JP2011513944A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板と、
   前記基板の上に配置される有機発光ダイオード部分と、
   前記有機発光ダイオード部分上に配置される多層水障壁封止構造体であって、シリコンを含む１つまたは複数の層及び炭素を含む１つまたは複数の層を含む多層水障壁封止構造体とを含む、有機発光ダイオード構造体。
2. 前記有機発光ダイオード部分は、
   透明アノード層と、
   前記透明アノード層の上に配置されるホール注入層と、
   前記ホール注入層の上に配置されるホール輸送層と、
   前記ホール輸送層の上に配置される発光層と、
   前記発光層の上に配置される電子注入層と、
   前記電子注入層の上に配置されるカソード層とを含む、請求項１に記載の構造体。
3. 前記炭素を含む１つまたは複数の層がシリコンを含む１つまたは複数の層の上に位置する、請求項１に記載の構造体。
4. シリコンを含む前記１つまたは複数の層は、窒化シリコンを含む、請求項３に記載の構造体。
5. シリコンを含む前記１つまたは複数の層および炭素を含む前記１つまたは複数の層は、交互方式で前記有機発光ダイオード部分の上に配置される、請求項４に記載の構造体。
6. 基板の上に有機発光ダイオード層状構造体を堆積させるステップと、
   前記有機発光ダイオード層状構造体上に多層水障壁封止構造体を配置するステップとを含み、前記封止構造体がシリコンを含む１つまたは複数の層及び炭素を含む１つまたは複数の層を含む、有機発光ダイオード製造方法。
7. 前記炭素を含む１つまたは複数の層は、アクリラート、メタクリラート、およびアクリル酸の混合物を含む、請求項６に記載の方法。
8. 前記有機発光ダイオード層状構造体上に前記シリコンを含む１つまたは複数の層を堆積させるステップと、
   前記シリコンを含む前記１つまたは複数の層の上に前記炭素を含む１つまたは複数の層を堆積させるステップとをさらに含む、請求項６に記載の方法。
9. 前記シリコンを含む１つまたは複数の層が窒化シリコンを含む、請求項６に記載の方法。
10. 前記シリコンを含む１つまたは複数の層が窒化シリコンを含む、請求項１に記載の構造体。
11. 基板と、
    前記基板の上に配置される有機発光ダイオード部分と、
    前記有機発光ダイオード部分上に配置される窒化シリコン層と、
    前記窒化シリコン層上に配置される、炭素を含む層とを含む、有機発光ダイオード構造体。
12. 前記窒化シリコン層と前記炭素を含む層とが、それぞれ約０．１ミクロンないし約０．６ミクロンの厚みを有する、請求項１１に記載の有機発光ダイオード構造体。
13. 前記窒化シリコン層と前記炭素を含む層とが、合計で約３ミクロンないし約６ミクロンの厚みを有する、請求項１１に記載の有機発光ダイオード構造体。
14. 前記有機発光ダイオード部分が、
    透明のアノード層と、
    前記透明のアノード層上に配置されるホール注入層と、
    前記ホール注入層上に配置されるホール輸送層と、
    前記ホール輸送層上に配置される発光層と、
    前記発光層上に配置される電子注入層と、
    前記電子注入層上に配置されるカソード層とを含む、
    請求項１１に記載の有機発光ダイオード構造体。
15. 前記炭素を含む層上に、もうひとつのシリコンを含む層をさらに含む、請求項１１に記載の有機発光ダイオード構造体。