JP2007266584A - 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 - Google Patents
磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007266584A JP2007266584A JP2007034686A JP2007034686A JP2007266584A JP 2007266584 A JP2007266584 A JP 2007266584A JP 2007034686 A JP2007034686 A JP 2007034686A JP 2007034686 A JP2007034686 A JP 2007034686A JP 2007266584 A JP2007266584 A JP 2007266584A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mgo
- forming
- substrate
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32633—Baffles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3447—Collimators, shutters, apertures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
Abstract
【解決手段】 酸素や水などの酸化性ガスに対しゲッタ効果の大きい物質が前記MgO層を成膜する室内に設けられた構成部材(第1成膜室21内部の、成膜室内壁37、防着シールド36の内壁、仕切板22やシャッタなど)の表面に被着された成膜室内で前記MgO層を成膜するとによって、第1の強磁性層と第2の強磁性層との間にMgO(酸化マグネシウム)層を有する磁気抵抗効果素子を製造する。ゲッタ効果の大きい物質は、該物質の酸素ガス吸着エネルギーの値が145kcal/mol以上の物質であればよく、特に前記磁気抵抗効果素子を構成する物質としてのTa(タンタル)が好適である。
【選択図】 図3
Description
例えば、RAが5Ω−μm2において、マスク295と基板12とを接触させた場合(▲)よりも、マスク295と基板12とを離間させた場合(●)の方が、より高いMR比を得ることができ、全体としてもマスク295と基板12とを離間させた場合(●)の方が、低RA高MR比の両立という課題をより解決しているものである。従って、金属製のマスク295と基板12とを離間させることによって、マスク295と基板12とが電気的に絶縁された状態となり、MgO成膜中においてMgO層に電流が流れることが防止され、その結果、MgO層の膜質の劣化防止、ひいては磁気抵抗効果素子の特性の悪化を回避することができたものと考えられる。
3 第2の強磁性層
4 MgO層
5 Ru層
6 CoFe層
8 反強磁性層(PtMn)
9 下部電極層
10 上部電極層
10a 上部電極層(Ta)
10b 上部電極層(Ta)
10c 上部電極層(Cu)
11 酸化防止層
12、120 基板
21 第1成膜室
22 仕切板
23 ターゲット取付部
24 ターゲット(MgO)
25 ターゲット取付部
26 ターゲット(Ta)
27、28 シャッタ
29 基板保持部
31 シャッタ
34 バルブ
35 真空排気手段
36 防着シールド
37 成膜室内壁
41 第2成膜室
42 第3成膜室
43 搬送室
44 ロードロック室
45 アンロードロック室
46 第1のTa成膜手段
47 MgO成膜手段
48 PtMn成膜手段
49 CoFe成膜手段
50 Ta成膜手段
51 Ru成膜手段
52 CoFeB成膜手段
61a 第1のTa層
61b 第2のTa層
62 CuN層
62a 第1のCuN層
62b 第2のCuN層
64、640 下部電極層
65 CuN成膜手段
66 Mg層
67 Mg成膜手段
68 下地層(Ta)
69 下地層(Ru)
80 反強磁性層(IrMn)
290 基板載置台
295 マスク
Claims (33)
- 第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
第1の強磁性層を形成する工程、MgO層を形成する工程及び第2の強磁性層を形成する工程をこの順に有し、
前記MgO層を形成する工程は、酸化性ガスに対するゲッタ効果がMgOより大きい物質が表面に被着された構成部材を有する成膜室内で行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記MgO層を形成する成膜室内には、酸化性ガスに対するゲッタ効果がMgOより大きい物質の成膜手段が1以上設けられ、前記酸化性ガスに対するゲッタ効果がMgOより大きい物質の前記構成部材への被着は、前記成膜手段の1以上によって行われることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記酸化性ガスに対するゲッタ効果がMgOより大きい物質は、前記磁気抵抗効果素子を構成する物質をなす元素の1以上からなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
第1の強磁性層を形成する工程、MgO層を形成する工程及び第2の強磁性層を形成する工程をこの順に有し、
前記MgO層を形成する工程は、酸化性ガスに対するゲッタ効果が第1の強磁性層を構成する物質より大きい物質が表面に被着された構成部材を有する成膜室内で行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記MgO層を形成する成膜室内には、酸化性ガスに対するゲッタ効果が第1の強磁性層を構成する物質より大きい物質の成膜手段が1以上設けられ、前記酸化性ガスに対するゲッタ効果が第1の強磁性層を構成する物質より大きい物質の前記構成部材への被着は、前記成膜手段によって行われることを特徴とする請求項4に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記酸化性ガスに対するゲッタ効果が第1の強磁性層を構成する物質より大きい物質は、前記磁気抵抗効果素子を構成する物質をなす元素の1以上からなることを特徴とする請求項4又は請求項5に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
第1の強磁性層を形成する工程、MgO層を形成する工程及び第2の強磁性層を形成する工程をこの順に有し、
前記MgO層を形成する工程は、前記磁気抵抗効果素子を構成する物質の中で酸化性ガスに対するゲッタ効果が最も大きい物質が表面に被着された構成部材を有する成膜室内で行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
第1の強磁性層を形成する工程、MgO層を形成する工程及び第2の強磁性層を形成する工程をこの順に有し、
前記MgO層を形成する工程は、酸素ガス吸着エネルギーの値が145kcal/mol以上の物質が表面に被着された構成部材を有する成膜室内で行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
第1の強磁性層を形成する工程、MgO層を形成する工程及び第2の強磁性層を形成する工程をこの順に有し、
