JP2011222550A - Pinダイオード - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 PINダイオード10は、アノード領域4とカソード領域15の間に高抵抗領域8を有する。アノード領域4と高抵抗領域8が接する第1界面6からカソード領域15と高抵抗領域8が接する第2界面12までの距離は50μm以上である。高抵抗領域8の全域に酸素が含まれている。酸素の濃度は、第1界面6の近傍で最大値を示すとともにカソード領域15に向けて単調減少している。酸素の濃度は、第2界面12において2.0×1016cm−3以上で5.0×1016cm−3以下である。PINダイオード10では、酸素の濃度に応じて、高抵抗領域8内に原子空孔と酸素が結合した複合欠陥が形成されている。
【選択図】図1
Description
(特徴1)高抵抗領域及びカソード領域にはn型の不純物が含まれている。高抵抗領域の不純物濃度は、カソード領域の不純物濃度よりも薄い。カソード領域は、n型不純物中濃度領域とn型不純物高濃度領域を備えている。n型不純物中濃度領域の不純物濃度は、高抵抗領域の不純物濃度よりも薄い。n型不純物中濃度領域は、高抵抗領域とn型不純物高濃度領域の間に介在している。
6:第1界面
8:高抵抗領域
10:PINダイオード
12:第2界面
15:カソード領域
Claims (4)
- アノード領域とカソード領域の間に高抵抗領域を有するPINダイオードであって、
アノード領域と高抵抗領域が接する第1界面からカソード領域と高抵抗領域が接する第2界面までの距離が50μm以上であり、
高抵抗領域の全域に酸素が含まれており、
その酸素の濃度が、第1界面の近傍で最大値を示すとともにカソード領域に向けて単調減少しており、第2界面において2.0×1016cm−3以上で5.0×1016cm−3以下であり、
前記酸素の濃度に応じて、高抵抗領域内に原子空孔と酸素が結合した複合欠陥が形成されているPINダイオード。 - 前記最大値における酸素の濃度が、1.0×1017cm−3以上で2.0×1017cm−3以下である請求項1に記載のPINダイオード。
- 前記酸素の濃度が、第1界面で最大値を示している請求項1又は2に記載のPINダイオード。
- 第1界面の近傍の高抵抗領域内に、さらに複空孔欠陥が形成されている請求項1から3のいずれか1項に記載のPINダイオード。
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