JP2001135628A - プラズマcvd装置 - Google Patents
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Abstract
させる。 【解決手段】プラズマ生成領域と基板処理領域との間
に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造の
プラズマ閉込電極板5を有し、プラズマ閉込電極板5に
は、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラ
ズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板7
(11,12)が複数枚設けられている。プラズマ閉込
電極板には、ガスを供給するガス導入管6が配置されて
いる。複数のガス拡散板11,12の孔の数は、プラズ
マ生成領域側よりも前記基板処理領域側の方が多い。ガ
ス拡散板7は、プラズマ閉込電極板5から離隔させて設
けることができる。ガス通過孔の開口率、面内分布、ガ
ス導入管の接続位置が工夫される。
Description
置及びこれを用いたプラズマCVD方法に関し、特に、
プラズマ生成領域と基板処理領域を分離され、CVD成
膜を大面積に均一に行うようになされるリモートプラズ
マCVD装置及びリモートプラズマCVD方法に関す
る。
の膜形成を行うプラズマCVD装置の1つに、プラズマ
生成領域と基板処理領域を分離するリモートプラズマC
VD装置が知られている。このようなリモートプラズマ
CVD装置を用いたCVD膜形成方法は、半導体デバイ
スプロセスで高信頼性デバイスや高性能デバイスが作製
可能である処理プロセスとして重要な技術である。大面
積フラットパネルディスプレイのスイッチングトランジ
スタ形成プロセスと駆動回路トランジスタ形成プロセ
ス、及び、大口径シリコンウエハプロセスなどの大型基
板に対応できるリモートプラズマCVD装置としては、
例えば、特開平5−21393に開示されているよう
に、平行平板リモートプラズマCVD装置が知られてい
る。平行平板リモートプラズマCVD装置には、図10
に示されるように、基板103が設置される対向電極1
02と高周波印加電極101が設けられ、それらの間に
複数の孔が開いたメッシュプレートを用いたプラズマ閉
込電極108が設置され、プラズマ閉込電極108と高
周波印加電極101との間にプラズマ106が閉じ込め
られる。
マが用いられるこのような平行平板リモートプラズマC
VD装置は、基板処理に必要なラジカルの供給を大面積
均一に行うことができる特長を有している。既述の特開
平5−21393の装置は、メッシュプレートの孔、即
ち、ラジカル104の通過孔105の付近に中性ガス噴
射孔109が設けられており、ラジカル104と中性ガ
ス110の反応を用いるプロセスにおいても大面積均一
な処理が可能となっている。
プラズマCVD装置は、大型ガラス基板上の薄膜トラン
ジスタのゲート絶縁膜となる酸化シリコン膜や窒化シリ
コン膜、同じく大型ガラス基板上の薄膜トランジスタの
活性層やゲート電極となる非晶質シリコン膜、更に、大
型Si基板上のトランジスタ素子の層間絶縁膜となる酸
化シリコン膜や窒化シリコン膜などを成膜する方法とし
て有望視されている。
近に中性ガス噴射孔109を設けて、中性ガス噴射孔1
09から面内均一な中性ガス供給を行おうとすると、特
開平5−21393にも開示されているように、中空構
造のプラズマ閉込電極108を用いることになる。中空
構造のプラズマ閉込電極108では、図11,12に示
されるように、ラジカル通過孔105と中性ガス通過孔
109が独立に設けられており、中空領域内でラジカル
104と中性ガス110が混ざることはない。ここで中
空構造のプラズマ閉じ込め電極に真空チャンバ外部から
中性ガスを供給する方法として、図13に示されるよう
に、プラズマ領域中に中性ガス導入管112を通してプ
ラズマ閉込電極108の上部から中性ガス110を供給
する方法と、図14に示されるように、プラズマ閉込電
極108の側面部から中性ガスを供給する方法が考えら
れる。特開平5−21393で開示されているのは後者
の方法である。
極108の上部からガス供給を行う方法では、中性ガス
