JP2011238900A - 磁気抵抗効果素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の一実施形態では、プラズマ源と成膜室を隔壁板により隔離したプラズマCVD装置により多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成する。本方法によれば、磁気特性の劣化をもたらすことなく保護層を成膜でき、かつ、150℃未満の低温成膜も可能である。これにより、レジストを残留させたまま保護層の成膜が可能であり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減も可能である。
【選択図】図2
Description
多層磁性膜の加工が完了すると、その上に絶縁性の保護層が形成される。この保護層に求められる特徴としては、高いBreak down voltageであること、ステップカバレッジが高いこと、表面粗さRaが小さいこと、薄膜(5−10nm)でも膜厚分布が良好なこと等が挙げられる。
従来、この保護層を形成する方法として、スパッタ法や原子層堆積による方法が挙げられている(特許文献1及び非特許文献1参照)。
(1)スパッタで作製された保護層であるAl2O3では高いステップカバレッジを得ることが出来ない。
(2)スパッタで作製されたAl2O3ではプラズマが直接照射されることにより絶縁層にピンホールが形成され、絶縁破壊の原因になりやすい。
(3)原子層堆積(ALD)を使用して形成されたAl2O3では原子層成膜の為、成膜時間がかかる。
(4)原子層堆積(ALD)を使用して形成するAl2O3のソース材料としてアルキルアルミニウム化合物、アルミニウムアルコキシド等複雑な化合物を使用する必要がある(特許文献1)。
(5)原子層堆積(ALD)では150−350℃の高温領域を使用する(非特許文献1)。
(6)原子層堆積(ALD)を使用して形成されるAl2O3では酸化剤としてH2Oを使用するが、層に含有される水分で磁気層にダメージが与えられ、磁気特性が劣化する。
本発明は、形成された膜のステップカバレッジを大きくすることが可能であり、かつ低温領域で成膜することが可能な磁気抵抗効果素子の製造方法を提供することを目的とする。
さらに、低温度領域での成膜が可能であるので、磁気特性の劣化を抑制でき、かつ、成膜中の温度上昇によるレジストの変形も抑制できるので、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工程数の低減も可能である。
図1に本実施形態にかかるクラスタ型の製造装置700の外観図、図2(a)〜(g)に本実施形態にかかる磁気ヘッド用の磁気抵抗効果素子の製造工程の一例を示す図、図3に本実施形態にかかる多層磁性層の構成例を示す。
すなわち、本実施形態では、後述するCVDによる保護層成膜の工程(図2(a)のステップS902)の前に、複数の磁性層を積層させた多層磁性層811、および該多層磁性層上に形成され、所定のパターンを有するレジスト層809を有する被処理体を用意する。
ステップS901で多層磁性層811を所定パターンに加工後(図2(c)の状態)、被処理体を成膜室703に移し、該パターン加工された多層磁性層811上に絶縁性の保護層814を成膜する(ステップS902)。保護層814は、多層磁性層811の側面を電気的に絶縁する役割を果たす。このとき、エッチング加工後の表面に残るレジスト層809′も残したまま、その上に保護層814を形成する(図2(d)の状態)。すなわち、ステップS901による加工によって露出した多層磁性層811の面上、および上記残ったレジスト層上に保護層814を形成する。なお、ステップS902においては、レジスト層809が熱により変形しない温度(例えば、150℃未満の温度)で保護層814を成膜することが好ましい。この熱により変化しない温度は、用いるレジスト層によって変化することは言うまでも無い。
図4は、本実施形態におけるエッチング処理を行うためのエッチング室702の一例を示す図である。本実施形態では、エッチングの一例として、例えば、Arなどの不活性ガスのプラズマを用いたイオンビームエッチング(以下、IBE)を行う。
図5において、成膜室703は、真空容器1、電極2、電極2に穿孔された孔2a、電力導入棒3、電力導入棒3の外周部を覆う絶縁物4、第一のガスを後述するプラズマ生成空間10に導入する第一のガス導入手段としての第一ガス導入部5を備える。成膜室703は、さらに絶縁物7および8、後述する隔壁20を地絡するための金属等からなる電気的導体9、電極2の上、孔2aの中及び電極2の下に拡がる、プラズマを生成可能なプラズマ生成空間10(第一の空間)を備える。該プラズマ生成空間10は、真空容器1の内壁および隔壁20によって区画されており、プラズマ生成空間10内に、電力導入棒3が接続された電極2が設けられている。電力導入棒3は図示しない高周波電源に接続されており、放電用電力の投入によりプラズマ生成空間10にプラズマが生成される。
(a)本方式を利用した保護層の形成方法では、被処理体としての基板に高密度なプラズマが照射されることがない、ないしは低減される為、基板への電荷によるダメージを無くす、ないしは低減することが可能である。
(b)本方式を利用した保護層の形成方法では、成膜速度は2−3nm/minとすることができ、2−10nm程度の薄い薄膜でも高精度かつ十分な量産速度が確保できる成膜速度を実現することが出来る。
