JP2006210794A - 磁気抵抗効果素子、その製造方法、及び、磁気記録装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 磁気抵抗効果素子、その製造方法、及び、磁気記録装置に関し、下部電極と磁区制御膜との間の短絡を発生することなく、磁区制御膜磁界のバラツキを低減する。
【解決手段】 メサ状の磁気センサ膜1の側端部に絶縁膜を介して磁区制御膜9を設けるとともに、磁気センサ膜1の積層面に垂直にセンス電流を流す磁気抵抗効果素子における絶縁膜をメサ状の磁気センサ膜1の側端面及び下部電極2と平行な面とを覆う薄い等方性堆積膜からなる第1の絶縁膜7と、少なくとも下部電極2と平行な平面を覆う厚い異方性堆積膜からなる第2の絶縁膜8とにより構成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 メサ状の磁気センサ膜1の側端部に絶縁膜を介して磁区制御膜9を設けるとともに、磁気センサ膜1の積層面に垂直にセンス電流を流す磁気抵抗効果素子における絶縁膜をメサ状の磁気センサ膜1の側端面及び下部電極2と平行な面とを覆う薄い等方性堆積膜からなる第1の絶縁膜7と、少なくとも下部電極2と平行な平面を覆う厚い異方性堆積膜からなる第2の絶縁膜8とにより構成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は磁気抵抗効果素子、その製造方法、及び、磁気記録装置に関するものであり、特に、磁区制御磁界を均一に印加するとともにスライダー加工に伴う短絡の発生を防止するための磁気センサ膜と磁区制御膜との間に設ける絶縁膜の構成に特徴のある磁気抵抗効果素子、その製造方法、及び、磁気記録装置に関するものである。
近年、磁気記録装置の小型化・大容量化が急速に進んでおり、高密度磁気記録を実現するための磁気記録媒体及び薄膜磁気ヘッドの開発が求められている。
この内、薄膜磁気ヘッドに関しては、高記録密度化が進むほど素子を作製する上で加工条件が厳しいものとなっており、磁気センサ素子を構成する多層膜の電気特性及び磁気特性を低下させずに高感度に素子を形成する必要がある。
従来の磁気センサ素子では、特に磁気抵抗効果が大きいスピンバルブ型の磁気センサ素子が実用化されており、抵抗変化を読み取るためのセンス電流を磁気抵抗効果膜に平行に流すCIP(Current in Plane)構造素子が用いられていた。
近年のハードディスクドライブの容量増加に伴い、1 ビット当たりの記録面積が減少し、コア幅が狭くなりつつある状況下で、CIP構造では、高密度化が進むにつれて抵抗値が下がり、再生出力が低下してしまうという問題がある。
そこで、最近では、さらに磁気抵抗効果の大きなトンネル磁気抵抗効果を利用したTMR(Tunnel Junction Magneto−Resistance)素子や、抵抗変化を読み取るためのセンス電流を磁気抵抗効果膜の膜厚方向に流すCPP(Current Perpendicular to the Plane)構造が検討されている(例えば、特許文献1或いは特許文献2参照)。
この様なTMR素子或いはCPP素子では、抵抗変化を読み取るためのセンス電流を磁気抵抗効果膜に垂直な方向に流すため、コア幅に関係なく出力が得られ、高密度化に適している。
ここで、図11を参照して、従来のTMR素子を説明する。
図11参照
図11は、従来のTMR素子の概略的正面図であり、下部シールド層を兼ねる下部電極61上に、下地層63、磁化方向が磁気記録媒体からの磁場の影響を受けて容易に変化するフリー強磁性層、即ち、フリー層64、中間絶縁層65、磁化方向が反強磁性層67によって一方向に固定されている固定強磁性層、即ち、ピンド層66、反強磁性層67、及び、キャップ保護層68からなるメサ状の磁気センサ膜62、磁気センサ膜62の側部にAl2 O3 等の絶縁膜69を介して設けられて磁区制御膜70、及び、フリー層64と電気的に接続するよう設けられた上部シールド層を兼ねる上部電極71から構成される。
図11参照
図11は、従来のTMR素子の概略的正面図であり、下部シールド層を兼ねる下部電極61上に、下地層63、磁化方向が磁気記録媒体からの磁場の影響を受けて容易に変化するフリー強磁性層、即ち、フリー層64、中間絶縁層65、磁化方向が反強磁性層67によって一方向に固定されている固定強磁性層、即ち、ピンド層66、反強磁性層67、及び、キャップ保護層68からなるメサ状の磁気センサ膜62、磁気センサ膜62の側部にAl2 O3 等の絶縁膜69を介して設けられて磁区制御膜70、及び、フリー層64と電気的に接続するよう設けられた上部シールド層を兼ねる上部電極71から構成される。
このTMR素子の磁気センサ膜62の積層面に垂直方向にセンス電流を流すと、ピンド層66とフリー層64との磁化の向きによって抵抗が変化し、磁場を読み取る磁気センサとして働く。
このTMR素子を用いたリードヘッドでは、メサ状の磁気センサ膜の上下に磁気シールド層を上下の電極と兼ねるように設けるので、磁気シールド層を電極と別個に設けるCIP構造の磁気抵抗効果膜を用いたリードヘッドに比べて、磁気シールド層と電極を絶縁分離するために必要な絶縁層の分だけギャップ長を狭くすることが可能であるという特長がある。
このTRM素子においては、上述のように磁気センサ膜62の積層面に垂直方向にセンス電流を流すので、上部電極71と磁気センサ膜62との界面状態、狭コア幅化、及び、磁区制御膜70のかかり具合の調整が重要になり、この事情はCPP素子においても同様である。
特開2003−332650号公報
特開2003−059016号公報
しかし、現在、磁気センサ膜と磁区制御膜との間に設ける絶縁膜はスパッタ法によって形成しているが、現在のスパッタ装置では磁気センサ膜の加工形状によらず絶縁膜の膜厚をバラツキなく制御することは不可能であり、絶縁膜の膜厚の基板面内におけるバラツキに起因する磁区制御膜磁界のバラツキにより基板面内において安定な特性を得ることができないという問題がある。
また、磁区制御磁界の効果を高めるためには、磁気センサ膜と磁区制御膜との間を狭くすることが考えられるが、そのためには、磁区制御膜を磁気センサ膜から絶縁する絶縁膜の膜厚を薄くすることが必要である。
