JP2011523786A - ターゲットを露光するための方法およびシステム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 99
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims abstract description 112
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 78
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000003491 array Methods 0.000 claims description 11
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 claims description 7
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 39
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 13
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 5
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011449 brick Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000026058 directional locomotion Effects 0.000 description 1
- 239000012799 electrically-conductive coating Substances 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/063—Electron sources
- H01J2237/06325—Cold-cathode sources
- H01J2237/06341—Field emission
- H01J2237/0635—Multiple source, e.g. comb or array
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Analytical Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
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Abstract
【解決手段】発明は、複数のビームレットによってターゲットを露光する方法に関する。最初に、複数のビームレットが供給される。ビームレットはアレイに配列される。さらに、露光されるべきターゲットが供給される。続いて、複数のビームレットとターゲットの間に第一の方向の相対移動が作り出される。最後に、複数のビームレットが第二の方向に移動され、各ビームレットがターゲット上の複数の走査線を露光する。第一の方向の相対移動と複数のビームレットの第二の方向の移動は、複数のビームレットによって露光される隣接走査線の間の距離が、アレイ中の複数のビームレットのビームレット間の第一の方向の投影ピッチPproj,Xよりも小さくなるようになっている。
Description
複数のビームレットを供給することを有し、前記ビームレットはアレイに配列されており、
露光されるべきターゲットを供給することを有し、
前記複数のビームレットと前記ターゲットの間に第一の方向の相対移動を作り出すことを有し、
各ビームレットが前記ターゲット上の複数の平行走査線を露光するように前記複数のビームレットを第二の方向に移動させることを有し、
前記第一の方向の前記相対移動と前記複数のビームレットの前記第二の方向の移動は、前記複数のビームレットによって露光される隣接平行走査線の間の距離が、前記アレイ中の前記複数のビームレットのビームレット間の前記第一の方向の投影ピッチよりも小さくなるようになっている。
複数のビームレットによって形成される露光パターンを供給するためのビームレットパターン発生器を備え、前記複数のビームレットはビームレットの複数の群に配列されており、
前記ビームレットの複数の群を前記ターゲットの表面上に投影するための投影レンズ系のアレイを備え、各投影レンズ系はビームレットの一つの群に対応しており、
ビームレットの一つの群を第二の方向に偏向するための偏向器アレイを備え、前記偏向器アレイは複数の偏向器を備え、各偏向器は、ビームレットの一つの対応群を偏向するように準備されており、
露光されるべき前記ターゲットを支持するための基板支持部材と、
前記複数のビームレットによって露光される隣接走査線の間の距離が、前記アレイ中の前記複数のビームレットのビームレット間の前記第一の方向の投影ピッチPproj,Xよりも小さくなるように、前記基板支持部材と前記複数のビームレットの間の第一の方向の相対移動と前記ビームレットの一つの群の第二の方向の移動を調和させるように準備されたコントロールユニットを備えている。
複数のビームレットを供給することを有し、前記ビームレットはアレイに配列されており、
露光されるべきターゲットを供給することを有し、
前記複数のビームレットと前記ターゲットの間に第一の方向の相対移動を作り出すことを有し、
各ビームレットが前記ターゲット上の複数の平行走査線を露光するように複数の走査の第二の方向に前記複数のビームレットを移動させることを有し、
