JP2011244459A5 - - Google Patents
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- 基板と、
増幅すべき入力信号を受信する基板上の入力ポートと
入力ポートに結合された基板上の第一のIII族窒化物系トランジスタであって、入力信号に対する第一増幅段を提供するように構成される第一のIII族窒化物系トランジスタと、
第一のIII族窒化物系トランジスタに結合された基板上の第二のIII族窒化物系トランジスタであって、入力信号に対する第二増幅段を提供するように構成される第二のIII族窒化物系トランジスタと、
第二のIII族窒化物系トランジスタに結合された基板上の出力ポートを含むモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。 - 請求項１記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器であって、第一及び第二のIII族窒化物系トランジスタの少なくとも一つは、フィールド・プレートを含むモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。
- 請求項２記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器であって、前記フィールド・プレートは、前記少なくとも一つのトランジスタのソース端子に電気的に接続されるモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。
- 請求項２記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器であって、前記フィールド・プレートは、前記少なくとも一つのトランジスタのゲート端子に電気的に接続されるモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。
- 請求項２記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器であって、前記フィールド・プレートは、第一のフィールド・プレートを含み、前記少なくとも一つのトランジスタは、さらに、第一のフィールド・プレートから電気的に分離された第二のフィールド・プレートを含むモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。
- 請求項５記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器であって、第二のフィールド・プレートは、前記少なくとも一つのトランジスタのソース端子に電気的に接続されるモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。
- 請求項１記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器であって、第一及び第二のIII族窒化物系トランジスタは、III族窒化物系高電子移動度トランジスタを含むモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。
- 請求項１記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器であって、さらに、
入力ポートと第一のIII族窒化物系トランジスタとの間に結合された入力ネットワークと、
第一のIII族窒化物系トランジスタと第二のIII族窒化物系トランジスタとの間に結合された段間ネットワークと、
第二のIII族窒化物系トランジスタと出力ポートとの間に結合された出力ネットワークと、
を含むモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。 - 請求項１記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器であって、さらに、
第一のIII族窒化物系トランジスタのゲートに結合された第一のゲート・バイアス・ポートと、
第一のIII族窒化物系トランジスタのドレインに結合された第一のドレイン・バイアス・ポートと、
第二のIII族窒化物系トランジスタのゲートに結合された第二のゲート・バイアス・ポートと、
第二のIII族窒化物系トランジスタのドレインに結合された第二のドレイン・バイアス・ポートと、
を含むモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。 - 請求項１記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器であって、
第一のIII族窒化物系トランジスタは、約１ｍｍ未満のゲート・ペリフェリを有し、第二のIII族窒化物系トランジスタは、約１ｍｍより大きなゲート・ペリフェリを有するモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。 - 請求項１０記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器であって、
第一のIII族窒化物系トランジスタは、約０．７２ｍｍのゲート・ペリフェリを有し、第二のIII族窒化物系トランジスタは、約１．２ｍｍのゲート・ペリフェリを有するモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。 - 請求項１記載のモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器を含むパッケージであって、パッケージは０．５平方インチ（３．２３平方センチメートル）以下の設置面積を有するパッケージ。
- ２．６ＧＨｚから３．９５ＧＨｚの範囲の周波数で、２５ｄＢｍより大きい３次インターセプトを有するモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。
- ２．６ＧＨｚから３．９５ＧＨｚの範囲の周波数で、３．０ｄＢ未満の雑音指数を有するモノリシック・マイクロ波集積回路の低雑音増幅器。
- 入力信号に対する第一増幅段を提供するように構成された第一のIII族窒化物系トランジスタと、
第一のIII族窒化物系トランジスタに結合され、入力信号に対する第二増幅段を提供するように構成された第二のIII族窒化物系トランジスタと、
を含む低雑音増幅器。 - 請求項１５記載の低雑音増幅器であって、第一及び第二のIII族窒化物系トランジスタは、III族窒化物系高電子移動度トランジスタを含む低雑音増幅器。
- 請求項１５記載の低雑音増幅器であって、第一及び第二のIII族窒化物系トランジスタの少なくとも一つは、フィールド・プレートを含む低雑音増幅器。
- 請求項１７記載の低雑音増幅器であって、前記フィールド・プレートは、第一のフィールド・プレートを含み、前記少なくとも一つのトランジスタは、さらに、第一のフィールド・プレートから電気的に分離された第二のフィールド・プレートを含む低雑音増幅器。
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