JP2011238858A - 光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本光半導体装置100Aは、光半導体素子LDと、主面にコンデンサCが搭載された第1キャリア40と、上部に第1キャリア40および光半導体素子LDとを搭載してなる温度制御装置20とを備え、コンデンサCを搭載した領域の下方における第1キャリア40の主面と温度制御装置20の上面との間の領域56は、接地電位が排除された排除領域であることを特徴とする。これにより、コンデンサCの実装パターンとグランドパターンGNDとの間(上記の排除領域)に寄生容量が形成されてしまうことを抑制し、信号特性の劣化を抑制することができる。
【選択図】図4
Description
(比較例)
12 分布定数線路
14 RC回路
20 温度制御装置
30 キャリア
40 サブキャリア
60、61 実装基板
70 ブリッジ
R 抵抗
C コンデンサ
L ワイヤ
GND グランドパターン
100 光半導体装置
Claims (10)
- 光半導体素子と、
主面にコンデンサが搭載された第1キャリアと、
上部に前記第1キャリアおよび前記光半導体素子を搭載してなる温度制御装置とを備え、
前記コンデンサを搭載した領域の下方における前記第1キャリアの主面と前記温度制御装置の上面との間は、接地電位が排除された排除領域であることを特徴とする光半導体装置。 - 前記第1キャリアと前記温度制御装置の上面との間には、金属もしくは表面にメタライズを備えた誘電体からなる第2キャリアが設けられてなることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記金属あるいはメタライズの電位は、フローティングであることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。
- 前記金属あるいはメタライズは、前記排除領域に相当する領域が排除されてなることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。
- 前記第2キャリアは、前記排除領域に相当する領域が排除された空洞を備えることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。
- 前記第1キャリアの主面に接地電位を有するグランドパターンが設けられ、前記グランドパターンは、これと結合する信号ラインとの間で伝送線路を構成することを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光半導体装置。
- 前記伝送線路は、前記グランドパターン上に搭載された、上面に前記信号ラインが設けられてなる伝送線路基板からなることを特徴とする請求項6記載の光半導体装置。
- 前記第1キャリアの主面に前記コンデンサと接続された抵抗を備え、
前記抵抗が搭載された領域の下方は、接地電位が排除されてなることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の光半導体装置。 - 主面にコンデンサが搭載されたキャリアを備え、
前記コンデンサを搭載した領域の前記主面下方は、接地電位が排除された排除領域であることを特徴とする光半導体装置。 - 半導体レーザと、
主面に前記半導体レーザを搭載する実装領域が設けられ、変調信号を前記実装領域側から入力するためのパターンを有する第1キャリアと、
上部に前記第1キャリアを搭載してなる温度制御装置とを備え、
前記実装領域の下方における前記第1キャリアの主面と前記温度制御装置の上面との間は、接地電位が排除された排除領域であることを特徴とする光半導体装置。
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