前記MgO層を形成する工程は、Ta、Ti、Mg、Zr、Nb、Mo、W、Cr、Mn、Hf、V、B、Si、Al又はGeの1以上からなる金属又は半導体が表面に被着された構成部材を有する成膜室内で行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記MgO層を形成する工程は、前記MgO層をスパッタ法によって成膜することを特徴とする請求項1乃至請求項9のうち、いずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 搬送室にバルブを介して第1の成膜室を含む複数の成膜室が接続しており、真空を破ることなく前記複数の成膜室の間を基板が移送できる装置を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
酸化性ガスに対するゲッタ効果がMgOより大きい物質を前記第1の成膜室内の構成部材表面に被着させる第1の工程と、
前記第1の工程の後に行われ、前記第1の成膜室でMgO層を前記基板上に成膜する第3の工程と、
前記第1の成膜室以外の前記成膜室で、前記第1の工程の次の工程から、前記第3の工程の前の工程までを行う第2の工程と、を有し、
前記第1の工程、前記第2の工程、前記第3の工程をこの順で続けて行うこと
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 搬送室にバルブを介して第1の成膜室を含む複数の成膜室が接続しており、真空を破ることなく前記複数の成膜室の間を基板が移送できる装置を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
酸素ガス吸着エネルギーの値が145kcal/mol以上の物質を前記第1の成膜室内の構成部材表面に被着させる第1の工程と、
前記第1の工程の後に行われ、前記第1の成膜室でMgO層を前記基板上に成膜する第3の工程と、
前記第1の成膜室以外の前記成膜室で、前記第1の工程の次の工程から、前記第3の工程の前の工程までを行う第2の工程と、を有し、
前記第1の工程、前記第2の工程、前記第3の工程をこの順で続けて行うこと
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 搬送室にバルブを介して第1の成膜室を含む複数の成膜室が接続しており、真空を破ることなく前記複数の成膜室の間を基板が移送できる装置を用いた磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
Ta、Ti、Mg、Zr、Nb、Mo、W、Cr、Mn、Hf、V、B、Si、Al又はGeの1以上からなる金属又は半導体を前記第1の成膜室内の構成部材表面に被着させる第1の工程と、
前記第1の工程の後に行われ、前記第1の成膜室でMgO層を前記基板上に成膜する第3の工程と、
前記第1の成膜室以外の前記成膜室で、前記第1の工程の次の工程から、前記第3の工程の前の工程までを行う第2の工程と、を有し、
前記第1の工程、前記第2の工程、前記第3の工程をこの順で続けて行うこと
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記第1の工程は、前記酸化性ガスに対しゲッタ効果の大きい物質を前記第1の成膜室内の構成部材の表面に被着させると同時に前記基板上に成膜することを特徴とする請求項11乃至請求項13のうち、いずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記第1の工程は、前記第1の成膜室以外の前記成膜室で前記基板上に成膜する工程と並行して行われることを特徴とする請求項11乃至請求項13のうち、いずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記第3の工程は、前記MgO層をスパッタ法によって成膜することを特徴とする請求項11乃至請求項15のうち、いずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 搬送室にバルブを介して第1の成膜室を含む複数の成膜室が接続しており、真空を破ることなく前記複数の成膜室の間を基板が移送できる装置において、
前記基板を前記第1の成膜室に移送し、前記第1の成膜室でMgをスパッタして、前記基板上にMg層を成膜すると同時に、前記第1の成膜室内の構成部材の表面にMgを被着させる工程と、
続けて、前記第1の成膜室でMgO層を成膜する工程を含むこと
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - MgO層を成膜する成膜室に、酸化性ガスに対するゲッタ効果がMgOより大きい物質を成膜室内の構成部材表面に被着させる手段が設けられていること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置。 - 第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造装置において、
MgO層を成膜する成膜室に、酸化性ガスに対しゲッタ効果が第1の強磁性層を形成する物質より大きい物質を前記成膜室内の構成部材表面に被着させる手段が設けられていること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置。 - 前記酸化性ガスに対しゲッタ効果の大きい物質は、前記磁気抵抗効果素子を構成する物質の中で酸化性ガスに対するゲッタ効果が最も大きい物質であることを特徴とする請求項18又は請求項19に記載の磁気抵抗効果素子の製造装置。
- MgO層を成膜する成膜室に、酸素ガス吸着エネルギーの値が145kcal/mol以上である物質を前記成膜室内の構成部材表面に被着させる手段が設けられていること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置。 - MgO層を成膜する成膜室に、Ta、Ti、Mg、Zr、Nb、Mo、W、Cr、Mn、Hf、V、B、Si、Al又はGeの1以上からなる金属又は半導体を前記成膜室内の構成部材の表面に被着させる手段が設けられていること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置。 - 搬送室にバルブを介して前記MgO層を成膜する成膜室を含む複数の成膜室が接続しており、真空を破ることなく前記複数の成膜室の間を基板が移送できることを特徴とする請求項18乃至請求項22のうち、いずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造装置。
- 前記MgO層を成膜する成膜室にMgOのターゲットが設けられ、前記ターゲットに電力を供給する電力供給部を有することを特徴とする請求項18乃至請求項23のうち、いずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造装置。
- 第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
第1の強磁性層を形成する工程、MgO層を形成する工程及び第2の強磁性層を形成する工程を有し、
