JP2011527080A5

JP2011527080A5 -

Info

Publication number: JP2011527080A5
Application number: JP2011516517A
Authority: JP
Filing date: 2009-06-23
Publication date: 2012-06-28
Anticipated expiration: 2029-06-23

Description

以上、本発明を詳細に、その特定の実施形態を参照して説明してきたが、添付の特許請求の範囲において定義された発明の範囲から逸脱することなく、変形及び変更が可能であることは明らかであろう。具体的には、本開示の一部の態様は、好適又は特に有利なものとして特定されているが、本発明は、こうした発明の態様に必ずしも限定されないと考えられる。例えば、次の態様が考えられる。
＜１＞導電性の受け板に接合されたシリコン電極を備える多要素電極を再生するプロセスであって、
硫酸、過酸化水素、及び水を含み、実質的にアルコールを含まないＤＳＰ溶液に前記多要素電極を浸漬すると共に、前記多要素電極を脱イオン水によりリンスすることにより、前記多要素電極から金属イオンを除去するステップと、
金属イオンの除去後に前記多要素電極の一つ以上の表面を研磨するステップと、
フッ化水素酸、硝酸、酢酸、及び水を含む混合酸溶液により前記研磨済み多要素電極を処理すると共に、前記処理済み多要素電極を脱イオン水によりリンスすることにより、前記多要素電極のシリコン面から汚染物を除去するステップと、を備えるプロセス。
＜２＞前記ＤＳＰ溶液は、体積で水を最も多く含む＜１＞記載のプロセス。
＜３＞前記ＤＳＰ溶液は、体積で過酸化水素を硫酸より多く含む＜２＞記載のプロセス。
＜４＞前記ＤＳＰ溶液は、体積で少なくとも約８０％の水を含む＜１＞記載のプロセス。
＜５＞前記ＤＳＰ溶液は、体積で約７０乃至９０％の水と、約１０乃至２０％の過酸化水素と、約１０％までの硫酸とを含む＜１＞記載のプロセス。
＜６＞前記ＤＳＰ溶液は、体積で約８０％の水と、約１５％の過酸化水素と、約５％の硫酸とを含む＜１＞記載のプロセス。
＜７＞前記多要素電極から金属イオン及び汚染物を除去するために使用される前記脱イオン水の電気抵抗は、少なくとも約１２ＭΩ・ｃｍである＜１＞記載のプロセス。
＜８＞前記多要素電極から金属イオン及び汚染物を除去するために使用される前記脱イオン水の温度は、約２０±５℃以下である＜１＞記載のプロセス。
＜９＞前記表面研磨は、約２０±５℃以下の温度と、前記電極表面での約２５℃を超える前記脱イオン水の温度上昇を抑制する上で十分な流量とにおいて提供される、実質的に連続した脱イオン水流の下で実行される＜１＞記載のプロセス。
＜１０＞前記汚染物は、前記研磨済み多要素電極を前記混合酸により処理する前に、脱イオン水中で前記多要素電極に対して超音波洗浄動作を施すことにより、前記多要素電極のシリコン面から除去され、
前記超音波洗浄動作において使用される前記脱イオン水の前記温度は、約２０±５℃以下であり、
前記超音波洗浄動作において使用される前記脱イオン水の超音波出力密度は、約４０ｋＨｚで約１．５ワット／ｃｍ ² 乃至約３．１ワット／ｃｍ ² である
＜１＞記載のプロセス。
＜１１＞前記研磨済み多要素電極は、前記電極表面を前記混合酸溶液によりワイピングすることにより処理される＜１＞記載のプロセス。
＜１２＞前記多要素電極は、シャワーヘッド電極を備え、前記ワイピング動作は、前記電極を固定具において保持し、加圧窒素ガスを前記シャワーヘッド電極のシャワーヘッド通路を介して送り、前記混合酸溶液が前記シャワーヘッド通路内へ取り込まれることを防止した状態で実行する＜１１＞記載のプロセス。
＜１３＞前記ワイピング動作に続いて、約２０±５℃以下以上の温度での脱イオン水リンス動作を行う＜１１＞記載のプロセス。
＜１４＞ＫＯＨ溶液により前記電極表面をワイピングすることにより、前記研磨済み多要素電極から汚れを除去する＜１＞記載のプロセス。
＜１５＞フッ化水素酸、硝酸、及び水を含む酸洗溶液により、前記導電性の受け板の表面をワイピングすることにより、前記研磨済み多要素電極から汚れを除去する＜１＞記載のプロセス。
＜１６＞前記多要素電極は、導電性のアルミニウムベースの受け板又は導電性のグラファイトベースの受け板に接合されたシリコン電極を備える＜１＞記載のプロセス。
＜１７＞前記多要素電極は、シャワーヘッド電極、或いはシャワーヘッド電極を取り囲むリング状電極として構成される＜１＞記載のプロセス。
＜１８＞前記プロセスは、更に、ＣＯ ₂ ペレットを前記多要素電極の表面に対して、或いは表面を横切って、４０ｐｓｉを超えない圧力で流動させることにより、汚染物を除去するステップを備える＜１＞記載のプロセス。
＜１９＞前記多要素電極は、汚染物を除去するために、脱イオン水によるリンス後に、前記混合酸溶液により前記電極表面を繰り返しワイピングすることにより処理される＜１＞記載のプロセス。
＜２０＞導電性のアルミニウムベースの受け板に接合されたシリコン電極を備える多要素電極を再生するプロセスであって、
体積で約７０乃至９０％の水と、約１０乃至２０％の過酸化水素と、約１０％までの硫酸とを含み、実質的にアルコールを含まないＤＳＰ溶液に前記多要素電極を浸漬すると共に、電気抵抗が少なくとも約１２ＭΩ・ｃｍであり、温度が約２０±５℃である脱イオン水により前記多要素電極をリンスすることにより、前記多要素電極から金属イオンを除去するステップと、
金属イオンの除去後に、約２０±５℃の温度と、前記電極表面での約２５℃を超える前記脱イオン水の温度上昇を抑制する上で十分な流量とにおいて提供される、実質的に連続した脱イオン水流の下で、前記多要素電極の一つ以上の表面を研磨するステップと、
フッ化水素酸、硝酸、酢酸、及び水を含む混合酸溶液により前記研磨済み多要素電極を処理する前に、温度が約２０±５℃であり、超音波出力密度が約４０ｋＨｚで約１．５ワット／ｃｍ ² 乃至約３．１ワット／ｃｍ ² である脱イオン水中において、前記多要素電極に対して超音波洗浄動作を施すと共に、前記処理済み多要素電極を脱イオン水によりリンスすることにより、前記多要素電極のシリコン面から汚染物を除去するステップと
を備えるプロセス。