しかし、そうすると、スライダー加工時のラップ研磨によって発生した研磨残渣が研磨端面に付着して下部電極と磁区制御膜との間に短絡を発生させるという問題がある。
しかし、そうすると、スライダー加工時のラップ研磨によって発生した研磨残渣が研磨端面に付着して下部電極と磁区制御膜との間に短絡を発生させるという問題がある。
このような短絡を防止するためには絶縁膜を厚く形成すれば良いが、そうすると絶縁膜の膜厚のバラツキの影響が大きくなるとともに、フリー層に対する磁区制御磁界の影響が低減するという問題があり、絶縁性と磁区制御性を兼ね備えたCPP素子構造を得ることができなかった。
したがって、本発明は、下部電極と磁区制御膜との間の短絡を発生することなく、磁区制御膜磁界のバラツキ・減衰を低減することを目的とする。
図1は本発明の原理的構成図であり、ここで図1を参照して、本発明における課題を解決するための手段を説明する。
なお、図面における符号6,10は、それぞれ反強磁性層及び上部電極である。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、メサ状の磁気センサ膜2の側端部に絶縁膜を介して磁区制御膜9を設けるとともに、磁気センサ膜2の積層面に垂直にセンス電流を流す磁気抵抗効果素子において、絶縁膜をメサ状の磁気センサ膜2の側端面及び下部電極1と平行な面とを覆う薄い等方性堆積膜からなる第1の絶縁膜7と、少なくとも下部電極1と平行な面を覆う厚い異方性堆積膜からなる第2の絶縁膜8とにより構成することを特徴とする。
なお、図面における符号6,10は、それぞれ反強磁性層及び上部電極である。
図1参照
上記課題を解決するために、本発明は、メサ状の磁気センサ膜2の側端部に絶縁膜を介して磁区制御膜9を設けるとともに、磁気センサ膜2の積層面に垂直にセンス電流を流す磁気抵抗効果素子において、絶縁膜をメサ状の磁気センサ膜2の側端面及び下部電極1と平行な面とを覆う薄い等方性堆積膜からなる第1の絶縁膜7と、少なくとも下部電極1と平行な面を覆う厚い異方性堆積膜からなる第2の絶縁膜8とにより構成することを特徴とする。
このように、磁気センサ膜2と磁区制御膜9との間に設ける絶縁膜を、薄い等方性堆積膜からなる第1の絶縁膜7と、厚い異方性堆積膜からなる第2の絶縁膜8とにより構成することによって、磁区制御磁界については薄い等方性堆積膜からなる第1の絶縁膜7のみを介して印加することになるので、磁区制御磁界をバラツキなく且つ充分な磁界強度で印加することができる。
また、下部電極1と磁区制御膜9との間には第1の絶縁膜7と第2の絶縁膜8とが介在することになるので、スライダー加工時のラップ研磨によって発生した研磨残渣に伴う短絡の発生を抑制することができる。
この場合、第1の絶縁膜7の膜厚としては5〜10nmが好適であり、5nm未満の場合にはピンホール等によるリーク電流が問題になり、10nmを超える場合には、磁区制御磁界が不充分になる。
なお、この膜厚は、厳密には堆積位置によりばらつくので、平均膜厚とする。
また、第2の絶縁膜8の膜厚としては20〜30nmが好適であり、20nm未満の場合には研磨残渣に起因する短絡抑制効果が低く、一方、30nmを超える場合には、フリー層3が下側の磁気センサ膜2の場合に、フリー層3に充分な磁区制御磁界を印加することが困難になる。
なお、この膜厚は、厳密には堆積位置によりばらつくので、平均膜厚とする。
また、第2の絶縁膜8の膜厚としては20〜30nmが好適であり、20nm未満の場合には研磨残渣に起因する短絡抑制効果が低く、一方、30nmを超える場合には、フリー層3が下側の磁気センサ膜2の場合に、フリー層3に充分な磁区制御磁界を印加することが困難になる。
また、第1の絶縁膜7及び第2の絶縁膜8は異なった材料でも良いが、同じ材料を用いた方が成膜工程が容易になり、この場合の絶縁材料としては、化学的安定性や成膜容易性等の観点からAl2 O3 、SiO2 、AlN、或いは、HfO2 のいずれかが好適である。
なお、この場合の絶縁膜は、第1の絶縁膜7の上に第2の絶縁膜8を設けても良いし、逆に、第2の絶縁膜8の上に第1の絶縁膜7を設けても良いものである。
また、磁気センサ膜2としては、ピンド層5とフリー層3との間に設ける非磁性中間層4が導電膜であるスピンバルブ膜或いは非磁性中間層4が絶縁膜であるトンネル磁気抵抗効果膜のいずれかが好適であり、それによって、磁気抵抗効果をより大きくすることができる。
この場合、磁区制御膜9とフリー層3の膜厚方向の位置がほぼ同じであることが望ましく、それによって、磁区制御膜9からの磁界をフリー層3に効率良く印加することができる。
また、上述の構造の磁気抵抗効果素子を製造する場合には、下部電極1上に成膜した磁気センサ膜2をマスクパターンを利用してメサ状の加工する工程、マスクパターンを残したまま等方性堆積法によって第1の絶縁膜7を形成する工程、マスクパターンを残したまま異方性堆積法によって第2の絶縁膜8を形成する工程、及び、マスクパターンを残したまま磁区制御膜9を堆積する工程を有するように製造工程を構成すれば良い。
この場合の等方性堆積法としては原子層堆積(ALD:Atomic Layer Deposition)法或いは気相化学堆積(CVD)法のいずれかが好適であり、且つ、異方性堆積法としてはイオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、或いは、コリメートスパッタ法のいずれかが好適である。
なお、第1の絶縁膜7を原子層堆積法を用いて成膜する場合には、150℃以下の成膜温度において5〜10nmの厚さに成膜することによって成膜温度による磁気特性に対する影響を極力小さくすることができ、また、第2の絶縁膜8をイオンビームスパッタ法を用いて成膜する場合には、成膜角度を0°として20〜30nmの厚さに成膜することによって、第2の絶縁膜8がメサ状の磁気センサ膜2の側面に付着することを防止することができる。