(c)保護層を形成する際に、複雑な化合物を使用する必要がない。
(d)基板(被処理体)へのプラズマからの入熱が抑制されるため、150℃未満、好ましくは130℃以下、さらに好ましくは110℃以下の低温度領域での成膜が可能である。従って、温度による磁気特性の劣化を防ぐ、ないしは低減することができる。
(e)低温(例えば、150℃未満の温度といった、熱によりレジスト層809が変形しない温度)での成膜が可能であるので、レジスト層809上に保護層を形成する場合でも、レジスト層809の変形を防止でき、保護層の均一成膜を実現できる。
(f)効果(e)によって、マスクにレジスト層809のみを用いるプロセス、レジスト層809を除かずに保護層を成膜するプロセス、レジスト層809のリフトオフによりキャップ層808上の保護層814を除去するプロセス等が採用可能になり、多層構造の磁気抵抗効果素子の製造において工数低減、工程増による汚染の抑制が可能である。
上記効果(d)〜(f)をさらに説明する。
上述のように、本実施形態では、プラズマ生成空間10と成膜処理空間11との間に隔壁20を設け、プラズマ生成空間10にて生成された第一の原料ガスの活性種を選択的に成膜処理空間11へと通過させるように隔壁20を構成している。このようにプラズマ生成空間10と成膜処理空間11との境界部に設けられた隔壁20により、上記第一の原料ガスの荷電粒子(イオン)をブロックすると共に、プラズマ生成空間10内に生成されたプラズマ起因の熱の成膜処理空間11への移動をブロックすることができる。従って、被処理体Wを低温(例えば、150℃未満の温度といった、熱によりレジスト層809が変形せず、かつ多層磁性層811の磁気特性の劣化を低減できる温度)にしても保護層814を形成することができる。
なお、本実施形態ではエッチング工程と保護層814の成膜工程を搬送チャンバ真空一貫で可能にしているが、夫々の工程を別々の装置でやってもよい。但し、エッチング加工(加工処理)を実行した磁性膜加工表面は容易に酸化しやすいため、加工後に大気に晒すと大気中の水分が加工表面に付着し酸化を促進する。その後に絶縁性保護膜を成膜した場合磁性膜表面に閉じ込められた酸化層や水分によりさらに磁性膜が酸化され、磁気抵抗効果素子の磁気特性が経時変化する。従って、真空一貫のプロセスにすることで、基板を清浄に保ったまま処理できるので、特性の劣化、ばらつき等を招くことなく、磁気抵抗効果素子を製造可能である。
実施例として、本発明が電子密度の要件を満たしていることを確認する為に、図5に示す装置を用いて成膜処理空間11の電子密度測定試験を行った。成膜処理空間11の電子密度をLangmuirプローブを用いて本発明の一実施形態に対して、処理基板直上11mmの所での飽和イオン電流密度を測定した。
プラズマ生成空間10に導入するプロセスガスはNH3 500sccm又はO2 500sccmとキャリアガスとしてアルゴン50sccmとを使用した。プラズマ生成空間10に配備される高周波電極へはパワー700Wを投入した。プロセス圧力は20Paで調査した。
この結果、図7に示すように、成膜処理空間に流入する電子密度は1×10+7cm−3以下に保たれており、従来の隔壁20のない容量結合性プラズマを使用したプロセス(比較例)と比較すると、電子密度は2−4桁以上低いことが示された。
次に、実施例2として、ダメージの低減効果を確認する試験を行った。
実施例2では、実施例1と同様の装置及びプロセス条件で、MOSキャパシタに対する処理を行った。
比較例として、隔壁20が存在しない容量結合タイプの装置について同様のテストを実施した。プロセス条件は酸素500sccm、圧力は180Pa、投入パワーは1000Wとして試験を行った。
測定は8”ウエハ面内56ポイント、アンテナ比(上部電極とゲート酸化膜の面積比)は70万倍で測定した。
図8〜図11は、MOSキャパシタのIV特性の測定により、ダメージを評価した結果図である。図8(実施例2)及び図10(比較例)中の数値は、各ポイントの(pA)を示しており、ダメージがある場合、MOSキャパシタのリーク電流値の絶対値が大きくなる。また、図9(実施例2)及び図11(比較例)中の数値は、絶縁破壊電圧(V)を示しており、絶縁破壊電圧の絶対値が小さくなる。
比較例では、リーク電流の絶対値がウエハ面内の中で1E+6pAと局所的に高い領域があり、また絶縁破壊電圧も局所的に小さい領域が測定された(図10、図11参照)。このことから、プラズマ中の電子密度が大きいために、わずかなプラズマの不均一によって基板面内で電位の片寄りが誘発されることが確認された。一方、実施例2では、リーク電流はウエハ面内均一に40pA以下で、絶縁破壊電圧も面内均一でダメージがないことが確認された(図8、図9参照)。
実施例3では、図5の装置を用いてSiNを成膜し、各種の効果を確認した。
成膜条件は、次の通りとした。高周波電力700Wを投入し、プラズマ生成空間10にNH3 50sccm、成膜処理空間11にSiH4とArの混合ガスを合わせて65sccm導入した。また、ヒータ31により各温度条件に基板温度を調整して成膜を行った。
図12に、成膜速度の温度依存性を示す。
従来法であるALDでは、1サイクル0.1−0.15nmの膜が形成され、1サイクルの時間を10秒とすると1分間に0.6〜0.9nm程度しか成膜できないが、本発明では、成膜温度が110℃の時2.75nm/minであるので、5nm以上の保護膜形成に対して、十分な成膜速度を得ることが可能である。
200mm基板上の面内分布を確認した。基板表面の前面に成膜して端部より3mmから内側の49ポイントで測定を実施した。成膜分布は処理基板の温度が110℃の低温でも3σで3%以下の均一性が得られた。
図14に、カバレッジの温度依存性を示す。
カバレッジは処理基板の温度が110℃の低温でも約80%程度得られた。
保護膜上にseed層と磁性層を形成した場合について、seed層の膜厚を変化させたときの保磁力を確認した。図15において、符号151は、本発明の一実施形態に係る方法で成膜したSiN上に形成された磁性層の保持力とseed層の厚さとの関係を示すグラフである。符号152は、従来法で成膜したAl2O3上に形成された磁性層の保持力とseed層の厚さとの関係を示すグラフである。従来法で成膜したAl2O3と比較すると、本発明で成膜したSiN上に形成した磁性層の方が高い保磁力が得られた。
絶縁破壊特性に関しては、50Aから1000Aの幅広い膜厚において、従来法で成膜したAl2O3では5MV/cm2であり、本発明で成膜したSiNでは9−10MV/cm2と十分な絶縁破壊特性を示した。
低温成膜及び高温成膜での比較をする為に、150℃及び110℃で有機レジストマスクを用いて形状比較を行ったところ、150℃では有機マスクの変形の為パターン形状に歪みが生じたが110℃では特に変形は見られなかった。
Claims (7)
- 2つの強磁性層及び前記強磁性層の間に挟まれた中間層を含む多層磁性層を備えた磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
プラズマを生成可能なプラズマ生成空間と該プラズマ生成空間とは別個に設けられ、処理基板を搭載可能な基板保持部が配置された成膜処理空間との間に少なくとも1つの貫通孔を有する隔壁が設けられ、かつ前記プラズマ生成空間と前記成膜処理空間とが前記少なくとも1つの貫通孔により連結されており、前記プラズマ生成空間で第一の原料ガスから生成された活性種を前記少なくとも1つの貫通孔を通して前記成膜処理空間に導入し、該成膜処理空間で前記活性種と第二の原料ガスとを反応させ、前記基板保持部に搭載された処理基板に形成された多層磁性層上に絶縁性の保護層を形成することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記保護層は、シリコン窒化膜、シリコン酸化膜及びシリコン酸窒化膜のうちのいずれか一つ、あるいは、これらの積層膜、またはこれらの混合膜であることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 有機マスク材料により加工された前記多層磁性層上に、成膜温度が150℃未満で前記保護層を成膜することを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記多層磁性層上に、前記加工に用いた有機マスク材料を残した状態で、前記保護層の成膜を行うことを特徴とする請求項3に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記保護層の成膜において、前記プラズマ生成空間で生成されたプラズマのうち、前記成膜処理空間に流入するプラズマの電子密度が1×10+7cm−3以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- マスク材料を用いた前記多層磁性層の加工処理と、前記マスク材料により加工された多層磁性層上への前記保護層の成膜処理と、を真空下で連続的に実行することを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 所定の形状の加工された多層磁性層であって、該多層磁性層上に前記加工に用いられたレジスト層が形成された多層磁性層を用意する工程と、
熱により前記レジスト層が変形しない温度で、前記加工によって露出した前記多層磁性層の面上、および前記多層磁性層の上に形成されたレジスト層上に保護層を形成する工程と、
前記レジスト層が少なくとも除去されるように、前記レジスト層および前記保護層の一部を除去する工程と
を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2017050506A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP2019033158A (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-28 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 電子デバイス装置製造用積層体及びその製造方法、MgO膜並びに分散液 |
JP2021067574A (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-30 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及びその製造方法、並びに磁気検出装置及び磁気検出システム |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US9166153B2 (en) * | 2013-02-08 | 2015-10-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and process to remove film from semiconductor devices |
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000345349A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Anelva Corp | Cvd装置 |
JP2001135628A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-05-18 | Nec Corp | プラズマcvd装置 |
JP2001164371A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-19 | Nec Corp | プラズマcvd装置およびプラズマcvd成膜法 |
JP2005089823A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Seiji Sagawa | 成膜装置および成膜方法 |
JP2006210794A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子、その製造方法、及び、磁気記録装置 |
JP2007305645A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Nec Corp | 磁気メモリ装置、及びその製造方法 |
JP2008141210A (ja) * | 2007-12-20 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリの製造方法 |
WO2010026831A1 (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 磁気メモリ素子およびそれを用いる記憶装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6826022B2 (en) * | 2001-08-13 | 2004-11-30 | Alps Electric Co., Ltd. | CPP type magnetic sensor or magnetic sensor using tunnel effect, and manufacturing method therefor |
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000345349A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Anelva Corp | Cvd装置 |
JP2001135628A (ja) * | 1999-11-10 | 2001-05-18 | Nec Corp | プラズマcvd装置 |
JP2001164371A (ja) * | 1999-12-07 | 2001-06-19 | Nec Corp | プラズマcvd装置およびプラズマcvd成膜法 |
JP2005089823A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Seiji Sagawa | 成膜装置および成膜方法 |
JP2006210794A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子、その製造方法、及び、磁気記録装置 |
JP2007305645A (ja) * | 2006-05-09 | 2007-11-22 | Nec Corp | 磁気メモリ装置、及びその製造方法 |
JP2008141210A (ja) * | 2007-12-20 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | 磁気ランダムアクセスメモリの製造方法 |
WO2010026831A1 (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-11 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 磁気メモリ素子およびそれを用いる記憶装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017050506A (ja) * | 2015-09-04 | 2017-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP2019033158A (ja) * | 2017-08-07 | 2019-02-28 | 宇部マテリアルズ株式会社 | 電子デバイス装置製造用積層体及びその製造方法、MgO膜並びに分散液 |
JP2021067574A (ja) * | 2019-10-24 | 2021-04-30 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及びその製造方法、並びに磁気検出装置及び磁気検出システム |
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