TWI577066B - 有機發光二極體的混合式封裝方法 - Google Patents

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Description

有機發光二極體的混合式封裝方法
本發明係大致關於封裝有機發光二極體的方法及裝備。
有機發光二極體(OLED)顯示器，例如與液晶顯示器(LCD)作比較，因為有機發光二極體顯示器較快速的反應時間、較大的視角、較高的對比、較輕的重量、低功率及對彈性基板的適宜度，所以最近獲得顯著地關注。然而，OLED可具有受限的生命週期，因為具有光電效能的減少及驅動電壓的增加之特徵。OLED結構的降級之主要原因，係歸因於濕氣或氧氣的入侵所造成的不發光暗點的形成。對於此原因，OLED結構一般由夾擠於非有機層之間的有機層封裝。有機層係用以填充在第一非有機層中的任何空隙或缺陷，使得第二非有機層具有實質上均勻的表面或沉積。
第1A-C圖圖示用於沉積封裝層的傳統處理，該封裝層一般包括第一非有機層106(圖示為106a及106b)、有機層108(圖示為108a及108b)及第二非有機層116(圖示為116a及116b)。如第1A圖中所圖示，處理由將第一遮罩109對準於基板100上方而開始，使得OLED結構104透過開口107而暴露，該開口107未受到遮罩109 保護。第一遮罩109界定開口107，該開口107具有從OLED結構104至第一遮罩109的邊緣的距離110。第一遮罩109一般以諸如INVAR®的金屬材料製成。如第1A圖中所圖示，第一遮罩109用以將例如氮化矽或氧化鋁的第一非有機層106(圖示為106a、106b)塗布(pattern)於OLED結構104上。第一遮罩109被放置，使得鄰接OLED結構104的接觸層102的一部分105由第一遮罩109覆蓋，使得非有機層106不沉積於該部分105上。如第1B圖中所圖示，第一遮罩109被移除且由第二遮罩114替代，該第二遮罩114具有比第一遮罩109的開口107更小的開口111。第二遮罩114界定開口111，該開口111具有比由第一遮罩109界定的距離110更短的距離112，該距離112係從OLED結構104至第二遮罩114的邊緣。利用第二遮罩114，在第一非有機層106上沉積有機層108(圖示為108a、108b)。因為第二遮罩114具有比第一遮罩109更小的開口111，所以有機層108不完全覆蓋下層非有機層106。OLED結構104的封裝，如第1C圖中所圖示，藉由利用第一遮罩109，在第一非有機層106及有機層108的經暴露部分的上方沉積至少第二非有機層116(圖示為116a及116b)而完成。第二非有機層116與第一非有機層106一起全然地封裝有機層108，藉此封裝OLED結構104同時留下暴露的接觸層102的部分105。
上述傳統的處理流程對於使用較大面積的基板(例如 具有大於大約1500平方公分的頂部平面面積)，在避免商業上可實行的規模具有顯著的挑戰。舉例而言，執行上述處理所需要的兩個金屬遮罩109、114對於此等大面積的基板係非常昂貴的，且各個金屬遮罩可超過$40000.00的花費。此外，各個金屬遮罩109、114對OLED結構104需要非常緊密的對準容限，通常在100 μm之內。因為此等遮罩109、114常常超過一公尺的長度，所以當從周遭溫度加熱至大約攝氏80度的處理溫度時，遮罩109、114遭受顯著地熱膨脹。此顯著地熱膨脹對OLED製造提供首要挑戰，此挑戰係關於如何避免透過遮罩109、114及OLED結構104所形成的開口107、111之間的對準失落。對準的失落可導致OLED結構104的不完整封裝，此舉接著導致OLED設備104的縮短的生命及減小的效能。
因此，需要用於封裝OLED結構的改良的方法及裝置。
在本發明的一個實施例中，一種用於在有機發光二極體(OLED)基板上形成封裝層的方法，該方法包含以下步驟：在具有OLED結構佈置於基板上的該基板的區域上形成第一非有機層；在第一非有機層上形成混合非有機/有機層；及在混合非有機/有機層上形成第二非有機層。
在另一實施例中，一種用於在有機發光二極體(OLED)基板上形成封裝層的方法，該方法包含以下步驟：在具有OLED結構佈置於基板上的該基板的區域上形成混合層的第一非有機子層；在第一非有機子層上形成混合層的有機子層；及在有機子層上形成第二非有機子層。
仍在另一實施例中，一種在有機發光二極體(OLED)基板上的封裝層，該封裝層包含：混合層的第一非有機子層，該第一非有機子層形成於具有OLED結構佈置於基板上的該基板的區域上；混合層的有機子層，該有機子層形成於第一非有機子層上；及混合層的第二非有機子層，該第二非有機子層形成於有機子層上。
本揭示案提供用於封裝OLED結構的方法及裝置，該OLED結構使用材料混合層佈置於基板上。在沉積材料混合層期間所使用的處理參數允許控制沉積的混合層的特徵。混合層可被沉積，使得在混合層的某些子層中具有非有機材料的特徵，且在混合層的其他子層中具有有機材料的特徵。混合材料的使用允許OLED封裝使用單一硬遮罩，以低花費完成封裝處理，而無呈現於傳統處理中的對準問題。