上述の構成を有する磁気抵抗効果素子を用いることによって、高密度化・小型化の要請に応えた磁気ヘッドを構成することができ、また、この磁気ヘッドを搭載することによって高記録密度のハードディスクドライブ装置を実現することができる。
なお、この場合の磁気ヘッドとしては、リードヘッドのみの再生専用ヘッドも対象とするが、誘導型の書込ヘッドを積層させた複合型薄膜磁気ヘッドが典型的なものである。
なお、この場合の磁気ヘッドとしては、リードヘッドのみの再生専用ヘッドも対象とするが、誘導型の書込ヘッドを積層させた複合型薄膜磁気ヘッドが典型的なものである。
本発明によれば、メサ状に磁気センサ膜の側面に設ける絶縁膜をバラツキなく薄くすることができるとともに、下部電極と磁区制御膜との間の絶縁膜を比較的厚く形成することができ、それによって、安定な磁気特性を得るとともに短絡を防止することができる。
本発明は、積層面に垂直方向にセンス電流を流す磁気センサ膜をメサ状にエッチングしたのち、メサ状の磁気センサ膜の側壁部に5〜10nmの膜厚の第1の絶縁膜をALD法或いはCVD法等の等方性堆積法によって成膜するとともに、イオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、或いは、コリメートスパッタ法等の異方性堆積法により20〜30nmの第2の絶縁膜を堆積させ、これらの絶縁膜を介して磁区制御膜を設けたものである。
ここで、図2乃至図4を参照して、本発明の実施例1のTMR素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明する。
図2参照
まず、従来のTMR素子と同様に、例えば、5インチ(≒127mm)のAl2 O3 −TiC基板11上にスパッタ法により、厚さが、例えば、3μmのAl2 O3 絶縁層12及び下部磁気シールド層を兼ねる厚さが1〜4μm、例えば、2μmのNiFe下部電極13を形成したのち、同じくスパッタ法によりフリー層が下層となりピンド層が上層となるTMR膜14を形成する。
図2参照
まず、従来のTMR素子と同様に、例えば、5インチ(≒127mm)のAl2 O3 −TiC基板11上にスパッタ法により、厚さが、例えば、3μmのAl2 O3 絶縁層12及び下部磁気シールド層を兼ねる厚さが1〜4μm、例えば、2μmのNiFe下部電極13を形成したのち、同じくスパッタ法によりフリー層が下層となりピンド層が上層となるTMR膜14を形成する。
このTMR膜14は、厚さが、例えば、10nmのTa下地層15、厚さが、例えば、5nmのNiFeフリー層16、厚さが、例えば、3nmのCoFeフリー層17、厚さが、例えば、0.7nmのAl−O中間層18、厚さが、例えば、3nmのCoFeピンド層19、厚さが、例えば、10nmのIrMnピン層20、厚さが、例えば、5nmのRu保護膜21、及び、厚さが、例えば、10nmのTa表面保護層22を10-8〜10-9Torrの超高真空雰囲気中で順次堆積させて構成する。
なお、Al−O中間層18は、まずAl膜を堆積させたのち酸化することによって形成する。
なお、Al−O中間層18は、まずAl膜を堆積させたのち酸化することによって形成する。
続いて、CoFeピンド層19の磁化方向を固着するため、後に磁化情報読み取り面となる方向と直交する方向に10〔kOe〕以上の磁場を印加しながら、N2 雰囲気或いは真空中で280℃の温度で3時間熱処理を行う。
次いで、例えば、厚さが700nmの2層構造レジストを塗布して、KrF露光装置で露光することによって、頂面の幅が例えば100nmで下部が括れたレジストパターン23を形成する。
図3参照
次いで、このレジストパターン23をマスクとして、イオンミリング法でTMR膜14を削ってセンサ部24を形成する。
この場合、まず、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して15°の角度からArイオンを入射したのち、次いで、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して75°の角度からArイオンを第1の入射工程の約1/2の時間だけ入射する。
次いで、このレジストパターン23をマスクとして、イオンミリング法でTMR膜14を削ってセンサ部24を形成する。
この場合、まず、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して15°の角度からArイオンを入射したのち、次いで、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して75°の角度からArイオンを第1の入射工程の約1/2の時間だけ入射する。
このイオンミリング工程において、イオンミリングに伴って発生するエッチング残渣25がレジストパターン23の側壁に付着し、実効的にレジストパターン23のサイズが大きくなる。
次いで、ALD法を用いて150℃以下、例えば、130℃の成膜温度において、厚さが5〜10nm、例えば、7nmのAl2 O3 膜26を全表面にほぼ均一な厚さで堆積させる。
図4参照
次いで、イオンビームスパッタ法を用いて、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して0°の成膜角度で厚さが20〜30nm、例えば、20nmのAl2 O3 膜27を堆積させる。
この時、Al2 O3 膜27はセンサ部24の側壁部には実効的に堆積することなく、NiFe下部電極13と平行な面に堆積する。
次いで、イオンビームスパッタ法を用いて、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して0°の成膜角度で厚さが20〜30nm、例えば、20nmのAl2 O3 膜27を堆積させる。
この時、Al2 O3 膜27はセンサ部24の側壁部には実効的に堆積することなく、NiFe下部電極13と平行な面に堆積する。
次いで、再び、スパッタ法を用いて、結晶性を向上するための厚さが、例えば、5nmのCr下地層28を介して厚さが、例えば、35nmのCoCrPt磁区制御膜29を堆積させる。
図5参照
次いで、リフトオフ法によりレジストパターン23に付着した不要なAl2 O3 膜、Cr膜、及び、CoCrPt膜をレジストパターン23と共に除去したのち、3μm幅程度のレジストパターン(図示を省略)をマスクとしてイオンミリングを施すことによって多層膜の露出部を除去して、素子高さ(ハイト)方向に素子を加工する。
次いで、リフトオフ法によりレジストパターン23に付着した不要なAl2 O3 膜、Cr膜、及び、CoCrPt膜をレジストパターン23と共に除去したのち、3μm幅程度のレジストパターン(図示を省略)をマスクとしてイオンミリングを施すことによって多層膜の露出部を除去して、素子高さ(ハイト)方向に素子を加工する。
引き続いて、厚さが、例えば、70nmのAl2 O3 平坦化膜30(ここでは図示を省略)を堆積させて素子部の周囲を埋め込んだのち、レジストパターンとともに、レジストパターン上に付着したAl2 O3 膜を除去する。
次いで、厚さが、例えば、5nmのTi膜及び厚さが、例えば、50nmのNiFe膜からなるメッキベース層31を設けたのち、レジストパターンからなるメッキフレーム(図示を省略)を用いて選択電解メッキ法により厚さが1〜4μm、例えば、2.5μmの上部磁気シールド層を兼ねるNiFe上部電極32を形成し、次いで、メッキフレームを除去したのち、イオンミリング法によりメッキベース層31の露出部を除去する。
図6参照
以降は、従来の誘導型のライトヘッドと同様に、NiFe上部電極32上にAl2 O3 膜33を介して下部磁極層34、Al2 O3 からなるライトギャップ層35、レジストからなる層間絶縁膜36、Cuからなる平面スパイラル状のコイル37、及び、レジストからなる層間絶縁膜38を順次形成したのち、選択メッキ法によって所定パターンの上部磁極層39を構成する。
なお、図6は概略的断面図であり、ここでは下部磁極層34及び上部磁極層39のメッキ成膜のためのメッキベース層の図示を省略している。
以降は、従来の誘導型のライトヘッドと同様に、NiFe上部電極32上にAl2 O3 膜33を介して下部磁極層34、Al2 O3 からなるライトギャップ層35、レジストからなる層間絶縁膜36、Cuからなる平面スパイラル状のコイル37、及び、レジストからなる層間絶縁膜38を順次形成したのち、選択メッキ法によって所定パターンの上部磁極層39を構成する。
なお、図6は概略的断面図であり、ここでは下部磁極層34及び上部磁極層39のメッキ成膜のためのメッキベース層の図示を省略している。
次いで、全面にAl2 O3 保護膜(図示を省略)を形成したのち、スライダー加工を施すことによって、TMR素子をリードヘッドとした複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
図7参照
図7は、スライダー加工後の上下電極の形状を示す平面図であり、NiFe下部電極13及びNiFe上部電極32の研磨端面にセンサ部24が露出する構成となる。
図7は、スライダー加工後の上下電極の形状を示す平面図であり、NiFe下部電極13及びNiFe上部電極32の研磨端面にセンサ部24が露出する構成となる。
図8参照
図8は、本発明の実施例1の複合型薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の平面図であり、磁気ディスク装置40は、スピンドルモータ43の回転軸に取り付けられるとともに、ディスククランプリング42によって固定された磁気ディスク41、磁気ディスク41に書き込まれた磁気情報を読み取るとともに、磁気ディスク41に磁気情報を書き込むスピンバルブCPP磁気センサを備えたスライダー44、スライダー44の先端部に取り付けた微動アーム45、微動アーム45を駆動する一対の圧電アクチュエータ(図示を省略)、微動アーム45を軸46により揺動支持するとともに磁気ディスク装置40のシャーシ47に回動可能に支持されたベースアーム48、ベースアーム48を駆動する電磁アクチュエータ49によって構成される。
図8は、本発明の実施例1の複合型薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置の平面図であり、磁気ディスク装置40は、スピンドルモータ43の回転軸に取り付けられるとともに、ディスククランプリング42によって固定された磁気ディスク41、磁気ディスク41に書き込まれた磁気情報を読み取るとともに、磁気ディスク41に磁気情報を書き込むスピンバルブCPP磁気センサを備えたスライダー44、スライダー44の先端部に取り付けた微動アーム45、微動アーム45を駆動する一対の圧電アクチュエータ(図示を省略)、微動アーム45を軸46により揺動支持するとともに磁気ディスク装置40のシャーシ47に回動可能に支持されたベースアーム48、ベースアーム48を駆動する電磁アクチュエータ49によって構成される。
本発明の実施例1の複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、リードヘッドを構成するセンサ部24とCoCrPt磁区制御膜29とを厚さが7nmの薄く均一なAl2 O3 膜26で絶縁しているので磁区制御磁界を効果的に且つバラツキなくフリー層16に印加することができる。
また、下部電極13とCoCrPt磁区制御膜29とを7nmのAl2 O3 膜26と比較的厚い20nmのAl2 O3 膜27との合計膜厚が27nmの積層膜で絶縁しているので、スライダー加工に伴う研磨残渣の付着による短絡が発生することがない。
次に、図9を参照して、本発明の実施例2のTMR素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドを説明するが、等方性堆積法による薄いAl2 O3 膜26と異方性堆積法による厚いAl2 O3 膜27の成膜順序を逆にしただけで他は実施例1と全く同様であるので、TMR素子の構成のみ説明する。
なお、図9の上図は概略的断面図であり、TMR素子部の下図は概略的正面図である。 図9参照
まず、従来のTMR素子と同様に、例えば、5インチ(≒127mm)のAl2 O3 −TiC基板11上にスパッタ法により、厚さが、例えば、3μmのAl2 O3 絶縁層12及び下部磁気シールド層を兼ねる厚さが1〜4μm、例えば、2μmのNiFe下部電極13を形成したのち、同じくスパッタ法によりフリー層が下層となりピンド層が上層となるTMR膜14を形成する。
なお、図9の上図は概略的断面図であり、TMR素子部の下図は概略的正面図である。 図9参照
まず、従来のTMR素子と同様に、例えば、5インチ(≒127mm)のAl2 O3 −TiC基板11上にスパッタ法により、厚さが、例えば、3μmのAl2 O3 絶縁層12及び下部磁気シールド層を兼ねる厚さが1〜4μm、例えば、2μmのNiFe下部電極13を形成したのち、同じくスパッタ法によりフリー層が下層となりピンド層が上層となるTMR膜14を形成する。
このTMR膜14は、厚さが、例えば、10nmのTa下地層15、厚さが、例えば、5nmのNiFeフリー層16、厚さが、例えば、3nmのCoFeフリー層17、厚さが、例えば、0.7nmのAl−O中間層18、厚さが、例えば、3nmのCoFeピンド層19、厚さが、例えば、10nmのIrMnピン層20、厚さが、例えば、5nmのRu保護膜21、及び、厚さが、例えば、10nmのTa表面保護層22を10-8〜10-9Torrの超高真空雰囲気中で順次堆積させて構成する。
なお、Al−O中間層18は、まずAl膜を堆積させたのち酸化することによって形成する。
なお、Al−O中間層18は、まずAl膜を堆積させたのち酸化することによって形成する。
続いて、CoFeピンド層19の磁化方向を固着するため、後に磁化情報読み取り面となる方向と直交する方向に10〔kOe〕以上の磁場を印加しながら、N2 雰囲気或いは真空中で280℃の温度で3時間熱処理を行う。
次いで、例えば、厚さが700nmの2層構造レジストを塗布して、KrF露光装置で露光することによって、上記の実施例1と全く同様の頂面の幅が例えば100nmで下部が括れたレジストパターン(図示を省略)を形成する。
次いで、このレジストパターン23をマスクとして、イオンミリング法でTMR膜14を削ってセンサ部24を形成する。
この場合、まず、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して15°の角度からArイオンを入射したのち、次いで、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して75°の角度からArイオンを第1の入射工程の約1/2の時間だけ入射する。
この場合、まず、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して15°の角度からArイオンを入射したのち、次いで、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して75°の角度からArイオンを第1の入射工程の約1/2の時間だけ入射する。
次いで、イオンビームスパッタ法を用いて、Al2 O3 −TiC基板11の法線に対して0°の成膜角度で厚さが20〜30nm、例えば、20nmのAl2 O3 膜27を堆積させる。
この時、Al2 O3 膜27はセンサ部24の側壁部には実効的に堆積することなく、NiFe下部電極13の露出表面に堆積する。
この時、Al2 O3 膜27はセンサ部24の側壁部には実効的に堆積することなく、NiFe下部電極13の露出表面に堆積する。
次いで、ALD法を用いて150℃以下、例えば、130℃の成膜温度において、厚さが5〜10nm、例えば、7nmのAl2 O3 膜26を全表面にほぼ均一な厚さで堆積させる。
次いで、再び、スパッタ法を用いて、結晶性を向上するための厚さが、例えば、5nmのCr下地層28を介して厚さが、例えば、35nmのCoCrPt磁区制御膜29を堆積させる。
以降は、上記の実施例1と同様に、Cr下地層28介してCoCrPt磁区制御膜29を堆積させたのち、素子高さ方向に素子を加工を行い、次いで、Al2 O3 平坦化膜30を堆積させて素子部の周囲を埋め込んだのち、NiFe上部電極32を形成し、次いで、誘導型のライトヘッドを積層させたのち、全面にAl2 O3 保護膜を形成し、最後に、スライダー加工を施すことによって、TMR素子をリードヘッドとした複合型薄膜磁気ヘッドが得られる。
この本発明の実施例2においても、Al2 O3 膜26及びAl2 O3 膜27の成膜工程が逆なだけであって、上記の実施例1と同様な効果が得られる。
次に、図10を参照して、本発明の実施例3のTMR素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドを説明するが、TMR膜をフリー層が上側になるように形成しただけで、他の構成は上記の実施例1と全く同様であるので、TMR素子の構造のみ説明する。
図10参照
図10は、本発明の実施例3のTMR素子の概略的正面図であり、センサ部50を構成する磁気センサ膜を、下部電極13側からTa下地層51、IrMnピン層52、CoFeピンド層53、Al−O中間層54、CoFeフリー層55、Ta表面保護層56によって構成したものである。
図10参照
図10は、本発明の実施例3のTMR素子の概略的正面図であり、センサ部50を構成する磁気センサ膜を、下部電極13側からTa下地層51、IrMnピン層52、CoFeピンド層53、Al−O中間層54、CoFeフリー層55、Ta表面保護層56によって構成したものである。
この実施例3においては、TMR膜のフリー層を上側にしているので、Al2 O3 膜27を短絡防止のために厚く形成してもフリー層の高さの位置にCoCrPt磁区制御膜29が存在しているので、CoCrPt磁区制御膜29からの磁界を最大限に受けることができる。
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は各実施例に記載した条件・構成に限られるものではなく、各種の変更が可能であり、例えば、各実施例における、フリー層、ピンド層、反強磁性ピン層、磁区制御層の材料は単なる一例にすぎず各種の公知の強磁性体や反強磁性体を用いても良いことは言うまでもない。
また、上記の各実施例においては、ピンド層を単層のCoFeピンド層としているが、単層ピンド層に限られるものではなく、積層フェリ型ピンド層を用いても良いものである。
例えば、IrMnピン層側から、厚さが、例えば、2.5nmのCoFe層、厚さが、例えば、0.8nmのRu層、及び、厚さが、例えば、2.0nmのCoFe層を積層して積層フェリ型ピンド層としても良い。
例えば、IrMnピン層側から、厚さが、例えば、2.5nmのCoFe層、厚さが、例えば、0.8nmのRu層、及び、厚さが、例えば、2.0nmのCoFe層を積層して積層フェリ型ピンド層としても良い。
また、上記の各実施例においては、センサ部を形成する際のレジストパターン23を下部に括れ部を形成するために2層構造レジストで構成しているが、2層構造レジストである必要はなく、単層レジストによってレジストパターンを形成しても良いものである。
また、上記の各実施例においては、センサ部を形成する際のレジストパターン23をKrF露光装置を用いて幅100nmのパターンとしているが、60nm等のより狭いコア幅にする場合には、EB露光装置を用いてレジストパターンを形成すれば良い。
また、上記の各実施例においては、等方性堆積方法として、薄い絶縁膜を均一な厚さで形成することが容易なALD法を用いているがALD法に限られるものではなく、CVD法等の他の比較的等方的な堆積法を用いても良いものである。
また、上記の各実施例においては、異方性堆積方法として、異方性に優れたイオンビームスパッタ法を用いているが、イオンビームスパッタ法に限られるものではなく、ロングスロースパッタ法或いはコリメートスパッタ法を用いても良いものである。
また、上記の各実施例においては、等方性堆積膜と異方性堆積膜を化学的に安定で成膜が容易なAl2 O3 で形成しているが、Al2 O3 に限られるものではなく、Al2 O3 と同様に化学的に安定なSiO2 、AlN、或いは、HfO2 を用いても良いものである。
また、上記の各実施例においては、等方性堆積膜と異方性堆積膜を同じAl2 O3 で形成しているが、同じ膜である必要は必ずしもなく、Al2 O3 とSiO2 の組み合わせ等の互いに異なった絶縁膜を用いても良いものである。
また、上記の各実施例においては磁気抵抗効果素子をTMR素子としているが、必ずしもTMR素子に限られるものではなく、TMR素子と同様に積層面に垂直方向でセンス電流を流すCPP型磁気抵抗効果素子を用いても良いものであり、その場合には、Al−O中間層の代わりに、例えば、厚さが、2nm程度のCu等の非磁性導電性中間層を設ければ良い。
また、上記の実施例3においては、Al2 O3 膜26及びAl2 O3 膜27の構造を実施例1と同様にしているが、実施例2と同様に、Al2 O3 膜27を堆積させてからAl2 O3 膜26を堆積させても良いものである。
ここで再び図1を参照して、本発明の詳細な特徴を改めて説明する。
再び、図1参照
(付記1) メサ状の磁気センサ膜2の側端部に絶縁膜を介して磁区制御膜9を設けるとともに、前記磁気センサ膜2の積層面に垂直にセンス電流を流す磁気抵抗効果素子において、前記絶縁膜を前記メサ状の磁気センサ膜2の側端面及び下部電極1と平行な面とを覆う薄い等方性堆積膜からなる第1の絶縁膜7と、少なくとも前記下部電極1と平行な面を覆う厚い異方性堆積膜からなる第2の絶縁膜8とにより構成することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
(付記2) 上記第1の絶縁膜7の膜厚が5〜10nmであり、上記第2の絶縁膜8の膜厚が20〜30nmであることを特徴とする付記1記載の磁気抵抗効果素子。
(付記3) 上記第1の絶縁膜7及び第2の絶縁膜8が同じ材料からなり、且つ、Al2 O3 、SiO2 、AlN、或いは、HfO2 のいずれかからなることを特徴とする付記1または2に記載の磁気抵抗効果素子。
(付記4) 上記等方性堆積法による第1の絶縁膜7の上に上記異方性堆積法による第2の絶縁膜8を設けたことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記5) 上記異方性堆積法による第2の絶縁膜8の上に上記等方性堆積法による第1の絶縁膜7を設けたことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記6) 上記磁気センサ膜2が、ピンド層5とフリー層3との間に設ける非磁性中間層4が導電膜であるスピンバルブ膜或いは非磁性中間層4が絶縁膜であるトンネル磁気抵抗効果膜のいずれかであることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1に記載の磁気抵抗効果素子。
(付記7) 上記磁区制御膜9と上記フリー層3の膜厚方向の位置がほぼ同じであることを特徴とする付記6記載の磁気抵抗効果素子。
(付記8) 下部電極1上に成膜した磁気センサ膜2をマスクパターンを利用してメサ状の加工する工程、前記マスクパターンを残したまま等方性堆積法によって第1の絶縁膜7を形成する工程、前記マスクパターンを残したまま異方性堆積法によって第2の絶縁膜8を形成する工程、及び、前記マスクパターンを残したまま磁区制御膜9を堆積する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記9) 上記等方性堆積法が原子層堆積法或いは気相化学堆積法のいずれかであり、且つ、上記異方性堆積法がイオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、或いは、コリメートスパッタ法のいずれかであることを特徴とする付記8記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記10) 上記第1の絶縁膜7を原子層堆積法を用いて150℃以下の成膜温度において5〜10nmの厚さに成膜するとともに、上記第2の絶縁膜8をイオンビームスパッタ法を用いて成膜角度を0°として20〜30nmの厚さに成膜することを特徴とする付記9記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記11) 付記1乃至7のいずれか1に記載の磁気抵抗効果素子を備えたことを特徴とする磁気記録装置。
再び、図1参照
(付記1) メサ状の磁気センサ膜2の側端部に絶縁膜を介して磁区制御膜9を設けるとともに、前記磁気センサ膜2の積層面に垂直にセンス電流を流す磁気抵抗効果素子において、前記絶縁膜を前記メサ状の磁気センサ膜2の側端面及び下部電極1と平行な面とを覆う薄い等方性堆積膜からなる第1の絶縁膜7と、少なくとも前記下部電極1と平行な面を覆う厚い異方性堆積膜からなる第2の絶縁膜8とにより構成することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
(付記2) 上記第1の絶縁膜7の膜厚が5〜10nmであり、上記第2の絶縁膜8の膜厚が20〜30nmであることを特徴とする付記1記載の磁気抵抗効果素子。
(付記3) 上記第1の絶縁膜7及び第2の絶縁膜8が同じ材料からなり、且つ、Al2 O3 、SiO2 、AlN、或いは、HfO2 のいずれかからなることを特徴とする付記1または2に記載の磁気抵抗効果素子。
(付記4) 上記等方性堆積法による第1の絶縁膜7の上に上記異方性堆積法による第2の絶縁膜8を設けたことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記5) 上記異方性堆積法による第2の絶縁膜8の上に上記等方性堆積法による第1の絶縁膜7を設けたことを特徴とする付記1乃至3のいずれか1に記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記6) 上記磁気センサ膜2が、ピンド層5とフリー層3との間に設ける非磁性中間層4が導電膜であるスピンバルブ膜或いは非磁性中間層4が絶縁膜であるトンネル磁気抵抗効果膜のいずれかであることを特徴とする付記1乃至5のいずれか1に記載の磁気抵抗効果素子。
(付記7) 上記磁区制御膜9と上記フリー層3の膜厚方向の位置がほぼ同じであることを特徴とする付記6記載の磁気抵抗効果素子。
(付記8) 下部電極1上に成膜した磁気センサ膜2をマスクパターンを利用してメサ状の加工する工程、前記マスクパターンを残したまま等方性堆積法によって第1の絶縁膜7を形成する工程、前記マスクパターンを残したまま異方性堆積法によって第2の絶縁膜8を形成する工程、及び、前記マスクパターンを残したまま磁区制御膜9を堆積する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記9) 上記等方性堆積法が原子層堆積法或いは気相化学堆積法のいずれかであり、且つ、上記異方性堆積法がイオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、或いは、コリメートスパッタ法のいずれかであることを特徴とする付記8記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記10) 上記第1の絶縁膜7を原子層堆積法を用いて150℃以下の成膜温度において5〜10nmの厚さに成膜するとともに、上記第2の絶縁膜8をイオンビームスパッタ法を用いて成膜角度を0°として20〜30nmの厚さに成膜することを特徴とする付記9記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
(付記11) 付記1乃至7のいずれか1に記載の磁気抵抗効果素子を備えたことを特徴とする磁気記録装置。
本発明の活用例としては、ハードディスク装置に搭載される複合型薄膜磁気ヘッドが典型的なものであるが、再生専用ヘッドにも適用されるものであり、さらには、磁気ヘッドではなく、単純な微小磁気センサの構造としても適用されるものである。
1 下部電極
2 磁気センサ膜
3 フリー層
4 非磁性中間層
5 ピンド層
6 反強磁性層
7 第1の絶縁膜
8 第2の絶縁膜
9 磁区制御膜
10 上部電極
11 Al2 O3 −TiC基板
12 Al2 O3 絶縁層
13 NiFe下部電極
14 TMR膜
15 Ta下地層
16 NiFeフリー層
17 CoFeフリー層
18 Al−O中間層
19 CoFeピンド層
20 IrMnピン層
21 Ru保護層
22 Ta表面保護層
23 レジストパターン
24 センサ部
25 エッチング残渣
26 Al2 O3 膜
27 Al2 O3 膜
28 Cr下地層
29 CoCrPt磁区制御膜
30 Al2 O3 平坦化膜
31 メッキベース層
32 NiFe上部電極
33 Al2 O3 膜
34 下部磁極層
35 ライトギャップ層
36 層間絶縁膜
37 コイル
38 層間絶縁膜
39 上部磁極層
40 磁気ディスク装置
41 磁気ディスク
42 ディスククランプリング
43 スピンドルモータ
44 スライダー
45 微動アーム
46 軸
47 シャーシ
48 ベースアーム
49 電磁アクチュエータ
50 センサ部
51 Ta下地層
52 IrMnピン層
53 CoFeピンド層
54 Al−O中間層
55 CoFeフリー層
56 Ta表面保護層
61 下部電極
62 磁気センサ膜
63 下地層
64 フリー層
65 中間絶縁層
66 ピンド層
67 反強磁性層
68 キャップ保護層
69 絶縁膜
70 磁区制御膜
71 上部電極
2 磁気センサ膜
3 フリー層
4 非磁性中間層
5 ピンド層
6 反強磁性層
7 第1の絶縁膜
8 第2の絶縁膜
9 磁区制御膜
10 上部電極
11 Al2 O3 −TiC基板
12 Al2 O3 絶縁層
13 NiFe下部電極
14 TMR膜
15 Ta下地層
16 NiFeフリー層
17 CoFeフリー層
18 Al−O中間層
19 CoFeピンド層
20 IrMnピン層
21 Ru保護層
22 Ta表面保護層
23 レジストパターン
24 センサ部
25 エッチング残渣
26 Al2 O3 膜
27 Al2 O3 膜
28 Cr下地層
29 CoCrPt磁区制御膜
30 Al2 O3 平坦化膜
31 メッキベース層
32 NiFe上部電極
33 Al2 O3 膜
34 下部磁極層
35 ライトギャップ層
36 層間絶縁膜
37 コイル
38 層間絶縁膜
39 上部磁極層
40 磁気ディスク装置
41 磁気ディスク
42 ディスククランプリング
43 スピンドルモータ
44 スライダー
45 微動アーム
46 軸
47 シャーシ
48 ベースアーム
49 電磁アクチュエータ
50 センサ部
51 Ta下地層
52 IrMnピン層
53 CoFeピンド層
54 Al−O中間層
55 CoFeフリー層
56 Ta表面保護層
61 下部電極
62 磁気センサ膜
63 下地層
64 フリー層
65 中間絶縁層
66 ピンド層
67 反強磁性層
68 キャップ保護層
69 絶縁膜
70 磁区制御膜
71 上部電極
Claims (5)
- メサ状の磁気センサ膜の側端部に絶縁膜を介して磁区制御膜を設けるとともに、前記磁気センサ膜の積層面に垂直にセンス電流を流す磁気抵抗効果素子において、前記絶縁膜を前記メサ状の磁気センサ膜の側端面及び下部電極と平行な面を覆う等方性堆積膜からなる第1の絶縁膜と、少なくとも前記下部電極と平行な面とを覆う異方性堆積膜からなる第2の絶縁膜とにより構成することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
- 上記第1の絶縁膜の膜厚が5〜10nmであり、上記第2の絶縁膜の膜厚が20〜30nmであることを特徴とする請求項1記載の磁気抵抗効果素子。
- 下部電極上に成膜した磁気センサ膜をマスクパターンを利用してメサ状の加工する工程、前記マスクパターンを残したまま等方性堆積法によって第1の絶縁膜を形成する工程、前記マスクパターンを残したまま異方性堆積法によって第2の絶縁膜を形成する工程、及び、前記マスクパターンを残したまま磁区制御膜を堆積する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 上記等方性堆積法が原子層堆積法或いは気相化学堆積法のいずれかであり、且つ、上記異方性堆積法がイオンビームスパッタ法、ロングスロースパッタ法、或いは、コリメートスパッタ法のいずれかであることを特徴とする請求項3記載の磁気抵抗効果素子の製造方法。
- 請求項1または2に記載の磁気抵抗効果素子を備えたことを特徴とする磁気記録装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005023281A JP2006210794A (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 磁気抵抗効果素子、その製造方法、及び、磁気記録装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005023281A JP2006210794A (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 磁気抵抗効果素子、その製造方法、及び、磁気記録装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006210794A true JP2006210794A (ja) | 2006-08-10 |
Family
ID=36967257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005023281A Withdrawn JP2006210794A (ja) | 2005-01-31 | 2005-01-31 | 磁気抵抗効果素子、その製造方法、及び、磁気記録装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006210794A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008117435A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Fujitsu Limited | 磁気ヘッド、磁気ヘッド製造方法、および磁気記録再生装置 |
JP2008306112A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Metals Ltd | 磁気抵抗効果膜、磁気センサ及び回転角度検出装置 |
JP2011238900A (ja) * | 2010-04-16 | 2011-11-24 | Canon Anelva Corp | 磁気抵抗効果素子の製造方法 |
US8530988B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-09-10 | HGST Netherlands B.V. | Junction isolation for magnetic read sensor |
-
2005
- 2005-01-31 JP JP2005023281A patent/JP2006210794A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008117435A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-02 | Fujitsu Limited | 磁気ヘッド、磁気ヘッド製造方法、および磁気記録再生装置 |
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US8530988B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-09-10 | HGST Netherlands B.V. | Junction isolation for magnetic read sensor |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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