JP2019033158A - 電子デバイス装置製造用積層体及びその製造方法、MgO膜並びに分散液 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態の電子デバイス装置製造用積層体の製造方法は、レジストパターンと、レジストパターンによってパターニングされた柱状部分を有する電子デバイスと、SiO2保護膜とを有する基板であって、電子デバイスの柱状部分は、基板から立ち上がる側面と、側面の自由端側にある第1端面とを有し、レジストパターンは、電子デバイスの第1端面を覆い、第1端面から立ち上がるレジスト側面と、レジスト側面の自由端側にあるレジスト端面とを有し、SiO2保護膜は、基板を覆う基板被覆部と、第1端面を除いて電子デバイスの側面を覆う電子デバイス被覆部と、レジストパターンのレジスト側面及びレジスト端面を覆うレジスト被覆部とを有する基板を準備する準備工程と、SiO2保護膜の表面に、基板の表面にほぼ平行な表面を有するMgO膜を形成する成膜工程と、ArイオンミリングでMgO膜、SiO2保護膜及びレジストパターンをエッチングするエッチング工程とを有し、エッチング工程では電子デバイスの第1端面が露出した時点でエッチングを終了することを特徴とする。以下、図1〜図4、図7及び図8を用いて本実施形態の電子デバイス装置の製造方法をさらに詳しく説明する。
図1〜図4に本実施形態の電子デバイス装置製造用積層体の製造方法の準備工程を示す。本実施形態の電子デバイス装置製造用積層体の製造方法の準備工程は、従来の電子デバイス装置製造用積層体の製造方法で説明した準備工程と同じであるため、詳細な説明は省略する。本実施形態の電子デバイス装置製造用積層体の製造方法の準備工程によって、図4に示すように、レジストパターン16と、レジストパターン16によってパターニングされた柱状部分を有するMTJデバイス20(電子デバイス)と、SiO2保護膜25とを有する基板11であって、MTJデバイス20の柱状部分は、基板11から立ち上がる側面21と、側面21の自由端側にある第1端面22とを有し、レジストパターン16は、MTJデバイス20の第1端面22を覆い、第1端面22から立ち上がるレジスト側面23と、レジスト側面の自由端側にあるレジスト端面24とを有し、SiO2保護膜25は、MTJデバイス20を除いて基板11の表面を覆う基板被覆部26と、第1端面22を除いてMTJデバイス20の側面21を覆う電子デバイス被覆部27と、レジストパターン16のレジスト側面23及びレジスト端面24を覆うレジスト被覆部28とを有する基板11を準備する。第1端面22は、MTJデバイス20の基板11から立ち上がる自由端側であって、レジストパターン16との界面に形成される。
次に、図7に示すように、SiO2保護膜25の表面を覆うように、基板の表面にほぼ平行な表面を有するMgO膜(1)33を形成する(成膜工程)。本実施形態の成膜工程は、SiO2保護膜25の表面にMgO微粒子の分散液を塗布する塗布工程と、分散液の分散媒を除去する乾燥工程と、MgO微粒子を200℃以下で熱処理する熱処理工程とを有する。MgO膜(1)33の形成にMgO微粒子の分散液(液相)を用いるため、下地のSiO2保護膜25の表面に凹凸があっても基板11の表面にほぼ平行な表面を有するMgO膜(1)33を形成することができる。
次に、図8に示すように、MgO膜(1)33、SiO2保護膜25のレジスト被覆部28及びレジストパターン16をArイオンミリングで順次エッチングする。エッチングの終了は、レジストパターン16が除去され、MTJデバイス20の第1端面22(第2電極17)が露出した時点である。MgO膜(1)33のエッチングレートは、従来のSOG層29よりもArイオンミリングのエッチングレートが小さく、レジストパターン16や、SiO2保護膜25のエッチングレートに近い。このため、MgO膜(1)33、レジストパターン16及びSiO2保護膜25は、エッチ面はMgO膜(1)33形成時の面に近い形を保ってエッチングが進行する。MTJデバイス20の第1端面22が露出した時点でエッチングを終了すると、その周辺にはSiO2保護膜25の第2端面30と、MgO膜(2)34とが形成される。MgO膜(2)34は、MTJデバイス20の第1端面22及びその周辺のSiO2保護膜25の第2端面30を除いてSiO2保護膜25の基板被覆部26及び電子デバイス被覆部27を覆って保護するため、SiO2保護膜25の基板被覆部26が露出することはない。したがって、基板被覆部26に薄化面は形成されない。さらに、SiO2保護膜25の基板被覆部26に覆われる基板11に露出面が形成されることもない。この電子デバイス装置製造用積層体10に配線等の後工程を行って電子デバイス装置を製造すると、基板被覆部26が絶縁破壊を起こすことはなく、電子デバイス装置がショートを起こすこともない。
雰囲気:Ar、圧力:0.03Pa、温度:水冷、加速電圧:200V、照射角度: 垂直方向から15度
本実施形態では、必要に応じてMgO膜を除去する除去工程をさらに有してもよい。保護膜が電子デバイスを保護するため、MgO膜を除去しても電子デバイスがダメージを受けることはない。