導入管112をプラズマ閉込電極108に面内均一に多
数設ければ、中性ガス噴射を面内均一に行うことができ
るが、そのような構造では多数の中性ガス導入管がプラ
ズマ生成領域を通ることになり、導入管付近で起きやす
い異常放電117がプラズマ閉込電極108の全体で発
生し、プラズマの状態が不安定になるという問題を有し
ている。
込電極108の側面部からガス供給を行う方法では、プ
ラズマ閉じ込め電極中空部内の圧力が基板処理室の成膜
圧力と同程度、即ち、数十〜数百mtorrと低圧であ
るため、図15に模式的に示されるように、中性ガス導
入管112とプラズマ閉込電極108の接続部付近の中
性ガス噴射孔から大部分のガスが噴射されてしまい、面
内均一なガス噴射が困難である。以上の問題を解決する
ためには、中空構造のプラズマ閉じ込め電極内に従来の
平行平板プラズマCVD装置のガスシャワーヘッドで用
いられているようなガス拡散板を配置すればよい。従来
のガスシャワーヘッドの構造は、図16に示されるよう
に、中性ガス導入管112と、面内均一に複数の孔が開
いた拡散板114と、面内均一にガス噴射孔を有するガ
ス噴射板115などからなる。従来の平行平板プラズマ
CVD装置においては、ガス供給管をガスシャワーヘッ
ドの上部から多数本接続できるため、図16に示される
ような構造でも均一なガス噴射が可能であるが、リモー
トプラズマCVD装置では、既述のように異常放電を避
けるため上部からのガス供給はできず、図16のような
ガス拡散板を用いた方法での面内均一な中性ガス噴射は
難しい。
ず、且つ、面内均一に中性ガス噴射を行うことができる
ようなリモートプラズマCVD装置の提供が望まれる。
ズマ生成領域に中性ガス導入管を通さなくても、面内均
一に中性ガス噴射を行うことができるプラズマCVD装
置を提供することにある。
VD装置は、プラズマ生成領域と基板処理領域との間
に、複数のラジカル通過孔が設けられたプラズマ分離用
のプラズマ閉込電極板を有するプラズマCVD装置であ
って、前記プラズマ閉込電極板は中空構造であり、前記
プラズマ閉込電極板には、基板処理領域側に開口された
中性ガス噴射孔が設けられており、前記プラズマ閉込電
極板の内側には、中性ガス通過孔を有するガス拡散板が
複数枚設けられており、前記プラズマ閉込電極板には、
ガスを供給するガス導入管が配置されており、前記複数
のガス拡散板の中性ガス通過孔の開口率は、前記プラズ
マ生成領域側よりも前記基板処理領域側の方が高いこと
を特徴としている。
ら開口率の高いガス拡散板へと通過している間に段々に
面内均一化作用を受け、プラズマ生成領域に中性ガス導
入管を通す必要がなくなる。
は、プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の
ラジカル通過孔が設けられたプラズマ分離用のプラズマ
閉込電極板を有するプラズマCVD装置であって、前記
プラズマ閉込電極板は中空構造であり、前記プラズマ閉
込電極板には、基板処理領域側に開口された中性ガス噴
射孔が設けられており、前記プラズマ閉込電極板の内側
には、中性ガス通過孔を有するガス拡散板が複数枚設け
られており、前記プラズマ閉込電極板には、ガスを供給
するガス導入管が配置されており、前記ガス拡散板毎の
中性ガス通過孔の開口率面内分布は、外周側よりも中心
側の方が開口率が高くなっていることを特徴としてい
る。
付近から供給されるため外周側のガス濃度が高くなりや
すいが、中心側の開口率を高くすることで均一化する作
用がある。したがってプラズマ生成領域に中性ガス導入
管を通す必要がなくなる。
接続位置は、プラズマ閉込電極板の側面部であるか、又
は、プラズマ閉込電極板のプラズマ生成領域の側の外周
部であることが好ましい。
は、プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の
ラジカル通過孔が設けられたプラズマ分離用のプラズマ
閉込電極板を有し、前記プラズマ閉込電極板と基板の間
にガス供給板が配置されているプラズマCVD装置であ
って、前記ガス供給板は中空構造であり、前記ガス供給
板には、ラジカル通過孔と前記基板処理領域の側に開口
された中性ガス噴射孔が設けられており、前記ガス供給
板の内側には、中性ガス通過孔を有するガス拡散板が複
数枚設けられており、前記ガス供給板には、ガスを供給
するガス導入管が配置されており、前記複数のガス拡散
板の前記中性ガス通過孔の開口率は、前記プラズマ生成
領域側よりも前記基板処理領域側の方が高いことを特徴
としている。このような構成によっても既述の通りの効
果を示す。
通りである。ガス導入管のガス供給板に対する接続位置
も既述の接続位置に対応して形成される。
板の前記孔の中心位置が直線上にないことが好ましい。
ガス拡散板は、拡散板の直上からの視点では、各拡散板
の孔の領域が重ならないことがよい。このようなプラズ
マCVD装置を用いて基板処理領域に配置された基板上
に膜成長が行われる。
の実施の形態は、平行平板リモートプラズマCVDによ
り酸化シリコン膜形成が行われる。真空排気可能な真空
チャンバー1に、図1に示されるように、板状の高周波
印加電極2と板状の対向電極3とが設けられている。対
向電極3は高周波印加電極2に対向し、それらの電極面
は互いに平行である。基板4は、対向電極3の上面に載
置される。
プラズマを閉じ込めるためのプラズマ閉込電極5が介設
されている。プラズマ閉込電極5は、接地されている。
中性ガス導入管6が、プラズマ閉込電極5に接続してい
る。中性ガス導入管6のガス導入端は、プラズマ閉込電
極5の側面で開口している。中性ガスは、プラズマ閉込
電極5の側面からそれの中に導入される。プラズマ閉込
電極5の中に、ガス拡散板7が配置されている。
うに、プラズマ閉込電極上部板8とプラズマ閉込電極下
部板9とから形成されている。プラズマ閉込電極5の四
周側面は概ね側板(図示されず)により閉じられてい
る。ガスを均一に拡散するためのガス拡散板7は、プラ
ズマ閉込電極上部板8とプラズマ閉込電極下部板9に挟
まれている中空部に配置されている。ガス拡散板7は、
第1ガス拡散板11と第2ガス拡散板12とから形成さ
れている。
過孔13を有している。ガス拡散板7は、複数の中性ガ
ス通過孔14を有している。複数のラジカル通過孔13
は、プラズマ閉込電極5を上下方向に貫通し、即ち、プ
ラズマ閉込電極上部板8とガス拡散板7とプラズマ閉込
電極下部板9を上下方向に貫通している。複数のラジカ
ル通過孔13は、均一な面密度(開口率)で分散して分
布するように配置されている。
1と第2ガス拡散板12には、第1中性ガス通過孔14
と第2中性ガス通過孔15とがそれぞれに開けられてい
る。プラズマ閉込電極下部板9には、第3中性ガス通過
孔16が開けられている。プラズマ閉込電極上部板8か
らプラズマ閉込電極下部板9の間で貫通されて形成され
ているラジカル通過孔13の開口の孔径は、発生させた
酸素プラズマを効率よく閉じ込められるように、発生さ
せた酸素プラズマにおけるプラズマのデバイ長の2倍以
下程度の長さに設計されている。
の孔開けに関する実施の形態を示し、同図(a)はプラ
ズマ閉込電極上部板8に関して示し、同図(b)はプラ
ズマ閉込電極下部板9に関して示している。ラジカル通
過孔13と第3中性ガス通過孔16は、プラズマ閉込電
極上部板8とプラズマ閉込電極下部板9でそれぞれに板
内均一に孔開けされて形成されている。
けに関する実施の形態を示し、同図(a)は第1ガス拡
散板11に関して示し、同図(b)は第2ガス拡散板1
2に関して示している。第1中性ガス通過孔14は、第
1ガス拡散板11でその中心付近で孔開けされて形成さ
れている。第2中性ガス通過孔15は、第2ガス拡散板
12で第1ガス拡散板11の第1中性ガス通過孔14と
同等の位置に孔開けされて形成され、更に、それらの孔
の外周に広がる領域にも孔開けされてより広域に形成さ
れている。
上部板8と第1ガス拡散板11との間に、モノシランガ
ス19が中性ガス導入管6により供給され、モノシラン
ガス19が第1ガス拡散板11の第1中性ガス通過孔1
4によって均一化され、第2ガス拡散板12の第2中性
ガス通過孔15によって更に均一化され、最後にプラズ
マ閉込電極下部板9の第3中性ガス通過孔16から、面
内均一にモノシランガス19が対向電極3(図1)に向
かう。図2には、第1ガス拡散板11と第2ガス拡散板
12の2枚の拡散板のみが示されているが、拡散板は複
数枚ならば何枚でもよい。
形成される。真空排気されたCVDチャンバー1の中
で、図1に示されるように、高周波印加電極2に酸素ガ
ス18が導入され、ガス拡散板7を有するプラズマ閉込
電極5との間でグロー放電が起こる。発生した酸素プラ
ズマ22は、高周波印加電極2と拡散板7を有するプラ
ズマ閉込電極5との間で効率よく閉じこめられている。
マ密度が10の10乗(cmのマイナス3乗)程度であ
るのに対し、拡散板を有するプラズマ閉込電極5と対向
電極23との間のプラズマ密度は、10の5乗〜10の
6乗(cmのマイナス3乗)程度となっている。
子イオン、酸素分子イオン、酸素原子ラジカル、酸素分
子ラジカルが存在するが、プラズマ外に侵入する電子及
びイオンは無視できる程度である。したがって、プラズ
マ外で噴射されるモノシランガス19と反応して酸化シ
リコン膜成膜に寄与するのは、酸素原子ラジカルと酸素
分子ラジカルである。以下、これらのラジカルは単に酸
素ラジカルといわれる。酸素ラジカル21は、ラジカル
通過孔13を通って基板処理領域に拡散し、第3中性ガ
ス通過孔16を通過したモノシランガス19と反応して
SiOx、SiOxHyなどの酸化シリコン前駆体を形
成し、基板3上に酸化シリコン膜を形成する。
向電極3との間のプラズマ密度は非常に低くなっている
ために、通常の平行平板プラズマCVDに比べて基板4
へのプラズマダメージは非常に低くなっている。この効
果は、基板表面がMOS界面を形成するシリコン表面の
場合には顕著に現れ、通常の平行平板プラズマCVDで
単結晶シリコン基板上にSiO2膜を形成した場合に、
そのMOS界面準位密度がミッドギャップ付近で10の
11乗〜10の12乗(cmのマイナス2乗)(eVの
マイナス1乗)であるのに対し、平行平板リモートプラ
ズマCVDで酸化シリコン膜を形成した場合には、10
の10乗(cmのマイナス2乗)(eVのマイナス1
乗)台の低界面準位密度となる。
電極内で、プラズマ閉込電極上部板8とプラズマ閉込電
極下部板9に挟まれた中空部に配置された複数のガス拡
散板11,12の孔の開口方法が工夫され、第3中性ガ
ス通過孔16からのモノシランガス19の通過が面内均
一になっており、形成される酸化シリコン前駆体の基板
上分布が均一化され、基板4上に形成される酸化シリコ
ン膜の面内膜質均一性が向上する。
モノシランガスの流れは以下の通りである。 (1)プラズマ閉込電極上部板8と第1ガス拡散板11
の中性ガス通過孔14の間にモノシランガス19が供給
される。図5(a)に示されるように、この時点ではモ
ノシランガスの濃度分布は、外周が高く中心が低い。 (2)第1ガス拡散板11の中央付近の中性ガス通過孔
14をモノシランガスが通過するとき、図5(b)に示
されるように、この時点でモノシランガスの濃度分布
は、中央が高く外周が低い分布になる。このように、中
性ガス導入管をプラズマ流域を通すことなく、拡散板の
通過孔分布を工夫したことにより、中央のガス濃度が高
い分布が実現されている。 (3)第2ガス拡散板12の第2中性ガス通過孔15を
モノシランガスが通過するとき、図5(c)に示される
ように、この時点でモノシランガスの濃度分布は、第2
中性ガス通過孔15の分布を反映して、図5(b)に示
される濃度分布より緩やかな分布勾配になる。 (4)プラズマ閉込電極下部板9の第3中性ガス通過孔
16をモノシランガスが通過するとき、図5(d)に示
されるように、モノシランガスの濃度分布は、図5
(c)に示される濃度分布に比べて更に緩やかになり、
ほぼ面内均一なガス噴射が行われる。
は2枚であったが、図6(a),(b),(c)に示さ
れるように、第3ガス拡散板12’が追加されて、3枚
のガス拡散板11,12,12’を用いることが拡散性
能を高めるためによく、4枚以上の拡散板を用いること
が更によい。多くのガス拡散板を用いた方が、ガス濃度
の均一性は向上するが、プラズマ閉込電極5の構造が複
雑になり、ラジカル通過孔が長くなると通過孔壁でのラ
ジカル中性化を促進することなどの問題が派生する。
の形態では、複数の拡散板の各板の孔位置が重ならない
ように配置している。孔位置が重なっていると、拡散板
間距離と同じ長さのガス通過経路が存在してしまい、ガ
ス拡散板間で横方向のガス拡散が行われる前にガス通過
孔を抜けてしまう。図7に示されるように孔位置が重な
らなければ、横方向のガス拡散を促すことができる。
