JP2011222859A - ドライエッチング方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板(20)に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源(52)と当該トランス(56)の二次側に直列接続されたバイアス用直流電源(54)とを用い、高周波電圧と直流電圧とを重畳させた基板バイアス電圧を基板(20)に印加する。基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Vdcとピーク−ピーク間電位差Vppを独立に制御可能とし、Vdcを0V以上にすることが好ましい。プラズマ生成部(14)で生成される表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4.1×108cm-3以上1.0×1011cm-3以下であることが好ましい。この条件を満たすようプラズマ生成用高周波電源(36)の周波数と誘電体部材(30)の比誘電率の組合せが設計される。
【選択図】 図1
Description
図1は本発明の第1実施形態に係るドライエッチング装置の構成図である。このドライエッチング装置10は、排気路11から排気可能な排気システム(不図示)を具備した真空チャンバー12(「真空容器」に相当)に高密度プラズマ生成のためのプラズマ源14(「プラズマ生成部」に相当)と、プロセスガス挿入口16(「ガス供給路」に相当)とが設けられ、真空チャンバー12内には、被エッチング材(被加工物)としての基板20を固定するためのステージ18が設置されている。
図1で説明したドライエッチング装置10を用い、強誘電体材料であるPZTのエッチングを行った結果を図4に示す。図4はVdcの値とPZTのエッチングレートの関係を調べたグラフである。横軸はVdc、縦軸はエッチングレートを示す。実験では、直流電源54の出力電圧を制御して基板バイアスのDC成分(Vdc)を変更し、各条件でエッチングレートを調べた。また、ステージ18上に置かれた基板20と放電管30の帯状電極32との間の距離Z(図1における鉛直方向の距離)を変えて、エッチングレートの変化を調べた。
図5は放電管の材料とエッチングレートの関係を調べたものである。図5では、比誘電率が異なる複数の放電管(ここでは3種類を例示)について、各放電管を用いた場合のシリコンのエッチングレートを比較した結果を示す。当該実験では比誘電率が「45」の高誘電率材料と、比誘電率が「8.2」のアルミナと、比誘電率が「3.8」の石英の各材料からなる放電管を用い、シリコンをエッチングした。
ここでプラズマ生成用の高周波電源の周波数と放電管の比誘電率の関係を説明する。
一般に比誘電率εの媒体中を伝搬する電磁波の位相速度は、式1で与えられる。
図5で説明した実験結果について、石英(比誘電率:3.8)の放電管を用いた時の表面波共鳴密度は、2.14×108cm−3であり、アルミナ(比誘電率:8.2)の放電管の場合は、4.10×108cm−3である。これに対し、高誘電率放電管(比誘電率:45)の時の表面波共鳴密度は2.05×109cm−3である。表面波共鳴密度が高いほどエッチングレートが速い傾向を示している。
放電管30はプラズマに曝されるためパーティクルが発生する問題がある。かかる課題に対して、放電管30の内側表面をフッ素基を含有する膜でコーティングすることでパーティクルの発生を抑制することができる。フッ素コート方法は、フッ素を含有するガスを用いプラズマ処理することでフッ素コートすることが出来る。その他にはスパッタ法や蒸着法、CVDなどでフッ素コートしても良い。
図7は本発明の第2実施形態に係るドライエッチング装置100の構成図である。図7において図1で説明した例と同一又は類似の部材には同一の符号を付し、その説明は省略する。
図9は本発明の第3実施形態に係るドライエッチング装置110の要部構成図である。図9(A)は上面図、(B)は断面図である。図9において図1、図7〜8で説明した例と同一又は類似の部材には同一の符号を付し、その説明は省略する。
図10は本発明の第4実施形態に係るドライエッチング装置120の要部構成図である。図10において図1、図7〜8で説明した例と同一又は類似の部材には同一の符号を付し、その説明は省略する。
上述した各実施形態は次のような技術的利点を有する。
Claims (17)
- 真空容器内にプロセスガスを供給するとともに、当該真空容器に設置されたプラズマ生成部の電極にプラズマ生成用高周波電力を供給してプラズマを生成する一方、被エッチング材の基板に高周波のバイアス電圧を印加し、前記基板のエッチングを行うドライエッチング方法において、
前記基板に対してトランス結合されたバイアス用高周波電源と当該トランスの二次側に直列接続されたバイアス用直流電源とを用い、これら電源から前記トランスを介して高周波電圧と直流電圧とを重畳させた前記基板バイアス電圧を前記基板に印加する構成によって、前記基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Vdcが0ボルト[V]以上である高周波のバイアス電圧を印加しながら前記エッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1において、
前記プラズマ生成部は、表面波プラズマを生成することを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1又は2において、
前記プロセスガスにハロゲンを含有していることを特徴とするドライエッチング方法。 - 請求項1乃至3のいずれか1項において、
前記被エッチング材は、強誘電体、貴金属、又は磁性体であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 真空容器と、
前記真空容器内にプロセスガスを供給するためのガス供給口と、
前記真空容器に設けられたプラズマ生成部と、
前記プラズマ生成部の電極にプラズマ生成用高周波電力を供給するプラズマ生成用高周波電源と、
前記真空容器内に設置され、被エッチング材の基板を保持するステージと、
前記ステージに対してトランス結合されたバイアス用高周波電源と、
前記バイアス用高周波電源が接続されたトランスの二次側に直列接続されたバイアス用直流電源と、
を備え、
前記バイアス用高周波電源及び前記バイアス用直流電源から前記トランスを介して高周波電圧と直流電圧とが重畳された基板バイアス電圧が前記ステージに印加されることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項5において、
前記基板バイアス電圧の自己バイアス電圧Vdcが0ボルト[V]以上であることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項5又は6において、
前記プラズマ生成部は、表面波プラズマを生成するものであることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項7において、
前記プラズマ生成部で生成される前記表面波プラズマの表面波共鳴密度は、4.1×108[cm−3]以上1.0×1011[cm−3]以下であることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項5乃至8のいずれか1項において、
前記プラズマ生成用高周波電力の周波数は、27MHz〜200MHzの範囲であることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項5乃至9のいずれか1項において、
前記プラズマ生成部は、誘電体部材の外周部に前記電極が配置された構造を有することを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項10において、
前記誘電体部材の比誘電率が10〜100の範囲であることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項10又は11において、
前記誘電体部材は、円筒型の放電管であることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項12において、
前記真空容器には、前記円筒型のプラズマ生成部が複数設けられていることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項13において、
前記円筒型のプラズマ生成部は、前記基板に垂直な方向に延設されていることを特徴するドライエッチング装置。 - 請求項13において、
前記円筒型のプラズマ生成部は、前記基板と平行な水平方向に延設されていることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項13において、
前記複数のプラズマ生成部のうち、一部のブラズマ生成部は前記基板に垂直な方向に延設され、他の一部のプラズマ生成部は前記基板と平行な水平方向に延設されていることを特徴とするドライエッチング装置。 - 請求項5乃至16のいずれか1項において、
前記誘電体部材の内側表面は、フッ素基を含有する膜で覆われていることを特徴とするドライエッチング装置。
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