JP2011222627A5 - - Google Patents
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次に、パッケージをワイヤボンドステージに移動させる。そして、図９に示すように、半導体レーザチップ７とフレーム１をワイヤ８により接続し、サブマウント５の電極パターンとリード３をワイヤ９により接続する。以上の工程により製造された半導体レーザ装置を収納トレイに納める。
１ フレーム、２ モールド樹脂、３ リード、４ 半田（第１の半田）、５ サブマウント、６ 半田（第２の半田）、７ 半導体レーザチップ、１１ Ａｕメッキ層、１３ Ｐｔ層（第１のＰｔ層）、１４ Ｔｉ層（高融点金属層）、１５ Ｐｔ層（第２のＰｔ層）
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