JP5288503B2 - 高信頼性監視及び／又は識別タグ／デバイス並びにかかるタグ／デバイスを作成する方法及び使用する方法 - Google Patents

Description

関連出願

[0001]この出願は、２００７年１０月１０日及び２００７年１０月１０日にそれぞれ出願された米国特許仮出願第６０／９９８，５５３号明細書及び第６０／９９８，５５４号明細書（それぞれ代理人整理番号ＩＤＲ１４１１及びＩＤＲ１４６１）、並びに２００８年１０月１０日及び２００８年１０月１０日にそれぞれ出願された係属中の米国特許出願第１２／２４９，７３５号明細書及び第１２／２４９，７５４号明細書（それぞれ代理人整理番号ＩＤＲ１４１２及びＩＤＲ１４６２）の利益を主張する。

[0002]本発明は一般に、監視及び／又は識別タグ及びデバイスの分野に関する。より詳細には、本発明の実施形態は、ＥＡＳ、ＲＦ及び／又はＲＦＩＤタグ／デバイス、それらの製造及び／又は生産のための構造体及び方法、並びにそのようなタグ及び／又はデバイスを使用する方法に関する。

[0003]本発明の実施形態は、監視／識別タグ及びデバイス、そのようなデバイスを備える構造体、並びにデバイスを製造する及び使用する方法に関する。より詳細には、本発明の実施形態は、ＥＡＳ、ＲＦ及び／又はＲＦＩＤデバイス、それらの構造体、並びにそれらの製造及び使用のための方法に関する。

[0004]本発明の第１の態様は、コンデンサ及び／又は監視／識別デバイスを作製する方法に関係する。１つの一般的な方法では、コンデンサは、導電性基板上に誘電体層を形成し、次いで印刷された誘電体層の少なくとも一部分上に（半）導電層を印刷することによって作製することができる。誘電体層は次いで、（半）導電層をマスクとして使用してエッチングされて、導電性基板上にコンデンサ誘電体を形成する。第２の誘電体層は次いで、導電性基板及び／又は（半）導電層（例えば、上部コンデンサ電極）上にパターン状に形成される。導電性「特徴要素（feature）」は次いで、第２の誘電体層上に形成される。特徴要素の第１の部分は、（半）導電層（例えば、上部コンデンサ電極）と接触し、導電性特徴要素の第２の部分は、導電性基板と接触する。下部コンデンサ電極は次いで、導電性基板から形成される。さまざまな実施形態では、インダクタ及び／又はアンテナは、導電性基板から作られて、監視／識別デバイスを製造してもよい。

[0005]第２の一般的な実施形態では、コンデンサは、基板上に下部コンデンサ電極を含む第１の（半）導電層を印刷し、第１の（半）導電層上に第１の誘電体層をパターン状に形成し、第１の誘電体層上に上部／上側コンデンサ電極／平板を印刷することによって作ることができる。第２の誘電体層は、基板上に形成される。第２の誘電体層は、第１の（半）導電層を露出する第１のコンタクトホールを第２の誘電体層中に、及び上部／上側コンデンサ電極を露出する第２のコンタクトホールを有する。監視／識別デバイスは、第１の（半）導電層及び上部コンデンサ電極にアンテナ及び／又はインダクタを結合する及び／又は接続することによってこのコンデンサを使用して作られてもよい。

[0006]本発明の第２の態様は、ＥＡＳ、ＲＦ、及び／又はＲＦＩＤデバイス又はタグなどの、監視及び／又は識別デバイスに関係する。１つの一般的な実施形態によれば、監視及び／又は識別デバイスは一般に、（ａ）下部コンデンサ電極及びインダクタを備える単一導電性構造体と、（ｂ）下部コンデンサ電極及びインダクタ上の第１の誘電体層と、（ｃ）第１の誘電体層上のドーム形プロファイルを有する上部コンデンサ電極と、（ｄ）上部コンデンサ電極及び導電性構造体上の第２の誘電体層と、（ｅ）上部コンデンサ電極と接触する１つの部分及び導電性構造体と接触する第２の部分を有する、第２の誘電体上の導電性特徴要素とを具備する。

[0007]第２の一般的な実施形態によれば、監視及び／又は識別デバイスは、（ａ）基板上のドーム形プロファイルを有する下部コンデンサ電極と、（ｂ）下部コンデンサ電極上の第１の誘電体層と、（ｃ）第１の誘電体層上のドーム形プロファイルを有する上部コンデンサ電極と、（ｄ）下部コンデンサ電極及び上部コンデンサ電極を露出するために、第２の誘電体層中に第１及び第２のコンタクトホールを有する基板上の第２の誘電体層と、（ｅ）下部コンデンサ電極に結合される第１の端部及び上部コンデンサ電極に結合される第２の端部を有するアンテナ及び／又はインダクタとを備える。

[0008]本発明の第３の態様は、本発明の監視及び／又は識別デバイスを使って物品を検出する方法に関係する。一般に監視／識別デバイスは、デバイスが検出可能な電磁放射を放射する、反射する、又は後方散乱するのに十分な電流を引き起こす又は誘導し、検出可能な電磁放射を検出することによって検出できる。オプションとして、検出されるデバイスは、選択的に不活性化でき、又は別の方法では、検出されるデバイスは、活動を行うように指示されることもある。

[0009]本発明は、（１）従来の監視／識別デバイスで使用されるコンデンサ誘電体（例えば、プラスチック誘電体）の厚さ及び品質に関連する大きな製造公差に起因するコンデンサ誘電体の信頼できない絶縁破壊、及び（２）コンデンサ誘電体層が不活性化プロセスで絶縁破壊された後のコンデンサ誘電体層の「治癒」の改良に起因するデバイスの回復を含む、従来の監視及び／又は識別デバイスに関連する周知の問題を解決する。本明細書で述べられるように、印刷された金属−酸化物−半導体デバイスを使って及び／又は薄膜材料を使用して形成されるコンデンサを使用することは、製造公差の改善を保証し、従来のコンデンサに関連する治癒問題が除去される又は著しく低減されることもまた保証する。本発明のこれらの及び他の利点は、以下の好ましい実施形態の詳細な説明から容易に明らかになるであろう。

誘電体層及び誘電体層上に印刷された（半）導電層を有する導電性基板の断面図である。 誘電体層及び誘電体層上に印刷された（半）導電層を有する導電性基板の上面図である。 誘電体層が（半）導電層をマスクとして使用してエッチングされた状態の図１Ａ及び１Ｂの構造体の断面図である。 （半）導電層上に第２の誘電体層を備える図２の構造体の断面図である。 （半）導電層上に第２の誘電体層を備える図２の構造体の上面図である。 第２の誘電体層上に導電性特徴要素を備える図３Ａ〜３Ｂの構造体の断面図である。 第２の誘電体層上に導電性特徴要素を備える図３Ａ〜３Ｂの構造体の上面図である。 不動態化層が構造体上に形成された状態の図４Ａ〜４Ｂの構造体の断面図を示す図である。 下部電極及びインダクタが導電性基板から形成された状態の図５の構造体の断面図を示す図である。 図６Ａの構造体の下面図を示す図である。 本発明の別の例となる実施形態による、基板及び基板上に形成された第１の（半）導電層の断面図である。 本発明の別の例となる実施形態による、基板及び基板上に形成された第１の（半）導電層の上面図である。 第１の誘電体層が構造体上に印刷された状態の図７Ａ〜７Ｂの構造体の断面図を示す図である。 上側コンデンサ平板が第１の誘電体層上に印刷された状態の図８の構造体の断面図である。 上側コンデンサ平板が第１の誘電体層上に印刷された状態の図８の構造体の上面図である。 第２の誘電体層が上側コンデンサ平板上に形成され、第２の誘電体層が第２の誘電体層中に形成された第１及び第２のコンタクトホールを有する状態の図９Ａ及び９Ｂの構造体の断面図を示す図である。 インダクタ／アンテナを図１０の構造体に取り付けることによって本発明による監視及び／又は識別デバイスを形成する例となる方法を示す図である。

[0022]本発明の好ましい実施形態の参照が今から詳細に行われ、好ましい実施形態の例が、添付の図面で例示されよう。本発明は、好ましい実施形態と併せて述べられるが、好ましい実施形態は、本発明をこれらの実施形態に限定することを意図されないことが理解されよう。それどころか、本発明は、添付の特許請求の範囲によって定義されるような本発明の精神及び範囲内に含まれてもよい代替形態、変更形態及び同等形態を覆うことを意図される。さらに、本発明の次の詳細な説明では、本発明の完全な理解を提供するために、多くの特定の詳細が、説明される。しかしながら、本発明が、これらの特定の詳細なしに実施されてもよいことは、当業者には容易に明らかであろう。他の例では、周知の方法、手順、構成要素、及び回路は、本発明の態様を不必要に分かりにくくしないように詳細には述べられなかった。加えて、本明細書で述べられる可能な置換及び組合せは、本発明を限定するつもりではないことが理解されるべきである。特に、矛盾しない変形形態が、所望通りに混合され、整合されてもよい。

[0023]便宜及び簡単のために、術語「に結合されて」、「に接続されて」、及び「と通信して」は、文脈が別のやり方で示さない限り、直接的な又は間接的な結合、接続又は通信を意味する。術語「に結合されて」、「に接続されて」、及び「と通信して」は、本明細書では一般に交換可能に使用されるが、当技術分野で承認されている術語の意味を一般に与えられる。また、便宜及び簡単のために、術語「監視」、「ＥＡＳ」、「無線」、「ＲＦ」、「ＲＦＩＤ」、及び「識別」は、デバイス及び／又はタグの意図された用途及び／又は機能に関して交換可能に使用されてもよく、術語「ＥＡＳタグ」又は「ＥＡＳデバイス」は、任意のＥＡＳ及び／又は監視タグ及び／又はデバイスを参照するために本明細書で使用されてもよい。加えて、術語「物品」、「物」及び「品物」は、交換可能に使用され、１つのそのような術語がどこで使用されても、１つのそのような術語はまた、他の術語も包含する。さらに、術語「コンデンサ電極」及び「コンデンサ平板」は、交換可能に使用されてもよく、術語「形状」、「特徴要素」、「線」、及び「パターン」もまた、交換可能に使用されてもよい。術語「（半）導体」、「（半）導電性」及びそれの文法的同等物は、導電性及び／又は半導電性である材料、前駆体、層、特徴要素又は他の種若しくは構造体を参照する。

[0024]本出願では、術語「堆積させる」（及びそれの文法的変形）は、包括的堆積（例えば、ＣＶＤ及びＰＶＤ）、（回転）塗布、及び印刷を含む、あらゆる形態の堆積を包含することを意図される。基板上に金属含有インクを印刷する方法のさまざまな実施形態では、印刷は、基板上への金属配合物のインクジェット、グラビア印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、スプレー塗布、スリット塗布、押出し塗布、メニスカス塗布、マイクロスポッティング（ｍｉｃｒｏｓｐｏｔｔｉｎｇ）及び／又はペン塗布を含んでもよい。また、便宜及び簡単のために、術語「部分」、「一部」、及び「領域」は、交換可能に使用されてもよいが、術語「部分」、「一部」、及び「領域」はまた、当技術分野で承認されている術語の意味も一般に与えられる。また、本明細書で術語の使用の文脈とは別のやり方で示されない限り、術語「周知の」、「固定の」、「所与の」、「特定の」及び「所定の」は一般に、理論では可変であるが、使用時には典型的には前もって設定され、その後は変更されない、値、量、パラメータ、制約、条件、状態、プロセス、手順、方法、実施、又はそれらの組合せを参照する。加えて、術語「ドープされた」は、任意のドーパントの任意の実質的に制御可能な添加量をドープされた（例えば、低濃度でドープされた、高濃度でドープされた、又は中間の任意のドーピングレベルでドープされた）材料を参照する。

[0025]本開示では、語句「本質的にＩＶＡ族元素から成る」は、ＩＶＡ族元素に特定の所望の（及び潜在的に全く異なった）電気特性を与えることができる、意図的に添加されたドーパントを排除しない。術語「（ポリ）シラン」は、本質的に（１）シリコン及び／又はゲルマニウム並びに（２）水素から成り、少なくとも１５のシリコン及び／又はゲルマニウム原子を有する種を主に含む、化合物又は化合物の混合物を参照する。そのような種は、１つ又は複数の周期的リングを含んでもよい。術語「（シクロ）シラン」は、本質的に（１）シリコン及び／又はゲルマニウム並びに（２）水素からなり、１つ又は複数の周期的リング及び１５未満のシリコン及び／又はゲルマニウム原子を含んでもよい、化合物又は化合物の混合物を参照する。好ましい実施形態では、シランは、化学式Ｓｉ_ｘＨ_ｙを有し、但しｘは３〜約２００であり、ｙはｘから（２ｘ＋２）であり、ここでｘは、シランの平均数分子量から導出できる。術語「ヘテロ（シクロ）シラン」は、本質的に（１）シリコン及び／又はゲルマニウム、（２）水素、並びに（３）従来の炭化水素、シラン又はゲルマン置換基によって置換されてもよいＢ、Ｐ、Ａｓ又はＳｂなどのドーパント原子からなり、１つ又は複数の周期的リングを含んでもよい、化合物又は化合物の混合物を参照する。また、構造体又は特徴要素の「主要表面」は、構造体又は特徴要素の最大軸によって少なくとも部分的に定義される表面である（例えば、もし構造体が円形で、構造体の厚さよりも大きな半径を有するならば、半径方向表面（複数可）は、構造体の主要表面である）。

[0026]本発明の一実施形態は、（ａ）導電性基板上に第１の誘電体層を形成するステップと、（ｂ）第１の誘電体層の少なくとも一部分上に（半）導電層を印刷するステップと、（ｃ）（半）導電層をマスクとして使用して第１の誘電体層をエッチングするステップと、（ｄ）導電性基板及び／又は（半）導電層上に第２の誘電体層をパターン状に形成するステップと、（ｅ）第２の誘電体層上に導電性特徴要素を形成するステップであって、導電性特徴要素の１つの部分が（半）導電層と接触し、導電性特徴要素の第２の部分が導電性基板と接触するステップと、（ｆ）導電性基板から下部コンデンサ電極を形成するステップと、もし監視／識別デバイスを作るならば（ｇ）導電性基板からインダクタを形成するステップとを含む、コンデンサ及び／又は監視／識別デバイスを作る方法に関係する。

[0027]本発明の第２の実施形態は、（ａ）基板上に下部コンデンサ電極を含む、第１の（半）導電層を印刷するステップと、（ｂ）第１の（半）導電層上に第１の誘電体層をパターン状に形成するステップと、（ｃ）第１の誘電体層上に上部コンデンサ電極を印刷するステップと、（ｄ）基板上に第２の誘電体層を形成するステップであって、第２の誘電体層が、第１の（半）導電層を露出する第１のコンタクトホールを第２の誘電体層中に及び上部コンデンサ電極を露出する第２のコンタクトホールを有するステップと、もし監視／識別デバイスを作るならば（ｅ）第１の（半）導電層及び上側コンデンサ平板にアンテナ及び／又はインダクタを結合する及び／又は接続するステップとを含む、コンデンサ及び／又は監視／識別デバイスを作る第２の方法に関係する。

[0028]さらなる実施形態では、本発明は、（ａ）下部コンデンサ電極及びインダクタを備える単一導電性構造体と、（ｂ）下部コンデンサ電極及びインダクタ上の第１の誘電体層と、（ｃ）第１の誘電体層上のドーム形プロファイルを有する上部コンデンサ電極と、（ｄ）上部コンデンサ電極及び導電性構造体上の第２の誘電体層と、（ｅ）上部コンデンサ電極と接触する１つの部分及び導電性構造体と接触する第２の部分を有する、第２の誘電体上の導電性特徴要素とを具備する、監視及び／又は識別デバイスに関係する。

