JP5707732B2 - 光半導体装置 - Google Patents
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Description
(比較例)
12 分布定数線路
14 RC回路
20 温度制御装置
30 キャリア
40 サブキャリア
60、61 実装基板
70 ブリッジ
R 抵抗
C コンデンサ
L ワイヤ
GND グランドパターン
100 光半導体装置
Claims (7)
- 発光部と変調部を備えた半導体レーザ素子と、
主面にコンデンサが搭載され、前記主面に形成され、接地電位を有するグランドパターンが形成された第1キャリアと、
上部に前記第1キャリアおよび前記半導体レーザ素子を搭載してなる温度制御装置と、
前記半導体レーザ素子の変調部と前記コンデンサの上面とを接続する第1ワイヤと、前記コンデンサの下面と接続する抵抗と、前記グランドパターンとが順に接続された構成を有し、前記グランドパターンはこれと結合する信号ラインとの間で伝送線路を構成し、前記伝送線路と前記半導体レーザ素子の変調部とが第2ワイヤによって接続された、整合回路と、を備え、
前記コンデンサを搭載した領域の下方における前記第1キャリアの主面と前記温度制御装置の上面との間は、前記接地電位が排除された排除領域であることを特徴とする光半導体装置。 - 前記第1キャリアと前記温度制御装置の上面との間には、金属もしくは表面にメタライズを備えた誘電体からなる第2キャリアが設けられてなることを特徴とする請求項1記載の光半導体装置。
- 前記金属あるいはメタライズの電位は、フローティングであることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。
- 前記金属あるいはメタライズは、前記排除領域に相当する領域が排除されてなることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。
- 前記第2キャリアは、前記排除領域に相当する領域が排除された空洞を備えることを特徴とする請求項2記載の光半導体装置。
- 前記伝送線路は、前記グランドパターン上に搭載された、上面に前記信号ラインが設けられてなる伝送線路基板からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の光半導体装置。
- 前記抵抗が搭載された領域の下方は、接地電位が排除されてなることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の光半導体装置。
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