前記第一の方向の前記相対移動と前記複数のビームレットの前記第二の方向の移動は、前記ビームレットのアレイ内の同じビームレットによって露光される続く走査線の間の距離が、前記第一の方向のアレイの投影サイズよりも小さく、その結果、第二の走査からの一つ以上のビームレットの走査線が、第一の走査からの一つ以上のビームレットの走査線で交互配置される。
複数のビームレットによって形成される露光パターンを供給するためのビームレットパターン発生器を備え、前記複数のビームレットはビームレットの複数の群に配列されており、
前記ビームレットの複数の群を前記ターゲットの表面上に投影するための投影レンズ系のアレイを備え、各投影レンズ系はビームレットの一つの群に対応しており、
ビームレットの一つの群を第二の方向に偏向するための偏向器アレイを備え、前記偏向器アレイは複数の偏向器を備え、各偏向器は、ビームレットの一つの対応群を偏向するように準備されており、
露光されるべき前記ターゲットを支持するための基板支持部材と、
前記複数のビームレットによって露光される隣接走査線の間の距離が、前記アレイ中の前記複数のビームレットのビームレット間の前記第一の方向の投影ピッチPproj,Xよりも小さくなるように、前記基板支持部材と前記複数のビームレットの間の第一の方向の相対移動と前記ビームレットの一つの群の第二の方向の移動を調和させるように準備されたコントロールユニットを備えている。
ここで、Pproj,Xは、前記アレイのビームレット間の前記第一の方向の投影ピッチであり、FN−1は、1に等しくない(N−1)の因数であり、Nは、前記アレイ中のビームレットの数である。続く走査線の間の前述の距離を得ることは、前記第一の方向の段階的移動が最小にされることなく、非常に効率的な手法で露光されるべきエリアの完全適用範囲を可能にする。
ように選択される。結果のビームレットアレイは好ましくは、正方形か六角形か三角形のアレイにできる限り近い。
複数のビームレットを供給することを有し、ビームレットはアレイに配列されており、
露光されるべきターゲットを供給する各群の収束の共通点に向けてビームレットの複数の群を収束させることと、
複数のビームレットとターゲットの間に第一の方向に相対移動を作り出すことと、
第一の方向に実質的に垂直な第二の方向にビームレットの各群を偏向して、ビームレットの一つの群内の各ビームレットが第二の方向の偏向走査長さに沿ってターゲットを露光することを有しており、
アレイ中のビームレットの一つの群内のビームレット間の第二の方向の投影ピッチPproj,Yは、ビームレットの一つの群内の各ビームレットの偏向走査長さ以下である。
複数のビームレットによって形成される放射パターンを供給するためのビームレットパターン発生器を備え、複数のビームレットはビームレットの複数の群に配列されており、
ビームレットの複数の群をターゲットの表面上に投影するための投影レンズ系のアレイを備え、各投影レンズ系は、ビームレットの一つの群に対応しており、
第一の方向に実質的に垂直な第二の方向にビームレットの一つの群を偏向するための偏向器アレイを備え、ビームレットの一つの群内の各ビームレットが第二の方向に変調偏向幅に沿ってターゲットを露光し、偏向器アレイは複数の偏向器を備え、各偏向器は、ビームレットの一つの対応群を偏向するように準備されており、
露光されるべきターゲットを支持するための基板支持部材を備えており、
アレイ中のビームレットの一つの群内のビームレット間の第二の方向の投影ピッチPproj,Yは、ビームレットの一つの群内の各ビームレットの偏向走査幅以下であり、
アレイ中のビームレットの一つの群内のビームレット間の第二の方向の投影ピッチPproj,Yは、ビームレットの一つの群内の各ビームレットの偏向走査幅以下である。
荷電粒子ビームを生成するための少なくとも一つの荷電粒子源と、
生成ビームからの別々のビームレットまたはサブビームを規定する開口アレイと、
ビームレットの複数の群を各群の収束の共通点に向けて収束させるためのビームレットマニピュレーターと、
ビームレットの複数の群中の複数のビームレットを制御可能に無効化するためのビームレットブランカーを備えていてもよい。ビームレットの各群の収束の共通点は投影レンズ系の一つに対応する点であってもよい。ビームレットのアレイは多数の行と多数の列を備え、行と列の少なくとも一つは、第一の方向と第二の方向に対して90°に等しくない角度に配置されていてもよい。複数のビームレットは複数のアレイに配列されていてもよい。第一の方向は第二の方向に実質的に垂直であってもよい。複数のビームレットは単一パターンドビームレットを形成し、単一パターンドビームレットは、グリッドセルが所定の寸法を有するラスターグリッドにしたがってパターン化されていてもよい。
複数のビームレットを供給することを有し、ビームレットは、N本のビームレットのアレイに配列されており、
露光されるべきターゲットを供給することを有し、
複数のビームレットとターゲットの間に第一の方向に相対移動を作り出すことを有し、
ビームレットがターゲット上の複数の走査線を露光するように複数のビームレットを第二の方向に移動させることすことを有し、
第一の方向の相対移動と複数のビームレットの第二の方向の移動は、アレイ中の複数のビームレットが対角線パターン中の隣接走査線を露光するようになっている。
複数のビームレットを供給することを有し、ビームレットは、ビームレットのR行とC列のアレイに配列されており、
露光されるべきターゲットを供給することを有し、
複数のビームレットとターゲットの間に第一の方向に相対移動を作り出すことを有し、
ビームレットがターゲット上の複数の走査線を露光するように複数のビームレットを第二の方向に移動させることを有し、
第一の方向の相対移動と複数のビームレットの第二の方向の移動は、アレイの各ビームレットがすべてのR番目の走査線を走査し、走査線の一部がC本のビームレットによって走査される。
複数のビームレットを供給することを有し、ビームレットはアレイに配列されており、
露光されるべきターゲットを供給することを有し、
複数のビームレットとターゲットの間に第一の方向に相対移動を作り出すことを有し、
複数のビームレットがターゲット上の複数の走査線を露光するように複数のビームレットを第二の方向に移動させることを有し、隣接走査線は走査線間隔によって分離されており、いくつかのビームレットによって露光される続く走査線はビームレット間隔によって分離されており、
アレイ中の各ビームレットは、各ビームレットが少なくとも二つの他のビームレットからほぼ等距離にあるように、全体の数のビームレット間隔が対角線から第一の方向に平行な方向に、また第二の方向に投影ピッチPproj,Yで配置されており、対角線は、第一の方向の一つの走査線間隔によってまた第二の方向の投影ピッチPproj,Yによって分離された点と整列している。
複数のビームレットによって形成された放射パターンを供給するためのビームレットパターン発生器を備え、複数のビームレットはN本のビームレットのアレイに配列されており、
複数のビームレットをターゲットの表面上に投影するための投影レンズ系のアレイを備え、各投影レンズ系は、ビームレットの一つの群に対応しており、
第一の方向に実質的に垂直な第二の方向にビームレットの一つの群を偏向するための偏向器アレイを備え、ビームレットの一つの群内の各ビームレットが第二の方向に変調偏向幅に沿ってターゲットを露光し、偏向器アレイは複数の偏向器を備え、各偏向器は、ビームレットの一つの対応群を偏向するように準備されており、
露光されるべきターゲットを支持するための基板支持部材と、
アレイ中のビームレットが対角線パターン中の隣接走査線を走査するように、基板支持部材と複数のビームレットの間の第一の方向の相対移動とビームレットの一つの群の第二の方向の移動を調和させるように準備されたコントロールユニットを備えている。
複数のビームレットによって形成される放射パターンを供給するためのビームレットパターン発生器を備え、複数のビームレットは、ビームレットの複数の群に配列されており、ビームレットの一つの群は、ビームレットのR行とC列のアレイに配列されており、
ビームレットの複数の群をターゲットの表面上に投影するための投影レンズ系のアレイを備え、各投影レンズ系は、ビームレットの一つの群に対応しており、
第一の方向に実質的に垂直な第二の方向にビームレットの一つの群を偏向するための偏向器アレイを備え、ビームレットの一つの群内の各ビームレットが第二の方向に変調偏向幅に沿ってターゲットを露光し、偏向器アレイは複数の偏向器を備え、各偏向器は、ビームレットの一つの対応群を偏向するように準備されており、
露光されるべきターゲットを支持するための基板支持部材と、
アレイ中の各ビームレットがすべてのR番目の走査線を走査し、走査線の一部がC本のビームレットによって走査されるように、基板支持部材と複数のビームレットの間の第一の方向の相対移動とビームレットの一つの群の第二の方向の移動を調和させるように準備されたコントロールユニットを備えている。
荷電粒子ビームを生成するための荷電粒子源と、
生成ビームからビームレットの複数の群を規定するためのビームレット開口アレイと、
ビームレットの一つの群を第二の方向に偏向するための偏向器アレイを備え、偏向器アレイは複数の偏向器を備え、各偏向器はビームレットの一つの対応群を偏向し、
ビームレットの複数の群をターゲットの表面上に投影するための投影レンズ系のアレイを備え、各投影レンズ系はビームレットの一つの群に対応しており、
露光されるべきターゲットを支持するための基板支持体と、
複数のビームレットがターゲット上の複数の走査線を露光するように、基板支持体と複数のビームレットの間の第一の方向の相対移動とビームレットの一つの群の第二の方向の移動を調和させるように準備されたコントロールユニットを備えており、隣接走査線は走査線間隔によって分離されており、同じビームレットによって露光される続く走査線はビームレット間隔によって分離されており、
ターゲット上に投影されるビームレットの各群はアレイに配列されており、アレイ中の各ビームレットは、各ビームレットが少なくとも二つの他のビームレットからほぼ等距離にあるように、全体の数のビームレット間隔が対角線から第一の方向に平行な方向に、また第二の方向に投影ピッチPproj,Yで配置されており、対角線は、第一の方向の一つの走査線間隔によって、また第二の方向の投影ピッチPproj,Yによって分離された点と整列している。
荷電粒子ビームを生成するための少なくとも一つの荷電粒子源と、
生成ビームから別々のビームレットまたはサブビームを規定する開口アレイと、
ビームレットの複数の群を各群の収束の共通点に向けて収束させるためのビームレットマニピュレーターと、
ビームレットの複数の群中の複数のビームレットを制御可能に無効化するためのビームレットブランカーを備えている。ビームレットの各群の収束の共通点は投影レンズ系の一つに対応する点であってもよい。ビームレットのアレイは多数の行と多数の列を備え、行と列の少なくとも一つは、第一の方向と第二の方向に対して90°に等しくない角度に配置されていてもよい。複数のビームレットは複数のアレイに配列されている。第一の方向は第二の方向に実質的に垂直であってもよい。複数のビームレットは単一パターンドビームレットを形成し、単一パターンドビームレットは、グリッドセルが所定の寸法を有するラスターグリッドにしたがってパターン化されていてもよい。
Claims (37)
- 複数のビームレットによってターゲットを露光する方法であり、
複数のビームレットを供給することを有し、前記ビームレットはアレイに配列されており、
露光されるべきターゲットを供給することを有し、
前記複数のビームレットと前記ターゲットの間に第一の方向に相対移動を作り出すことを有し、
各ビームレットが前記ターゲット上の複数の平行走査線を露光するように前記複数のビームレットを第二の方向に移動させることを有し、
前記第一の方向の前記相対移動と前記複数のビームレットの前記第二の方向の移動は、前記複数のビームレットによって露光される隣接平行走査線の間の距離が、前記アレイ中の前記複数のビームレットのビームレット間の前記第一の方向の投影ピッチPproj,Xよりも小さくなるようになっている、方法。 - 前記複数のビームレットによって露光される隣接走査線の間の距離は、前記投影ピッチPproj,XをKで割ったものに等しく、ここで、Kは、1よりも大きい正の整数である、先行請求項のいずれか一つに記載の方法。
- Kは、前記アレイ中のビームレットの数ひく1の因数に等しい、請求項2に記載の方法。
- 前記ビームレットのアレイ内の同じビームレットによって露光される続く走査線の間の距離は、前記第一の方向の前記アレイの投影サイズよりも小さい、先行請求項のいずれか一つに記載の方法。
- 複数のビームレットによってターゲットを露光する方法であり、
複数のビームレットを供給することを有し、前記ビームレットはアレイに配列されており、
露光されるべきターゲットを供給することを有し、
前記複数のビームレットと前記ターゲットの間に第一の方向に相対移動を作り出すことを有し、
各ビームレットが前記ターゲット上の複数の平行走査線を露光するように複数の走査の第二の方向に前記複数のビームレットを移動させることを有し、
前記第一の方向の前記相対移動と前記複数のビームレットの前記第二の方向の移動は、前記ビームレットのアレイ内の同じビームレットによって露光される続く走査線の間の距離が、前記第一の方向のアレイの投影サイズよりも小さく、その結果、第二の走査からの一つ以上のビームレットの走査線が、第一の走査からの一つ以上のビームレットの走査線で交互にはさまれる、方法。 - 前記第一の方向の前記相対移動は一定速度を有する、先行請求項のいずれか一つに記載の方法。
- 前記第二の方向の移動は、一定周波数を有する反復移動である、先行請求項のいずれか一つに記載の方法。
- 前記方法は、前記ターゲットの一面に仮想グリッドを規定することをさらに有し、前記グリッドは、それぞれのビームレットによって前記ターゲットを露光するまたは露光しない位置、各個ビームレットの無効化または非無効化に依存する露光または非露光を提供する、先行請求項のいずれか一つに記載の方法。
- 前記仮想グリッドは、前記第一の移動方向に配向された第一の軸と、それを横切って配向された第二の軸を備えている、請求項11に記載の方法。
- 前記複数のビームレットは複数の群に分割され、ビームレットの各群はアレイに配列され、前記一つの群のビームレットは重ならず、それにより前記ビームレットのアレイは、前記グリッド中の個所のアレイに対応している、請求項11または12に記載の方法。
- 前記アレイのビームレット間の前記第一の方向の投影ピッチPproj,Xは、前記ターゲットに投影されるビームレットスポットサイズ以下である、先行請求項のいずれか一つに記載の方法。
- 前記ビームレットのアレイは多数の行と多数の列を備え、前記行と列の少なくとも一つは、前記第一の方向と前記第二の方向に対して90°に等しくない角度に配置されている、先行請求項のいずれか一つに記載の方法。
- ビームレットの複数のアレイが提供される、先行請求項のいずれか一つに記載の方法。
- 前記第一の方向は前記第二の方向に実質的に垂直である、先行請求項のいずれか一つに記載の方法。
- 前記ビームレットのアレイは、単一パターンドビームレットを形成し、前記単一パターンドビームレットは、グリッドセルが所定の寸法を有するラスターグリッドにしたがってパターン化されている、先行請求項のいずれか一つに記載の方法。
- プロセッサーによって実行されたときに、先行請求項のいずれか一つによって規定される荷電粒子マルチビームレットシステムの複数のビームレットによってターゲットを露光する前記方法をおこなうためのコンピューター読取可能媒体。
- 複数のビームレットを使用してターゲット(11)を露光するための荷電粒子マルチビームレットシステムであり、
複数のビームレット(22)によって形成される露光パターンを供給するためのビームレットパターン発生器(1,4,5,6,8;1,4A,4B,5A,5B,6,8;1,4C,4D,5,6,8)を備え、前記複数のビームレット(22)はビームレット(23)の複数の群に配列されており、
前記ビームレットの複数の群(230のを前記ターゲット(11)の表面上に投影するための投影レンズ系(10)のアレイを備え、各投影レンズ系はビームレット(23)の一つの群に対応しており、
ビームレット(23)の一つの群を第二の方向に偏向するための偏向器アレイ(9)を備え、前記偏向器アレイ(9)は複数の偏向器を備え、各偏向器は、ビームレット(23)の一つの対応群を偏向するように準備されており、
露光されるべき前記ターゲット(11)を支持するための基板支持部材(16)と、
前記複数のビームレットによって露光される隣接走査線の間の距離が、前記アレイ中の前記複数のビームレットのビームレット(22)間の前記第一の方向の投影ピッチPproj,Xよりも小さくなるように、前記基板支持部材(16)と前記複数のビームレットの間の第一の方向の相対移動と前記ビームレット(23)の一つの群の第二の方向の移動を調和させるように準備されたコントロールユニット(18)を備えている、システム。 - 前記複数のビームレットによって露光される隣接走査線の間の距離は、前記投影ピッチPproj,XをKで割ったものに等しく、ここで、Kは、1よりも大きい正の整数である、請求項20に記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- Kは、前記アレイ中のビームレットの数ひく1の因数に等しい、請求項21に記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 前記複数のビームレット内の同じビームレットによって露光される続く走査線の間の距離は、前記第一の方向の前記アレイの投影サイズよりも小さい、請求項20〜22のいずれか一つに記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 複数のビームレットを使用してターゲット(11)を露光するための荷電粒子マルチビームレットシステムであり、
複数のビームレット(22)によって形成される露光パターンを供給するためのビームレットパターン発生器(1,4,5,6,8;1,4A,4B,5A,5B,6,8;1,4C,4D,5,6,8)を備え、前記複数のビームレット(22)はビームレット(23)の複数の群に配列されており、
前記ビームレット(23)の複数の群を前記ターゲット(11)の表面上に投影するための投影レンズ系のアレイ(10)を備え、各投影レンズ系はビームレット(23)の一つの群に対応しており、
ビームレット(23)の一つの群を第二の方向に偏向するための偏向器アレイ(9)を備え、前記偏向器アレイ(9)は複数の偏向器を備え、各偏向器は、ビームレット(23)の一つの対応群を偏向するように準備されており、
露光されるべき前記ターゲット(11)を支持するための基板支持部材(16)と、
前記ビームレットのアレイ内の同じビームレットによって露光される隣接走査線の間の距離が、前記第一の方向の前記アレイの投影サイズよりも小さくなるように、前記基板支持部材(16)と前記複数のビームレットの間の第一の方向の相対移動と前記ビームレット(23)の一つの群の前記第二の方向の移動を調和させるように準備されたコントロールユニット(18)を備えている、システム。 - 前記コントロールユニット(18)はさらに、前記相対移動が一定速度を有するように前記第一の方向の前記相対移動を制御するように準備されている、請求項20〜26のいずれか一つに記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 前記第二の方向の前記移動は反復移動であり、前記コントロールユニット(18)はさらに、前記反復移動が一定周波数を有するように前記反復移動を制御するように準備されている、請求項20〜27のいずれか一つに記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 前記ビームレットパターン発生器(1,4,5,6,8;1,4A,4B,5A,5B,6,8;1,4C,4D,5,6,8)は、前記ターゲットの一面に仮想グリッドを規定することによって露光パターンを供給するように準備されており、前記グリッドは、それぞれのビームレットによって前記ターゲットを露光するまたは露光しない位置、各個ビームレットの無効化または非無効化に依存する露光または非露光を提供する、請求項20〜28のいずれか一つに記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 前記仮想グリッドは、前記第一の移動方向に配向された第一の軸と、それを横切って配向された第二の軸を備えている、請求項29に記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 各群の前記ビームレットは重ならず、それにより前記ビームレットのアレイは、前記グリッド中の個所の投影アレイに対応している、請求項29または30に記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 前記投影ピッチPproj,Xは、前記ターゲット(11)に投影されるビームレットスポットサイズ(30)以下である、請求項20〜31のいずれか一つに記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 前記ビームレットパターン発生器は、
荷電粒子ビーム(20)を生成するための少なくとも一つの荷電粒子源(1)と、
生成ビーム(20)から別々のビームレット(22,23)またはサブビーム(25)を規定する開口アレイ(4;4A,4B;4C,4D)と、
ビームレット(23)の複数の群を各群(23)の収束の共通点に向けて収束させるためのビームレットマニピュレーター(5;5A,5B)と、
前記ビームレットの複数の群(23)中の複数のビームレットを制御可能に無効化するためのビームレットブランカー(6,8)を備えている、請求項20〜32のいずれか一つに記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。 - ビームレット(23)の各群の収束の前記共通点は前記投影レンズ系の一つに対応する点である、請求項33に記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 前記ビームレットのアレイは多数の行と多数の列を備え、前記行と列の少なくとも一つは、前記第一の方向と前記第二の方向に対して90°に等しくない角度に配置されている、請求項20〜34のいずれか一つに記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 前記複数のビームレットは複数のアレイに配列されている、請求項20〜35のいずれか一つに記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 前記第一の方向は前記第二の方向に実質的に垂直である、請求項20〜36のいずれか一つに記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
- 前記複数のビームレットは、単一パターンドビームレットを形成し、前記単一パターンドビームレットは、グリッドセル(31;32)が所定の寸法を有するラスターグリッドにしたがってパターン化されている、請求項20〜37のいずれか一つに記載の荷電粒子マルチビームレットシステム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US5859608P | 2008-06-04 | 2008-06-04 | |
US61/058,596 | 2008-06-04 | ||
US17976109P | 2009-05-20 | 2009-05-20 | |
US61/179,761 | 2009-05-20 | ||
PCT/EP2009/056863 WO2009147202A1 (en) | 2008-06-04 | 2009-06-04 | Writing strategy |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011523786A true JP2011523786A (ja) | 2011-08-18 |
JP5743886B2 JP5743886B2 (ja) | 2015-07-01 |
Family
ID=41076766
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2011512124A Active JP5743886B2 (ja) | 2008-06-04 | 2009-06-04 | ターゲットを露光するための方法およびシステム |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8502174B2 (ja) |
EP (1) | EP2297766B1 (ja) |
JP (1) | JP5743886B2 (ja) |
KR (1) | KR101647768B1 (ja) |
CN (1) | CN102113083B (ja) |
WO (1) | WO2009147202A1 (ja) |
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- 2009-06-04 KR KR1020117000139A patent/KR101647768B1/ko active IP Right Grant
- 2009-06-04 CN CN200980130353.0A patent/CN102113083B/zh active Active
- 2009-06-04 EP EP09757583.1A patent/EP2297766B1/en active Active
-
2010
- 2010-12-06 US US12/960,675 patent/US8502174B2/en active Active
-
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- 2013-07-05 US US13/935,602 patent/US8859983B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5743886B2 (ja) | 2015-07-01 |
KR101647768B1 (ko) | 2016-08-11 |
US8502174B2 (en) | 2013-08-06 |
US20140042334A1 (en) | 2014-02-13 |
CN102113083B (zh) | 2016-04-06 |
EP2297766B1 (en) | 2016-09-07 |
CN102113083A (zh) | 2011-06-29 |
WO2009147202A1 (en) | 2009-12-10 |
US20110073782A1 (en) | 2011-03-31 |
EP2297766A1 (en) | 2011-03-23 |
KR20110030537A (ko) | 2011-03-23 |
US8859983B2 (en) | 2014-10-14 |
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