本実施形態の電子デバイス装置製造用積層体の構造を図8に示す。本実施形態の電子デバイス装置製造用積層体10は、基板11と、パターニングされた柱状部分を有するMTJデバイス20と、SiO2保護膜25と、MgO膜(2)34とを有し、MTJデバイス20の柱状部分は、基板11から立ち上がる側面21と、側面21の自由端側にある第1端面22とを有し、SiO2保護膜25は、MTJデバイス20とMgO膜(2)34との境界に配置され、基板11を覆う基板被覆部26と、第1端面22を除いてMTJデバイス20の側面21を覆う電子デバイス被覆部27とを有し、電子デバイス被覆部27は第1端面22の周囲に第2端面30を有し、MgO膜(2)34は、MTJデバイス20の柱状部分の第1端面22及びSiO2保護膜25の第2端面30を除いてを覆う。本実施形態の電子デバイスは、第1電極19、磁気トンネル接合(MTJ)18及び第2電極17が順に積層された構造を有するMTJデバイス20を用いたが、これに限定されないのは前述のとおりである。
表1から、MgO膜(1)33のエッチングレートはレジストパターン16のエッチングレートより小さい。したがって、図8に示すように、電子デバイス装置製造用積層体において、レジストパターン16が除去され、MTJデバイス20の第1端面22が露出した時点でエッチングを終了すると、エッチングの進行が遅いMgO膜(2)34は十分残っていることがわかる。したがって、SiO2保護膜25がなくても、基板11及びMTJデバイス20の側面21をMgO膜(2)34で保護することができる。
Claims (12)
- 基板と、
パターニングされた電子デバイスと、
レジストパターン以下のエッチングレートを有する保護膜と、
MgO膜とを有し、
前記電子デバイスは、前記基板から立ち上がり、自由端側に第1端面を有し、
前記保護膜は、前記基板と、前記電子デバイスの前記第1端面以外とを覆い、
前記MgO膜は、前記電子デバイスの前記第1端面が露出するように前記保護膜を覆うことを特徴とする電子デバイス装置製造用積層体。 - 前記保護膜はSiO2から製造されることを特徴とする請求項1に記載の電子デバイス装置製造用積層体。
- 基板と、
パターニングされた電子デバイスと、
MgO膜とを有し、
前記電子デバイスは、前記基板から立ち上がり、自由端側に第1端面を有し、
前記MgO膜は、前記電子デバイスの前記第1端面を除いて前記電子デバイス及び前記基板を覆うことを特徴とする電子デバイス装置製造用積層体。 - 前記MgO膜はMgO微粒子から製造されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の電子デバイス装置製造用積層体。
- 基板の表面に電子デバイス層を形成し、
前記電子デバイス層の表面にレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンに従って前記電子デバイス層をエッチングして、前記基板から立ち上がる電子デバイスと、前記電子デバイスの前記基板から立ち上がる自由端側であって前記レジストパターンとの界面に第1端面とを形成し、
前記基板の露出面と、前記電子デバイスの露出面と、前記レジストパターンとを、前記レジストパターン以下のエッチングレートを有する保護膜で被覆する準備工程と、
前記保護膜をMgO膜で被覆する成膜工程と、
前記MgO膜、前記保護膜及び前記レジストパターンをエッチングするエッチング工程とを有し、
前記エッチング工程では前記電子デバイスの前記第1端面が露出した時点でエッチングを終了することを特徴とする電子デバイス装置製造用積層体の製造方法。 - 前記保護膜はSiO2から製造されることを特徴とする請求項5に記載の電子デバイス装置製造用積層体の製造方法。
- 前記MgO膜を除去する除去工程をさらに有することを特徴とする請求項5又は6に記載の電子デバイス装置製造用積層体の製造方法。
- 基板の表面に電子デバイス層を形成し、
前記電子デバイス層の表面にレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンに従って前記電子デバイス層をエッチングして、前記基板から立ち上がる電子デバイスと、前記電子デバイスの前記基板から立ち上がる自由端側であって前記レジストパターンとの界面に第1端面とを形成する準備工程と、
前記基板の露出面と、前記電子デバイスの露出面と、前記レジストパターンとを、MgO膜で被覆する成膜工程と、
前記MgO膜及び前記レジストパターンをエッチングするエッチング工程とを有し、
前記エッチング工程では前記電子デバイスの前記第1端面が露出した時点でエッチングを終了することを特徴とする電子デバイス装置製造用積層体の製造方法。 - 前記成膜工程は、MgO微粒子の分散液を塗布する塗布工程と、前記分散液の分散媒を除去する乾燥工程とを有し、前記MgO膜は前記MgO微粒子から製造されることを特徴とする請求項5乃至8のいずれか1項に記載の電子デバイス装置製造用積層体の製造方法。
- 前記成膜工程は、乾燥工程の後に前記MgO微粒子を200℃以下で熱処理する熱処理工程をさらに有することを特徴とする請求項9に記載の電子デバイス装置製造用積層体の製造方法。
- 請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載の電子デバイス装置製造用積層体に含まれるMgO膜であって、
累積粒度分布における累積50%の粒子径が5〜150nmであるMgO微粒子を含む分散液から製造されることを特徴とするMgO膜。 - 請求項11に記載のMgO膜を形成するための分散液であって、
分散媒体中に、動的光散乱法により測定される粒度分布において、累積粒度分布における累積50%の粒子径が5〜150nmのMgO微粒子を含むことを特徴とする分散液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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