入方法に関して、図1と別の例を示したものである。図
8では、モノシランなどの中性ガス導入管6が拡散板を
有するプラズマ閉込電極5のプラズマ生成領域側の面の
外周近くに接続されている。中性ガス導入管6がプラズ
マ生成領域を通ることになるが、通過部分がプラズマ閉
込電極5の外周部であるため、異常放電が起こったとし
ても、プラズマ閉じ込め電極の全面で異常放電が起こる
場合に比べて、プラズマ状態の変動はわずかである。
電極5の中に配置されていれば、本発明の趣旨を逸脱し
ない範囲で必要に応じた形状、枚数を採択することがで
きる。また、既述の実施の形態における中性ガス供給管
は、チャンバ外からプラズマ閉込電極5の内外周付近に
ガスを供給するものであれば、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲で必要に応じた接続方法、本数、形状を採択する
ことができる。
の実施の更に他の形態を示している。図9に示される平
行平板リモートプラズマCVDが図1に示されるそれと
異なる点は、中性ガス導入管6が接続されて中性ガスが
その中に導入され、ガス拡散板7でガス濃度を均一化し
て基板4の側へそのガスを噴射するためのガス供給板2
9が、プラズマ閉込めの機能を有していないことであ
る。
ジカル通過孔13’は、ラジカルの均一噴射が可能であ
ればその孔径は任意である。更に、電気的に接地せずに
電気的浮遊状態で使用することが可能である。ガス供給
板29は、プラズマ閉込電極5’と対向電極3との間に
位置している。図1の実施の形態では、電極5がガス供
給板29に対応する機能を有しているが、図9の実施の
形態では、電極5’はプラズマ閉じ込めの機能のみを有
し、ガス拡散とプラズマ閉じ込めの機能とが完全に分離
されている。
有するプラズマ閉込電極5は、同様の幾何学的配置構造
を有しており、ガス拡散板の数、孔分布などに関する考
え方は、全実施の形態で共通である。したがって、実施
の形態としては、図9の拡散板は図3、図4、図6、図
7に示される実施の形態がそのまま踏襲され得る。
素を用いた酸化シリコン膜形成について記述されている
が、モノシランのかわりにジシランなどの高次シランや
TEOS(Tetraethoxysilane)など
の液体Si原料などでもよく、酸素のかわりに亜酸化窒
素、酸化窒素などを用いてもよい。酸化シリコン膜形成
に代わり、モノシランとアンモニアの反応による窒化シ
リコン膜形成、モノシランと不活性ラジカルの反応によ
る非晶質シリコン膜形成など他の材料のプラズマCVD
成膜に関しても、既述の効果と同じ効果を得ることがで
きる。
置が記述されたが、本発明は、プラズマ生成領域と基板
処理領域の間に複数の孔が設けられたプラズマ分離用の
プラズマ閉込電極を有するプラズマCVD装置であれ
ば、マイクロ波プラズマ、電子サイクロトロン共鳴プラ
ズマ、誘導結合プラズマ、ヘリコン波プラズマを用いた
プラズマCVD装置など、どのような形態の装置であっ
ても適用され得る。
ラズマ領域外で噴射する中性ガスの濃度をより面内均一
にすることができる。
域の中心付近にガス導入管を通す必要がないため、プラ
ズマ状態の不安定要因となる異常放電が生じることはな
い。このようにプラズマ外での面内均一な中性ガスの通
過が可能になるため、MOS素子のゲート絶縁膜や層間
絶縁膜、さらに薄膜トランジスタ素子のシリコン膜や窒
化シリコン膜などを作製する際、プラズマダメージによ
る欠陥のない高品質な膜を大面積基板に均一に形成する
ことができる。
施の形態を示す断面図である。
る。
をそれぞれに示す平面図である。
ぞれに示す平面図である。
板通過ガスの濃度分布を示すグラフである。
拡散板をそれぞれに示す平面図である。
それぞれに示す平面図である。
の実施の形態を示す断面図である。
に他の実施の形態を示す断面図である。
である。
す平面図である。
る。
ある。
ある。
図である。
Claims (11)
- 【請求項1】プラズマ生成領域と基板処理領域との間
に、複数のラジカル通過孔が設けられたプラズマ分離用
のプラズマ閉込電極板を有するプラズマCVD装置であ
って、前記プラズマ閉込電極板は中空構造であり、前記
プラズマ閉込電極板には、基板処理領域側に開口された
中性ガス噴射孔が設けられており、前記プラズマ閉込電
