態の金型10を製造する際には、実施の形態1と同様、図5(A)、(B)を参照して説明したように、円柱状の本体の上面に矩形の段部21を備える金型用の素材20を準備する一方、シャンク31の軸線Lに対して直角に突き出たバイト32を備えるフライカット方式の工具30を準備する。ここで、バイト32は、単結晶ダイヤモンドからなり、角度が90°のV字形状の刃先33を有している。
そして、本形態では、シャンク31を軸線L周りに回転させながら、素材20と工具30とを相対移動させて、まず、バイト32の側面34を用いて段部21の端からやや内側を切削した後、素材20と工具30とを相対移動させてV字溝26を必要な本数だけ形成する。その結果、素材20の段部21の上面にV字溝26とV字突起27が交互に形成されるとともに、最も端に位置するV字溝261の外側斜面については、V字溝261の斜面262をそのまま延長した延長斜面263が形成されることになる。従って、本形態の金型10では、いずれのV字溝26およびV字突起27も完全な形状に形成される。
このようにして製造した金型10を用いて、回折格子200を備えた成形品を製造する際には、熱可塑性樹脂あるいは熱硬化樹脂からなる成形素材に金型10の成形面25の形状を転写する。その結果、図12(A)に示すように、成形素材50には、金型10の成形面に形成した多数のV字溝26およびV字突起27の形状が転写され、図1を参照して説明した回折格子200を備えた成形品60が形成される。従って、図12(B)に示すように、回折格子200の上面を覆うように、有機色素を含有する活性層350を形成すれば、有機薄膜レーザ用のブラッグ反射共振器300(分布帰還形共振器)を構成できる。従って、図12(C)に示すように、有機半導体から出射された励起光を活性層350に入射させると、回折格子200のピッチに対応する波長のレーザ光が出射される。
ここで、金型10の成形面25は、図11(A)、(B)を参照して説明したように、段部21においてV字溝26が配列している方向Bで凹部として形成されているので、V字溝26およびV字突起27が配列する方向は開放状態にあり、レーザ光の出射光路が自動的に確保される。また、V字溝26が配列している方向における両側に垂直面211、212が形成されていたため、V字溝26およびV字突起27が延びている方向における両側に側壁210が形成される。従って、レーザ光の側方への漏れを防止できる。
[その他の実施の形態]
図2および図11は、V字溝が一方向に形成された回折格子であったが、図13に示すように、本発明を適用して、互いに交差する方向にV字溝を形成した碁盤目状の回折格子200Aを形成してもよい。この場合、一方方向(X方向)に延びる格子が共振器として機能し、それに交差する方向(Y方向)に延びた格子が、光を閉じ込める機能を担うので、漏れ光を2次元で閉じ込める効果がさらに大きくなり、発光効率が良くなる。なお、図13には、V字溝が互いに直交する方向に形成してあるが、60°の角度で互いに交わる3方向のV字溝を備えた回折格子を構成してもよい。この場合には、3方向において閉じ込め効果があり、発光効率がさらに向上する。
なお、上記形態では、薄膜レーザ用のブラッグ反射共振器用の回折格子を製造する場合を例に説明したが、このような回折格子に限らず、光導波路の形成に本発明を適用してもよい。
本発明では、V字形状の刃先を備えたバイトで素材の表面を切削して、凹凸を形成するための断面V字状の溝を多数、形成して、幅寸法が1μm以下の凹凸がストライプ状に多数形成された成形品を製造するためのナノプリント用金型の製造する。このため、薄膜技術と違って、高価な設備が不要であり、かつ、加工時間を短縮することができる。しかも、製造された金型によれば、薄膜レーザ用のブラッグ反射共振器用の回折格子として機能するフォトニック結晶などを安価に大量に製造することができる。
本発明が適用される分布帰還形共振器の説明図である。 (A)、(B)は、本発明の実施の形態1に係る金型の斜視図、および断面図である。 (A)、(B)は、この種の金型の良品を示す説明図、および不具合品の説明図である。 (A)、(B)は、刃先がV字形状のバイトを用いた加工例の説明図、および刃先が矩形のバイトを用いた加工例の説明図である。 (A)、(B)は、本発明に係る金型を製造するための素材の説明図、およびバイトの説明図である。 (A)、(B)、(C)、(D)はそれぞれ、図5(A)に示す素材を図5(B)に示すバイトで加工して金型を製造するときの説明図である。 本発明を適用した金型を用いてインプリント成形する様子を示す説明図である。 本発明を適用した金型の第1の使用方法を示す説明図である。 本発明を適用した金型の第2の使用方法を示す説明図である。 本発明を適用した金型の第3の使用方法を示す説明図である。 (A)、(B)は、本発明の実施の形態2に係る金型の斜視図、および断面図である。 (A)、(B)、(C)は、図12に示す金型を用いて成形した回折格子を備えた成形品の斜視図、この成形品の回折格子上に有機色素を含有する活性層(ガイド層)を形成した状態の斜視図、および有機色素を含有する活性層に励起光を入射した状態を示す斜視図である。 本発明のその他の実施の形態に係る金型の説明図である。 有機レーザ素子の説明図である。 別の有機レーザ素子の説明図である。
符号の説明
10 金型
20 素材
26 V字溝
27 V字突起
32 バイト
33 刃先
200 回折格子
50 成形素材

Claims (12)

  1. 幅寸法が1μm以下の凹凸がストライプ状に多数形成された成形品を製造するためのナノプリント用金型の製造方法であって、
    V字形状の刃先を備えたバイトで素材の表面を切削して、前記凹凸を形成するための断面V字状の溝を形成することを特徴とするナノプリント用金型の製造方法。
  2. 請求項1において、前記成形品は、フォトニック結晶であることをことを特徴とするナノプリント用金型の製造方法。
  3. 請求項2において、前記フォトニック結晶は、前記凹凸として、レーザ用のブラッグ反射共振器用の回折格子を備えていることを特徴とするナノプリント用金型の製造方法。
  4. 請求項3において、前記レーザは、有機薄膜レーザであることを特徴とするナノプリント用金型の製造方法。
  5. 請求項3または4において、前記ブラッグ反射共振器は、分布帰還形共振器であることを特徴とするナノプリント用金型の製造方法。
  6. 請求項4または5において、前記バイトで前記素材の表面を切削して前記断面V字状の溝を形成する際、前記多数の溝のうち、最も端に位置する溝あるいはそれにより形成された断面V字状の突起には、その外側斜面をそのまま延長した延長斜面を形成することを特徴とするナノプリント用金型の製造方法。
  7. 請求項6において、前記断面V字状の溝の形成領域は、全体として凸部として形成されていることを特徴とするナノプリント用金型の製造方法。
  8. 請求項7において、前記素材における前記バイトによる加工領域は、その周辺領域から突き出した段部の上面であり、
    前記断面V字状の溝は、前記段部の幅方向における両端縁に届いていることを特徴とするナノプリント用金型の製造方法。
  9. 請求項6において、前記断面V字状の溝の形成領域は、全体として凹部として形成されていることを特徴とするナノプリント用金型の製造方法。
  10. 請求項9において、前記素材における前記バイトによる加工領域は、その周辺領域から突き出した段部の上面であり、
    前記断面V字状の溝は、前記段部の幅方向における両端縁に届いていることを特徴とするナノプリント用金型の製造方法。
  11. 請求項1ないし10のいずれかに規定する方法で製造された金型。
  12. 請求項11に規定する金型で製造されたことを特徴とする成形品。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008089782A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Stanley Electric Co Ltd 液晶光学素子及びその製造方法並びにそれを使用したストロボ装置
JP2010080763A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法
JP2011124378A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Tokyo Institute Of Technology 微細加工方法
JP2012006219A (ja) * 2010-06-24 2012-01-12 Dainippon Printing Co Ltd ナノインプリント用モールド
EP2000325A3 (en) * 2007-06-08 2012-08-22 Tefco Aomori Co., Ltd. Minute metallic pattern and manufacturing method therefor
JP2014136304A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Dainippon Printing Co Ltd 成形型及びその製造方法、並びに構造物及びその製造方法
JP2018157144A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 大日本印刷株式会社 インプリントモールド用マスクブランク及びその製造方法、インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法
WO2023053484A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 ソニーグループ株式会社 面発光素子及び光源装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008089782A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Stanley Electric Co Ltd 液晶光学素子及びその製造方法並びにそれを使用したストロボ装置
EP2000325A3 (en) * 2007-06-08 2012-08-22 Tefco Aomori Co., Ltd. Minute metallic pattern and manufacturing method therefor
JP2010080763A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Sumitomo Electric Ind Ltd 回折格子の形成方法および分布帰還型半導体レーザの製造方法
JP2011124378A (ja) * 2009-12-10 2011-06-23 Tokyo Institute Of Technology 微細加工方法
JP2012006219A (ja) * 2010-06-24 2012-01-12 Dainippon Printing Co Ltd ナノインプリント用モールド
JP2014136304A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Dainippon Printing Co Ltd 成形型及びその製造方法、並びに構造物及びその製造方法
JP2018157144A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 大日本印刷株式会社 インプリントモールド用マスクブランク及びその製造方法、インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法
WO2023053484A1 (ja) * 2021-09-29 2023-04-06 ソニーグループ株式会社 面発光素子及び光源装置

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