前記MgO層を形成する工程は、基板がフローティング電位にある状態で行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 基板と、第1の強磁性層と、第2の強磁性層と、前記第1の強磁性層及び前記第2の強磁性層の間に形成されるMgO層と、を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
前記基板上に第1の強磁性層を形成する工程、MgO層を形成する工程及び第2の強磁性層を形成する工程を有し、
前記MgO層を形成する工程は、前記基板に接する部分が絶縁物である基板載置台に、前記基板を載置させて行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記基板は、絶縁物が溶射された基板載置台に載置することを特徴とする請求項26に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記基板は、絶縁物からなる基板載置台に載置することを特徴とする請求項26に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 前記MgO層を形成する工程は、前記基板の周辺部に、前記基板と離間してマスクが配置された状態で行われることを特徴とする請求項26乃至請求項28のうち、いずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造方法において、
第1の強磁性層を形成する工程、MgO層を形成する工程及び第2の強磁性層を形成する工程を有し、
前記MgO層を形成する工程は、基板と該基板を保持する基板保持部とを電気的に絶縁した状態で行われること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。 - 前記MgO層を形成する工程は、前記基板の周辺部に、前記基板と電気的に絶縁されたマスクが配置された状態で行われることを特徴とする請求項30に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造装置において、
MgO層を成膜する成膜室には、基板をフローティング電位にある状態とするための手段が設けられていること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置。 - 第1の強磁性層と第2の強磁性層の間にMgO層を有する磁気抵抗効果素子の製造装置において、
MgO層を成膜する成膜室には、基板と該基板を保持する基板保持部とを電気的に絶縁するための手段が設けられていること
を特徴とする磁気抵抗効果素子の製造装置。
Priority Applications (11)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007034686A JP4782037B2 (ja) | 2006-03-03 | 2007-02-15 | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 |
CN2009101467886A CN101615653B (zh) | 2006-03-03 | 2007-02-26 | 磁阻效应元件的制造方法以及制造设备 |
PCT/JP2007/053487 WO2007105472A1 (ja) | 2006-03-03 | 2007-02-26 | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 |
EP08168830A EP2037512A1 (en) | 2006-03-03 | 2007-02-26 | Method of manufacturing magneto-resistive device and apparatus for manufacturing the same |
KR1020087024222A KR101053232B1 (ko) | 2006-03-03 | 2007-02-26 | 자기저항효과 소자의 제조방법 및 제조장치 |
CN201210345416.8A CN102867910B (zh) | 2006-03-03 | 2007-02-26 | 磁阻效应元件的制造方法 |
US12/224,646 US10629804B2 (en) | 2006-03-03 | 2007-02-26 | Method of manufacturing magnetoresistive device |
RU2008138423/28A RU2008138423A (ru) | 2006-03-03 | 2007-02-26 | Способ и устройство для изготовления магниторезистивного элемента |
EP07714919.3A EP2015377B1 (en) | 2006-03-03 | 2007-02-26 | Method of manufacturing a magneto-resistive device |
TW096107307A TWI387966B (zh) | 2006-03-03 | 2007-03-03 | 製造磁阻效應元件的方法 |
US13/177,237 US8367156B2 (en) | 2006-03-03 | 2011-07-06 | Method of manufacturing magnetoresistive device and apparatus for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006058748 | 2006-03-03 | ||
JP2006058748 | 2006-03-03 | ||
JP2007034686A JP4782037B2 (ja) | 2006-03-03 | 2007-02-15 | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008042175A Division JP4679595B2 (ja) | 2006-03-03 | 2008-02-22 | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007266584A true JP2007266584A (ja) | 2007-10-11 |
JP2007266584A5 JP2007266584A5 (ja) | 2008-04-10 |
JP4782037B2 JP4782037B2 (ja) | 2011-09-28 |
Family
ID=38509308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007034686A Active JP4782037B2 (ja) | 2006-03-03 | 2007-02-15 | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10629804B2 (ja) |
EP (2) | EP2037512A1 (ja) |
JP (1) | JP4782037B2 (ja) |
KR (1) | KR101053232B1 (ja) |
CN (1) | CN102867910B (ja) |
RU (1) | RU2008138423A (ja) |
