JP6757363B2 - 有機el表示パネルの製造方法及び封止層形成装置 - Google Patents
有機el表示パネルの製造方法及び封止層形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6757363B2 JP6757363B2 JP2018103849A JP2018103849A JP6757363B2 JP 6757363 B2 JP6757363 B2 JP 6757363B2 JP 2018103849 A JP2018103849 A JP 2018103849A JP 2018103849 A JP2018103849 A JP 2018103849A JP 6757363 B2 JP6757363 B2 JP 6757363B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- layer
- sealing layer
- sealing
- display panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 108
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 45
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 45
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- 238000007872 degassing Methods 0.000 claims description 37
- 239000012510 hollow fiber Substances 0.000 claims description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 36
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 24
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 248
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 50
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 30
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 24
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 14
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-1-yl-1H-imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C12=CC=CN=C2C2=NC=CC=C2C2=C1NC(C=1C3=CC=CC=C3C=CC=1)=N2 NSMJMUQZRGZMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229920006305 unsaturated polyester Polymers 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 2,3-diphenylcyclohexa-2,5-diene-1,4-dione Chemical class O=C1C=CC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)=C1C1=CC=CC=C1 MVWPVABZQQJTPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-thiopyran-1-ylidene)propanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=S1CC=CC=C1 TWZYORZPYCRVAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 2-pyran-2-ylidenepropanedinitrile Chemical class N#CC(C#N)=C1OC=CC=C1 KYGSXEYUWRFVNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910016467 AlCl 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017008 AsF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical class C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004709 Chlorinated polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O Imidazolium Chemical compound C1=C[NH+]=CN1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018286 SbF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N benzoquinolinylidene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3N=C21 DZBUGLKDJFMEHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001846 chrysenes Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical class C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 150000002219 fluoranthenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000002220 fluorenes Chemical class 0.000 description 1
- GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N fluorescein Chemical class O1C(=O)C2=CC=CC=C2C21C1=CC=C(O)C=C1OC1=CC(O)=CC=C21 GNBHRKFJIUUOQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N francium atom Chemical compound [Fr] KLMCZVJOEAUDNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Chemical class C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083761 high-ceiling diuretics pyrazolone derivative Drugs 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012982 microporous membrane Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002987 phenanthrenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O phosphonium Chemical compound [PH4+] XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 150000003220 pyrenes Chemical class 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N pyrylium Chemical class C1=CC=[O+]C=C1 WVIICGIFSIBFOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000007660 quinolones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N radium atom Chemical compound [Ra] HCWPIIXVSYCSAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical class [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O sulfonium Chemical compound [SH3+] RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000003518 tetracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M thionine Chemical compound [Cl-].C1=CC(N)=CC2=[S+]C3=CC(N)=CC=C3N=C21 ANRHNWWPFJCPAZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
従来、封止層は窒化シリコン(SiN)などで形成されており、形成方法として、通常プラズマCVD(Plasma−Enhanced Chemical Vapor Deposition)が用いられる。窒化シリコン膜の成膜に当たり、膜密度を高めて封止性を高めると、封止層の曲げに対する耐性が極めて小さくなるため、亀裂が生じて被覆性が低下する場合がある。
ところで、最近では有機EL表示パネルの大型化が進んでおり、このようなサイズの大型化における効率の良い有機膜の成膜方法として、樹脂材料を含むインク(溶液)をインクジェット装置等を使用して塗布するウエットプロセスが提案されている。
気泡の発生原因としては、例えば、局所的な圧力低下あるいは温度上昇等によりインク中の溶存気体の溶解度が低下し、過飽和になった溶存気体が気泡となって現れるというものがあった。
最近では、この脱気装置としては、中空糸膜からなるフィルターに溶液を通過させ気泡や溶存気体を除去する構成が使用される場合が多い。中空糸膜を用いた脱気装置は効率的に溶存気体を除去できるからである。
本発明は、中空糸膜などのフィルターを採用した脱気装置を使用しても溶液漏れなどのトラブルが発生しない有機EL表示パネルの製造方法及び有機EL表示パネルの封止層の形成装置を提供することを目的とする。
本発明者は、脱気装置に損傷が発生する原因について鋭意検討を行った。すると、中空糸膜の壁面の一部が溶融して破損しており、当該破損が、有機絶縁材料のインクと中空糸膜などのフィルターの内壁面との間に生ずる摩擦帯電に起因していることが分かった。
すなわち、中空糸膜などのフィルターの材料として、有機溶媒に対する耐性を有するフッソ樹脂などが使用される場合が多く、このフッソ樹脂は帯電列のなかでも特に帯電しやすい材料である。インクがフィルター中を流れる際に中空糸の内壁面と溶液の摩擦により静電気が発生し(摩擦帯電)、インクとして使用していた有機材料が絶縁性であるため、フィルターの内壁面に静電気が徐々に蓄積し、やがてスパークが発生して、そのときに発生する熱により、中空糸膜が溶融したものと考えられる。
<本発明を実施するための形態の概要>
本発明を実施するための形態の一態様に係る有機EL表示パネルの製造方法は、基板を準備する工程と、前記基板上に複数の有機EL素子を形成する工程と、有機絶縁材料に導電物質を添加した封止用の溶液を、気体のみを通過させるフィルターを用いて脱気する工程と、前記有機EL素子の上に、脱気された前記封止用の溶液を塗布して封止層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
ここで、「脱気」とは、溶液に含まれる気体の少なくとも一部、又は全部を除去することを意味する。
これにより、脱気工程におけるスパークの発生を効果的に防止することができる。
また、前記フィルターは、フッ素系樹脂からなる中空糸膜で構成されていることとしてもよい。
また、前記導電物質は、イオン液体であることとしてもよい。