[0029]代替実施形態では、監視及び／又は識別デバイスは、（ａ）基板上のドーム形プロファイルを有する下部コンデンサ電極と、（ｂ）下部コンデンサ電極上の第１の誘電体層と、（ｃ）第１の誘電体層上のドーム形プロファイルを有する上部コンデンサ電極と、（ｄ）下部コンデンサ電極及び上部コンデンサ電極を露出するために第１及び第２のコンタクトホールを第２の誘電体層中に有する、基板上の第２の誘電体層と、（ｅ）下部コンデンサ電極に結合される第１の端部及び上部コンデンサ電極に結合される第２の端部を有するアンテナ及び／又はインダクタとを備えてもよい。

[0030]さらなる態様では、本発明は、（ａ）デバイスが検出可能な電磁放射を放射するのに十分な電流を、物品又は物に添付される又は付随される監視及び／又は識別デバイス内に引き起こす又は誘導するステップと、（ｂ）検出可能な電磁放射を検出するステップと、オプションとして（ｃ）デバイスを選択的に非活性化する又はデバイスに活動を行わせるステップとを一般に含む、物品又は物を検出する方法に関係する。

[0031]本発明は、そのさまざまな態様において、例となる実施形態に関して以下でより詳細に説明されよう。

コンデンサ及び／又は監視／識別デバイスを作る例となる方法
[0032]１つの例となる実装形態では、コンデンサを作るための方法は、（ａ）導電性（例えば、電気機能性）基板上に第１の誘電体層を形成するステップと、（ｂ）第１の誘電体層の少なくとも一部分上に（半）導電層を印刷するステップと、（ｃ）（半）導電層をマスクとして使用して誘電体層をエッチングするステップと、（ｄ）導電性基板及び／又は（半）導電層上に第２の誘電体層をパターン状に形成するステップと、（ｅ）第２の誘電体層上に導電性特徴要素（例えば、パターン、線、形状、その他）を形成するステップであって、導電性特徴要素の１つの部分が（半）導電層と接触し、導電性特徴要素の第２の部分が導電性基板と接触するステップと、（ｆ）もし必要ならば又は所望するならば、導電性基板から下部コンデンサ電極を形成するステップとを含む。例となる監視／識別タグ及び／又はデバイスは、導電性基板から又は導電性「特徴要素」からインダクタをさらに形成することによって作ることができる。コンデンサは、直線状か又は非直線状であってもよい。好ましい実施形態では、ＥＡＳ、ＲＦ、又はＲＦＩＤタグ／デバイスは、上述の方法（複数可）に従って形成される。

[0033]好ましい実施形態では、（半）導電層（例えば、上部コンデンサ電極）は、誘電体層上に液相（例えば、ＩＶＡ族元素前駆体）インクを印刷することによって形成される。インクを印刷することは、包括的堆積、フォトリソグラフィ及びエッチングとは対照的に、コンデンサ及び／又は監視／識別デバイスを製造するために使用される処理ステップ数、製造プロセスのための時間、及び／又は材料のコストを節約する。

[0034]本コンデンサ及び／又は監視／識別デバイスを製造するための第１の例となる方法は、図１Ａ〜６Ｂを参照して以下で詳細に述べられる。

基板
[0035]図１Ａ〜１Ｂはそれぞれ、誘電体層１１０及び誘電体層上に形成された（半）導電層１２０を有する導電性（例えば、電気機能性）基板１００の断面図及び上面図を示す。さまざまな実施形態では、導電性基板は、金属基板、金属膜、金属箔、又は金属シートを含む。特に、金属基板は、アルミニウム、チタン、銅、銀、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケル、金、パラジウム、白金、亜鉛、鉄、鋼（例えば、ステンレス鋼）又はそれらの任意の合金を含んでもよい。他の適切な導電性材料は、例となる監視／識別デバイスに関して以下で述べられる（例えば、下部コンデンサ電極を参照）。

[0036]ある実装形態については、導電性基板のための金属は、実効的な誘電体に陽極酸化される金属の能力に少なくとも部分的に基づいて選択されてもよい。例となる実施形態では、導電性基板は、５〜２００μｍ（好ましくは２０〜１００μｍ）の公称厚さ及び／又は０．１〜１０マイクロオーム−ｃｍ（好ましくは０．５〜５マイクロオーム−ｃｍ）の抵抗率を有してもよい。

[0037]後に続く処理より前に、導電性基板１００は、従来通りに洗浄され、平滑化されてもよい。この表面処理は、表面粗さを低減し、低品質自然酸化物を除去するための化学研磨、電解研磨及び／又は酸化物剥離によって達成されてもよい。

第１の誘電体層／膜を形成するステップ
[0038]図１Ａ〜１Ｂで示されるように、本方法はさらに、導電性基板１００上に第１の誘電体層１１０を形成するステップを含む。第１の誘電体層は、酸化及び／又は窒化雰囲気中で導電性基板（又はその上に形成された液体酸化物／窒化物前駆体）を酸化及び／又は窒化することによって形成されてもよい。例えば、誘電体は、金属基板（例えば、鋼）上に印刷された液体シランを酸化することによって、又は酸化若しくは窒化できる別の導電性材料（例えば、シリコン、アルミニウム、クロム、ハフニウム、その他）で基板を被覆することによって形成できる。別の方法では、誘電体は、誘電体前駆体材料（例えば、テトラアルキルシロキサン又はテトラアルコキシシランなどのＳｉＯ_２前駆体）を堆積させ（例えば、液相を印刷する又は薬浴堆積プロセスにより）、続いて前駆体を誘電体膜に変化させることによって（例えば、乾燥、キュア、及び／又はアニールによって）形成されてもよい。しかしながら、もし導電性基板が、高温で処理できないもの（例えば、アルミニウム）であるならば、印刷又は蒸着などの方法が、好ましい。前駆体材料を誘電体膜に変化させた後、追加の金属酸化物（例えば、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＨｆＯ_２、その他）が、膜上に堆積されてもよい。それ故に、さまざまな実施形態では、誘電体は、複数の層を備えてもよい。

[0039]他の実施形態では、誘電体は、包括的堆積技術によって被覆／堆積されてもよい。一般に、被覆は、実質的に基板の全表面が配合物で覆われるプロセスを参照する。被覆は、スプレー塗布、浸漬塗布、ブレード塗布、メニスカス塗布、スリット塗布、押出し塗布、ペン塗布、マイクロスポッティング、インクジェット、グラビア印刷、フレキソ印刷、又は回転塗布などの方法を含んでもよい。そのような実施形態では、基板の領域は、当技術分野で周知のエッチング技術によって所望通りにパターン形成される及び／又は露出されてもよい。

[0040]ある実施形態では、第１の誘電体層は、真空堆積法（例えば、ＣＶＤ、ＰＥＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ、スパッタ堆積、その他）によって堆積できる。誘電体を形成する別の方法は、陽極酸化を用いてＭＯＳ誘電体及び／又は不活性化誘電体を形成する。

[0041]ある実装形態では、誘電体（又は適切な誘電体前駆体）は、導電性基板上に印刷できる。印刷プロセス中に、液体ベースの組成物（例えば、溶液、懸濁液、乳剤、その他）は、所定のパターンで、及び特徴的分解能（例えば、最小レイアウト寸法、間隔、配列誤差範囲、又はそれらの任意の組合せ）で選択的に堆積される。適切な印刷プロセスは、インクジェット印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、シリンジ分注、マイクロスポッティング、ステンシル印刷、スタンピング、ポンプ式分注、レーザー前方転写、局所レーザーＣＶＤ及び／又はペン塗布を含んでもよい。好ましくは、誘電体は、インクジェット印刷によって印刷される。例えば、スピンオンガラスなどの材料、及び／又は窒化ホウ素は、導電性基板上に印刷できる。誘電体層は、導電性基板の領域が露出されるように印刷されてもよい。別の方法では、誘電体層は、全基板を覆うように印刷され、次いで図２で例示されるように、続いて形成される構造体をマスクとして使用してエッチングされてもよい。

[0042]誘電体層は、任意の適切な電気絶縁性誘電体材料を含んでもよい。例となる誘電体材料は、例となる監視デバイスに関して以下で論じられる（例えば、本明細書の題名「第１及び第２の誘電体層」の項を参照）。例えば、コンデンサの誘電絶縁体は本質的に、有機又は無機絶縁体を含む又はそれから成ってもよい。好ましい実施形態では、誘電体は、導電性／金属性基板の金属の酸化物及び／又は窒化物を含む。さまざまな実施形態では、誘電体層（例えば、図１Ａ及び１Ｂの構造体１１０）は、５０〜５００Åの厚さ及び／又は約５Ｖ〜５０Ｖ未満、好ましくは１０Ｖ〜２０Ｖの絶縁破壊電圧を有して形成される。しかしながら、誘電体厚さは、静電容量を制御するために、及び誘電体が破裂することを意図される電圧を制御するために必要に応じて調節されてもよい。

（半）導電層を形成するステップ
[0043]図１Ａ及び１Ｂで示されるように、本方法はさらに、第１の誘電体層１１０上に（半）導電層（すなわち、上部コンデンサ電極）１２０を堆積させるステップを含む。（半）導電層は、誘電体上に金属及び／又は半導体層（例えば、低濃度ドープの、高濃度ドープの、又はドープされない）を堆積させることによって形成されてもよい。一般に、印刷、又は従来の包括的堆積（例えば、化学気相堆積［ＣＶＤ］、低圧ＣＶＤ、スパッタリング、電気めっき、回転塗布、スプレー塗布、その他による）、フォトリソグラフィ及びエッチングなどの、金属及び／又は半導体材料を堆積させるための任意の方法が、使用されてもよい。しかしながら、印刷が、好ましい。

[0044]本方法（複数可）によれば、印刷は、インクジェット印刷、グラビア印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、シリンジ分注、マイクロスポッティング、ステンシル印刷、スタンピング、ポンプ式分注、レーザー前方転写、局所レーザーＣＶＤ及び／又はペン塗布を含んでもよい。印刷は、印刷される金属／（半）導電層の厚さのより優れた制御を可能にする。例えば、もしより厚い（半）導電層が所望されるならば、液滴数、液滴容積、又はインク容積が、増加されてもよい。より厚い金属層はまた、より厚い（半）導電層（例えば、より低い抵抗を有する）が所望される領域内で液滴間のピッチを減少させることによって達成されてもよい。さらに、印刷プロセスは、印刷されるインクの接触角が局所的に変えられることを可能にする。例示すると、基板の表面エネルギーを局所的に変えるように構成される事前印刷ステップは、異なる金属高さ／厚さ及び／又は線幅がただ１つの印刷ステップで達成できるように実行できる。

[0045]例となる実施形態では、金属含有インクが、塗布又は印刷技術によって誘電体上に堆積される。さまざまな実装形態では、金属は、金属含有材料（例えば、金属、有機金属前駆体（複数可）、及び／又は金属ナノ粒子）を含むインク（例えば、金属前駆体インク）を回転塗布し、続いて金属をキュアする又はアニールすることによって、包括的に堆積される。好ましくは、金属インクは、溶液内に所望の金属（例えば、シリサイド形成金属）の前駆体を含むインクを印刷し、続いて金属をキュアする、乾燥する、及び／又はアニールすることによって選択的に堆積される。

[0046]金属含有インクは本質的に、インクの１〜５０重量％（又はその中の値の任意の範囲）の量の金属前駆体（例えば、金属含有材料）、及び金属含有材料が溶解できる溶媒を含む又はそれらから成ってもよい。そのような金属含有インク／前駆体、並びに例となる金属及び／又は他の金属含有インク配合物は、例となる監視／識別デバイスに関して以下でより詳細に論じられる。１つの例となる実施形態では、一般に金属含有インク配合物は本質的に、１つ又は複数の４、５、６、７、８、９、１０、１１、又は１２族金属塩（複数可）及び／又は金属錯体（複数可）、配合物の塗布及び／又は印刷を容易にするように構成される１つ又は複数の溶媒、並びにオプションとして、金属塩又は金属錯体の元素金属又はそれの合金への還元時に気体状又は揮発性副生成物を形成する１つ又は複数の添加物から成る。さらに、インク配合物は本質的に、溶媒内での金属塩又は金属錯体の溶解を容易にするように構成される陰イオン源から成ってもよい（又は添加物が、陰イオン源を含んでもよい）。インク配合物のさまざまな好ましい実施形態では、４、５、６、７、８、９、１０、１１、又は１２族金属塩は、パラジウム、ニッケル、コバルト、又は白金の塩を含む。

[0047]金属膜は、１つ又は複数の４、５、６、７、８、９、１０、１１、又は１２族金属塩（複数可）及び／又は金属錯体（複数可）、金属塩又は金属錯体の元素金属又はそれの合金への還元時に気体状又は揮発性副生成物を形成する１つ又は複数のオプションの添加物（例えば、水性ＨＸ）、並びに１つ又は複数の溶媒を含む配合物を基板上に塗布又は印刷することによって基板上に作られてもよい。配合物を塗布又は印刷した後、残留溶媒は除去されて、金属含有前駆体膜を形成する。結果として生じる金属含有前駆体膜は続いて、金属又は合金膜を形成するのに十分な時間にわたって還元される（例えば、金属含有前駆体膜を還元剤にさらすことによって）。それ故に、連続的な又はパターン形成された金属膜は、金属前駆体インクを使用し、続いて還元剤にさらすことで、膜内にかなりの量の不純物及び／又は残留物を残すことなく形成されてもよい（例えば、ＰｄＣｌ_２＋Ｈ_２→Ｐｄ＋ＨＣｌ［気体］）。

[0048]ある実施形態では、（半）導電層は、２つ以上の金属前駆体の、又は別法として、１つ又は複数の金属前駆体及び１つ又は複数の半導体前駆体の混合物として印刷されてもよい。他の実施形態では、２つ以上の金属インクが、積み重ねられた層として連続して印刷され、乾燥されてもよい。混合物及び／又は積層物はオプションとして、形成中又は形成後に加熱され又はさもなければ反応させられて、（半）導電層を形成することができる。

[0049]印刷された金属含有／前駆体インクは、インク中のどんな溶媒も除去するのに十分な温度で及び時間にわたって基板を加熱することによって乾燥されてもよい。溶媒を除去するための温度は、約８０℃〜約１５０℃の範囲、又はその中の温度の任意の範囲（例えば、約１００℃〜約１２０℃）である。印刷されたインクからこれらの温度範囲内で溶媒を除去するための時間は、約１秒〜約１０分、１０秒〜約５分、又はその中の時間の任意の範囲（例えば、約３０秒〜５分、又は約１分〜３分、その他）である。加熱は、従来のホットプレート上で又は従来の炉若しくはオーブン内で行われてもよい。オプションとして、加熱は、不活性雰囲気中で行われてもよい。

[0050]金属含有インクが乾燥されて、溶媒を除去した後、残留材料は、所望の電気的及び／又は物理的特性、並びに下にある誘電体層への適切な接着を得るのに十分な温度で及び時間にわたってアニールプロセスを受けてもよい。アニール温度は、約１００℃〜約３００℃の範囲、又はその中の温度の任意の範囲（例えば、約１５０℃〜約２５０℃）である。アニール時間は一般に、約１分〜約２時間の範囲である。好ましい実施形態では、金属含有膜は、約１０分〜約１時間（又はその中の時間の任意の範囲、例えば、約１０〜約３０分）アニールされる。

[0051]さまざまな実施形態では、アニールは、炉又はオーブン内で、及びオプションとして不活性又は還元雰囲気中で行われる。例えば、金属含有前駆体膜は、還元剤にさらされ、基板に応じて、周囲温度よりも高い温度から約２００〜４００℃までの範囲の温度で加熱されてもよい。このプロセスは、基板が比較的高い温度で処理できない実施形態（例えば、アルミニウム箔、ポリカーボネート、ポリエチレン及びポリプロピレンのエステル、ポリイミド、その他）において特別な利点を有する。真空源及び還元／不活性気体源を備えて構成された、密閉可能なオーブン、炉、又は高速熱アニール炉は、不均質還元のための還元雰囲気及び熱（熱エネルギー）を提供するために使用されてもよい。別の方法では、金属前駆体膜は、雰囲気が注意深く制御できる装置（例えば、グローブボックス又は乾燥箱）内で熱源（例えば、ホットプレート）を使用して元素金属に熱分解されてもよい。

[0052]ある実装形態では、（半）導電層は、５０〜２００ｎｍの厚さで形成された半導体層／構成要素を含んでもよい。そのような実施形態では、半導体層は、１つ又は複数の（ドープされた）ＩＶＡ族元素（例えば、シリコン及び／又はゲルマニウム）、「ＩＩＩ−Ｖ」材料（例えば、ＧａＡｓ）、及び／又は有機若しくは高分子半導体を含んでもよい。例えば、半導体材料又は半導体材料前駆体を堆積させることは、誘電体膜上に液相ＩＶＡ族元素前駆体インクを堆積させることを含むこともあり得る。前駆体インクは一般に、（ａ）不動態化された半導体ナノ粒子、（ｂ）化学式（ＡＨ_ｘ）_ｎの第１周期ＩＶＡ族化合物、但しｎは３〜１２であり、１≦ｘ≦２及びそれぞれのＡは独立してＳｉ又はＧｅである、（ｃ）化学式（ＡＨ_ｘ）_ｍ（ＡＨ_ｙＲ_ｚ−ｙ）_ｐ（ＺＲ’_ｗ）_ｑの第２周期ＩＶＡ族化合物、但し（ｍ＋ｐ＋ｑ）は３〜１２であり、０≦ｘ≦２、０≦（ｙ、ｚ）≦２及び１≦（ｙ＋ｚ）≦２、０≦ｗ≦１、ｐ及びｑの少なくとも１つは、ｐが少なくとも１であるとき（ｚ−ｙ）が少なくとも１であるように、少なくとも１であり、それぞれのＡは独立してＳｉ又はＧｅであり、ＺはＢ、Ｐ又はＡｓであり、Ｒ’はＲ又はＨであり、それぞれのＲは独立してアルキル、アリール、アラルキル、ハロゲン、ＢＨ_ｓＲ”_２−ｓ、ＰＨ_ｓＲ”_２−ｓ、ＡｓＨ_ｓＲ”_２−ｓ、又はＡＨ_ｔＲ”_３−ｔであり、但しｓは０〜２であり、ｔは０〜３であり、Ｒ”はアルキル、アリール、アラルキル、ハロゲン、又はＡＨ_３である、及び／又は（ｄ）組成物を塗布又は印刷し（オプションとして同時又はすぐ後のＵＶ照射とともに）、オリゴシラン及び／又はポリシラン膜を形成し、次いでキュアした後、０．１原子％以下の炭素含有量を有する非晶質水素化半導体膜を形成する、４５０〜約２３００ｇ／ｍｏｌの分子量を有する、本質的に（ｉ）水素並びに（ｉｉ）シリコン及び／又はゲルマニウムから成るオリゴシラン又はポリシランを含んでもよい。代替実施形態では、オリゴシラン又はポリシランは、１０〜１０，０００、１００，０００又は１，０００，０００シリコン及び／又はゲルマニウム原子の鎖長を有してもよい。インク配合物はさらに、上述のナノ粒子及び化合物が溶解できる溶媒を含んでもよい。

[0053]ある実施形態では、（半）導体層は、電気（無電解）めっきプロセスによって形成されてもよい。これらの実施形態では、印刷された金属層（例えば、Ｐｄ）は、他の金属（例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、その他）の無電解堆積又は電気めっきのためのシード層としての及び／又はもしそのように所望するならば金属シリサイドを形成する役割を果たすことができる。導電性金属（例えば、バルク導電性金属）は、金属シード層上に及び／又は金属シリサイド上にめっきされてもよい。結果として生じる構造体は、続いてアニールされて、シリサイドとめっきされた金属との間の電気接触を改善することができる。洗浄及び／又は表面粗化ステップは、誘電体層に適用されてもよく、及び／又は誘電体層は、金属インクを印刷する前にエッチングされて、めっきされる金属の誘電体層への接着を改善してもよい。導電性金属をめっきするステップは、無電解めっきか又は電気めっきを含んでもよい。導電性金属は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、並びにそれらの合金及び／又は混合物を含んでもよい。オプションとして、バルク導電性金属は、さらにアニールされて、１つ又は複数の物理的及び／又は電気的特性を改善してもよい。

[0054]監視／識別デバイスで使用されるコンデンサ（例えば、ＭＯＳコンデンサ回路）の周波数応答を向上させること、及びデバイス内の回路構成に低直列抵抗を提供することは一般に望ましい。これは、高周波数動作（例えば、８．２ＭＨｚ又は１３．５６ＭＨｚを含む、例えば、１２５Ｈｚ以上の範囲内で）を保証する。十分に低い直列抵抗及び／又は周波数応答の向上を達成するために、（半）導電層（例えば、半導体構成要素／層）を形成するために使用される材料は、再結晶化されてもよい。再結晶化プロセスは、導電層／半導体構成要素のキャリア移動度及び／又はドーパント活性化を改善できる。１０ｃｍ^２／ｖｓ以上に近い移動度は、低散逸及び／又は実効高Ｑに必要とされることがある。低散逸は一般に、少なくとも１０^４オーム、好ましくは≧１０^５オーム、最も好ましくは＞１０^６オームの大きな並列抵抗（一般に低漏えい誘電体によって提供される）とともに、低直列抵抗、好ましくは全回路について５オーム未満を必要とする。実効高Ｑは、ＭＨｚ範囲及びそれ以上の周波数での低フィールド及び／又は高読取り範囲動作を提供する。

[0055]本方法のさまざまな実施形態は、ドープされた半導体層（例えば、低濃度又は高濃度ドープの）を印刷することにより（半）導電層／上部コンデンサ平板を形成するステップを含んでもよい。半導体材料を高濃度ドープする、又は別法として、シリサイド化することはまた、ＥＡＳタグＭＯＳコンデンサ回路の周波数応答も向上させ、直列抵抗も減少させる。ドープされた半導体層は、固体又は蒸気ドーパント源から半導体材料内に従来の半導体ドーパントを従来方法で注入すること、ドーパントを拡散させることによって、ドープされた半導体又はＢ若しくはＰ含有（シクロ）シランなどの半導体前駆体を印刷することによって、及び／又はドープされた半導体層若しくはドーパント拡散源層のレーザー前方転写によって形成されてもよい。

[0056]ある場合には、監視／識別デバイスのＣＶ勾配を制御するために、及びまた半導体構成要素の直列抵抗も低減し、それによってより高いＱ及び／又はより高い周波数動作を可能にするために、活性半導体層３０のバルク内に比較的低レベルのドーピング（濃度＜５×１０^１８ｃｍ^−３の電気活性ドーパント原子）を提供することは、望ましいことがある。

[0057]（半）導電層を形成する追加の配合物及び／又は方法は、コンデンサ及び／又は監視／識別デバイスを形成する第２の例となる方法に関して以下で論じられる。以下で述べられる配合物及び技術は、それらが矛盾しない範囲で本明細書の（半）導電層を形成するステップに適用可能である。

第２の誘電体層を形成するステップ
[0058]図３Ａ〜３Ｂ（例となる本方法に従って形成されたコンデンサの断面図及び上面図をそれぞれ示す）を次に参照すると、コンデンサ及び／又は監視及び／又は識別デバイスを製造する本方法はさらに、（半）導電層の少なくとも一部分上に第２の誘電体（例えば、層間誘電体）１３０を堆積させる／形成するステップを含んでもよい。図３Ａで示されるように、第２の誘電体層はまた、導電性基板の部分上に形成されてもよい。一般に、第２の誘電体層は、所望のパターンで形成される。第２の誘電体層は、後で形成されるインダクタと後で形成される導電性特徴要素との間の電気的分離（例えば、漏えい及び静電容量の点から）を提供する。第２の誘電体層は、当技術分野で周知の任意の適切な方法に従って形成されてもよい。

[0059]例えば、一実施形態では、第２の誘電体層１３０は、全デバイスにわたって包括的に堆積され、第２の誘電体層の選択された部分が除去されて（例えば、従来のフォトリソグラフィ及びエッチングによって）、導体層／上部コンデンサ電極１２０の少なくとも一部分及び／又は導電性基板１００の部分を露出するのに十分な複数のコンタクトホール（例えば、図３Ａ〜３Ｂの１３５）を第２の誘電体層１３０内に形成する。第２の誘電体層１３０の包括的堆積は、押出し、ブレード、浸漬、線形、回転若しくは他の塗布技術によって、又は別の方法では、印刷若しくは分注などの局所堆積技術によって行われてもよい。印刷又は分注の場合には、印刷又は分注はまた、第２の誘電体層をパターン形成する目的を果たしてもよい。第２の誘電体層のパターン形成は、誘電体前駆体材料の直接印刷（例えば、インクジェット印刷、スクリーン、グラビア、フレキソ、レーザー前方転写、その他による）又は間接パターン形成（フォトマスク、熱的又はレーザーパターンによって露光され、現像される、光で及び／又は熱でパターン形成可能な前駆体材料を使って、又は従来のフォトリソグラフィ、エンボス加工若しくは同様の技術などのパターン形成プロセスを介して外的になどの）によって行われてもよい。ある実装形態では、エッチングプロセスは、レーザーアブレーション、機械的貫通又は他のエッチング若しくは当技術分野で周知の誘電体除去技術を含んでもよい。

[0060]代替実施形態では、第２の誘電体層は、（半）導電層及び導電性基板を含むがそれに限定されない構造体の１つ又は複数の所定の部分上に選択的に堆積されて、所望のパターンを形成する。好ましい実施形態では、選択的堆積は、本明細書で論じられるさまざまな印刷プロセス及び／又は技術のいずれかを使用して達成されてもよい。特に、ある実装形態では、第２の誘電体層１３０は、（ｉ）（半）導電層１２０（及びオプションとして導電性基板１００）の少なくとも所定の部分上に液相誘電体前駆体インクを印刷すること、及び（ｉｉ）誘電体前駆体／インクを乾燥及び／又はキュアして、第２の誘電体層１３０を形成することによって形成されてもよい。前に述べられたように、液相誘電体前駆体インクは、コンタクトホール（例えば、図３Ａ〜３Ｂの１３５）が形成されて、（半）導電層／上部コンデンサ電極及び／又は導電性基板の一部分を露出するように、構造体上に選択的に印刷されてもよい。

[0061]印刷及び／又は塗布プロセスで使用される液相誘電体前駆体インクは、化学式Ａ_ｎＨ_ｙの化合物、但しｎは３〜１２であり、それぞれのＡは独立してＳｉ又はＧｅであり、ｙはｎから２ｎ＋２の偶数である、及び好ましくは化学式（ＡＨ_ｚ）_ｎの化合物、但しｎは５〜１０であり、それぞれのＡは独立してＳｉ又はＧｅであり、ｚのｎインスタンスのそれぞれは独立して１又は２である、を含んでもよい。対応するシリコン及び／又はゲルマニウム酸化物膜は、酸化雰囲気中で、３００℃、３５０℃又は４００℃以上だが導電性基板１００の融解温度未満の温度で、窒素、アルゴン又はヘリウムなどの不活性搬送気体で希釈されてもよい、酸素、オゾン、Ｎ_２Ｏ、ＮＯ_２、又は他の酸化気体の存在下で、前駆体膜（例えば、ＩＶＡ族元素前駆体膜）をキュアすることによって形成されてもよい。別の方法では、スピンオンガラス、有機誘電体、その他を含む、他の溶液ベースの誘電体が、印刷又は他の従来の塗布ステップによって適用されてもよい。そのような誘電体材料は、例となる監視／識別デバイスに関して以下で詳細に論じられる。

[0062]一般に、誘電体層を形成するための適切な材料は、スピンオンガラス（感光性又は非感光性であってもよく、後者の場合には直接印刷又は堆積後のリソグラフィによってパターン形成されてもよい）、ポリイミド（感光性及び／又は熱レーザーパターン形成のために熱的に増感された、又は直接印刷若しくは堆積後のリソグラフィによってパターン形成するために非感光性であってもよい）、ＢＣＢ又はＳｉＬＫ（登録商標）誘電体材料（ＳＩＬＫは、Ｄｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．、Ｍｉｄｌａｎｄ、ＭＩの登録商標である）などの他の有機誘電体、ゾル−ゲル技術によって形成される低ｋ層間誘電体、プラズマ助長（ＰＥ）テトラエチルオルトケイ酸塩（ＴＥＯＳ）（すなわち、テトラエチルオルトケイ酸塩のプラズマ助長ＣＶＤによって形成されるＳｉＯ_２）、及びポリエチレン（ＰＥ）、ポリエステル、又はＰＥＳ、ポリイミド若しくは後の高温処理に適合する他のものなどのより高い温度のポリマーなどの積層ポリマー膜を含むが、限定されない。第２の誘電体層は、少なくとも１ミクロン、好ましくは２〜２０μｍ、より好ましくは５〜１０μｍの厚さを有してもよい。

導電性パターンを形成するステップ
[0063]図４Ａ〜４Ｂを次に参照すると、導電性特徴要素１４０（例えば、「線」、「パターン」、及び／又は「形状」）が、第２の誘電体層上に形成されて、（半）導電層（上部コンデンサ電極）と導電性基板１００（導電性基板から監視／識別デバイスインダクタ及び下部コンデンサ平板が、図６Ａ〜６Ｂで見られ、以下で論じられるように、続いて形成できる）との間の電気通信を提供する。一般に、導電性特徴要素１４０は、当技術分野で周知の任意の適切な方法によって形成できる。例となる実装形態では、特徴要素は、インクジェット印刷、マイクロスポッティング、ステンシル印刷、スタンピング、シリンジ分注、ポンプ式分注、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、レーザー前方転写、及び／又は局所レーザーＣＶＤなどの印刷プロセスによって形成される。そのような印刷プロセスでは、特徴要素は、第２の誘電体層上に導体インクを選択的に印刷することによって形成されてもよい。他の実施形態では、特徴要素を形成するステップは、誘電体上に導体材料を堆積させるステップ、及び次いで導体材料をエッチングするステップを含む。ある実施形態では、特徴要素を形成するステップはさらに、インダクタ（図６Ａ〜６Ｂで例示され、以下で論じられるように、導電性基板から形成される）の外側コイル及び（半）導電層の近くに相互接続パッドを形成するステップを含んでもよい。

[0064]導電性特徴要素は、さまざまな導電性金属を使用して形成されてもよい。例えば、特徴要素は、アルミニウム、チタン、銅、銀、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケル、金、パラジウム、白金、亜鉛、鉄、ステンレス鋼、又はそれらの任意の合金を含んでもよい。ある実装形態では、特徴要素は本質的に、銀、金銅、アルミニウム、又はそれらの導電性合金から成ってもよい。例となる実施形態では、特徴要素は、導電性基板及び／又は（半）導電層（例えば、コンデンサ電極）と同じ材料を使用して形成されてもよい。しかしながら、本発明は、そのようなものとして限定されず、特徴要素は、導電性基板及び（半）導電層の材料とは異なる材料を含んでもよい。ある実装形態では、ドーパント、シリサイド化成分、又は他の仕事関数調節剤及び／又はトンネル障壁材料が、特徴要素１４０内に含まれてもよい。そのような含有は、直列抵抗を低減し、Ｑ及び監視／識別デバイスの全体的性能を向上することもある。

不動態化
[0065]図５で示されるように、導電性特徴要素１４０を形成後、不動態化層１５０がオプションとして、構造体を覆って形成されてもよい。そのような不動態化層１５０は一般に、特に後の処理（例えば、以下で論じられるように、下部コンデンサ電極及び／又はインダクタ／アンテナを形成するための基板エッチングプロセス）中に、監視／識別デバイスに機械的支持を追加する。さらに、不動態化層を形成することは、デバイス性能の劣化又は周波数ドリフトを引き起こすことがあり得る水、酸素、及び／又は他の種の進入を防止できる。不動態化層１５０は、ポリシロキサン及び／又はシリコン及び／又はアルミニウムの窒化物、酸化物及び／又は酸窒化物などの１つ又は複数の無機障壁層、及び／又はパリレン、フッ素化有機ポリマー（例えば、上で述べられたような）などの１つ又は複数の有機障壁層、又は当技術分野で周知の他の障壁材料で構造体の上側表面を従来方法で被覆することによって形成されてもよい。別法として又は追加として、不動態化層は、下にある誘電体層を含んでもよい。下にある誘電体層は、上にある不動態化層の応力よりも低い応力を有する材料から形成されてもよい。例示するために、下にある誘電体層は、酸化物（例えば、ＳｉＯ_２、ＴＥＯＳ、ドープされないケイ酸塩ガラス［ＵＳＧ］、フルオロケイ酸塩ガラス［ＦＳＧ］、ホウ素リンケイ酸ガラス［ＢＰＳＧ］、その他）を含んでもよく、不動態化層は、窒化シリコン又は酸窒化シリコンを含んでもよい。ある実施形態では、不動態化層は、誘電体層の厚さより少し大きい厚さを有してもよい。

インダクタ及び／又は下側コンデンサ平板を形成するステップ
[0066]図６Ａ〜６Ｂはそれぞれ、導電性基板１００がパターン形成され、エッチングされて、下部コンデンサ電極１０４、及びインダクタ／アンテナ１０６ａ〜１０６ｅを形成した、コンデンサ及び／又は監視／識別デバイスの断面図及び下面図を示す。例となる実施形態では、インダクタを形成するステップは、相互接続及び／又は接触パッド１０２を形成して、特徴要素がインダクタ／アンテナ１０６ａ〜１０６ｅを（半）導電層／上部コンデンサ電極１２０に電気的に接続するための相互接続場所を提供するステップを含む。それ故に、本方法はさらに、電気機能性基板をエッチングするステップを含み、好ましくはそのエッチングは、（半）導電層１２０（例えば、上部コンデンサ電極）に容量結合されるインダクタ及び／又は下部コンデンサ電極（ｉ）を形成する。しかしながら、代替実施形態では、コンデンサ平板１０４及びインダクタ１０６ａ〜１０６ｅ（及び、オプションとして、相互接続パッド１０２）のための金属／合金は、誘電体膜１１２の裏面上に従来方法で堆積され又は印刷されてもよい。

[0067]基板１００（図６Ａ〜６Ｂを参照）は、従来のフォトリソグラフィによって、又は基板１００の裏面（非デバイス側）に適用されたレジスト材料の密着焼き付け若しくはレーザーパターン形成によってパターン形成できる。基板１００は次いで、標準の湿式（例えば、酸性水溶液）又は乾式（例えば、塩素、三塩化ホウ素）エッチングでエッチングされて、下部コンデンサ電極１０４、複数の同心状リング又はコイル（例えば、インダクタ／アンテナ１０６ａ〜１０６ｅ）、並びにオプションとして相互接続及び／又は接触パッド１０２を形成できる。パターン形成及び／又はエッチングステップは、熱的に、光学的に又は電気的に支援されてもよい。基板１００はまた、ミリング、レーザー切断、スタンピング、又はダイ切断などの直接的手段によってパターン形成されてもよい。

[0068]バッキング及び／又は支持層は、後の取扱い及び／又は処理中にデバイス１００の非不動態化側に機械的安定性及び／又は保護を提供するために所望される又は必要とされることもある。それ故に、本製造方法はさらに、エッチングされた電気機能性基板に支持又はバッキングを追加するステップを含んでもよい。このバッキング層は、熱及び／又は接着剤を使用して紙又は柔軟なポリマー材料（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリカーボネート、電気絶縁性ポリイミド、ポリスチレン、それらの共重合体、その他）への積層によって追加されてもよい。バッキングが有機ポリマーを含む場合には、浸漬塗布、押出し塗布又は他の厚膜塗布技術によって液体前駆体からバッキング層を適用することもまた可能である。デバイスに機械的支持を提供することに加えて、支持及び／又はバッキング層はまた、追跡される又は監視されるべき品物への監視／識別デバイスの後の取り付け又は配置のための接着面を提供することもできる。

[0069]本コンデンサ及び／又は監視／識別タグ／デバイスを製造するための第２の例となる方法は、図７Ａ〜１１を参照して以下で詳細に述べられる。第２の方法のステップ及び／又はプロセスのいくつかは、上で述べられた第１の方法のステップ及び／又はプロセスと同じ又は実質的に同様であり、そのようなものとして参照されよう。さらに、矛盾しない第１の方法の実施形態は、本明細書で述べられるように第２の方法に適用されてもよい。

第１の（半）導電層を形成するステップ
[0070]図７Ａ〜７Ｂはそれぞれ、基板上に形成された（半）導電層２１０を有する基板２００の断面図及び上面図を示す。（半）導電層２１０は、当技術分野で周知の任意の種類の基板上に形成されてもよいが、好ましい実施形態では、基板は、絶縁性及び／又はさもなければ電気的に不活性の材料を含む。さまざまな基板は、ガラス（例えば、石英）シート、ウエハー、細片、プラスチック及び／又は金属箔又はスラブ、Ｓｉウエハー、その他を含んでもよいが、限定されず、それらのいずれもが、１つ又は複数の追加層（例えば、バッファー、機械的支持、その他）を含んでもよい。

[0071]適切な電気的に不活性な又は非活動的な基板は、ガラス、セラミック、誘電体及び／又はプラスチックの平板、円板、及び／又はシートを含んでもよい。もし導電性基板が、基板として選択されるならば、基板は、基板と基板上に形成された電気的に活性な層又は構造体との間に絶縁体層を有すべきである。しかしながら、絶縁体層は、絶縁体上の構造体及び／又はデバイスと導電性基板内に形成された構造体との間で電気接触が行われる場所では必要とされない。絶縁体層を必要とする実施形態では、絶縁体層は、約１μｍの厚さを有するスピンオンガラス障壁層を含んでもよい。ある実装形態では、ガラス及びプラスチック基板はさらに、基板上に平坦化層を含んで、基板の表面粗さを低減してもよい。表面エネルギー変更層上に、及び／又は表面エネルギー変更層上の障壁層上に印刷される又はさもなければ堆積される後の材料（例えば、印刷可能なインク）の接着を改善する及び／又は広がりを制御する材料の表面エネルギー変更層を形成することは、有利なこともある。

[0072]ある実施形態では、第１の（半）導電層（例えば、下部コンデンサ電極）は、基板上に導体インク（例えば、金属インク又は金属前駆体インク）を塗布する、印刷する、又はさもなければ堆積させることによって形成されてもよい。好ましくは、第１の（半）導電層は、印刷によって形成される。代替実施形態では、第１の（半）導電層は、ナノ粒子及び／又は化合物ベースの金属インク（例えば、ＰｄＣｌ_２含有インク）を使用して金属（例えば、Ｐｄ）のシード層をめっきする（例えば、印刷する及び／又はレーザー書き込みする）ことによって形成されてもよい。バルク導体（例えば、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、その他）が次いで、金属シード層上に無電解又は電気めっきによって選択的に堆積されてもよい。ＰｄＣｌ_２含有インクに加えて、コバルト、ニッケル、白金、パラジウム、チタン、タングステン又はモリブデン（特にパラジウム）を含む金属ナノ粒子が、シード層にとって好ましい。

[0073]他の実施形態では、導体インクは、基板上に金属含有材料を含むインクを回転塗布し、次いで金属、有機金属前駆体（複数可）及び／又は金属ナノ粒子をキュアする又はアニールすることによって包括的に堆積されて、第１の（半）導電層を形成してもよい。そのような実施形態では、形成された金属層は、レーザーパターン形成されて、所望の構造体を形成してもよい。例となる導電性インク／前駆体インクは、例となる監視／識別デバイスに関して以下で述べられる（例えば、下部及び／又は上部コンデンサ電極を形成するステップを参照）。

[0074]例となる実施形態では、印刷は、インクジェット印刷、マイクロスポッティング、ステンシル印刷、スタンピング、シリンジ分注、ポンプ式分注、スクリーン印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、フレキソ印刷、レーザー前方転写、又は局所レーザーＣＶＤを含む。

[0075]好ましい実施形態では、金属／導体インクは、インクジェット印刷によって選択的に堆積される。そのような実施形態では、導体インク（例えば、シラン又はＩＶＡ族元素前駆体を含む）は、選択的に印刷されて、所望のパターンを形成し、次いで続けて、シラン又はＩＶＡ族元素前駆体を架橋させ、オリゴマー化させ、及び／又は重合させるのに、及び／又は平均分子量を増加させ、粘度を増加させ及び／又は組成物の揮発度を低減するのに十分な時間にわたって乾燥され、キュアされてもよい（例えば、加熱及び／又はアニールによって）。結果として生じる半導体膜パターンは、部分的に又は実質的に完全に結晶化されて、多結晶（例えば、ポリシリコン）膜を形成することができる。好ましい実施形態では、（半）導電層は、低濃度又は高濃度にドープされる（例えば、ｎドープシラン）導体（例えば、半導体）インクを印刷することによって形成されてもよい。

[0076]本質的にＩＶＡ族元素源（例えば、Ｓｉ又はドープＳｉを目的とするシラン及び／又はナノ粒子ベース前駆体）を含む又はそれから成るインクを使用するさまざまな実施形態では、（半）導電層（例えば、下部コンデンサ電極）を形成するステップはさらに、印刷後に液相前駆体インクを乾燥する及びキュアする（例えば、加熱する）ステップを含んでもよい。

[0077]ある実装形態では、導体（例えば、金属／金属前駆体）インクは、印刷ステップ後に乾燥され、キュアされてもよい。乾燥プロセスは、導体インク配合物内の溶媒及び／又は他の添加物を除去するのに役立つこともある。しかしながら、ある添加物は、導体インクがどんな残留添加物も実質的に完全に除去するのに十分な条件下で加熱される又はアニールされるまで、完全には除去されないこともある。導体インクがドープされた配合物を含むとき、キュア／加熱ステップはまた、ドーパントの一部を活性化することもある。しかしながら、ドーパント活性化は、後の結晶化ステップ（例えば、レーザー照射及び／又は熱アニールによる）中の方がより生じそうでもある。

[0078]（半）導電層を形成する追加の配合物及び／又は方法は、第１の例となる方法に関して上で論じられる。上で述べられた配合物及び技術は一般に、それらが矛盾しない範囲で第２の例となる方法の第１の（半）導電層を形成するステップに適用できる。

第１の誘電体層及び上部コンデンサ電極を形成するステップ
[0079]図８を次に参照すると、第１の誘電体層２２０（例えば、コンデンサ誘電体層）は、第１の（半）導電層２１０（例えば、下部コンデンサ電極）上に形成される。コンデンサ誘電体層２２０は、第１の例となる方法に関して上で述べられた方法及び／又は技術のいずれかを使用して形成されてもよい。好ましい実施形態では、第１の誘電体層は、本明細書で述べられる印刷方法のいずれかを使用して印刷される。

[0080]図９Ａ〜９Ｂは、上部コンデンサ電極２３０が第１の（例えば、コンデンサ）誘電体層２２０上に形成される後のコンデンサの断面図及び上面図をそれぞれ示す。一般に、上部電極は、コンデンサ誘電体層２２０の一部分が露出されたままであるように形成される。上部電極２３０は、（半）導電層及び／又は構造体を形成するステップに関して本明細書で論じられる堆積配合物、方法及び／又は技術のいずれかを使用して形成されてもよい。好ましい実施形態では、上部電極２３０は、コンデンサ誘電体２２０上に選択的に印刷される、又は別法として上部コンデンサ電極は、印刷／塗布され、次いで続いてエッチングされてもよい。上部電極２３０は、第１の（半）導電層２１０を形成するために使用されるのと同じ導電性材料から形成されてもよく、又は別の方法では、２つの（半）導電層（下部及び上部コンデンサ電極、それぞれ２１０及び２３０）は、異なる導電性材料から形成されてもよい。

第２の誘電体層を形成するステップ
[0081]図１０で示されるように、第２の誘電体層２４０は、基板２００上に形成される。第２の例となる方法では、第２の誘電体層２４０は、第１の（半）導電層２１０を露出する第１のコンタクトホール２１５、及び上部コンデンサ電極２３０を露出する第２のコンタクトホール２３５を有する。第２の誘電体層２４０は、本明細書で述べられるように、包括的堆積技術によって形成されてもよく、次いでコンタクトホール２１５／２３５は、本明細書でまた述べられるエッチング技術を使用して形成されてもよい。別の方法では、第２の誘電体層２４０は、第１の（半）導電層（下部コンデンサ電極）及び上部コンデンサ電極の部分が露出されるように、本明細書で述べられる印刷技術のいずれかを使用して選択的に印刷できる。ある実施形態では、第２の誘電体層は、選択的に印刷されて、第２の誘電体層中に第１及び第２のコンタクトホールを含んでもよく、誘電体層は、続いてエッチングされて、コンタクトホールを所望通りに広げてもよい。

[0082]第２の誘電体層は、ドープされる又はドープされなくてもよい。ドープ誘電体層（例えば、２４０）を印刷するための適切なインクは、リン及び酸素（シリコン、炭素、水素、及び／又は窒素をさらに含んでもよい）、ホウ素（シリコン、炭素、水素、酸素、及び／又は窒素をさらに含んでもよい）、ヒ素及び／又はアンチモン（そのどちらかは、シリコン、炭素、水素、及び／又は酸素をさらに含んでもよい）などのドーパント及び／又は誘電体前駆体原子を含有する化合物及び／又はポリマーを、オプションとして適切な溶媒内に含む。例となる実施形態では、誘電体インク組成は、（ｉ）１〜６５重量％の量の誘電体前駆体、並びに次の成分、（ｉｉ）配合物の１０〜９０重量％の量の低揮発度溶媒、（ｉｉｉ）配合物の１０〜９０重量％の量の高揮発度溶媒、及び（ｉｖ）配合物の約０．０１〜１％（好ましくは、約０．１％〜０．７５％）の量の界面活性剤、の少なくとも２つを含んでもよい。インク組成は一般に、２５ダイン／ｃｍより大きい表面張力及び少なくとも４ｃＰの粘度を有する。誘電体インク組成はさらに、ホウ素、リン、ヒ素、及びアンチモンから成る群から選択されるドーパントを、誘電体前駆体内のシリコン及び金属元素に対して１〜３０原子％（好ましくは４〜２０原子％）のドーパント元素を提供する量で含んでもよい。界面活性剤は、例えば、アクリル、ビニル、シリコーン、ポリシロキサン、ジメチコーン、非イオン性、陽イオン性、陰イオン性、及び／又は両性イオン性界面活性剤を含んでもよい。高揮発度溶媒は、例えば、Ｃ_１〜Ｃ_４アルコール［メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール］、Ｃ_１〜Ｃ_４アルカン酸のＣ_１〜Ｃ_４アルキルエステル［酢酸エチル］、Ｃ_４〜Ｃ_８エーテル［ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、メチルｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン］、Ｃ_３〜Ｃ_６ケトン［アセトン、メチルエチルケトン、メチルｔ−ブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン］、それらの混合物、その他から選択されてもよい。低揮発度溶媒は好ましくは、Ｃ_５〜Ｃ_１２アルコール（例えば、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、オクタノール、デカノール、ドデカノール）、２〜４酸素原子を含むＣ_４〜Ｃ_１２エーテルアルコール（ブチルカルビトール、テトラヒドロフルフリルアルコール、及びジプロピレングリコールブチルエーテル）、ポリエーテル、メチコーン溶媒、２Ｃ_１〜Ｃ_４アルキル基まで含有するＣ_１〜Ｃ_４アルカン酸のアミド（ホルムアミド、ジメチルホルムアミド）、Ｃ_２〜Ｃ_４スルホキシド［例えば、ジメチルスルホキシド］、Ｃ_２〜Ｃ_１０水酸化アルカン酸の環状エステル及びジエステル［例えば、ブチロラクトン］、及びそれらの混合物などの、１つ又は複数の比較的有極性の、比較的高沸点の溶媒を含む。さらなる実施形態では、インク組成はさらに、インク組成の約０．１重量％〜１０重量％（例えば、１〜５重量％又はその中の値の任意の他の範囲）の量の水を含んでもよい。

インダクタ及び／又は監視／識別デバイスを形成するステップ
[0083]図１１で示されるように、第２の例となる方法に従って形成される上述のコンデンサ２５０は、インダクタ及び／又はアンテナ３００／３１０に結合／電気的に接続されて、監視及び／又は識別タグ若しくはデバイスを形成することができる。アンテナ及び／又はインダクタは、アンテナ、インダクタ、又は両方を備えてもよい。特に、インダクタ／アンテナの第１の相互接続／接触パッド３１２（「外側の接触パッド」）は、上部コンデンサ電極２３０が第２の誘電体層内のコンタクトホール２３５によって露出されるところで上部コンデンサ電極２３０と電気的に接触する。同様に、インダクタ／アンテナの第２の相互接続／接触パッド３１４（「内側接触パッド」）は、第１の（半）導電層２１０（例えば、下部コンデンサ電極）が第２の誘電体層内のコンタクトホール２１５によって露出されるところで第１の（半）導電層２１０（例えば、下部コンデンサ電極）と電気的に接触する。相互接続／接触パッド３１２及び３１４は、金属バンプ又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を備えてもよい。

[0084]インダクタは、当技術分野で一般に周知の方法を使用して形成されてもよい。例えば、インダクタは、包括的堆積、フォトリソグラフィ法によるマスク形成、並びにエッチング及び／又は切断プロセスによって第２の基板上に形成されてもよい。別法として又は追加として、インダクタ／アンテナは、本明細書で論じられる印刷技術のいずれかを使用して形成されてもよい。一般に、アンテナ及び／又はインダクタは、金属を含む。金属は、箔などの市販のもの（例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、銅、又はそれらの合金）であってもよい。インダクタ／アンテナは、第２の基板３００上に形成され、次いで続いてコンデンサ２５０に取り付けられてもよい。

[0085]取り付けプロセスは、糊付けなどのさまざまな物理的接着技術、並びにワイヤボンディング、異方性導電エポキシ接着、超音波法、バンプ接着又はフリップチップ手法を介した電気的相互接続（複数可）の構築を含んでもよい。この取り付けプロセスは、熱、時間、摩擦若しくは超音波エネルギー（例えば、インダクタ及びコンデンサ電極の接触パッド間で）、及び／又はＵＶ照射の使用をしばしば含む。一般に、２００℃未満（例えば、１５０℃未満、９０〜１２０℃、又はその中の値の任意の他の範囲）の温度が、適切な取り付けに必要とされる。代替実施形態では、コンデンサは、インダクタ及び／又はアンテナ（例えば、平面らせん状インダクタ）を含む基板上に直接印刷されてもよい。

[0086]例となる実施形態では、インダクタ／アンテナは、連続的な構造体として形成される。しかしながら、アンテナ及びインダクタの両方を備えるある実施形態では、インダクタは、同調インダクタとして機能してもよい（例えば、米国特許第７，２８６，０５３号明細書を参照）。そのような実施形態では、インダクタは、連続的でなくてもよく、代わりに１つのコンデンサ電極に結合される第１の（外側）インダクタ及び第２のコンデンサ電極に結合される第２の（内側）インダクタを備えてもよい。本方法はさらに、当技術分野で周知の、及び第１の例となる方法に関して本明細書で論じられるような方法を使用して、インダクタの表面上に支持及び／又はバッキング材料を形成するステップを含んでもよい。

[0087]多くの他の実施形態が、当業者には明らかであろうことは注意されるべきである。それ故に、本発明は、本明細書で述べられる実施形態に限定されない。例えば、構造体は、上で開示されたステップの順番を使用するよりはむしろ、反転される、横方向に形成される、その他でもよい。

例となる監視及び／又は識別デバイス
[0088]本発明の第２の態様は、監視及び／又は識別デバイスに関する。第１の一般的な実施形態は、図６Ａ〜６Ｂで示され、（ａ）下部コンデンサ電極及びインダクタを備える単一導電性構造体と、（ｂ）下部コンデンサ電極及びインダクタ上の第１の誘電体層と、（ｃ）第１の誘電体層上のドーム形プロファイルを有する上部コンデンサ電極と、（ｄ）上部コンデンサ電極及び導電性構造体上の第２の誘電体層と、（ｅ）第２の誘電体層上の導電性特徴要素とを具備し、導電性特徴要素の１つの部分は上部コンデンサ電極と接触し、導電性特徴要素の第２の部分は導電性材料と接触する。一般に、単一導電性構造体は、第１の例となる方法に関して上で述べられたように、半導体構造体が導電性基板上に形成され、下部コンデンサ電極及びインダクタ／アンテナが続いて導電性基板から形成される、導電性基板を構成してもよい。オプションとして、構造体はさらに、基板上に不動態化層を備えてもよい。

[0089]第２の一般的な実施形態は、図１１で示され、（ａ）基板上のドーム形プロファイルを有する下部コンデンサ電極と、（ｂ）下部コンデンサ電極上の第１の誘電体層と、（ｃ）第１の誘電体層上の上部コンデンサ電極と、（ｄ）下部コンデンサ電極及び上部コンデンサ電極を露出する第１及び第２のコンタクトホールを第２の誘電体層中に有する、基板上のドーム形プロファイルを有する第２の誘電体層と、（ｅ）下部コンデンサ電極に結合される及び／又は接続される第１の端部並びに上部コンデンサ電極に結合される及び／又は接続される第２の端部を有するアンテナ及び／又はインダクタとを備える。本明細書で述べられるさまざまな実施形態では、監視及び／又は識別デバイスは好ましくは、ＥＡＳ、ＲＦ、及び／又はＲＦＩＤタグ又はデバイスを備える。

基板
[0090]一般に、基板は、当技術分野で周知の任意の適切な基板を含んでもよく、上述の方法のどれがデバイスを作るために使用されるかに大きく依存する。例えば、第１の例となるデバイス（第１の例となる方法に従って製造され、図６Ａ〜６Ｂに対応する）は一般に、下部コンデンサ電極１０４及びインダクタ／アンテナ１０６ａ〜１０６ｅが形成できる、単一導電性構造体／基板を備える。好ましくは、単一導電性構造体（例えば、基板）は、金属膜、金属箔、又は金属シートを含む。例となる金属構造体／基板は、アルミニウム、チタン、銅、銀、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケル、金、パラジウム、白金、亜鉛、鉄、鋼（例えば、ステンレス）、又はそれらの任意の合金を含む。金属箔などの単一導電性材料の利点は、米国特許第７，２８６，０５３号明細書で論じられる。

[0091]さまざまな実施形態では、ドープされたポリチオフェン、ポリイミド、ポリアセチレン、ポリシクロブタジエン及びポリシクロオクタテトラエンなどの導電性ポリマー、窒化チタン、窒化タンタル、酸化インジウムスズ、その他などの導電性無機化合物膜、及び／又はドープシリコン、ドープゲルマニウム、ドープシリコン−ゲルマニウム、ドープヒ化ガリウム、ドープ（自動ドープを含む）酸化亜鉛、硫化亜鉛、その他などのドープ半導体を含む、他の導電性材料が使用されてもよい。さまざまな実施形態では、導電性基板に使用されるための金属／合金は、薄い銅シート若しくは箔上に堆積された（例えば、スパッタリング又はＣＶＤによって）アルミニウム、タンタル若しくはジルコニウム、又は薄いアルミニウムシート若しくは箔上に堆積された（例えば、電気めっきによって）銅などの多層構造体を備えてもよい。しかしながら、好ましい実施形態では、導電性基板は本質的に、アルミニウムを含む又はそれから成る。

[0092]第２の例となるデバイス（第２の例となる方法に従って製造され、図１１に対応する）を次に参照すると、基板は、当技術分野で周知の任意の種類の適切な基板材料（例えば、ガラスシート、ウエハー、細片、プラスチック、及び／又は金属箔若しくはスラブ、Ｓｉウエハー、その他）を含んでもよい。しかしながら、好ましい実施形態では、この例となる実施形態での基板は、絶縁性及び／又はさもなければ電気的に不活性な材料を含む。例えば、適切な電気的に不活性な又は非活動的な基板は、ガラス（例えば、石英）、セラミック、誘電体及び／又はプラスチックの平板、円板、及び／又はシートを含んでもよい。導電性基板（例えば、金属箔、又は本明細書で述べられる導電性基板のいずれか）を備える実施形態では、基板はさらに、基板と基板上に後で形成される電気的に活性な構造体との間に絶縁体層を備えるべきである。例えば、絶縁体層は、約１μｍの厚さを有するスピンオンガラス障壁層を含んでもよい。

[0093]ガラス及び／又はプラスチック基板を備える実装形態では、基板はさらに、その上に平坦化層を備えて、基板の表面粗さを低減してもよい。一般に、基板及び／又は導電性単一材料は、厚さ５〜２００μｍ（好ましくは２０〜１００μｍ）の公称厚さを有し、導電性基板を利用する実施形態では、０．１〜１０マイクロオーム−ｃｍ（好ましくは０．５〜５マイクロオーム−ｃｍ、及び一実施形態では約３マイクロオーム−ｃｍ）の抵抗率を有する。

下部及び上部コンデンサ電極
[0094]一般に、下部コンデンサ電極は、第１の金属を含み、（１）導電性基板から形成され、それ故に例となる導電性基板に関して上で論じられた導電性材料（例えば、金属シート、金属箔、その他）の１つを含む、又は（２）基板上に堆積され、任意の適切な導電性材料（例えば、金属／導体インク、金属前駆体インク、シード／バルク金属、半導体インク、その他）を含む。上部コンデンサ電極は、誘電体層上に印刷され又はさもなければ堆積され、本明細書で述べられる任意の適切な導電性材料を含む。上部コンデンサ電極は一般に、第２の金属を含み、第２の金属は第１の金属と同じであってもよく、又は第２の金属は下部コンデンサ電極の第１の金属とは異なる金属を含んでもよい。好ましくは、コンデンサ電極の少なくとも１つ（例えば、上部電極、下部電極、又は両方）は、ドーム形プロファイルを有する。

[0095]コンデンサ電極の長さに沿った断面プロファイルは、コンデンサ電極の長さの少なくとも一部分に沿って、理想的には、コンデンサ電極の全体の幅及び長さに沿って実質的にドーム形であってもよい。しかしながら、別法として、コンデンサ電極は、コンデンサ電極の長さの一部分に沿って実質的にドーム形であってもよい。一実施形態では、コンデンサ電極の最大高さＨは、電極の幅Ｗよりも小さい。典型的には、電極の最大高さは、電極の幅よりも少なくとも一桁又は二桁小さい。

[0096]印刷によって得られる理想的な構造体（例えば、ドーム形コンデンサ電極）の断面プロファイルは、水平（ｘ）寸法の関数として断面の上側表面に沿った各点でのタンジェントの値によって数学的に定義されてもよい。ドーム形プロファイルの表面での曲線を表す関数は、連続的であり、連続関数である一次導関数（例えば、ｄｙ／ｄｘ）及び二次導関数（例えば、ｄ^２ｙ／ｄｘ^２）の両方を有するはずである。そのような表面は、本発明の実施形態に対する理想的なプロファイルに従って「滑らかである」及び／又は「湾曲している」と考えられてもよい。

[0097]もし特徴要素（例えば、電極）の最大高さにおける水平点が、Ｘ_０（オプションとして滑らかな又はドーム形プロファイルの水平中間点であってもよい）によって表されるならば、変数ｘ_ｉは、Ｘ_０よりも小さい水平値を表し（すなわち、０≦ｘ_ｉ＜Ｘ_０）、変数ｘ_ｉｉは、Ｘ_０よりも大きい水平値を表し（すなわち、Ｘ_０＜ｘ_ｉｉ≦Ｗ、但しＷは印刷された特徴要素の断面幅である）、ｘ_ｉの任意の値におけるタンジェントは、ｄｙ／ｄｘ_ｉによって与えられ、Ｘ_０におけるタンジェントは、ｄｙ／ｄＸ_０によって与えられる。ドーム形プロファイルは、本質的にｘ_ｉの任意の値に対してｄｙ／ｄｘ_ｉ＞ｄｙ／ｄＸ_０によって定義でき、但しｄｙ／ｄｘ_ｉは、ｘ_ｉのそれぞれの連続する、増加する値において減少する（絶えず又は実質的に絶えず）。ｘ_ｉｉの任意の値におけるタンジェントは、ｄｙ／ｄｘ_ｉｉによって与えられる。ドーム形プロファイルはまた、ｘ_ｉｉの任意の値に対してｄｙ／ｄｘ_ｉｉ＜ｄｙ／ｄＸ_０によっても定義でき、但しｄｙ／ｄｘ_ｉｉは、ｘ_ｉｉのそれぞれの連続する、増加する値において減少する（絶えず又は実質的に絶えず）。例えば、ｘ_ｉ及びｘ_ｉｉの複数の値（例えば、少なくとも５、１０、１５、２５、その他から１０^２、１０^３、１０^４、又はそれ以上の程度まで）におけるタンジェントが、決定されてもよく、断面プロファイルのグラフが、タンジェントからプロットされてもよい。ｘ_ｉ及びｘ_ｉｉの本質的に任意の数の選択値に対して、ｄｙ／ｄｘ_ｉ及びｄｙ／ｄｘ_ｉｉは、この段落での数学的記述を満足するはずである。

[0098]前で論じられたように、ある実装形態では、下部コンデンサは、導電性基板（例えば、導電性単一材料）から形成され、アルミニウム、チタン、銅、銀、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケル、金、パラジウム、白金、亜鉛、鉄、鋼、ステンレス鋼、又はそれらの合金を含んでもよい。なお、他の実装形態では、下部コンデンサ層は、ドープされたポリチオフェン、ポリイミド、ポリアセチレン、ポリシクロブタジエン及びポリシクロオクタテトラエンなどの導電性ポリマー、窒化チタン、窒化タンタル、酸化インジウムスズ、その他などの導電性無機化合物膜、及び／又はドープシリコン、ドープゲルマニウム、ドープシリコン−ゲルマニウム、ドープヒ化ガリウム、ドープ（自動ドープを含む）酸化亜鉛、硫化亜鉛、その他などのドープ半導体を含んでもよい。さまざまな実施形態では、導電性基板に使用されるための金属／合金は、薄い銅シート若しくは箔上に堆積された（例えば、スパッタリング又はＣＶＤによって）アルミニウム、タンタル若しくはジルコニウム、又は薄いアルミニウムシート若しくは箔上に堆積された（例えば、電気めっきによって）銅などの多層構造を備えてもよい。好ましくは、導電性基板／単一材料は、アルミニウムを含む。

[0099]さまざまな実装形態では、導体インクは、塗布及び／又は印刷ステップで使用されて、下部及び上部コンデンサ電極を形成する。そのような導体インクは、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、モリブデン、タングステン、鉄、ニッケル、パラジウム、白金、銅、亜鉛、銀、金、その他などの元素金属の前駆体を含んでもよい。好ましい実施形態では、金属は、Ｐｄである。加えて、又は別法として、導体インクは、アルミニウム−銅合金、アルミニウム−シリコン合金、アルミニウム−銅−シリコン合金、チタン−タングステン合金、Ｍｏ−Ｗ合金、アルミニウム−チタン合金、その他などの、そのような元素金属の従来の合金を含んでもよい。他の実装形態では、元素金属の窒化物及びケイ化物（例えば、窒化チタン、ケイ化チタン、窒化タンタル、ケイ化コバルト、ケイ化モリブデン、ケイ化タングステン、ケイ化白金、その他）などの導電性金属化合物が、導体インク配合物で使用されてもよい。他の実装形態では、金属／導体インクは、金属ナノ粒子、有機金属化合物、及び金属塩から成る群から選択される１つ又は複数の金属前駆体を、金属前駆体（複数可）が溶解できる溶媒内に含む。

[0100]好ましい実施形態では、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケル、パラジウム、白金、及びそれらの従来の金属合金（例えば、アルミニウム−銅合金、アルミニウム−シリコン合金、アルミニウム−銅−シリコン合金、アルミニウム−チタン合金、チタン−タングステン合金、Ｍｏ−Ｗ合金、その他）などの、導体インクの金属は、高温処理に耐えることができる。好ましくは、金属合金は、元素金属の窒化物及びケイ化物（例えば、窒化チタン、ケイ化チタン、窒化タンタル、ケイ化コバルト、ケイ化モリブデン、ケイ化タングステン、窒化タングステン、窒化タングステンシリコン、ケイ化白金、その他）などの導電性金属化合物を含む。

[0101]ある実装形態では、（半）導電層（例えば、下部及び／又は上部コンデンサ電極）のためのインク前駆体は、シリコン、ケイ化物形成金属、耐熱金属、又はそれらの組合せのナノ粒子及び／又は分子、オリゴマー及び／又は高分子化合物を含む。そのようなケイ化物形成金属は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｗ、及び／又はＭｏを含んでもよく、そのような耐熱金属は、Ｐｄ、Ｍｏ、及び／又はＷを含んでもよい。インク配合物内のナノ粒子又はナノ結晶は、不動態化されてもよく又はされなくてもよい。

[0102]ある実施形態では、インク配合物は本質的に、１つ又は複数の４、５、６、７、８、９、１０、１１、又は１２族金属塩（複数可）及び／又は金属錯体（複数可）、配合物の塗布及び／又は印刷を容易にするように構成される１つ又は複数の溶媒から成ってもよい。オプションとして、配合物は、金属塩又は金属錯体の元素金属又はそれの合金への還元時に気体状又は揮発性副生成物を形成する１つ又は複数の添加物を含んでもよい。さらなる実施形態では、インク配合物はさらに本質的に、溶媒内での金属塩又は金属錯体の溶解を容易にするように構成される陰イオン源から成ってもよい（又は添加物が、陰イオン源を含んでもよい）。そのような実施形態では、４、５、６、７、８、９、１０、１１、又は１２族金属塩は、パラジウム、ニッケル、コバルト、又は白金の塩を含む。

[0103]溶媒（複数可）は、水、有機溶媒、有機溶媒の混合物、又は１つ若しくは複数の有機溶媒及び水の混合物を含んでもよい。しかしながら、さらなる実施形態では、配合物は、実質的に無水性であってもよい。そのような無水性配合物では、水（最初に存在する範囲で）は、除去され又は最小限にされ、その場合には水は一般に、追加されない（もし所望ならば、例えば製造及び／又は出荷後だが、印刷前の濃縮インクを希釈するために、水が追加されることがあり得るけれども）。そのようなインク配合物は一般に、２％未満の水（例えば、１％未満の水、０．５％未満の水、又は２％未満の任意の他の量）を含む。ある実施形態では、印刷された金属層（例えば、Ｐｄ）は、他のバルク導電性金属の無電解堆積又は電気めっきのためのシード層としての及び／又はもしそのように所望するならば金属ケイ化物を形成する役割を果たすことができる。これらの実施形態では、金属のシード層を形成するために使用されるインクは、ＰｄＣｌ_２含有インクなどのナノ粒子及び／又は化合物ベースの金属インクであってもよい。他の実施形態では、シード層は、コバルト、ニッケル、白金、パラジウム、チタン、タングステン又はモリブデンを含む金属ナノ粒子を含んでもよい。しかしながら、好ましい実施形態では、シード層は、パラジウムを含む。そのような実施形態での導電性バルク金属は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｒｈ、並びにそれらの合金及び／又は混合物を含んでもよい。

[0104]例となる実装形態では、導体インクは、半導体を含む。さまざまな実施形態では、半導体は、低濃度か又は高濃度でドープされてもよい。シリコン又はシリコン−ゲルマニウムの場合には、ドーパントは、ホウ素、リン及びヒ素から成る群から、典型的には従来の濃度（例えば、低濃度又は高濃度、及び／又は１０^１３〜１０^１５、１０^１５〜１０^１７、１０^１６〜１０^１８、１０^１７〜１０^１９、１０^１９〜１０^２１原子／ｃｍ^２若しくはその中の値の任意の範囲）で選択されてもよい。適切な半導体インクは、液相（ポリ）及び／又は（シクロ）シランを含む。液相半導体インクはさらに、半導体ナノ粒子（不動態化されたＳｉ、Ｇｅ、又はＳｉＧｅナノ粒子などの）及び／又は溶媒（例えば、シクロアルカン）を含んでもよい。そのような配合物のナノ粒子、又はナノ結晶は、１つ又は複数の界面活性剤又は表面配位子（アルキル、アラルキル、アルコール、アルコキシ、メルカプタン、アルキルチオ、カルボン酸及び／又はカルボン酸塩基などの）を使って従来方法で不動態化されてもよい。別の方法では、ナノ粒子／ナノ結晶は、不動態化されなくてもよい。

[0105]他の実施形態では、半導体インクは、１つ又は複数の半導体化合物（例えば、ＳｉＧｅ又はＳｉＣなどの（ドープされた）ＩＶ族化合物、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｂ化合物、ＺｎＯ及びＺｎＳなどのカルコゲナイド半導体、有機半導体、その他）、及び／又は１つ又は複数の半導体ナノ粒子（例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｉＧｅ、その他）を、ナノ粒子／化合物が溶解できる又は懸濁できる溶剤（例えば、１つ又は複数のハロゲンで置換されてもよいＣ_６〜Ｃ_２０分岐又は非分岐アルカン、Ｃ_６〜Ｃ_２０分岐又は非分岐アルケン、１つ又は複数のハロゲンで置換されたＣ_２〜Ｃ_６分岐又は非分岐アルケン、シクロヘキサン、シクロオクタン又はデカリンなどのＣ_５〜Ｃ_２０シクロアルカン、トルエン、キシレン、テトラリンなどのＣ_６〜Ｃ_１０芳香族溶剤、全部で少なくとも４炭素原子を有するジ−Ｃ_１〜Ｃ_１０アルキルエーテル、及び／又はテトラヒドロフラン又はジオキサンなどのＣ_４〜Ｃ_１０環状アルキルエーテル、その他）とともに含んでもよい。インク配合物はまた、表面張力低減剤、界面活性剤、結合剤及び／又は増粘剤を含んでもよい。しかしながら、そのような添加物又は薬剤は、省略されてもよい。

[0106]本監視及び／又は識別デバイスでは、下部コンデンサ電極は、５〜２００μｍ（好ましくは２０〜１００μｍ）の公称厚さ及び／又は０．１〜１０マイクロオーム−ｃｍ（好ましくは０．５〜５マイクロオーム−ｃｍ、及び一実施形態では約３マイクロオーム−ｃｍ）の抵抗率を有してもよい。下部コンデンサは、実質的にデバイス電極の中央に置かれるが（例えば、図６Ａの１０４及び図７Ａの２１０を参照）、下部コンデンサは、設計上の選択及び／又は好みに従って、デバイスの任意の領域に置かれてもよい。また、下部コンデンサ電極（例えば、１０４及び／又は２１０）は、円形、正方形、長方形、三角形、その他などの、及び監視／識別デバイスの中及び／又は上に下部コンデンサ電極が適合することを可能にするほとんど任意の寸法を持つ、任意の所望の形状を有してもよい。好ましくは、下部コンデンサ電極（例えば、１０４及び／又は２１０）は、厚さが実質的に他の寸法（複数可）未満である、（ｉ）幅、長さ及び厚さ、又は（ｉｉ）半径及び厚さの寸法を有する。例えば、下部コンデンサ電極（１０４及び／又は２１０）は、２５〜１０，０００μｍ（好ましくは５０〜５，０００μｍ、１００〜２，５００μｍ、又はその中の値の任意の範囲）の半径、又は５０〜２０，０００μｍ、１００〜１０，０００μｍ、２５０〜５，０００μｍ、若しくはその中の値の任意の範囲の幅及び／又は長さを有してもよい。

[0107]ある実施形態では、上部コンデンサ電極１２０は、図６Ａで示されるように、上部コンデンサ電極１２０が誘電体層１１２を完全に覆うように、第１の誘電体層１１２の直上に形成されてもよい。代替実施形態では、上部コンデンサ電極２３０が第１の誘電体層２２０を完全には覆わず、それ故に第１の誘電体層２２０の１つ又は複数の部分が露出されるように、上部コンデンサ電極２３０が形成されてもよい（例えば、図９Ａ〜９Ｂを参照）。

[0108]下部コンデンサ電極と同様に、上部コンデンサ電極はまた、円形、正方形、長方形、三角形、その他などの、及び監視／識別デバイスの中及び／又は上に上部コンデンサ電極が適合することを可能にするほとんど任意の寸法を持つ、任意の所望の形状を有してもよい。好ましい実施形態では、上部コンデンサ電極１２０は、ドーム形プロファイルを有する。例となる実施形態では、上部コンデンサ電極（例えば、１２０及び／又は２３０）は、厚さが実質的に他の寸法（複数可）未満である、（ｉ）幅、長さ及び厚さ、又は（ｉｉ）半径及び厚さの寸法を有する。例えば、上部コンデンサ電極１２０及び／又は２３０は、２０〜１０，０００μｍ（好ましくは４０〜５，０００μｍ、８０〜２，５００μｍ、又はその中の値の任意の範囲）の半径、又は４０〜２０，０００μｍ、８０〜１０，０００μｍ、１５０〜５，０００μｍ、若しくはその中の値の任意の範囲の幅及び／又は長さを有してもよい。

インダクタ及び／又はアンテナ
[0109]基板と同様に、インダクタ及び／又はアンテナのさまざまな特性のいくつかは、上述の方法のどれがデバイスを作るために使用されるかに大きく依存する。しかしながら、一般に、アンテナ及び／又はインダクタは、金属を含む。金属は、市販のもの（例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、銅、又はそれらの任意の合金を含む箔）でもよい。インダクタ／アンテナが導電性基板／単一導電性材料から形成される実施形態では、インダクタは、基板及び／又は下部コンデンサ平板と同じ材料を含む。しかしながら、インダクタ／アンテナは一般に、本明細書で述べられる金属のいずれかを含んでもよい。代替実施形態では、インダクタ／アンテナは、構造体の上部に印刷されてもよい（例えば、第１の一般的な方法の導電性特徴要素と同様の方法で）。

[0110]インダクタ／アンテナはさらに、コンデンサ電極にインダクタを接続するための１つ又は複数の接触／相互接続パッド領域（例えば、図６Ａ及び６Ｂの１０２及び／又は図１１の３１２／３１４を参照）を備えてもよい。インダクタは、連続的な構造体を備えてもよく、又はインダクタは、不連続で、１つのコンデンサ電極に結合される第１の（外側）インダクタ及び第２のコンデンサ電極に結合される第２の（内側）インダクタを備えてもよい。さまざまな実施形態では、バッキング及び／又は支持層が、インダクタに取り付けられてもよい。支持及び／又はバッキング層は、追跡される又は監視されるべき品物への監視／識別デバイスの取り付け又は配置のための接着面を提供してもよい。

[0111]ある実装形態では（例えば、図１１による実施形態を参照）、インダクタは、アンテナ、インダクタ、又は両方を備えてもよい。そのような実施形態では、インダクタ／アンテナの第１の又は外側接触パッド（例えば、図１１の３１２）は、上部コンデンサ電極２３０が第２の誘電体層中に形成されたコンタクトホール２３５によって露出されるところで上部コンデンサ電極２３０と電気的に接触する。さらに、第２の又は内側接触パッド（例えば、図１１の３１４）は、第１の（半）導電層／下部コンデンサ電極２１０が第２の誘電体層中のコンタクトホール２１５によって露出されるところで第１の（半）導電層／下部コンデンサ電極２１０と電気的に接触する。例となる実施形態では、接触パッド３１２及び３１４は、金属バンプ又は異方性導電ペースト（ＡＣＰ）を備える。インダクタの接触パッド（例えば、３１２及び３１４）は、導電性か又は非導電性でもよい接着剤によってコンデンサ電極（例えば、２３５及び２１５）に取り付けられ及び／又は添付されてもよい。

[0112]例となる実施形態では、インダクタ／アンテナは、複数のループ又はリングを有するコイルを備える。図６Ｂ及び１１で示されるインダクタは、３つのループ、リング、又はコイルを有する。しかしながら、任意の適切な数のループ、リング、又はコイルが、応用要件及び設計上の選択／好みに応じて用いられてもよい。インダクタは、そのようなインダクタのために従来方法で使用される任意の形態及び／又は形状を採用してもよいが、好ましくは、インダクタは、コイルの又は同心らせん状ループの形態を有する。製造の簡単化及び／又はデバイス面積効率のために、コイルループは一般に、正方形又は長方形の形状を有するが、それぞれの連続するループが、先行するループとタグ／デバイスの最外周部との間に実質的に全体が置かれる限り、応用及び／又は設計上の選択及び／又は好みに従って、コイルループはまた、長方形、八角形、円形、丸い又は卵形の形状、ある他の多角形状、又はそれらの任意の組合せを有してもよく、及び／又はコイルループは、１つ又は複数の切り取られた角部を有してもよい。

[0113]図６Ａ〜６Ｂ及び１１を参照すると、インダクタコイルの同心ループ又はリング（例えば、１０６ａ〜１０６ｅ及び／又は３１０）は、任意の適切な幅及びピッチ（すなわち、リング間の間隔）を有してもよく、幅及び／又はピッチは、ループごとに又はリングごとに変わってもよい。しかしながら、ある実施形態では、それぞれのループ内の（又はそれぞれのループ若しくはリング内のそれぞれの側の）ワイヤは独立して、２〜１０００μｍ（好ましくは５〜５００μｍ、１０〜２００μｍ、又はその中の値の任意の範囲）の幅及び１００〜５０，０００μｍ、２５０〜２５，０００μｍ、５００〜２０，０００μｍ、又はその中の値の任意の範囲（インダクタワイヤの長さが、ＥＡＳデバイスの寸法を超えない限りは）の長さを有してもよい。別法として、インダクタ内のそれぞれのワイヤループ又はリングの半径は、２５０〜２５，０００μｍ（好ましくは５００〜２０，０００μｍ）であってもよい。同様に、インダクタの隣接する同心ループ又はリング内のワイヤ間のピッチは、２〜１０００μｍ、３〜５００μｍ、５〜２５０μｍ、１０〜２００μｍ、又はその中の値の任意の範囲であってもよい。さらに、幅対ピッチの比は、約１：１０、１：５、１：３、１：２又は１：１の下限から約１：２、１：１、２：１、４：１又は６：１の上限まで、又はその中の終点の任意の範囲であってもよい。

[0114]同様に、下部及び／又は上部コンデンサ電極（例えば、図１１の３１２／３１４を参照）との、又は代替実施形態では導電性特徴要素（例えば図６Ａ〜６Ｂの１０２を参照）との電気通信及び／又は物理的接触を提供するように一般に構成される、相互接続パッド（複数可）（例えば、図６Ａ〜６Ｂの１０２及び／又は図１１の３１２／３１４）は、円形、正方形、長方形、三角形、その他などの任意の所望の形状を有してもよい。さらに、相互接続／接触パッドは、監視／識別タグ又はデバイスの中及び／又は上に相互接続／接触パッドが適合することを可能にし、コンデンサ電極及び／又は導電性特徴要素との電気通信及び／又は物理的接触を提供する、ほとんど任意の寸法を有してもよい。好ましくは、相互接続パッド（複数可）（例えば、図６Ａ〜６Ｂの１０２及び図１１の３１２、３１４）は、厚さが実質的に他の寸法（複数可）よりも小さい、（ｉ）幅、長さ及び厚さ、又は（ｉｉ）半径及び厚さの寸法を有する。例えば、相互接続パッドは、２５〜２０００μｍ（好ましくは５０〜１０００μｍ、１００〜５００μｍ、又はその中の値の任意の範囲）の半径、又は５０〜５０００μｍ、１００〜２０００μｍ、２００〜１０００μｍ、又はその中の値の任意の範囲の幅及び／又は長さを有してもよい。

第１及び第２の誘電体層
[0115]第１の誘電体層（例えば、図６Ａの１１２及び／又は図１０の２２０）は好ましくは、不活性化無線周波数電磁場の印加が、タグ回路がもはや所望の周波数で共振しないような短絡状態又は変更静電容量へ誘電体層の絶縁破壊を通じてタグ／デバイスを不活性化することになる電圧差（例えば、約４〜約５０Ｖ、好ましくは約５〜３０Ｖ未満、より好ましくは約１０〜２０Ｖ、又はその中の終点の任意の所望する範囲の電圧差）をコンデンサ内に誘電体層を横切って誘導するように設計され、作られる。それ故に、ある実施形態では、第１の誘電体層は、（ｉ）５０〜４００Åの厚さ及び／又は（ｉｉ）約１０〜約２０Ｖの絶縁破壊電圧を有する。

[0116]第１及び／又は第２の誘電体層（複数可）は、酸化物及び／又は窒化物セラミック若しくはガラス（例えば、二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、その他）、ポリシロキサン、パリレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、非ドープポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエーテル、それらの共重合体、それらのフッ素化誘導体、その他などのポリマーなどの、任意の電気絶縁性誘電体材料を含んでもよい。好ましい実施形態では、第１の誘電体層（例えば、コンデンサ誘電体層）は本質的に、酸化アルミニウム及び／又は下部コンデンサ電極（例えば、図６Ａの１０４及び／又は図１０の２１０）に使用される金属の対応する酸化物を含む又はそれから成る。

[0117]ある実施形態では、第１及び／又は第２の誘電体層は、無機絶縁体であってもよい。例えば、誘電体は、化学式Ｍ_ｘＯ_ｙＮ_ｚの金属酸化物及び／又は窒化物を含んでもよく、但しＭは、シリコン又はアルミニウム、チタン、ジルコニウム、タンタル、ハフニウム、バナジウム、クロム、モリブデン、タングステン、ロジウム、レニウム、鉄、ルテニウム、銅、亜鉛、インジウム、スズ、ランタニド金属、アクチニド金属、及びそれらの混合物から成る群から選択される金属である。さらなる実施形態では、無機絶縁体は、そのような金属及び混合物のケイ酸塩、アルミン酸塩、及び／又はアルミノケイ酸塩を含んでもよく、但しｙ／２＋ｚ／３は、Ｍのｘインスタンスの混合酸化状態に等しい。例となる実施形態では、誘電体は、導電性基板で使用される金属及び／又は（半）導電層（例えば、上部コンデンサ電極）の金属の対応する酸化物を含む。

[0118]上部コンデンサ電極（例えば、図３Ａの１２０及び／又は図１０の２３０）上の第２の誘電体層（例えば、図３Ａの１３０及び／又は図１０の２４０）は、１つ又は複数のコンタクトホール（例えば、図３Ａの１３５及び／又は図１０の２３５及び２１５）を第２の誘電体層中に有してもよい。図３Ａを参照すると、コンタクトホール１３０は、第２の誘電体層１３０中に形成されて、上部コンデンサ電極１２０の一部分を露出する。コンタクトホール１３５は、導電性特徴要素（例えば、図４Ａの１４０）を介して上部コンデンサ電極１２０とインダクタ／アンテナとの間に電気接触を提供する。次に図１０〜１１を参照すると、第１のコンタクトホール２１５は、第２の誘電体層２４０中に形成されて、第１の（半）導電層２１０（例えば、下部コンデンサ電極）を露出し、相互接続パッド３１４においてインダクタとの電気接触を提供する。第２のコンタクトホール２３５もまた、第２の誘電体層２４０中に形成されて、上部コンデンサ電極２３０を露出し、相互接続パッド３１２においてインダクタとの電気接触を提供する。

[0119]第２の誘電体層は、液相誘電体前駆体インクから形成されてもよい。液相誘電体前駆体インクは、化学式Ａ_ｎＨ_ｙの化合物、但しｎは３〜１２であり、それぞれのＡは独立してＳｉ又はＧｅであり、ｙはｎから２ｎ＋ｎの偶数である、及び好ましくは化学式（ＡＨ_ｚ）_ｎの化合物、但しｎは５〜１０であり、それぞれのＡは独立してＳｉ又はＧｅであり、ｚのｎインスタンスのそれぞれは独立して１又は２である、を含んでもよい。対応するシリコン及び／又はゲルマニウム酸化物膜は、前で述べられたような前駆体膜（例えば、ＩＶＡ族元素前駆体膜）をキュアすることによって形成されてもよい。

[0120]例となる実施形態では、第２の誘電体層は、スピンオンガラス（感光性又は非感光性であってもよく、非感光性の場合には、直接印刷又は堆積後リソグラフィによってパターン形成されてもよい）、ポリイミド（熱的レーザーパターン形成のために感光性及び／又は感熱性、又は直接印刷若しくは堆積後リソグラフィによるパターン形成のために非感光性であってもよい）、ＢＣＢ又はＳｉＬＫ（登録商標）誘電体材料（ＳＩＬＫはＤｏｗ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．、Ｍｉｄｌａｎｄ、ＭＩの登録商標である）などの他の有機誘電体、ゾル−ゲル技術によって形成される低ｋ層間誘電体、プラズマ助長（ＰＥ）ＴＥＯＳ（すなわち、テトラエチルオルトケイ酸塩のプラズマ助長ＣＶＤによって形成されるＳｉＯ_２）、及びポリエチレン（ＰＥ）、ポリエステル、又はＰＥＳ、ポリイミド若しくは後の高温処理に適合する他のものなどのより高温のポリマーなどの積層ポリマー膜を含んでもよい。

[0121]好ましい実施形態では、第２の誘電体層は、従来のホウ素及び／又はリン酸化物修飾剤を従来の量でさらに含んでもよい、ＩＶＡ族元素の酸化物及び／又は窒化物を含む。それ故に、ＩＶＡ族元素は本質的に、シリコンを含む又はそれから成ってもよく、その場合には、第２の誘電体層（例えば、図３Ａでの１３０及び／又は図１０での２４０）は本質的に、二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ホウケイ酸ガラス、リンケイ酸ガラス、又はホウ素リンケイ酸ガラス（好ましくは二酸化シリコン）を含む又はそれらから成ってもよい。第２の誘電体層は、少なくとも１μｍ、好ましくは２〜２５μｍ、より好ましくは５〜１０μｍの厚さを有してもよい。

導電性特徴要素
[0122]第１の例となるデバイス（例えば、図１Ａ〜６Ｂを参照）は、コンデンサ（例えば、上部コンデンサ電極）１２０とインダクタ１０６ａ〜１０６ｅとの間の電気通信を提供するために導電性特徴要素１４０を備える。特徴要素は、導電性か又は非導電性の接着剤を使用してコンデンサ電極及びインダクタに接続されてもよい。特徴要素は、コンデンサ電極１２０及び／又はインダクタコイル１０６ａ〜１０６ｅ／接触パッド１０２に接続するための１つ又は複数の相互接続／接触パッド（例えば、パッド部分）を有してもよい。特徴要素は、任意の適切な形状（例えば、正方形、長方形、円形、その他）を有してもよい。さまざまな実施形態では、特徴要素は、３０ｎｍ〜５０００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜２０００ｎｍ、より好ましくは８０ｎｍ〜５００ｎｍの厚さを有する。

[0123]特徴要素は、任意の導電性材料を含んでもよい。しかしながら、例となる実施形態では、特徴要素１４０は、本明細書で論じられるような第１の（半）導電層（例えば、下部コンデンサ電極）及び／又はインダクタのための上で述べられた同じ材料及び／又は金属から選択されてもよい、第２の金属を含む。例えば、好ましい実施形態では、特徴要素は、アルミニウム、チタン、銅、銀、クロム、モリブデン、タングステン、ニッケル、金、パラジウム、白金、亜鉛、鉄、ステンレス鋼、又はそれらの任意の合金を含む。例となる実施形態では、特徴要素は本質的に、銀、金、銅又はアルミニウム（又はそれらの導電性合金）から成る。さまざまな実装形態では、特徴要素及びコンデンサ電極は、同じ材料を含む。しかしながら、本発明は、そのようなものとして限定されない。それ故に、代替実施形態では、特徴要素及びコンデンサ電極は、異なる材料を含む。ある実装形態では、ドーパント、ケイ化成分、又は他の仕事関数調節剤及び／又はトンネル障壁材料が、特徴要素１４０に含まれてもよい。そのような含有は、直列抵抗を低減し、Ｑ並びに監視及び／又は識別デバイスの全体的性能を向上することもある。

不動態化層
[0124]ある実施形態では、本デバイスはさらに、導電性特徴要素１４０を含むが限定されない構造体及び上部コンデンサ電極１２０を覆って不動態化層（例えば、図６Ａの構造体１５０を参照）を備えてもよい。不動態化層は、水、酸素、及び／又は集積回路構成／デバイスの劣化又は故障を引き起こすことがあり得る他の種の進入を抑制する又は防止することができる。さらに不動態化層は、特に後の処理ステップ中に、いくらかの機械的支持をデバイスに提供することができる。不動態化層は、一般に従来型であり、パリレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイミド、それらの共重合体、フッ素化有機ポリマーなどの有機ポリマー、又は任意の他の障壁材料を含んでもよい。他の実施形態では、不動態化層は、酸化アルミニウム、二酸化シリコン（例えば、従来方法でドープされてもよく及び／又はスピンオンガラス、窒化シリコン、酸窒化シリコン、ポリシロキサン、又はそれらの組合せを、混合物として又は多層構造として含んでもよい）などの無機誘電体を含んでもよい。

[0125]別の方法では、不動態化層はさらに、上にある不動態化層よりも低い応力を有する材料を含んでもよい、下にある誘電体層を備えてもよい。例えば、誘電体層は、ＳｉＯ_２（例えば、ＴＥＯＳ、ＵＳＧ、ＦＳＧ、ＢＰＳＧ、その他）などの酸化物を含んでもよく、不動態化層は、窒化シリコン又は酸窒化シリコンを含んでもよい。そのような実施形態では、不動態化層は、下にある誘電体層の厚さよりわずかに大きい厚さを有してもよい。

[0126]例となる実施形態では、不動態化層は一般に、監視／識別デバイスと同じ幅及び長さの寸法を有する。不動態化層はまた、そのような監視／識別タグ又はデバイスに適した任意の厚さを有してもよい。例えば、不動態化層１５０は、３〜１００μｍ、５〜５０μｍ、１０〜２５μｍ、又はその中の値の任意の範囲の厚さを有してもよい。

[0127]本デバイスはまたさらに、インダクタ（例えば、図６Ｂの１０６ａ〜１０６ｅ及び／又は図１１の３１０を参照）の表面に支持及び／又はバッキング層（図示されず）を備えてもよい。支持及び／又はバッキング層は、従来型であり、監視／識別デバイスの技術分野で周知である。一般に、そのような支持及び／又はバッキング層は、（１）追跡される又は監視されるべき品物上への後の取り付け又は配置のための接着面、及び／又は（２）監視／識別デバイスそれ自体のためのいくらかの機械的支持を提供する。例えば、従来の監視／識別タグ／デバイスシステムでの使用に適した価格又は品物識別ラベルを形成するために、本タグ／デバイスが、価格又は品物識別ラベルの裏面に添付されてもよく、接着剤が、タグ（オプションとしてタグが使える状態になるまで従来の離型シートによって覆われる）の反対側の表面上に塗布される又は置かれてもよい。

本監視及び／又は識別タグ／デバイスを使用して物品を検出する例となる方法
[0128]本発明はさらに、（ａ）デバイスが検出可能な電磁放射を放射する（好ましくは印加電磁場の整数の倍数又は整数の除算である周波数で）のに十分な電流を本デバイス内に引き起こす又は誘導するステップと、（ｂ）検出可能な電磁放射を検出するステップと、オプションとして（ｃ）デバイスを選択的に不活性化する及び／又はデバイスに活動を行わせるステップとを含む、検出ゾーン内の物品又は物を検出する方法に関する。一般に、デバイスが、振動電磁場を備える検出ゾーン内にあるとき、デバイスが検出可能な電磁放射を放射するのに十分な電流及び電圧が、本デバイス内に誘導される。この振動電磁場は、従来の監視／識別検出装置及び／又はシステムによって生成される又は発生される。

[0129]本使用方法はさらに、検出されるべき物又は品物の上又は中に本デバイスを取り付ける、添付する又はさもなければ含むステップを含んでもよい。さらに、本デバイスの利点に従って、デバイスは、電流、電圧及び／又は共振をデバイス内に誘導するのに十分な強度及び有効振動周波数を有する印加電磁場に応答してデバイスのしきい値（すなわち、ＣＶ曲線特徴要素対電圧の位置）又は静電容量の不揮発性移動によって不活性化されてもよい。典型的には、検出ゾーン内の物又は品物の存在が、検出されるべきでない又はさもなければ知られるべきでないとき、デバイスは、不活性化される。

[0130]小売店及び／又は図書館などの他の施設からの品物又は商品の盗難又は無許可除去を検出する及び／又は防止するための電子品物監視、保安及び／又は識別システムの使用は、広範囲に及ぶようになった。一般に、監視／識別デバイスシステムは、検出される（例えば、保護される）べき品物若しくは物品又はその包装に添付される、付随される、又はさもなければ固定される、ＥＡＳ、ＲＦ、及び／又はＲＦＩＤタグとしてもまた周知のラベル又は保安タグを用いる。監視／識別タグは、使用されるシステムの特定の種類、品物の種類及び寸法、その他に応じて、多くの異なる寸法、形状及び形態を有してもよい。一般に、そのようなシステムは、保安タグ及びそれが添付される保護品物が、保安若しくは監視ゾーンを通過する又は保安検問所若しくは監視ステーションのそばを若しくは近くを通るとき、活性保安タグの有無を検出するために用いられる。しかしながら、本発明は、保安に限定されない。例えば、本監視／識別デバイスはさらに、検出ゾーン内での検出に基づいてデバイスに活動を行わせる論理を備えてもよい。

[0131]本タグは、無線周波数（ＲＦ）電磁場のかく乱を感知する電子保安システムとともに少なくとも部分的に働くように設計される。そのような電子保安システムは一般に、品物が管理構内（例えば、小売店）から出る際に通過しなければならない入り口によって定義される管理区域内に電磁場を構築する。共振回路を有するタグ／デバイスは、それぞれの品物に取り付けられ、管理区域内でのタグ回路の存在は、受信システムによって感知されて、品物の無認可除去を表示する。タグ回路は、構内から出ることを認可された任意の品物から、任命された者によって不活性化され、離調され又は除去されて、品物が警報機作動を備えた管理区域を通過することを許可してもよい。この原理に基づいて動作する大部分のタグは、一回限りの又は使い捨てのタグであり、従って低コストで非常に大量に生産されるように設計される。

[0132]本タグは、任意の商用ＥＡＳ、ＲＦ、及び／又はＲＦＩＤ応用で並びにそのような応用のために本質的に任意の周波数範囲で使用され（並びに、もし所望するならば及び／又は適用できるならば、再使用され）てもよい。例えば、本タグは、以下の表で述べられる周波数において並びに領域及び／又は範囲で使用されてもよい。

[0133]不活性化方法は一般に、不活性化タグが、構内から適切に出る品物上にとどまることができるように、共振タグ回路の遠隔電子不活性化を組み込む。共振監視／識別タグの電子不活性化は、保安タグが保安システムによって活性保安タグとしてもはや検出されないように、検出周波数共振を変える又は破壊するステップを含む。電子不活性化を達成するために利用可能な多くの方法がある。しかしながら、一般に、周知の方法は、回路のＱを損なうか又は共振周波数を検出システムの周波数範囲から外へ移す、又は両方のために、共振回路の一部分を短絡させるか又は共振回路のある部分内に開回路を生成するステップを含む。

[0134]典型的には検出信号よりも高いが、一般にＦＣＣ規定内であるエネルギーレベルにおいて、不活性化装置は、下側コンデンサ平板１０ａと半導体構成要素３０との間の誘電体膜２０に絶縁破壊させるのに十分な電圧をタグ１００の共振回路内に誘導する。それ故に、本明細書で述べられる本監視／識別デバイス（複数可）は、タグを不活性化装置の上又は近くにほんの少しの間置くことによって清算台又は他の同様の場所で都合良く不活性化できる。

[0135]それ故に、本発明はまた、電磁波が、基本周波数（例えば、１３．５６ＭＨｚ）で保護されている構内の区域内に送られ、その区域内での品物の無認可存在が、本監視／識別デバイス（複数可）によって放出される電磁放射の受信及び検出によって感知される、品物監視技術にも関連する。この放出される電磁放射は、ラベル又は膜が構内からの認可除去に対して不活性化されなかった状況下で、品物に取り付けられた又は埋め込まれた本ＥＡＳデバイスを備えるセンサー−エミッター素子、ラベル、又は膜から放射される第２の高調波又はそれに続く高調波周波数波を含んでもよい。

[0136]本発明の態様による、品物監視、盗難検出の方法、又は識別の他の方法は、利用される連続ステップの次の記述で理解されてもよい。本監視／識別タグ（例えば、価格ラベルと一体化して形成される）は、システム監視の下にあってもよい物品、品物又は物に取り付けられ又は埋め込まれる。次に、代金が支払われた又はさもなければ監視区域からの除去を認可された品物上の任意の活性タグ／デバイスは、構内を監視する不活性化装置操作者（例えば、清算係員又は守衛）によって不活性化され又は不感応化されてもよい。その後、不活性化又は不感応化されなかったデバイス／タグからの高調波周波数放出又は再放射信号又は電磁波又はエネルギーは、デバイス／タグが、基本周波数電磁波又は電気的空間エネルギー場が存在する検出ゾーン（例えば、出口又は検証区域）を通り抜けて動かされるとき検出される。この区域内での高調波信号の検出は、活性デバイス／タグを品物上に持つ検証されない品物の不認可存在又は除去未遂を知らせ、警報機に信号を送る若しくは始動させる又は出口ドア若しくは回転ドアをロックするために使用されてもよい。搬送機又は読取り機送信周波数の２×又は１／２の周波数でのタグ信号の検出は、使用方法の好ましい形態を表すが、第３の及びそれに続く高調波信号などの他の高調波信号、並びに基本波及び他の低調波信号が、用いられてもよい。

結論／概要
[0137]それ故に、本発明は、コンデンサ、監視及び／又は識別デバイスを作る方法、並びにそのようなデバイスの製造及び使用のための方法を提供する。本発明の方法によるコンデンサを作る第１の一般的な方法は、（ａ）導電性基板上に第１の誘電体層を形成するステップと、（ｂ）第１の誘電体層の少なくとも一部分上に（半）導電層を印刷するステップと、（ｃ）（半）導電層をマスクとして使用して誘電体層をエッチングするステップと、（ｄ）導電性基板及び／又は（半）導電層上に第２の誘電体層をパターン状に形成するステップと、（ｅ）第２の誘電体層上に導電性特徴要素を形成するステップであって、導電性特徴要素の１つの部分が（半）導電層と接触し、導電性特徴要素の第２の部分が導電性基板と接触するステップと、（ｆ）導電性基板から下部電極を形成するステップとを含む。監視及び／又は識別デバイスは続いて、導電性基板からインダクタもまた形成することによって形成されてもよい。

[0138]コンデンサを作る第２の一般的な方法は、（ａ）基板上に下部コンデンサ電極を含む第１の（半）導電層を印刷するステップと、（ｂ）第１の（半）導電層上に第１の誘電体層をパターン状に形成するステップと、（ｃ）第１の誘電体層上に上側コンデンサ平板を印刷するステップと、（ｄ）基板上に第２の誘電体層を形成するステップであって、第２の誘電体層が、第１の（半）導電層を露出する第１のコンタクトホールを第２の誘電体層中に及び上側コンデンサ平板を露出する第２のコンタクトホールを有するステップとを含む。監視及び／又は識別デバイスは、第１の（半）導電層及び上側コンデンサ平板にアンテナ及び／又はインダクタを結合する及び／又はさもなければ接続することによってコンデンサから形成されてもよい。

[0139]本発明の第１の監視及び／又は識別デバイスは一般に、（ａ）下部コンデンサ電極及びインダクタを備える単一導電性構造体と、（ｂ）下部コンデンサ電極及びインダクタ上の第１の誘電体層と、（ｃ）第１の誘電体層上のドーム形プロファイルを有する上部コンデンサ電極と、（ｄ）上部コンデンサ電極及び導電性構造体上の第２の誘電体層と、（ｅ）第２の誘電体層上の導電性特徴要素とを具備し、導電性特徴要素の１つの部分は上部コンデンサ電極と接触し、導電性特徴要素の第２の部分は導電性材料と接触する。

[0140]本発明の第２の監視及び／又は識別デバイスは一般に、（ａ）基板上のドーム形プロファイルを有する下部コンデンサ電極と、（ｂ）下部コンデンサ層上の第１の誘電体層と、（ｃ）第１の誘電体層上のドーム形プロファイルを有する上部コンデンサ電極と、（ｄ）下部コンデンサ電極及び上部コンデンサ電極を露出する第１及び第２のコンタクトホールを第２の誘電体層中に有する、基板上の第２の誘電体層と、（ｅ）下部コンデンサ電極に結合される及び／又は接続される第１の端部、及び上部コンデンサ電極に結合される及び／又は接続される第２の端部を有するアンテナ及び／又はインダクタとを備える。

[0141]本発明の監視及び／又は識別デバイスを使って物品を検出するための方法は一般に、（１）デバイスが検出可能な電磁放射を再放出する及び／又は後方散乱するのに十分な電流を引き起こす又は誘導するステップと、（２）検出可能な電磁放射を検出するステップとを含む。オプションとして、検出された監視及び／又は識別デバイスは、選択的に不活性化されてもよい。加えて又は別法として、本方法は、電磁放射が検出されるとき、デバイスに活動を起こさせるステップを含んでもよい。

[0142]本発明の方法及び／又はデバイスは、（１）製造公差を改善すること、（２）タグ不活性化のためのより信頼できる誘電体破裂を保証すること、並びに（３）不活性化後の誘電体の偶然の治癒又は修復を実質的に低減し、それ故に監視／識別デバイスの意図されない再活性化を防止することによって、監視／識別デバイスの信頼性を改善できる。

[0143]本発明の特定の実施形態の先の記述は、例示及び説明の目的のために提示された。先の記述は、網羅的である又は本発明を開示された厳密な形態に限定することを意図されず、明らかに多くの変更形態及び変形形態が、上の教示に照らして可能である。実施形態は、本発明の原理及びその実際的応用を最も良く説明し、それによって当業者が本発明及びさまざまな変更を伴うさまざまな実施形態を熟考された特定の使用に適合するように最も良く利用できるようにするために、選択され、述べられた。本発明の範囲は、本明細書に添付された特許請求の範囲及びそれらの同等なものによって定義されることが意図される。

Claims (12)

1. ａ）導電性基板上に第１の誘電体層を形成するステップであって、前記導電性基板は、第１の金属元素、第１の金属元素の合金、又は第１の導電性無機化合物からなるステップと、
   ｂ）前記第１の誘電体層の少なくとも一部分上に（半）導電層を印刷するステップであって、前記（半）導電層は、第２の金属元素、第２の金属元素の合金、又は第２の導電性無機化合物、若しくは、ＩＶ族、ＩＩＩ−Ｖ族又はカルコゲナイド半導体からなるステップと、
   ｃ）前記（半）導電層をマスクとして使用して前記第１の誘電体層をエッチングするステップと、
   ｄ）前記導電性基板及び／又は前記（半）導電層上に第２の誘電体層をパターン状に形成するステップと、
   ｅ）前記第２の誘電体層上に導電性特徴要素を形成するステップであって、前記導電性特徴要素の１つの部分が前記（半）導電層と接触し、前記導電性特徴要素は、第３の金属元素、第３の金属元素の合金、又は第３の導電性無機化合物からなる、ステップ、
   ｆ）前記導電性基板から下部電極を形成するステップと
   を含む、コンデンサを作製する方法。
2. 前記下部電極を形成するステップが、前記導電性基板をエッチングするステップを含む、請求項１に記載の方法。
3. ａ）請求項１に記載の方法と、
   ｂ）前記導電性基板からインダクタ及び／又はアンテナ並びに相互接続パッドを形成するステップと
   を含む、監視及び／又は識別デバイスを作製する方法。
4. ａ）基板上に下部コンデンサ電極を含む第１の（半）導電層を印刷するステップであって、前記第１の（半）導電層は、第１の金属元素、第１の金属元素の合金、第１の導電性無機化合物、若しくは、第１のＩＶ族、ＩＩＩ−Ｖ族又はカルコゲナイド半導体からなるステップと、
   ｂ）前記第１の（半）導電層上に無機コンデンサ誘電体層をパターン状に形成するステップと、
   ｃ）前記無機コンデンサ誘電体層上に前記無機コンデンサ誘電体層の一部分が露出するように上部コンデンサ電極を印刷するステップであって、前記上部コンデンサ電極は、第２の金属元素、第２の金属元素の合金、第２の導電性無機化合物、若しくは、第２のＩＶ族、ＩＩＩ−Ｖ族又はカルコゲナイド半導体からなるステップと、
   ｄ）前記上部コンデンサ電極、前記露出された無機コンデンサ誘電体層及び前記基板上に第２の誘電体層を形成するステップであって、前記第２の誘電体層が、（ｉ）前記第２の誘電体層中の第１のコンタクトホールであって、前記無機コンデンサ誘電体層の前記露出された一部分の少なくとも一部又は前記無機コンデンサ誘電体層の前記露出された一部分の下の前記第１の（半）導電層を露出する第１のコンタクトホールと、（ｉｉ）前記上部コンデンサ電極を露出する第２のコンタクトホールと、を有する、ステップと
   を含む、コンデンサを作製する方法。
5. 少なくとも前記第１の（半）導電層を印刷するステップが、ナノ粒子及び／又は化合物ベースの金属インクを使用して金属のシード層を印刷するサブステップと前記金属シード層上に導体金属を電気めっきするサブステップとを含む、請求項４に記載の方法。
6. 前記第１の（半）導電層を印刷するステップが、シラン又はＩＶＡ族元素前駆体インクを選択的に印刷して、所望のパターンを形成するサブステップと、次いで半導体層を形成するのに十分な時間にわたって前記シラン又はＩＶＡ族元素前駆体インクを乾燥し、キュアし、随意的に結晶化するサブステップとを含む、請求項４に記載の方法。
7. 第２の基板上にアンテナ及び／又はインダクタを形成するステップと、続いて前記第１の基板及び前記第２の基板を取り付けるステップとをさらに含む、請求項４に記載の方法。
8. ａ）下部コンデンサ電極及びインダクタ及び／又はアンテナを備える単一導電性構造体と、
   ｂ）前記下部コンデンサ電極及びインダクタ及び／又はアンテナ上の第１の誘電体層と、
   ｃ）前記第１の誘電体層上の上部コンデンサ電極であって、略ドーム形プロファイルを有する前記上部コンデンサと、
   ｄ）前記上部コンデンサ電極及び前記導電性構造体上の第２の誘電体層と、
   ｅ）前記第２の誘電体層上の導電性特徴要素と
   を具備し、
   前記導電性特徴要素の１つの部分が前記上部コンデンサ電極と接触し、前記導電性特徴
   要素の第２の部分が前記導電性構造体と接触する、監視及び／又は識別用のデバイス。
9. 前記第２の誘電体層が、ＩＶＡ族元素の酸化物及び／又は窒化物を含む、請求項８に記載のデバイス。
10. 前記導電性特徴要素及び前記コンデンサ電極が、同じ材料を含む、請求項８に記載のデバイス。
11. ａ）基板上の下部コンデンサ電極であって、略ドーム形プロファイルを有する前記下部コンデンサ電極と、
    ｂ）前記下部コンデンサ電極上の第１の誘電体層と、
    ｃ）前記第１の誘電体層上の上部コンデンサ電極であって、略ドーム形プロファイルを有する前記上部コンデンサ電極と、
    ｄ）前記基板上の第２の誘電体層であって、前記下部コンデンサ電極及び前記上部コンデンサ電極を露出する第１のコンタクトホール及び第２のコンタクトホールを前記第２の誘電体層中に有する前記第２の誘電体層と、
    ｅ）前記下部コンデンサ電極に結合される及び／又は接続される第１の端部並びに前記上部コンデンサ電極に結合される及び／又は接続される第２の端部を有するアンテナ及び／又はインダクタと
    を備える監視及び／又は識別用のデバイス。
12. 前記第１の誘電体層が、前記下部コンデンサ電極金属の対応する酸化物を含む、請求項１１に記載のデバイス。

Images