TW (1) | TWI387966B (ja) |
WO (1) | WO2007105472A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009135471A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-06-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | マイクロ発振素子および検出素子 |
WO2009096033A1 (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Fujitsu Limited | トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP2013249517A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置、真空処理方法及び記憶媒体 |
JP5731085B2 (ja) * | 2013-02-05 | 2015-06-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8679301B2 (en) * | 2007-08-01 | 2014-03-25 | HGST Netherlands B.V. | Repeatability for RF MgO TMR barrier layer process by implementing Ti pasting |
KR20120102105A (ko) | 2010-01-26 | 2012-09-17 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 필름 형성 방법, 필름 형성 장치 및 필름 형성 장치를 위한 제어 유닛 |
US8860159B2 (en) * | 2011-10-20 | 2014-10-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Spintronic electronic device and circuits |
JP6591568B2 (ja) * | 2016-02-01 | 2019-10-16 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP7141989B2 (ja) * | 2018-09-28 | 2022-09-26 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 成膜装置 |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3616403A (en) | 1968-10-25 | 1971-10-26 | Ibm | Prevention of inversion of p-type semiconductor material during rf sputtering of quartz |
US4782477A (en) * | 1985-09-30 | 1988-11-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical recording medium with fluorine resin adhesive |
JPH0250959A (ja) | 1988-08-10 | 1990-02-20 | Nok Corp | 希土類金属薄膜の製膜方法および製膜装置 |
JPH0314227A (ja) | 1989-06-13 | 1991-01-22 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0397855A (ja) | 1989-09-07 | 1991-04-23 | Shimadzu Corp | スパッタリング装置 |
JPH0499271A (ja) | 1990-08-10 | 1992-03-31 | Olympus Optical Co Ltd | 多層薄膜の作製方法およびその装置 |
JP2857719B2 (ja) * | 1990-09-21 | 1999-02-17 | 工業技術院長 | トンネル障壁の堆積方法 |
JPH04202768A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-07-23 | Nippon Kentetsu Co Ltd | スパッタリング装置のターゲット汚染防止方法 |
WO1992016671A1 (en) * | 1991-03-20 | 1992-10-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Method and device for forming film by sputtering process |
US5367285A (en) * | 1993-02-26 | 1994-11-22 | Lake Shore Cryotronics, Inc. | Metal oxy-nitride resistance films and methods of making the same |
TW335504B (en) | 1996-07-09 | 1998-07-01 | Applied Materials Inc | A method for providing full-face high density plasma deposition |
US5707498A (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Avoiding contamination from induction coil in ionized sputtering |
JP2871670B1 (ja) | 1997-03-26 | 1999-03-17 | 富士通株式会社 | 強磁性トンネル接合磁気センサ、その製造方法、磁気ヘッド、および磁気記録/再生装置 |
JP4166302B2 (ja) | 1997-08-06 | 2008-10-15 | 凸版印刷株式会社 | カラーフィルタ及びその製造方法 |
JPH11117064A (ja) | 1997-10-09 | 1999-04-27 | Anelva Corp | スパッタリング装置 |
JPH11152564A (ja) | 1997-11-17 | 1999-06-08 | Murata Mfg Co Ltd | プリスパッタ方法および装置 |
US6303218B1 (en) | 1998-03-20 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Multi-layered thin-film functional device and magnetoresistance effect element |
JP4433528B2 (ja) | 1998-12-08 | 2010-03-17 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