第2圖係用於封裝佈置於基板上的OLED結構的方法200的流程圖。第3A-3C圖圖示在第2圖的不同階段期 間，OLED結構的概要剖面視圖。方法200於處理202，由提供基板100開始，該基板100具有預形成OLED結構104佈置於該基板100上。類似於以上所討論，基板100可具有接觸層102佈置於該基板100上，如第3A圖中所圖示，該基板100具有OLED結構104佈置於接觸層102上。
於處理204處，如第3A圖中所圖示，在基板100上對準遮罩309，使得OLED結構104透過開口307而暴露，該開口307未受到遮罩309保護。遮罩309被放置，使得鄰接OLED結構104的接觸層102的一部分305由遮罩309覆蓋，使得任何接續的沉積材料不沉積於該部分305上。遮罩309可以諸如INVAR®的金屬材料形成。
於處理206處，如第3A圖中所圖示，第一非有機層308係沉積於基板100上。第一非有機層308具有第一部分308a及第二部分308b。第一非有機層308的第一部分308a透過開口307沉積於由遮罩309所暴露的基板100的區域上，該區域包括OLED結構104及接觸層102的一部分。第一非有機層308的第二部分308b沉積於遮罩309上，遮罩309覆蓋基板100的第二區域，該第二區域包括接觸層102的部分305。第一非有機層308係介電層，例如SiN、SiON、SiO2、Al2O3、AIN或其他適合的介電層。第一非有機層308可由適合的沉積技術來沉積，例如CVD、PVD、旋轉塗布或其他適合的技術。
於處理208處，如第3B圖中所圖示，在基板100上形 成第一非有機層308之後，接著在基板100的第一非有機層308上形成混合層312。混合層312的第一部分312a可透過遮罩309的開口307而沉積於基板100上，在由遮罩309所暴露的基板100的區域上，覆蓋第一非有機層308的第一部分308a。混合層312的第二部分312b係沉積於佈置於遮罩309上的第一非有機層308之第二部分308b上，該第二部分308b覆蓋接觸層102的部分305。
混合層312係透過沉積處理(例如，氣體的流量比率)所控制的材料層，該材料層被控制為有機的，且具有有機材料的特性，例如丙烯酸鹽、甲基丙烯酸酯、丙烯酸或類似者，或該材料層被控制為非有機的，且具有非有機材料的特性，例如上述所使用的第一非有機層308。當混合材料在非有機狀態時，該混合材料具有非有機材料的特性，例如幾乎與所列舉的非有機材料相同的密度及孔隙性。當混合材料在有機狀態時，該混合材料可包括有機材料特徵的有機特性，該特徵包括幾乎與所列舉的有機材料相同的應力釋放性、顆粒符合及彈性。在「有機」狀態的混合材料比在「非有機」狀態具有更多的彈性及更少的密度。
在混合層312中所使用的材料的範例係電漿聚合的六甲基二矽氧烷(pp-HMDSO)。pp-HMDSO材料層的沉積藉由流動含氧氣體及HMDSO氣體而達成。在pp-HMDSO層的沉積期間，含氧氣體流對HMDSO氣體 流的比率被控制，以控制得到的pp-HMDSO層的有機/非有機狀態及特性。
在一個範例中，含氧氣體係氧氣(O2)。在沉積非有機pp-HMDSO層的處理期間，可維持高的O2/HMDSO流量比率(例如，大於10)，該非有機pp-HMDSO層具有例如與非有機薄膜相關聯的高密度及低孔隙屏障特性的特徵。在沉積有機pp-HMDSO層的處理期間，可維持低的O2/HMDSO流量比率(例如，小於2)，該有機pp-HMDSO層具有例如與有機薄膜相關聯的低應力特性之特性。
若殘餘矽烷存在於沉積腔室的氣體線路或入口，則在pp-HMDSO層的沉積期間所使用的氧氣的控制可最小化與殘餘矽烷反應的可能性。介於氧氣及殘餘矽烷之間的反應可在pp-HMDSO層中導致非所欲的粒子形成，此粒子可能污染最終OLED裝置。最小化與矽烷反應的可能性之一種方法係在沉積處理之間實行氣體線路清洗。或者，可使用相對於氧氣與矽烷較少反應的其他氣體，例如氧化亞氮。已發現使用氧化亞氮氣體(N2O)作為含氧氣體導致與殘餘矽烷的最小反應，若為被排除，則藉此減少在腔室中使用矽烷之後透徹地清洗氣體線路及腔室的需要。因此，可沉積高品質的pp-HMDSO層而無須在非有機層沉積處理206及混合層沉積處理208之間的任何居間清洗處理。
因此，在一個範例中，含氧氣體係氧化亞氮氣體。在 沉積相對非有機的pp-HMDSO層之處理期間，可維持高的N2O/HMDSO流量比率(例如，大於10)，該層具有例如與非有機薄膜相關聯的以下特徵：高密度及低的孔隙屏障特性。在沉積有機的pp-HMDSO層之處理期間，可維持低的N2O/HMDSO流量比率(例如，小於2)，該層具有例如與有機薄膜相關聯的以下特徵：低應力特性。