極板の内側には、中性ガス通過孔を有するガス拡散板が
複数枚設けられており、前記プラズマ閉込電極板には、
ガスを供給するガス導入管が配置されており、前記複数
のガス拡散板の中性ガス通過孔の開口率は、前記プラズ
マ生成領域側よりも前記基板処理領域側の方が高いこと
を特徴とするプラズマCVD装置。 - 【請求項2】プラズマ生成領域と基板処理領域との間
に、複数のラジカル通過孔が設けられたプラズマ分離用
のプラズマ閉込電極板を有するプラズマCVD装置であ
って、前記プラズマ閉込電極板は中空構造であり、前記
プラズマ閉込電極板には、基板処理領域側に開口された
中性ガス噴射孔が設けられており、前記プラズマ閉込電
極板の内側には、中性ガス通過孔を有するガス拡散板が
複数枚設けられており、前記プラズマ閉込電極板には、
ガスを供給するガス導入管が配置されており、前記ガス
拡散板毎の中性ガス通過孔の開口率面内分布は、外周側
よりも中心側の方が開口率が高くなっていることを特徴
とするプラズマCVD装置。 - 【請求項3】請求項1又は2において、前記ガス導入管
の前記プラズマ閉込電極板に対する接続位置が、前記プ
ラズマ閉込電極板の側面部であることを特徴とするプラ
ズマCVD装置。 - 【請求項4】請求項1又は2において、前記ガス導入管
の前記プラズマ閉込電極板に対する接続位置が、前記プ
ラズマ閉込電極板のプラズマ生成領域側の面の外周部で
あることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 【請求項5】プラズマ生成領域と基板処理領域との間
に、複数のラジカル通過孔が設けられたプラズマ分離用
のプラズマ閉込電極板を有し、前記プラズマ閉込電極板
と基板の間にガス供給板が配置されているプラズマCV
D装置であって、前記ガス供給板は中空構造であり、前
記ガス供給板には、ラジカル通過孔と前記基板処理領域
の側に開口された中性ガス噴射孔が設けられており、前
記ガス供給板の内側には、中性ガス通過孔を有するガス
拡散板が複数枚設けられており、前記ガス供給板には、
ガスを供給するガス導入管が配置されており、前記複数
のガス拡散板の前記中性ガス通過孔の開口率は、前記プ
ラズマ生成領域側よりも前記基板処理領域側の方が高い
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 【請求項6】プラズマ生成領域と基板処理領域との間
に、複数のラジカル通過孔が設けられたプラズマ分離用
のプラズマ閉込電極板を有し、前記プラズマ閉込電極板
と基板の間にガス供給板が配置されているプラズマCV
D装置であって、前記ガス供給板は中空構造であり、前
記ガス供給板には、ラジカル通過孔と前記基板処理領域
の側に開口された中性ガス噴射孔が設けられており、前
記ガス供給板の内側には、中性ガス通過孔を有するガス
拡散板が複数枚設けられており、前記ガス供給板には、
ガスを供給するガス導入管が配置されており、前記複数
のガス拡散板の前記中性ガス通過孔の開口率面内分布
は、外周側よりも中心側の方が開口率が高くなっている
ことを特徴とするプラズマCVD装置。 - 【請求項7】請求項5又は6において、前記ガス導入管
の前記ガス供給板に対する接続位置が、前記ガス供給板
の側面部であることを特徴とするプラズマCVD装置。 - 【請求項8】請求項5又は6において、前記ガス導入管
の前記ガス供給板に対する接続位置が、前記ガス供給板
のプラズマ閉込電極板の側の面の外周部であることを特
徴とするプラズマCVD装置。 - 【請求項9】請求項1〜8から選択される1請求項にお
いて、前記ガス拡散板は、各前記ガス拡散板の前記孔の
中心位置が直線上にないことを特徴とするプラズマCV
D装置。 - 【請求項10】請求項1〜8から選択される1請求項に
おいて、前記ガス拡散板は、前記ガス拡散板の直上から
の視点では、各ガス拡散板の領域が重ならないことを特
徴とするプラズマCVD装置。 - 【請求項11】請求項1〜10から選択される1請求項
に記載されるプラズマCVD装置を用いて前記基板処理
領域に配置された基板上膜成長を行うことを特徴とする
プラズマCVD成膜方法。
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