KR100307074B1 (ko) * | 1999-09-08 | 2001-09-24 | 이종구 | 다원계 증착을 위한 표적표면 오염 방지용 나누개 및 기판 오염 방지용 가리개를 가진 증착조 |
JP4526139B2 (ja) * | 1999-10-13 | 2010-08-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置及びスパッタリング装置 |
US6551471B1 (en) | 1999-11-30 | 2003-04-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Ionization film-forming method and apparatus |
JP2001176027A (ja) | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Nec Corp | 磁気抵抗効果ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置 |
JP4364380B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2009-11-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 |
JP2001295024A (ja) | 2000-04-14 | 2001-10-26 | Nikko Materials Co Ltd | 薄膜形成装置用部材及びその製造方法 |
JP2002167661A (ja) * | 2000-11-30 | 2002-06-11 | Anelva Corp | 磁性多層膜作製装置 |
US20030029715A1 (en) * | 2001-07-25 | 2003-02-13 | Applied Materials, Inc. | An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems |
JP2003069011A (ja) | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
SG108872A1 (en) * | 2001-10-24 | 2005-02-28 | Toda Kogyo Corp | Perpendicular magnetic recording medium |
US6923860B1 (en) * | 2002-03-28 | 2005-08-02 | Seagate Technology Llc | Oxidation of material for tunnel magneto-resistive sensors |
US6828260B2 (en) | 2002-10-29 | 2004-12-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Ultra-violet treatment of a tunnel barrier layer through an overlayer a tunnel junction device |
JP4447207B2 (ja) | 2002-11-07 | 2010-04-07 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
KR100686494B1 (ko) | 2002-12-30 | 2007-02-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 금속막 증착을 위한 스퍼터와 스퍼터를 이용한 액정 표시장치의 제조법 |
JP2004235223A (ja) * | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Anelva Corp | 磁性多層膜作製の装置および方法、膜作製の評価方法、膜作製の制御方法 |
US7318236B2 (en) | 2003-02-27 | 2008-01-08 | Microsoft Corporation | Tying a digital license to a user and tying the user to multiple computing devices in a digital rights management (DRM) system |
JP2005298894A (ja) | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Fujitsu Ltd | ターゲットのクリーニング方法及び物理的堆積装置 |
JP2005333106A (ja) | 2004-04-20 | 2005-12-02 | Ken Takahashi | 交換結合素子とその製造方法並びに交換結合素子を具備したデバイス |
US7270896B2 (en) | 2004-07-02 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | High performance magnetic tunnel barriers with amorphous materials |
US20060042929A1 (en) | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Daniele Mauri | Method for reactive sputter deposition of an ultra-thin metal oxide film |
US20060042930A1 (en) * | 2004-08-26 | 2006-03-02 | Daniele Mauri | Method for reactive sputter deposition of a magnesium oxide (MgO) tunnel barrier in a magnetic tunnel junction |
JP4292128B2 (ja) | 2004-09-07 | 2009-07-08 | キヤノンアネルバ株式会社 | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
US7443639B2 (en) * | 2005-04-04 | 2008-10-28 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junctions including crystalline and amorphous tunnel barrier materials |
US7430135B2 (en) * | 2005-12-23 | 2008-09-30 | Grandis Inc. | Current-switched spin-transfer magnetic devices with reduced spin-transfer switching current density |
-
2007
- 2007-02-15 JP JP2007034686A patent/JP4782037B2/ja active Active