已發現歸因於非有機pp-HMDSO的高密度及低孔隙性，即使非有機pp-HMDSO的水接觸角係低的(例如，低於50度，如10度至30度)，但此非有機pp-HMDSO提供出色的濕氣屏障。更進一步發現，儘管此有機pp-HMDSO展現如上方所列舉的有機材料一般出色的彈性及應力釋放特徵，因為有機pp-HMDSO的高的水接觸角(例如，大於50度，如60度至99度)，所以有機pp-HMDSO亦具有良好的抗濕性。在一個範例中，有機pp-HMDSO於二氧化矽網路中具有少於20%的pp-HMDSO之FTIR。
在一範例實施例中，pp-HMDSO層的處理參數可包括介於大約100 sccm及大約800 sccm之間的HMDSO流量比率、介於大約0.15 W/cm2及大約0.75 W/cm2之間的功率密度、介於大約500 mTorr及大約2000 mTorr之間的壓力及介於大約500 mils至1200 mils之間的空間。
於處理210處，在基板100上形成第二非有機層314，如第3C圖所圖示，第二非有機層314覆蓋形成於OLED結構104上的混合層312及第一有機層308。第二非有 機層314包括沉積於混合層312的第一部分312a上方的第一部分314a，及沉積於混合層312的第二部分312b上方的第二部分314b。
第二非有機層314可為類似於第一非有機層308的介電層。第二非有機層314係諸如SiN、SiON、SiO2之介電層或其他合適介電層。第二非有機層314可藉由適合的沉積技術來沉積，例如CVD、PVD、旋轉塗布或其他適合的技術。
第二非有機層314可使用如沉積第一非有機層308及混合層312所利用的相同遮罩309，而沉積於基板100上。此係歸因於控制特性的能力而為可能的，例如控制混合層312的疏水性(hydrophobicity)，以具有良好的屏障特性(即，非有機狀態)及良好的應力釋放特性(即，有機狀態)兩者。同時，在所有區域中的混合層312可維持以具有適當的疏水特性，以確保OLED結構104的良好封裝(即，密度/孔隙度或水接觸角)。因此，在封裝順序期間，遮罩309無須改變或移除。
在一個實施例中，混合層312的沉積經控制，使得鄰接第一非有機層308的子層及鄰接第二非有機層314的另一子層的沉積被控制，進而使得在此等分別的子層中的混合材料係非有機的，此舉使得第一及第二非有機層308、314能夠分別良好地黏接。在此實施例中，混合層312經控制，以形成有機的中央子層，而在非有機子層之間提供良好的應力釋放性。舉例而言，在第一非有機 層308上沉積的混合層312係控制為非有機的，混合層312具有與第一非有機層幾乎匹配的特性(例如，O2/HMDSO或N2O/HMDSO的流量比率大於10)。向上進行沉積時，沉積被控制以具有逐步的梯度，其中材料增加為有機的(例如，減少O2/HMDSO或N2O/HMDSO的流量比率至小於2)。繼續向上時，沉積被控制以具有逐步的梯度，其中材料增加為非有機的(例如，增加O2/HMDSO或N2O/HMDSO的流量比率)，直到材料為非有機的，達成具有與第二非有機層幾乎匹配的特性(例如，O2/HMDSO或N2O/HMDSO的流量比率大於10)。沉積梯度可藉由類比模式(即，連續調變)、數位模式(即，步階調變)或交替調變而控制。
第4圖係用於封裝佈置於基板上的OLED結構的方法400的流程圖。第5A-5C圖圖示使用第4圖的封裝方法400之OLED結構的概要剖面視圖。方法400於處理402，由提供基板100開始，該基板100具有預形成OLED結構104佈置於該基板100上。類似於以上所討論，基板100可具有接觸層102佈置於該基板100上，如第5A圖中所圖示，具有OLED結構104佈置於接觸層102上。
於處理404處，如第5A圖中所圖示，在基板100上對準遮罩509，使得OLED結構104透過開口507而暴露，該開口507未受到遮罩509保護。遮罩509被放置，使得鄰接OLED結構104的接觸層102的一部分505由遮罩509覆蓋，使得任何接續的沉積材料不沉積於該部分 505上。遮罩509可以諸如INVAR®的金屬材料形成。
於處理406-410處，如第5C圖中所圖示，混合層512係沉積於基板100上。混合層512係透過開口507沉積於子層512a-c中由遮罩509暴露的基板100的區域上，該區域包括OLED結構104及接觸層102的一部分。混合層512亦沉積於遮罩509上，遮罩509覆蓋基板100的第二區域，該第二區域包括接觸層102的部分505。
如先前所述關於混合層312，混合層512係透過沉積處理(例如氣體的流量比率)所控制的材料層，以成為有機的，且具有諸如丙烯酸鹽、甲基丙烯酸酯、丙烯酸或類似者之有機材料的特性，或成為非有機的，且具有諸如上述所使用的第一非有機層308之非有機材料的特性。在混合層512中所使用的材料的範例係電漿聚合的六甲基二矽氧烷(pp-HMDSO)。在pp-HMDSO薄膜的沉積期間，含氧氣體(例如，O2或N2O)流量對HMDSO流量的比率可被控制，以控制所得到的pp-HMDSO薄膜子層的有機/非有機特性。
在處理406中，混合層512的第一子層512a係如第5A圖中所圖示沉積。在第一子層512a的沉積期間，處理參數被控制，使得第一子層512a的沉積相對地為非有機，第一子層512a具有與上述非有機材料匹配的材料特性，以對混合層512提供良好的屏障特性。舉例而言，混合層512的第一子層512a可以高的O2/HMDSO或N2O/HMDSO流量比率(例如，大於10)沉積，以提供 具有良好的屏障特性(例如，高密度、低孔隙性)之pp-HMDSO層。
在處理408中，混合層512的第二子層512b係如第5B中所圖示地沉積。在第二子層512b的沉積期間，控制處理參數，使得第二子層512b的沉積為有機的，第二子層512b具有與上述該等有機材料批配的特性，以在子層512a及512c之間提供良好的應力釋放性。舉例而言，混合層512的第二子層512b可以低的O2/HMDSO或N2O/HMDSO流量比率(例如，少於2)來沉積，以提供有機的pp-HMDSO層，而具有有機特性及高的水接觸角(例如，大於50度)。
在處理410中，混合層512的第三子層512c係如第5C圖中所圖示地沉積。在第三子層512c的沉積期間，處理參數經控制，使得第三子層512c的沉積係為非有機，且具有與上述該等非有機材料批配的特性，以對混合層512提供良好的屏障特性。舉例而言，混合層512的第三子層512c可以高的O2/HMDSO或N2O/HMDSO流量比率沉積(例如，大於10)，以提供具有良好屏障特性且具有低的接觸角(小於50度)的相對非有機pp-HMDSO層。
儘管以上由三個相異子層描繪且敘述混合層512的沉積，但混合層的沉積可更平順地控制，以具有梯度的單一層沉積混合層512，該梯度由如第一子層512a處的非有機層開始沉積。沉積參數可接著逐漸改變，以增加地 有機特性(例如，藉由減少O2/HMDSO或N2O/HMDSO流量比率)提供平順(連續或逐步地)梯度的材料，直到子層512b係有機的。接著，沉積參數可逐漸改變，以增加地非有機特性(例如，藉由增加O2/HMDSO或N2O/HMDSO流量比率)提供平順(連續或逐步地)梯度的材料，直到子層512c係非有機的。
在範例實施例中，pp-HMDSO層的處理參數可包括介於大約100 sccm及大約800 sccm之間的HMDSO流量比率，功率密度可介於0.15 W/cm2及大約0.75 W/cm2之間，壓力可介於大約500 mTorr及大約2000 mTorr之間，且間隔可介於大約500 mils至1200 mils之間。
因此，提供用於在OLED結構上形成封裝層的方法及裝置。藉由在封裝形成處理期間利用混合層，可使用單一遮罩，藉此與傳統的兩個硬遮罩沉積處理相比較，有益地降低製造花費，同時增加製造產量。應瞭解儘管此處所述的實施例描繪單一的封裝層/子層的堆疊，可使用多重的封裝層/子層的堆疊而不脫離本發明的範疇。
儘管以上導向本揭示案的實施例，可策劃其他及進一步實施例而不悖離此基本範疇，且此範疇係由以下的專利申請範圍決定。
100‧‧‧基板
102‧‧‧接觸層
104‧‧‧OLED結構
105‧‧‧部分
106‧‧‧第一非有機層
106a‧‧‧第一非有機層
106b‧‧‧第一非有機層
107‧‧‧開口
108‧‧‧有機層
108a‧‧‧有機層
108b‧‧‧有機層
109‧‧‧第一遮罩
110‧‧‧距離
111‧‧‧開口
112‧‧‧距離
114‧‧‧遮罩
116‧‧‧第二非有機層
116a‧‧‧第二非有機層
116b‧‧‧第二非有機層
200‧‧‧方法
202‧‧‧處理
204‧‧‧處理
206‧‧‧處理
208‧‧‧處理
210‧‧‧處理
305‧‧‧部分
307‧‧‧開口
308‧‧‧第一非有機層
308a‧‧‧第一部分
308b‧‧‧第二部分
309‧‧‧遮罩
312‧‧‧混合層
312a‧‧‧第一部分
312b‧‧‧第二部分
314‧‧‧第二非有機層
314a‧‧‧第一部分
314b‧‧‧第二部分
400‧‧‧方法
402‧‧‧處理
404‧‧‧處理
406‧‧‧處理
408‧‧‧處理
410‧‧‧處理
505‧‧‧部分
507‧‧‧開口
509‧‧‧遮罩
512‧‧‧混合層
512a‧‧‧第一子層
512b‧‧‧第二子層
512c‧‧‧第三子層
因此從以上敘述可詳細瞭解本揭示案所載之特徵，本 揭示案的更特定說明如以上簡要的概述，可作為實施例的參考，其中某些實施例圖示於隨附的圖式。然而應瞭解，隨附的圖式僅圖示本發明的典型實施例，且因此不考慮作為限制本發明的範疇，因為本發明可接納其他均等效果的實施例。
第1A-1C圖圖示在本領域中已知的傳統封裝順序的不同階段期間，OLED結構的概要剖面視圖。
第2圖係根據本發明的一個實施例之用於封裝OLED結構的方法的流程圖。
第3A-3C圖圖示在第2圖的方法的不同階段期間，OLED結構的概要剖面視圖。
第4圖係根據本發明的另一個實施例之用於封裝OLED結構的方法的流程圖。
第5A-5C圖圖示在第4圖的方法的不同階段期間，OLED結構的概要剖面視圖。
為了促進瞭解，盡可能地使用相同的元件符號，以標明在通用的圖式中相同的元件。一個實施例的元件及特徵可考慮有利地併入其他實施例而無須進一步載明。
100‧‧‧基板
102‧‧‧接觸層
104‧‧‧OLED結構
305‧‧‧部分
307‧‧‧開口
308‧‧‧第一非有機層
308a‧‧‧第一部分
308b‧‧‧第二部分
309‧‧‧遮罩
312‧‧‧混合層
312a‧‧‧第一部分
312b‧‧‧第二部分
314‧‧‧第二非有機層
314a‧‧‧第一部分
314b‧‧‧第二部分

Claims (13)

  1. 一種用於在一有機發光二極體(OLED)基板上形成一封裝層的方法，該方法包含以下步驟：在具有一OLED結構佈置於一基板上的該基板的一區域上形成一第一非有機層；形成與該第一非有機層實體接觸的一混合層，其中該混合層包含：一第一子層，該第一子層具有大部分的非有機材料和少部分的有機材料；一中間子層，該中間子層具有大部分的有機材料和少部分的非有機材料；及一第二子層，該第二子層具有大部分的非有機材料和少部分的有機材料，其中該第一子層、該中間子層，及該第二子層係藉由在形成該第一子層、該中間子層，及該第二子層的每一者期間供應包含一HMDSO氣體的一處理氣體來形成；及形成與該混合層實體接觸的一第二非有機層。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該混合層包含電漿聚合的六甲基二矽氧烷(pp-HMDSO)。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該第一子層係藉由提供具有大約10或更大的一流量比率的一含氧氣體和該 HMDSO氣體而形成。
  4. 如請求項3所述之方法，其中該中間子層係藉由提供具有小於大約2的該流量比率的該含氧氣體和該HMDSO氣體而形成。
  5. 如請求項4所述之方法，其中該第二子層係藉由提供具有大約10或更大的該流量比率的該含氧氣體和該HMDSO氣體而形成。
  6. 如請求項5所述之方法，其中該含氧氣體係從以下群組中選出：氧氣及氧化亞氮氣體(nitrous oxide gas)。
  7. 如請求項1所述之方法，其中該第一非有機層包含從以下群組中選出之材料：氮化矽、氮氧化矽、二氧化矽、氧化鋁及氮化鋁。
  8. 如請求項1所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在該基板上形成該等層之前，於該基板上放置一遮罩，其中各個層係透過該遮罩中的一開口而形成。
  9. 一種用於在一有機發光二極體(OLED)基板上形成一封裝層的方法，該方法包含以下步驟：藉由提供具有大約10或更大的一流量比率的一含氧 氣體和該HMDSO氣體來形成一混合層的一第一子層，該混合層的該第一子層在具有一OLED結構佈置於其上的一基板的一區域上具有大部分的非有機材料和少部分的有機材料；藉由將該含氧氣體對於該HMDSO氣體的該流量比率減低至小於大約2的數值來形成該混合層的一中間子層，該混合層的該中間子層具有大部分的有機材料和少部分的非有機材料，該混合層的該中間子層與該第一子層實體接觸；及藉由將該含氧氣體對於該HMDSO氣體的該流量比率增加至大約10或更大的數值來形成該混合層的一第二子層，該混合層的該第二子層具有大部分的非有機材料和少部分的有機材料，該混合層的該第二子層與該中間子層實體接觸。
  10. 如請求項9所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在該基板上形成該等子層之前，於該基板上放置一遮罩，其中各個子層係透過該遮罩中的一開口而形成。
  11. 如請求項9所述之方法，其中該混合層包含電漿聚合的六甲基二矽氧烷(pp-HMDSO)。
  12. 如請求項9所述之方法，其中該含氧氣體係從以下群組中選出：氧氣及氧化亞氮氣體。
  13. 一種用於在一有機發光二極體(OLED)基板上形成一封裝層的方法，該方法包含以下步驟：在具有一OLED結構佈置於其上的一基板的一區域上形成一第一非有機層；在該第一非有機層上形成一混合層，其中該混合層包含：一第一子層，該第一子層具有大部分的非有機材料和少部分的有機材料；一中間子層，該中間子層具有大部分的有機材料和少部分的非有機材料；及一第二子層，該第二子層具有大部分的非有機材料和少部分的有機材料，其中該第一子層、該中間子層，及該第二子層全部係藉由在形成該第一子層、該中間子層，及該第二子層的每一者期間供應包含一HMDSO氣體的一處理氣體來形成；及在該混合層上形成一第二非有機層。
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012109038A2 (en) 2011-02-08 2012-08-16 Applied Materials, Inc. Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode
KR101842586B1 (ko) 2011-04-05 2018-03-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101873476B1 (ko) * 2011-04-11 2018-07-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9397318B2 (en) * 2012-09-04 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode
KR102103421B1 (ko) * 2013-02-07 2020-04-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN107464894B (zh) * 2013-03-04 2019-03-15 应用材料公司 Oled器件和用于在显示器件上形成封装结构的方法
US9431631B2 (en) 2013-03-11 2016-08-30 Applied Materials, Inc. Plasma curing of PECVD HMDSO film for OLED applications
TWI578592B (zh) * 2013-03-12 2017-04-11 應用材料股份有限公司 有機發光二極體元件及包括其之封裝結構的沉積方法
CN105027316B (zh) * 2013-03-14 2018-07-17 应用材料公司 薄膜封装-用于oled应用的薄超高阻挡层
CN110085767A (zh) * 2013-12-18 2019-08-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种疏水有机薄膜封装的有机发光显示装置
US9502686B2 (en) 2014-07-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Fluorine-containing polymerized HMDSO applications for OLED thin film encapsulation
CN104674162B (zh) 2015-01-29 2018-06-12 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板、oled器件封装方法及oled器件
GB2539231B (en) * 2015-06-10 2017-08-23 Semblant Ltd Coated electrical assembly
KR102454152B1 (ko) * 2015-10-23 2022-10-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102478472B1 (ko) 2016-03-02 2022-12-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치의 제조 방법
KR102541448B1 (ko) 2016-03-08 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102454027B1 (ko) * 2016-11-06 2022-10-14 케이엘에이 코포레이션 유기 발광 다이오드의 캡슐화를 위한 방법 및 장치
GB201621177D0 (en) 2016-12-13 2017-01-25 Semblant Ltd Protective coating
US10615368B2 (en) 2017-01-09 2020-04-07 Applied Materials, Inc. Encapsulating film stacks for OLED applications with desired profile control
KR102343390B1 (ko) 2017-04-03 2021-12-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN107565052B (zh) 2017-08-25 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 封装结构及其制造方法、显示装置
CN107634154B (zh) * 2017-09-20 2020-02-07 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种oled薄膜封装方法、结构及oled结构
US20190109300A1 (en) * 2017-10-10 2019-04-11 Applied Materials, Inc. Planarizing hmdso buffer layer with chemical vapor deposition
DE102018101710A1 (de) 2018-01-25 2019-07-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements
CN108448006B (zh) * 2018-03-29 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 封装结构、电子装置以及封装方法
CN108878676A (zh) * 2018-05-31 2018-11-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种amoled薄膜封装结构及其制造方法
US11038153B2 (en) 2019-01-15 2021-06-15 Applied Materials, Inc. Methods for HMDSO thermal stability
KR102311496B1 (ko) 2021-05-12 2021-10-12 주식회사 차후에스엔피 가변형 오수받이

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070290201A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-20 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Encapsulation for organic device
KR20110000818A (ko) * 2009-06-29 2011-01-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5009920A (en) * 1990-03-30 1991-04-23 Honeywell Inc. Method for applying optical interference coating
DE4438359C2 (de) * 1994-10-27 2001-10-04 Schott Glas Behälter aus Kunststoff mit einer Sperrbeschichtung
JP3486155B2 (ja) * 1999-07-23 2004-01-13 松下電器産業株式会社 層間絶縁膜の形成方法
US6573652B1 (en) * 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
JP3694470B2 (ja) * 2001-05-31 2005-09-14 沖電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
CN1317421C (zh) 2001-08-20 2007-05-23 诺华等离子公司 气体和蒸气低渗透性的涂层
US6597111B2 (en) * 2001-11-27 2003-07-22 Universal Display Corporation Protected organic optoelectronic devices
US6949389B2 (en) * 2002-05-02 2005-09-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation for organic light emitting diodes devices
US8704211B2 (en) * 2004-06-30 2014-04-22 General Electric Company High integrity protective coatings
US20040229051A1 (en) * 2003-05-15 2004-11-18 General Electric Company Multilayer coating package on flexible substrates for electro-optical devices
US7015640B2 (en) * 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
US8722160B2 (en) * 2003-10-31 2014-05-13 Aeris Capital Sustainable Ip Ltd. Inorganic/organic hybrid nanolaminate barrier film
KR100563057B1 (ko) 2003-11-14 2006-03-24 삼성에스디아이 주식회사 초박형 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
US7220687B2 (en) 2004-06-25 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Method to improve water-barrier performance by changing film surface morphology
US7214600B2 (en) 2004-06-25 2007-05-08 Applied Materials, Inc. Method to improve transmittance of an encapsulating film
WO2006033233A1 (ja) * 2004-09-21 2006-03-30 Konica Minolta Holdings, Inc. 透明ガスバリア性フィルム
US7432184B2 (en) 2005-08-26 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Integrated PVD system using designated PVD chambers
CN101045395A (zh) 2006-03-24 2007-10-03 应用材料股份有限公司 用于采用多组打印头的喷墨打印的方法和装置
US7968146B2 (en) * 2006-11-01 2011-06-28 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
ITMI20062482A1 (it) * 2006-12-22 2007-03-23 Ce S I Centro Studi Industriali Di Taddei Ing Rivestimento ibrido idrorepellente e impermeabile all'umidita' per materiali compositi polimerici rinforzati deposto mediante pecvd
KR100875099B1 (ko) * 2007-06-05 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
US7951620B2 (en) 2008-03-13 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Water-barrier encapsulation method
KR20080075099A (ko) 2008-04-30 2008-08-14 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 압력센서
WO2010011390A2 (en) * 2008-05-07 2010-01-28 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US20110068332A1 (en) * 2008-08-04 2011-03-24 The Trustees Of Princeton University Hybrid Dielectric Material for Thin Film Transistors
JP6258569B2 (ja) 2008-08-04 2018-01-10 ザ、トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシティ 薄膜トランジスタ用のハイブリッド誘電体材料
WO2010117046A1 (ja) * 2009-04-09 2010-10-14 住友化学株式会社 ガスバリア性積層フィルム
KR20110000081A (ko) * 2009-06-26 2011-01-03 웅진코웨이주식회사 열교환기를 포함하는 음식물 처리기
WO2012109038A2 (en) 2011-02-08 2012-08-16 Applied Materials, Inc. Method for hybrid encapsulation of an organic light emitting diode

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070290201A1 (en) * 2006-06-13 2007-12-20 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Encapsulation for organic device
KR20110000818A (ko) * 2009-06-29 2011-01-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법

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