イオン液体は、熱安定性、不揮発性が高く、また、樹脂との相溶性を調整することにより樹脂の透明性を維持することが可能であり、少量の添加でも優れた帯電防止の効果を得ることができる。
本発明を実施するための形態の一態様は、基板上に形成された複数の有機EL素子の上に封止層を形成する封止層形成装置であって、有機絶縁材料に導電物質を添加した封止用の溶液を貯留するタンクと、前記タンク内の封止用の溶液を脱気する脱気手段と、脱気された封止用の溶液を有機EL素子の上に塗布する塗布手段とを備えることを特徴とする。
これにより、脱気手段におけるスパークの発生を効果的に防止することができる。
ここで、前記脱気手段は、前記封止用の溶液をフッ素系樹脂からなる中空糸膜からなるフィルターを通過させて脱気する構成であることとしてもよい。
また、前記塗布手段は、インクジェット装置であるとしてもよい。
インクジェット装置は、大型の有機EL表示パネルであっても、必要な範囲に正確かつ均一に封止用の溶液を塗布することができ、溶液の無駄が生じないので、生産性に優れている。
ここで、前記有機絶縁材料に導電物質が散在してなる封止層の導電率は、1.0×10-12[S/m]よりを大きく、1.0[S/m]以下である。
以下、実施の形態に係る有機EL素子について説明する。なお、以下の説明は、本発明の一態様に係る構成及び作用・効果を説明するための例示であって、本発明の本質的部分以外は以下の形態に限定されない。
1.有機EL素子の構成
図1は、本実施の形態に係る有機EL表示パネル510(図11参照)の部分断面図である。有機EL表示パネル510は、3つの色(赤色、緑色、青色)を発光する3種類有機EL素子で構成される画素を複数備えている。図1では、その1つの画素の断面を示している。
各色の有機EL素子は、ほぼ同様の構成を有するので、区別しないときは、有機EL素子1として説明する。
図1に示すように、有機EL素子1は、基板11、層間絶縁層12、画素電極13、隔壁層14、正孔注入層15、正孔輸送層16、発光層17、電子輸送層18、電子注入層19、対向電極20、および、封止層23からなり、封止層23は第1、第2封止層21、22の2層構造となっている。
(1)基板
基板11は、絶縁材料である基材111と、TFT(Thin Film Transistor)層112とを含む。TFT層112には、画素ごとに駆動回路が形成されている。基材111は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
層間絶縁層12は、基板11上に形成されている。層間絶縁層12は、樹脂材料からなり、TFT層112の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。また、図1の断面図には示されていないが、層間絶縁層12には、画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
画素電極13は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層12上に形成されている。画素電極13は、画素ごとに設けられ、コンタクトホール(不図示)を通じてTFT層112と電気的に接続されている。
本実施形態においては、画素電極13は、陽極として機能する。
(4)隔壁層
隔壁層14は、画素電極13と正孔注入層15の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で正孔注入層15上に形成されている。正孔注入層15上面において隔壁層14で被覆されていない領域(以下、「開口部」という)は、サブピクセルに対応している。すなわち、隔壁層14は、サブピクセルごとに設けられた開口部14aを有する。
隔壁層14は、例えば、絶縁性の有機材料(例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等)からなる。隔壁層14は、発光層17を塗布法で形成する場合には塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能し、発光層17を蒸着法で形成する場合には蒸着マスクを載置するための構造物として機能する。本実施の形態では、隔壁層14は、樹脂材料からなり、隔壁層14の材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。本実施の形態においては、フェノール系樹脂が用いられている。
正孔注入層15は、画素電極13から発光層17への正孔の注入を促進させる目的で、画素電極13上に設けられている。正孔注入層15は、例えば、Ag(銀)、Mo(モリブデン)、Cr(クロム)、V(バナジウム)、W(タングステン)、Ni(ニッケル)、Ir(イリジウム)などの酸化物、あるいは、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料からなる層である。
本実施の形態では、正孔注入層15は、酸化タングステンからなる。正孔注入層15を遷移金属の酸化物で形成すると、複数の酸化数を取るため、複数の準位を取ることができ、その結果、正孔注入が容易になり、駆動電圧の低減に寄与する。
正孔輸送層16は、親水基を備えない高分子化合物を用い開口部14a内に形成されている。例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いることができる。
正孔輸送層16は、正孔注入層15から注入された正孔を発光層17へ輸送する機能を有する。
発光層17は、開口部14a内に形成されており、正孔と電子の再結合により、R、G、Bの各色の光を出射する機能を有する。有機発光層の材料としては、公知の材料を利用することができる。具体的には、例えば、特許公開公報(特開平5−163488号公報)に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
電子輸送層18は、対向電極20からの電子を発光層17へ輸送する機能を有する。電子輸送層18は、電子輸送性が高い有機材料からなり、アルカリ金属、および、アルカリ土類金属を含まない。
電子輸送層18に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
電子注入層19は、対向電極20から供給される電子を発光層17側へと注入する機能を有する。電子注入層19は、例えば、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成されている。実施の形態では、Baがドープされている。
電子注入層19に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
対向電極20は、透光性の導電性材料からなり、電子注入層19上に形成されている。対向電極20は、陰極として機能する。
対向電極20の材料としては、例えば、ITOやIZOなどを用いることができる。あるいは、対向電極20の材料として、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属を用いてもよい。この場合、対向電極20は透光性を有する必要があるため、膜厚は、約20nm以下の薄膜として形成される。
封止層23は、正孔輸送層16、発光層17、電子輸送層18、電子注入層19などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりして劣化するのを防止するために設けられるものであり、本実施形態では、封止層23は、第1封止層21と第2封止層22の2層構造となっている。
第2封止層22は、例えば、紫外線硬化樹脂からなり、内部にイオン液体の成分が散在している。この第2封止層22を設けることにより、第1封止層21を補強すると共に、万一、第1封止層21に亀裂などが発生しても内部の有機機能層が外気に直接触れるのを防止する。
(12)その他
図1には示されてないが、第2封止層22を介してカラーフィルタや上部基板を貼り合せてもよい。上部基板を貼り合せることによって、正孔輸送層16、発光層17、電子輸送層18、電子注入層19を水分および空気などからさらに保護できる。
以下、実施の形態の有機EL表示パネルの第2封止層をウエットプロセスで形成する封止層形成装置の構成について説明する。
封止層形成装置は、インク供給部1100とインクジェット装置1200とからなる。
(1)インク供給部1100
図2は、インク供給部1100の構成を示す概略図である。
供給タンク110には、第2封止層22の材料として、紫外線(UV)硬化樹脂に、導電物質としてイオン液体を加えたインクが貯留される。
紫外線硬化樹脂は、ウレタンアクリレート、アクリル樹脂アクリレート、エポキシアクリレートなど既存のものであれば、特に種類を問わないが、トップエミッション型の有機EL表示パネルにあっては、光透過性に優れているものが望ましいことはいうまでもない。
イオン液体のカチオンとしては、アンモニア系、ホスホニウム系、スルホニウム系、イミダゾリウム系、ピリジン系の有機物などがあり、アニオンとしては、AlCl4 -、I-、BF4 -、PF6 -、AsF6 -、SbF6 -、NbF6-、CF3SO3 -、C(CF3SO2)3 -、C3F7CO2 -、C4F9SO3 -、N(CF3SO2)2 -、N(C2F5SO2)2 -、N(CF3SO2)(CF3CO)-、などがあり、市販されているものも多い。
供給タンク110に貯留されたインクは、搬送ポンプ171、172によって脱気装置160内を循環し、脱気処理がなされる。
脱気処理後の供給タンク110内のインクは、インクジェット装置1200(図5)のインクジェットヘッド301に供給され、第1封止層21上に吐出されて第2封止層22を形成する。
図3は、本実施形態における脱気装置160における脱気の原理を示す図である。
脱気装置160内には図3(a)のような中空糸膜161の束(中空糸膜束)162が内蔵されている。中空糸膜161は、気体は透過するが液体は透過しない中空糸状のフィルター膜である。
なお、中空糸膜161の膜形状(側壁の形状)としては、例えば、多孔質膜、微多孔膜、多孔質を有さない均質膜(非多孔膜)が挙げられる。
図4は、脱気装置160の構成の一例を示す概略断面図である。
同図に示すように脱気装置160は、複数本の中空糸膜161が束ねられた中空糸膜束162と、中空糸膜束162を収容するハウジング163とを備えている。
ハウジング163内の空間は、第1封止部167と第2封止部168によって3つの密閉空間163A〜163Cに分けられ、中空糸膜束162の両端部が、それぞれ第1封止部167と第2封止部168によって保持される。第1封止部167、第2封止部168は、樹脂により形成されている。封止に用いる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、紫外線硬化樹脂、ポリオレフィン樹脂などが挙げられる。
搬送ポンプ171(図2参照)により搬送されたインクは、供給口1651から第1蓋部165内の空間163A内に流入し、中空糸膜束162内を流れて第2蓋部166内の空間163C内に流出し、排出口1661から排出され、搬送ポンプ172により供給タンク110に戻される。
なお、脱気処理により、インクに含まれる溶存気体が全部除去されるのが望ましいが、インクジェット方式による封止層形成工程の過程で、成膜に影響しない程度であれば、一部残存しても構わない。
具体的には、有機絶縁材料にイオン液体を添加した封止用のインクの導電率は、1.0×10-12[S/m]より大きく、1.0[S/m]以下であることが望ましい。
インクの導電率が、1.0×10-12[S/m]以下であると、放電効果が十分得られなくなり、長時間の連続使用により、やはり中空糸膜161に徐々に静電気が蓄積され、スパークが発生するおそれがあるからである。
インクが上記の導電率の範囲内となるように、有機絶縁材料の種類、イオン液体の電荷数などの条件を考慮して、実験などにより具体的なイオン液体の添加量が決定される。
(3)インクジェット装置
図5は、本実施形態に係るインクジェット装置1200の主要構成を示す図である。
(3−1)インクジェットテーブル
図5に示すように、インクジェットテーブル200は、いわゆるガントリー式の動作テーブルであり、基台のテーブルの上をガントリー部(移動架台)が一対のガイドシャフトに沿って移動可能に配されている。
また、ガントリー部210は、リニアモータ205、206を介してガイドシャフト204A、204Bに保持されている。
この構成により、インクジェット装置1200の駆動時において、一対のリニアモータ205、206が駆動されることで、ガントリー部210がガイドシャフト204A、204Bの長手方向(Y軸方向)に沿ってスライド自在に往復運動する。
(3−2)ヘッド部
ヘッド部300は、公知のピエゾ方式を採用し、インクジェットヘッド301及び本体部302で構成されている。インクジェットヘッド301は本体部302を介して移動体220に固定されている。本体部302はサーボモータを内蔵しており、インクジェットヘッド301を上下方向(Z軸方向)に移動させる。
以上の構成を有する封止層形成装置を用い、ウエットプロセスにより第2封止層の形成を行う。なお、この封止層形成装置は、インクを交換することにより、正孔注入層や発光層などの有機機能層の形成にも用いることができる。
以下、有機EL素子1の製造方法について、図面を用いて説明する。図6(a)〜(e)、図7(a)〜(d)、図8(a)〜(d)および図9(a)、(b)は、有機EL素子1の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。図10は、有機EL素子1の製造方法を示すフローチャートである。
まず、図6(a)に示すように、基材111上にTFT層112を成膜して基板11を形成する(図10のステップS1)。TFT層112は、公知のTFTの製造方法により成膜することができる。
次に、図6(b)に示すように、基板11上に層間絶縁層12を形成する(図10のステップS2)。層間絶縁層12は、例えば、プラズマCVD法、スパッタリング法などを用いて積層形成することができる。
次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層12上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウェットエッチング法を用いパターニングすることがなされる。
次に、図6(c)に示すように、層間絶縁層12上に画素電極材料層1300を形成する(図10のステップS3)。画素電極材料層1300は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
次に、図6(d)に示すように、画素電極材料層1300上に正孔注入材料層1500を形成する(図10のステップS4)。正孔注入材料層1500は、例えば、反応性スパッタ法などを用いて形成することができる。
なお、画素電極13、正孔注入層15の形成方法は上述の方法に限られず、例えば、画素電極材料層1300をパターニングして画素電極13を形成してから、正孔注入層15を形成してもよい。
次に、図7(a)に示すように、正孔注入層15および層間絶縁層12上に、隔壁層14の材料である隔壁層用樹脂を塗布し、隔壁材料層1400を形成する。隔壁材料層1400は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒(例えば、乳酸エチルとGBLの混合溶媒)に溶解させた溶液を正孔注入層15上および層間絶縁層12上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。
また、隔壁層14の形成工程においては、さらに、隔壁層14の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。これは、開口部14aに塗布するインク(溶液)に対する隔壁層14の接触角を調節する目的で、もしくは、表面に撥水性を付与する目的で行われる。
次に、図7(c)に示すように、隔壁層14が規定する開口部14aに対し、正孔輸送層16の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド301のノズル3011から吐出して開口部14a内の正孔注入層15上に塗布し、焼成(乾燥)を行って、正孔輸送層16を形成する(図10のステップS8)。
次に、図7(d)に示すように、発光層17の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド301のノズル3011から吐出して開口部14a内の正孔輸送層16上に塗布し、焼成(乾燥)を行って発光層17を形成する(図10のステップS9)。
(6)電子輸送層18の形成
次に、図8(a)に示すように、発光層17および隔壁層14上に、電子輸送層18を形成する(図10のステップS10)。電子輸送層18は、例えば、電子輸送性の有機材料を蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
次に、図8(b)に示すように、電子輸送層18上に、電子注入層19を形成する(図10のステップS11)。電子注入層19は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属を共蒸着法により各サブピクセルに共通して成膜することにより形成される。
(8)対向電極20の形成
次に、図8(c)に示すように、電子注入層19上に、対向電極20を形成する(図10のステップS12)。対向電極20は、ITO、IZO、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。
次に、図8(d)に示すように、対向電極20上に、第1封止層21を形成する(図10のステップS13)。第1封止層21は、SiON、SiN等を、スパッタリング法、CVD法などにより成膜することにより形成することができる。
(10)第2封止層22の形成
次に、図9(a)に示すように、前述した導電率の範囲内に設定された紫外線硬化樹脂とイオン液体を含むインクを上記脱気装置160で脱気処理した後、インクジェット装置1200におけるインクジェットヘッド301のノズル3011から吐出して第1封止層21上に塗布した後、紫外線を照射して硬化させて第2封止層22を形成する(図10のステップS14)。
これにより、図9(b)に示すように有機EL表示パネルが完成する。
5.有機EL表示装置の全体構成
図11は、有機EL表示パネル510を備えた有機EL表示装置500の構成を示す模式ブロック図である。
なお、有機EL表示パネル510に対する駆動制御部520の配置については、これに限られない。
上記実施形態で説明した通り、第2封止層を絶縁性の有機材料からなるインクを塗布して形成する場合において、当該インクにイオン液体を添加して、所定範囲内の導電率に調整することにより脱気装置における中空糸膜の帯電を除去することができるので、中空糸膜におけるスパークが生じなくなり、脱気装置の破壊を防止することができる。また、帯電によって第2封止層を絶縁性の有機材料からなるインクの一部が予期しない硬化反応を起こし、装置中に固化異物が発生したり、装置配管が詰まるトラブルにつながる事を抑制することができる。これらにより良質の有機EL表示パネルの生産性を向上させることができる。 <変形例>
以上、本開示に係る有機発光パネルおよび表示装置について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
例えば、紫外線硬化樹脂に代えて、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル(不飽和ポリエステル)などの熱硬化樹脂を用いても構わない。トップエミッション型の有機EL表示パネルにあっては、光透過性に優れているものが望ましいことはいうまでもない。
(2)上記実施形態では、紫外線硬化樹脂に添加する導電物質として、イオン液体を用いたが、これだけに限らず、有機絶縁材料に添加して導電性を付与するものであれば、どのようなものでもよい。例えば、銀などの金属からなる導電性微粒子を添加するようにしても構わない。もちろん導電性微粒子の大きさは、インクジェット装置1200のノズル3011を十分通過する大きさ以下である必要がある。なお、紫外線硬化樹脂の硬化後に第2封止層22中に導電性微粒子が残存するが、少量であれば、光透過性にほとんど影響しない。
(3)上記実施の形態においては、陰極が対向電極であり、かつ、トップエミッション型の有機EL表示装置であるとした。しかしながら、例えば、陽極が対向電極であり、陰極が画素電極であってもよい。また、例えば、ボトムエミッション型の有機EL表示装置であってもよい。
11 基板
12 層間絶縁層
13 画素電極
14 隔壁層
14a 開口部
15 正孔注入層
16 正孔輸送層
17 発光層
18 電子輸送層
19 電子注入層
20 対向電極
21 第1封止層
22 第2封止層
23 封止層
110 供給タンク
111 基材
112 TFT層
160 脱気装置
161 中空糸膜
162 中空糸膜束
163 ハウジング
171、172 搬送ポンプ
173 真空ポンプ
200 インクジェットテーブル
210 ガントリー部
220 移動体
300 ヘッド部
301 インクジェットヘッド
500 有機EL表示装置
510 有機EL表示パネル
1100 インク供給部
1200 インクジェット装置
Claims (12)
- 基板を準備する工程と、
前記基板上に複数の有機EL素子を形成する工程と、
有機絶縁材料に導電物質を添加した封止用の溶液を、気体のみを通過させるフィルターを用いて脱気する工程と、
前記有機EL素子の上に、脱気された前記封止用の溶液を塗布して封止層を形成する工程と、
を含む
ことを特徴とする有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記有機絶縁材料に導電物質を添加した封止用の溶液の導電率は、1.0×10-12[S/m]より大きく、1.0[S/m]以下である
ことを特徴とする請求項1に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記フィルターは、フッ素系樹脂からなる中空糸膜で構成されている
ことを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記導電物質は、イオン液体である
ことを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 前記有機絶縁材料は、紫外線硬化樹脂もしくは熱硬化樹脂である
ことを特徴とする請求項1から4までのいずれかに記載の有機EL表示パネルの製造方法。 - 基板上に形成された複数の有機EL素子の上に封止層を形成する封止層形成装置であって、
有機絶縁材料に導電物質を添加した封止用の溶液を貯留するタンクと、
前記タンク内の封止用の溶液を脱気する脱気手段と、
脱気された封止用の溶液を有機EL素子の上に塗布する塗布手段と、
を備えることを特徴とする封止層形成装置。 - 前記有機絶縁材料に導電物質を添加した封止用の溶液の導電率は、1.0×10-12[S/m]より大きく、1.0[S/m]以下である
ことを特徴とする請求項6に記載の封止層形成装置。 - 前記脱気手段は、前記封止用の溶液をフッ素系樹脂からなる中空糸膜からなるフィルターを通過させて脱気する構成である
ことを特徴とする請求項6または7に記載の封止層形成装置。 - 前記導電物質は、イオン液体であることを特徴とする請求項6から8までのいずれかに記載の封止層形成装置。
- 前記塗布手段は、インクジェット装置である
ことを特徴とする請求項6から9までのいずれかに記載の封止層形成装置。 - 基板と、
前記基板上に形成された複数の有機EL素子と、
前記有機EL素子の上方に形成された封止層と、
を備え、
前記封止層は、有機絶縁材料に導電物質が散在している
ことを特徴とする有機EL表示パネル。 - 前記有機絶縁材料に導電物質が散在してなる封止層の導電率は、1.0×10-12[S/m]よりを大きく、1.0[S/m]以下である
ことを特徴とする請求項11に記載の有機EL表示パネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US16/152,415 US10547027B2 (en) | 2017-10-06 | 2018-10-05 | Organic EL display panel manufacturing method and sealing layer forming device |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017196285 | 2017-10-06 | ||
JP2017196285 | 2017-10-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019071268A JP2019071268A (ja) | 2019-05-09 |
JP6757363B2 true JP6757363B2 (ja) | 2020-09-16 |
Family
ID=66440650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018103849A Active JP6757363B2 (ja) | 2017-10-06 | 2018-05-30 | 有機el表示パネルの製造方法及び封止層形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6757363B2 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4926246B2 (ja) * | 2007-05-16 | 2012-05-09 | 株式会社アルバック | 有機el装置の製造装置 |
US7951620B2 (en) * | 2008-03-13 | 2011-05-31 | Applied Materials, Inc. | Water-barrier encapsulation method |
JP6200203B2 (ja) * | 2013-05-16 | 2017-09-20 | 積水化学工業株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子用封止剤及び有機エレクトロルミネッセンス表示素子の製造方法 |
JP2016022394A (ja) * | 2014-07-16 | 2016-02-08 | パナソニック株式会社 | インクジェット装置、およびそのインクジェット装置を用いた有機elデバイスの製造方法 |
JP6428432B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2018-11-28 | 味の素株式会社 | 封止用シート、その製造方法および評価方法 |
JP6955767B2 (ja) * | 2015-07-31 | 2021-10-27 | カティーバ, インコーポレイテッド | インク送達システムおよび方法 |
-
2018
- 2018-05-30 JP JP2018103849A patent/JP6757363B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019071268A (ja) | 2019-05-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5624047B2 (ja) | 有機el表示パネルとその製造方法 | |
JP4661971B2 (ja) | 発光装置 | |
KR100856624B1 (ko) | 표시장치의 제조장치 및 표시장치의 제조방법 | |
US10243176B2 (en) | Method for manufacturing organic EL display device and organic EL display device | |
JP5785935B2 (ja) | 有機el表示パネルの製造方法、および有機el表示パネルの製造装置 | |
JP4788161B2 (ja) | 塗布液組成物、薄膜形成方法および有機薄膜 | |
JP2019160495A (ja) | 有機el表示パネルの製造方法および製造装置 | |
JP7107753B2 (ja) | 電子デバイスの製造方法及びインクジェット印刷装置の駆動方法 | |
JP2020177796A (ja) | 自発光パネルおよびその製造方法、並びに自発光表示装置、電子機器 | |
JP6757363B2 (ja) | 有機el表示パネルの製造方法及び封止層形成装置 | |
WO2015107604A1 (ja) | 発光装置、及び発光装置の製造方法 | |
JP2011044340A (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP2020155766A (ja) | 自発光素子及び自発光素子の製造方法、並びに自発光表示装置、電子機器 | |
JP2012252983A (ja) | 有機el表示パネルの製造方法、カラーフィルターの製造方法、有機el表示パネルの製造装置および有機el表示パネル | |
US10547027B2 (en) | Organic EL display panel manufacturing method and sealing layer forming device | |
JP2015207527A (ja) | 有機発光デバイスの機能層の形成方法及び有機発光デバイスの製造方法 | |
JP5625680B2 (ja) | 機能膜形成方法及び電気光学素子の製造方法 | |
JP5899763B2 (ja) | 塗工装置及び有機機能性素子の製造方法 | |
JP5771906B2 (ja) | 印刷用凸版の製造方法 | |
JP5263060B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2011175909A (ja) | 凸版印刷版 | |
JP2010205528A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 | |
JP2020167023A (ja) | 有機elデバイス用隔壁付基板の製造方法及び有機elデバイスの製造方法 | |
JP2016110944A (ja) | 有機el素子の製造方法及びインクジェット装置 | |
JP5736897B2 (ja) | 電気光学素子基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190726 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200804 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200828 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6757363 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S303 | Written request for registration of pledge or change of pledge |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316303 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S803 | Written request for registration of cancellation of provisional registration |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R316803 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |