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  1. a)導電性基板上に第1の誘電体層を形成するステップであって、前記導電性基板は、第1の金属元素、第1の金属元素の合金、又は第1の導電性無機化合物からなるステップと、
    b)前記第1の誘電体層の少なくとも一部分上に(半)導電層を印刷するステップであって、前記(半)導電層は、第2の金属元素、第2の金属元素の合金、又は第2の導電性無機化合物、若しくは、IV族、III−V族又はカルコゲナイド半導体からなるステップと、
    c)前記(半)導電層をマスクとして使用して前記第1の誘電体層をエッチングするステップと、
    d)前記導電性基板及び/又は前記(半)導電層上に第2の誘電体層をパターン状に形成するステップと、
    e)前記第2の誘電体層上に導電性特徴要素を形成するステップであって、前記導電性特徴要素の1つの部分が前記(半)導電層と接触し、前記導電性特徴要素は、第3の金属元素、第3の金属元素の合金、又は第3の導電性無機化合物からなる、ステップ、
    f)前記導電性基板から下部電極を形成するステップと
    を含む、コンデンサを作製する方法。
  2. 前記下部電極を形成するステップが、前記導電性基板をエッチングするステップを含む、請求項1に記載の方法。
  3. a)請求項1に記載の方法と、
    b)前記導電性基板からインダクタ及び/又はアンテナ並びに相互接続パッドを形成するステップと
    を含む、監視及び/又は識別デバイスを作製する方法。
  4. a)基板上に下部コンデンサ電極を含む第1の(半)導電層を印刷するステップであって、前記第1の(半)導電層は、第1の金属元素、第1の金属元素の合金、第1の導電性無機化合物、若しくは、第1のIV族、III−V族又はカルコゲナイド半導体からなるステップと、
    b)前記第1の(半)導電層上に無機コンデンサ誘電体層をパターン状に形成するステップと、
    c)前記無機コンデンサ誘電体層上に前記無機コンデンサ誘電体層の一部分が露出するように上部コンデンサ電極を印刷するステップであって、前記上部コンデンサ電極は、第2の金属元素、第2の金属元素の合金、第2の導電性無機化合物、若しくは、第2のIV族、III−V族又はカルコゲナイド半導体からなるステップと、
    d)前記上部コンデンサ電極、前記露出された無機コンデンサ誘電体層及び前記基板上に第2の誘電体層を形成するステップであって、前記第2の誘電体層が、(i)前記第2の誘電体層中の第1のコンタクトホールであって、前記無機コンデンサ誘電体層の前記露出された一部分の少なくとも一部又は前記無機コンデンサ誘電体層の前記露出された一部分の下の前記第1の(半)導電層を露出する第1のコンタクトホールと、(ii)前記上部コンデンサ電極を露出する第2のコンタクトホールと、を有する、ステップと
    を含む、コンデンサを作製する方法。
  5. 少なくとも前記第1の(半)導電層を印刷するステップが、ナノ粒子及び/又は化合物ベースの金属インクを使用して金属のシード層を印刷するサブステップと前記金属シード層上に導体金属を電気めっきするサブステップとを含む、請求項に記載の方法。
  6. 前記第1の(半)導電層を印刷するステップが、シラン又はIVA族元素前駆体インクを選択的に印刷して、所望のパターンを形成するサブステップと、次いで半導体層を形成するのに十分な時間にわたって前記シラン又はIVA族元素前駆体インクを乾燥し、キュアし、随意的に結晶化するサブステップとを含む、請求項に記載の方法。
  7. 第2の基板上にアンテナ及び/又はインダクタを形成するステップと、続いて前記第1の基板及び前記第2の基板を取り付けるステップとをさらに含む、請求項に記載の方法。
  8. a)下部コンデンサ電極及びインダクタ及び/又はアンテナを備える単一導電性構造体と、
    b)前記下部コンデンサ電極及びインダクタ及び/又はアンテナ上の第1の誘電体層と、
    c)前記第1の誘電体層上の上部コンデンサ電極であって、ドーム形プロファイルを有する前記上部コンデンサと、
    d)前記上部コンデンサ電極及び前記導電性構造体上の第2の誘電体層と、
    e)前記第2の誘電体層上の導電性特徴要素と
    を具備し、
    前記導電性特徴要素の1つの部分が前記上部コンデンサ電極と接触し、前記導電性特徴
    要素の第2の部分が前記導電性構造体と接触する、監視及び/又は識別用のデバイス。
  9. 前記第2の誘電体層が、IVA族元素の酸化物及び/又は窒化物を含む、請求項に記載のデバイス。
  10. 前記導電性特徴要素及び前記コンデンサ電極が、同じ材料を含む、請求項に記載のデバイス。
  11. a)基板上の下部コンデンサ電極であって、ドーム形プロファイルを有する前記下部コンデンサ電極と、
    b)前記下部コンデンサ電極上の第1の誘電体層と、
    c)前記第1の誘電体層上の上部コンデンサ電極であって、ドーム形プロファイルを有する前記上部コンデンサ電極と、
    d)前記基板上の第2の誘電体層であって、前記下部コンデンサ電極及び前記上コンデンサ電極を露出する第1のコンタクトホール及び第2のコンタクトホールを前記第2の誘電体層中に有する前記第2の誘電体層と、
    e)前記下部コンデンサ電極に結合される及び/又は接続される第1の端部並びに前記上部コンデンサ電極に結合される及び/又は接続される第2の端部を有するアンテナ及び/又はインダクタと
    を備える監視及び/又は識別用のデバイス。
  12. 前記第1の誘電体層が、前記下部コンデンサ電極金属の対応する酸化物を含む、請求項11に記載のデバイス。
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