- 2007-02-26 EP EP08168830A patent/EP2037512A1/en not_active Withdrawn
- 2007-02-26 EP EP07714919.3A patent/EP2015377B1/en active Active
- 2007-02-26 US US12/224,646 patent/US10629804B2/en active Active
- 2007-02-26 WO PCT/JP2007/053487 patent/WO2007105472A1/ja active Search and Examination
- 2007-02-26 CN CN201210345416.8A patent/CN102867910B/zh active Active
- 2007-02-26 KR KR1020087024222A patent/KR101053232B1/ko active IP Right Grant
- 2007-02-26 RU RU2008138423/28A patent/RU2008138423A/ru unknown
- 2007-03-03 TW TW096107307A patent/TWI387966B/zh active
-
2011
- 2011-07-06 US US13/177,237 patent/US8367156B2/en active Active
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009135471A (ja) * | 2007-10-31 | 2009-06-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | マイクロ発振素子および検出素子 |
WO2009096033A1 (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-06 | Fujitsu Limited | トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法 |
JP2013249517A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Tokyo Electron Ltd | 真空処理装置、真空処理方法及び記憶媒体 |
JP5731085B2 (ja) * | 2013-02-05 | 2015-06-10 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI387966B (zh) | 2013-03-01 |
EP2015377A4 (en) | 2012-10-31 |
US10629804B2 (en) | 2020-04-21 |
US20110262634A1 (en) | 2011-10-27 |
EP2015377A1 (en) | 2009-01-14 |
CN102867910A (zh) | 2013-01-09 |
KR101053232B1 (ko) | 2011-08-01 |
JP4782037B2 (ja) | 2011-09-28 |
EP2037512A1 (en) | 2009-03-18 |
US20090148595A1 (en) | 2009-06-11 |
WO2007105472A1 (ja) | 2007-09-20 |
CN102867910B (zh) | 2016-05-04 |
KR20080108269A (ko) | 2008-12-12 |
TW200802366A (en) | 2008-01-01 |
EP2015377B1 (en) | 2014-11-19 |
RU2008138423A (ru) | 2010-04-10 |
US8367156B2 (en) | 2013-02-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4679595B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 | |
JP4782037B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法及び製造装置 | |
JP5341082B2 (ja) | トンネル磁気抵抗素子の製造方法および製造装置 | |
KR101786868B1 (ko) | 제조방법 | |
KR101374325B1 (ko) | 자기 저항 소자의 제조 방법 | |
TWI450427B (zh) | 磁阻效應元件的製造方法 | |
JP2009302550A (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造装置 | |
JP6095806B2 (ja) | トンネル磁気抵抗効果素子の製造方法、およびスパッタリング装置 | |
JP2008270835A (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP5689932B2 (ja) | トンネル磁気抵抗素子の製造方法 | |
US10910557B2 (en) | Apparatus and methods of fabricating a magneto-resistive random access memory (MRAM) device | |
JP2009044173A (ja) | 磁性多層膜形成装置 | |
JP2006245146A (ja) | 磁気抵抗効果素子、及び磁気抵抗効果素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080222 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080227 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20080228 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20080318 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080404 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080603 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080808 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20081119 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110609 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110706 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140715 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4782037 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |