JP2011211157A - 微細構造転写方法およびその装置 - Google Patents
微細構造転写方法およびその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011211157A JP2011211157A JP2010262320A JP2010262320A JP2011211157A JP 2011211157 A JP2011211157 A JP 2011211157A JP 2010262320 A JP2010262320 A JP 2010262320A JP 2010262320 A JP2010262320 A JP 2010262320A JP 2011211157 A JP2011211157 A JP 2011211157A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stamper
- pair
- substrate
- stampers
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】
微細構造を転写する方法において、表面にレジストがコーティングされた被転写体に裏面を真空吸引してスタンパを密着、加圧させる際に、スタンパを球面状に変形または湾曲させて密着面を中心部から周辺部に拡大させていくことで被転写体とスタンパとの間に気泡の入り込みを防止した。
【選択図】図5C
Description
電子線を用いたパターン形成は、i線、エキシマレーザー等の光源を用いたパターン形成における一括露光方法とは異なり、マスクパターンを描画していく方法をとるため、描画するパターンが多ければ多いほど露光(描画)時間がかかり、パターン形成に時間がかかることが欠点とされている。そのため、256メガ、1ギガ、4ギガと、集積度が飛躍的に高まるにつれ、その分パターン形成時間も飛躍的に長くなることになり、スループットが著しく劣ることが懸念される。そこで、電子ビーム描画装置の高速化のために、各種形状のマスクを組み合わせそれらに一括して電子ビームを照射して複雑な形状の電子ビームを形成する一括図形照射法の開発が進められている。この結果、パターンの微細化が進められる一方で、電子線描画装置を大型化せざるを得ないほか、マスク位置をより高精度に制御する機構が必要になるなど、装置コストが高くなるという欠点があった。
これに対し、微細なパターン形成を低コストで行うためのインプリント技術がある。これは、基板上に形成したいパターンと同じパターンの凹凸を有するスタンパを、被転写基板表面に形成されたレジスト膜層に対して型押し、スタンパを剥離することで所定のパターンをレジスト上に転写する技術であり、シリコンウエハをスタンパとして用い、25ナノメートル以下の微細構造を転写により形成可能であるとしている。そして、インプリント技術は大容量記録媒体の記録ビット形成、半導体集積回路パターン形成等への応用が検討されてきている。
インプリント技術で、大容量記録媒体基板や半導体集積回路基板上に微細パターンを高精度に転写するには、表面に微小なうねりが発生している被転写基板表面上のパターン転写領域に均一に圧力が加わるよう、スタンパを押し付ける必要がある。
ディスク待機ステージ104に移送されたディスク基板101は転写用マテハンユニット105によりレジスト塗布ユニット106に移動し(S202)、ディスク基板101の両面にレジストの塗布が行われる(S203)。この塗布方式にはスピンコートまたはインクジェットなどが用いられる。塗布終了後ディスク基板101はスタンパおよび露光装置を実装された転写露光ユニット107に移動される(S204)。
制御部120には、入力手段130とモニタ131とが接続されている。入力手段130は、ディスク転写枚数などの製造条件や製造に必要な項目などを入力するものである。モニタ131は、装置の状態や条件などの表示、同一のスタンパで処理した累積処理枚数の表示、入力時の支援画面の表示が可能である。
その後、上面加圧密着ユニット205が駆動手段(図5参照)で駆動されて下降し、上面スタンパ207と下面スタンパ210に挟まれたディスク基板101は上面スタンパ207及び下面スタンパ210と密着する。上面スタンパ207及び下面スタンパ210の表面には微細パターンが形成されている。両面にレジストが塗布されたディスク基板101と密着した状態で上面UV露光ユニット214と下面UV露光ユニット215とから発射したUV光(Ultra Violet Light:紫外光)を上面スタンパ207及び下面スタンパ210を透過させてレジストに照射することによりレジストを露光する。この露光により前述のレジストが固化し、スタンパ表面の微細パターンがディスク基板の両面に転写される。このUV光は複数のLED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)216を光源として発射される。(図3C)
上面スタンパ207及び下面スタンパ210に形成されている微細パターンが転写されたディスク基板101は、転写用マテハンユニット105により剥離ユニット108に移動する際に、後述するように下面スタンパ210から剥離され、上面スタンパ207側に密着された状態となる。剥離ユニット108への移動完了後、基台212上に設置されたディスク固定具213を用い、転写されたディスク基板101を固定する。その後、駆動手段で上面加圧密着ユニット205を上昇させることにより、上面スタンパ207と微細パターンが転写されたディスク基板101を分離する。(図3D)
上面スタンパ207から分離されたディスク基板101は、転写用マテハンユニット105により剥離ユニット108から取り出され、転写完了ディスク待機場113に格納される。
ここで、図6に上面スタンパ207の表面高さをプロットしたグラフ400を示す。変形前を401に、変形後を402に示す。上記にて説明した初期状態のスタンパ207はグラフの401の状態である。また、上面スタンパ207の背面の空間307が真空排気されて上面スタンパ207の外周部付近がスタンパ保持部303に押し当てられ、中心部付近がスタンパバックアップ弾性体305に押し当てられて凸形状に変形した上面スタンパ207は402の状態である。
次に、真空排気手段320による上面スタンパ207の背面の空間の真空排気を中断し(S406)、上面スタンパ207の背面の空間圧力を上昇させ、凸状に変形させた上面スタンパ207の変形を解除する。その結果、上面スタンパ207は元の平坦な状態に戻り、ディスク基板101の全面に完全に密着する(S407)。この際、上面スタンパ207の背面の空間307の圧力を -20kPa〜100kPaに設定し、より確実に密着させる。上面スタンパ207の背面の空間307の圧力値は上面スタンパ207の形状および材質、パターン面積により変化する。本実施例では-20kPa〜0kPaにて密着させた。これにより上面スタンパ207を微少量変形させ、密着面を中心部から周辺部に拡大させていくことが可能となり、被転写体であるディスク基板101と上面スタンパ207との間に気泡の入り込みを防止することができる(図5C)。
密着後、上面UV露光ユニット214を用い、上面バックアップガラス206、スタンパバックアップ弾性体305および上面スタンパ207を通して、ディスク基板101表面に塗布されたレジストにUV光を照射して露光し、レジストを硬化させる(S408)(図5D)。
Claims (16)
- 両面にレジストを塗布した基板の前記両面にパターンが形成された1対のスタンパを押し当てて該1対のスタンパに形成されたパターンを前記基板の前記両面に塗布したレジストに転写する方法であって、
前記1対のスタンパをそれぞれ凸形状に変形させ、
該凸形状に変形させた1対のスタンパを前記両面にレジストが塗布された基板の前記両面に垂直な方向に移動させて前記1対のスタンパの凸形状の中央部から周辺部に向かって徐々に前記基板の両面に押付け、
前記1対のスタンパを所定の量押付けた状態で前記1対のスタンパの凸形状の変形を解除して前記1対のスタンパを前記基板の両面に押付け、
前記1対のスタンパの凸形状の変形を解除して前記基板の両面に押付けた状態で前記基板の両面に塗布されたレジストにUV光を照射して前記基板の両面のレジストを露光し、
前記露光したレジストが硬化した後に前記1対のスタンパを順次前記基板から剥離する
ことを特徴とする微細構造転写方法。 - 前記1対のスタンパを順次前記基板から剥離することを、前記1対のスタンパの一方を凸状に変形させて前記基板の周辺部から前記一方のスタンパを剥離させ、次に前記1対のスタンパのうちの他方のスタンパを凸状に変形させて前記基板の周辺部から前記他方のスタンパを剥離させることを特徴とする請求項1に記載の微細構造転写方法。
- 前記1対のスタンパを順次前記基板から剥離するときに前記1対のスタンパをそれぞれ凸状に変形させることを、前記1対のスタンパのそれぞれと前記基板に対して反対側の面の側の空間を真空に排気することにより行うことを特徴とする請求項2に記載の微細構造転写方法。
- 基板の両面にレジストを塗布し、
該両面にレジストを塗布した基板の該両面に微細なパターンが形成された1対のスタンパを押し付けて露光することにより該1対のスタンパのパターンを前記基板の両面に塗布されたレジストに転写し、
該パターンが転写されたレジストが硬化した後に前記基板の両面に押し付けた1対のスタンパを順次前記基板から剥離する
ことにより微細構造を転写する方法であって、
前記1対のスタンパのパターンを前記基板の両面に塗布されたレジストに転写する工程において、
前記1対のスタンパを凸状に変形させた状態で前記基板に押付け、
前記1対のスタンパを前記基板に押付けた状態で前記スタンパの凸状の変形を解除し、
該凸状の変形を解除した1対のスタンパを前記基板の両面に押付けた状態でUV光を照射して前記基板の両面に塗布されたレジストを露光する
ことにより前記1対のスタンパに形成されたパターンを前記基板の両面に塗布されたレジストに転写することを特徴とする微細構造転写方法。 - 前記1対のスタンパのそれぞれ前記基板と向き合う面の反対側の面の側を真空に排気することにより前記1対のスタンパをそれぞれ凸形状に変形させることを特徴とする請求項1又は4に記載の微細構造転写方法。
- 前記1対のスタンパのそれぞれ前記基板と向き合う面の反対側の面の側を中央部と周辺部とで弾性率が異なる材料で支持して真空に排気することにより前記1対のスタンパをそれぞれ凸形状に変形させることを特徴とする請求項1又は4に記載の微細構造転写方法。
- 前記弾性率が異なる材料は、前記中心部よりも前記周辺部を支持する材料のほうが弾性率が大きいことを特徴とする請求項4に記載の微細構造転写方法。
- 基板の両面にレジストを塗布するレジスト塗布ユニットと、
該レジスト塗布手段により両面にレジストが塗布された基板の両面に微細なパターンが形成された1対のスタンパを押し付けて前記両面を露光することにより該1対のスタンパのパターンを前記基板の両面に塗布されたレジストに転写する転写露光ユニットと、
前記両面にパターンが転写された基板の前記両面に押し付けられた1対のスタンパのうち一方のスタンパから前記基板を剥離して該基板を前記1対のスタンパのうちの他方のスタンパと一緒に前記転写露光ユニットから搬出する基板搬出ユニットと、
該基板搬出ユニットで前記転写露光ユニットから搬出された基板を受けて該基板を前記他方のスタンパから剥離する剥離ユニットと
を備えた微細構造を転写する装置であって、前記転写露光ユニットは、
前記1対のスタンパをそれぞれ凸状に変形させて該凸状の変形を解除する1対のスタンパ変形手段と、
前記1対のスタンパをそれぞれ前記両面にレジストが塗布された基板の前記両面に対して垂直な方向に前進又は後退させる1対のスタンパ駆動手段と、
前記1対のスタンパ駆動手段により前記1対のスタンパを前記両面にレジストが塗布された基板に押付けた状態で前記両面にLEDを用いたUV光を照射して前記両面のレジストを露光する露光手段と
を有することを特徴とする微細構造転写装置。 - 前記1対のスタンパ変形手段はそれぞれ前記1対のスタンパの何れか一方と対応し、該何れか一方のスタンパに対応するスタンパ変形手段は、前記一方のスタンパの前記基板と向き合う面の反対側の面の側を真空に排気する真空排気部と、該真空排気部で真空に排気された状態で前記一方のスタンパの前記基板と向き合う面の反対側の面の外周部付近を支持する第1の弾性部材と、前記真空排気部で真空に排気された状態で前記一方のスタンパの前記基板と向き合う面の反対側の面の中央部付近を支持する第2の弾性部材とを有することを特徴とする請求項8記載の微細構造転写装置。
- 前記第1の弾性部材は、前記第2の弾性部材よりも弾性率が大きいことを特徴とする請求項9記載の微細構造転写装置。
- 前記1対のスタンパ駆動手段は、前記1対のスタンパ変形手段で凸状に変形させた前記1対のスタンパを前記両面にレジストが塗布された基板の両面に対して垂直な方向に前進させて前記凸状に変形させた1対のスタンパを前記両面にレジストが塗布された基板の該両面に押付けることを特徴とする請求項8記載の微細構造転写装置。
- 前記1対のスタンパ変形手段はそれぞれ、前記1対のスタンパ駆動手段のうちの一方のスタンパ駆動手段で前記凸状に変形させたスタンパを前記両面にレジストが塗布された基板の一方の面に一定量押付けた状態で前記スタンパの凸状の変形を解除することを特徴とする請求項8記載の微細構造転写装置。
- 前記転写露光ユニットは、該1対のスタンパ変形手段による前記1対のスタンパの凸状の変形を解除して前記1対のスタンパを前記1対のスタンパ駆動手段で前記基板の両面に押付けた状態で該基板の両面にLEDを用いたUV光を照射して前記基板の両面のレジストを露光することを特徴とする請求項8記載の微細構造転写装置。
- 前記転写露光ユニットは、前記1対のスタンパ変形手段による前記1対のスタンパの凸状の変形を解除して前記1対のスタンパを前記1対のスタンパ駆動手段で前記基板の両面に押付けた状態で、前記第2の弾性部材を支持するバックアップガラスおよび前記第2の弾性部材を通し該基板の両面にLEDから発射されたUV光を照射して前記基板の両面のレジストを露光することを特徴とする請求項8記載の微細構造転写装置。
- 前記1対のスタンパ変形手段は、前記露光手段で前記両面にレジストが塗布された基板の前記両面に前記1対のスタンパを押し付けて露光して前記レジストを硬化させた後に、前記露光転写ユニットにおいて、前記1対のスタンパ変形手段のうちの一方のスタンパ変形手段により前記1対のスタンパのうちの一方のスタンパを凸状に変形させて前記基板の周辺部から前記一方のスタンパと剥離させることにより前記一方のスタンパを前記基板の一方の面から剥離し、前記剥離ユニットにおいて、前記1対のスタンパ変形手段のうちの他方のスタンパ変形手段により前記1対のスタンパのうちの他方のスタンパを凸状に変形させて前記基板の周辺部から前記他方のスタンパと剥離させることにより前記他方のスタンパを前記基板の他方の面から剥離することを特徴とする請求項8記載の微細構造転写装置。
- 前記1対のスタンパ変形手段は、それぞれ、前記真空排気部で前記スタンパの前記基板と向き合う面の反対側の面の側を真空に排気することにより前記1対のスタンパをそれぞれ凸状に変形させて前記1対のスタンパをそれぞれ前記基板の両面から剥離することを特徴とする請求項15記載の微細構造転写装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010262320A JP5469041B2 (ja) | 2010-03-08 | 2010-11-25 | 微細構造転写方法およびその装置 |
PCT/JP2011/052052 WO2011111441A1 (ja) | 2010-03-08 | 2011-02-01 | 微細構造転写方法およびその装置 |
US13/025,694 US8764431B2 (en) | 2010-03-08 | 2011-02-11 | Method and apparatus for transcripting fine patterns |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010050631 | 2010-03-08 | ||
JP2010050631 | 2010-03-08 | ||
JP2010262320A JP5469041B2 (ja) | 2010-03-08 | 2010-11-25 | 微細構造転写方法およびその装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011211157A true JP2011211157A (ja) | 2011-10-20 |
JP5469041B2 JP5469041B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=44531588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010262320A Expired - Fee Related JP5469041B2 (ja) | 2010-03-08 | 2010-11-25 | 微細構造転写方法およびその装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8764431B2 (ja) |
JP (1) | JP5469041B2 (ja) |
WO (1) | WO2011111441A1 (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012212781A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント方法およびそれを実施するためのインプリント装置 |
JP2013118233A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 微細構造転写装置 |
JP2013145854A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Canon Inc | インプリント装置、および、物品の製造方法 |
JP2013219230A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
WO2014034576A1 (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-06 | Scivax株式会社 | インプリント装置およびインプリント方法 |
JP2015111683A (ja) * | 2014-12-22 | 2015-06-18 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用モールド複合体およびその製造方法 |
JP2016009750A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基材及びインプリントモールド |
JP2016085941A (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-19 | トヨタ自動車株式会社 | 非水電解液二次電池および該電池に用いられる電極体 |
KR20160145599A (ko) * | 2014-04-22 | 2016-12-20 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 나노구조를 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 |
TWI622486B (zh) * | 2015-04-09 | 2018-05-01 | 佳能股份有限公司 | 壓印設備及製造物品的方法 |
JP2018534623A (ja) * | 2015-11-20 | 2018-11-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリント装置 |
KR102523787B1 (ko) * | 2022-02-03 | 2023-04-21 | 주식회사피에스디이 | 기포 문제를 해결하기 위한 임프린팅 장치 및 임프린팅 방법 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101304149B1 (ko) * | 2010-09-27 | 2013-09-05 | (주)엘지하우시스 | 3차원 패턴 형성용 성형 몰드 및 이를 이용한 가전제품 외장재 제조 방법 |
US9177790B2 (en) * | 2013-10-30 | 2015-11-03 | Infineon Technologies Austria Ag | Inkjet printing in a peripheral region of a substrate |
TWI672212B (zh) * | 2016-08-25 | 2019-09-21 | 國立成功大學 | 奈米壓印組合體及其壓印方法 |
US20230229076A1 (en) * | 2020-07-06 | 2023-07-20 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for producing micro- and/or nanostructures |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5829631A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体の複製装置 |
JPH02126434A (ja) * | 1988-11-05 | 1990-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 光デイスク基板成形方法 |
JP2001068411A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-03-16 | Lucent Technol Inc | デバイス製作のためのリソグラフィ・プロセス |
JP2004288845A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Hitachi Ltd | ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法 |
JP2008524854A (ja) * | 2004-12-16 | 2008-07-10 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | インプリントリソグラフィに使用されるナノディスクを形成するためのシステムおよび方法ならびにそれによって形成されたナノディスクおよびメモリディスク |
JP2009518863A (ja) * | 2005-12-08 | 2009-05-07 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 基板の両面パターニングする方法及びシステム |
JP2009123318A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Tdk Corp | インプリント方法、情報記録媒体製造方法およびインプリントシステム |
JP2010507230A (ja) * | 2006-10-13 | 2010-03-04 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | コンタクトリソグラフィ装置、システム及び方法 |
JP2010093105A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Toshiba Mach Co Ltd | 被成型品保持装置、型保持装置および転写装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU2003251262A1 (en) * | 2002-08-27 | 2004-03-19 | Obducat Ab | Device for transferring a pattern to an object |
JP2004303385A (ja) | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Sony Corp | 光ディスクのピット転写工程におけるディスクとスタンパーのセット方法及び装置 |
JP2005043652A (ja) * | 2003-07-22 | 2005-02-17 | Fuji Xerox Co Ltd | 高分子光導波路の製造方法及びその製造装置 |
JP4441675B2 (ja) | 2004-07-05 | 2010-03-31 | 株式会社日立製作所 | 転写印刷機及び転写印刷方法 |
US8377361B2 (en) * | 2006-11-28 | 2013-02-19 | Wei Zhang | Imprint lithography with improved substrate/mold separation |
JP4418476B2 (ja) * | 2007-03-20 | 2010-02-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細構造転写装置および微細構造体の製造方法 |
KR101289337B1 (ko) * | 2007-08-29 | 2013-07-29 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 양면 임프린트 리소그래피 장치 |
JP5433223B2 (ja) | 2008-02-20 | 2014-03-05 | 東芝機械株式会社 | 転写装置および転写方法 |
JP5416420B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2014-02-12 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 微細構造転写装置 |
-
2010
- 2010-11-25 JP JP2010262320A patent/JP5469041B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-01 WO PCT/JP2011/052052 patent/WO2011111441A1/ja active Application Filing
- 2011-02-11 US US13/025,694 patent/US8764431B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5829631A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 平板状情報記録担体の複製装置 |
JPH02126434A (ja) * | 1988-11-05 | 1990-05-15 | Mitsubishi Electric Corp | 光デイスク基板成形方法 |
JP2001068411A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-03-16 | Lucent Technol Inc | デバイス製作のためのリソグラフィ・プロセス |
JP2004288845A (ja) * | 2003-03-20 | 2004-10-14 | Hitachi Ltd | ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法 |
JP2008524854A (ja) * | 2004-12-16 | 2008-07-10 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | インプリントリソグラフィに使用されるナノディスクを形成するためのシステムおよび方法ならびにそれによって形成されたナノディスクおよびメモリディスク |
JP2009518863A (ja) * | 2005-12-08 | 2009-05-07 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 基板の両面パターニングする方法及びシステム |
JP2010507230A (ja) * | 2006-10-13 | 2010-03-04 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. | コンタクトリソグラフィ装置、システム及び方法 |
JP2009123318A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-06-04 | Tdk Corp | インプリント方法、情報記録媒体製造方法およびインプリントシステム |
JP2010093105A (ja) * | 2008-10-09 | 2010-04-22 | Toshiba Mach Co Ltd | 被成型品保持装置、型保持装置および転写装置 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012212781A (ja) * | 2011-03-31 | 2012-11-01 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリント方法およびそれを実施するためのインプリント装置 |
JP2013118233A (ja) * | 2011-12-02 | 2013-06-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 微細構造転写装置 |
JP2013145854A (ja) * | 2012-01-16 | 2013-07-25 | Canon Inc | インプリント装置、および、物品の製造方法 |
US9910351B2 (en) | 2012-01-16 | 2018-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and article manufacturing method |
US9541825B2 (en) | 2012-01-16 | 2017-01-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and article manufacturing method |
JP2013219230A (ja) * | 2012-04-10 | 2013-10-24 | Dainippon Printing Co Ltd | ナノインプリント方法及びナノインプリント装置 |
WO2014034576A1 (ja) * | 2012-08-27 | 2014-03-06 | Scivax株式会社 | インプリント装置およびインプリント方法 |
JPWO2014034576A1 (ja) * | 2012-08-27 | 2016-08-08 | Scivax株式会社 | インプリント装置およびインプリント方法 |
US10343312B2 (en) | 2012-08-27 | 2019-07-09 | Scivax Corporation | Imprint device and imprint method |
KR102394754B1 (ko) * | 2014-04-22 | 2022-05-04 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 나노구조를 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 |
KR20160145599A (ko) * | 2014-04-22 | 2016-12-20 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 나노구조를 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 |
TWI824579B (zh) * | 2014-04-22 | 2023-12-01 | 奧地利商Ev集團E塔那有限公司 | 用於凸印一奈米結構之方法及裝置 |
JP2017516302A (ja) * | 2014-04-22 | 2017-06-15 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | ナノ構造を型押しする方法及び装置 |
US10906293B2 (en) | 2014-04-22 | 2021-02-02 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for embossing of a nanostructure |
KR20210050597A (ko) * | 2014-04-22 | 2021-05-07 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 나노구조를 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 |
US10118381B2 (en) | 2014-04-22 | 2018-11-06 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for embossing of a nanostructure |
KR102249004B1 (ko) * | 2014-04-22 | 2021-05-07 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 나노구조를 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 |
US10493747B2 (en) | 2014-04-22 | 2019-12-03 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Method and device for embossing of a nanostructure |
JP2016009750A (ja) * | 2014-06-24 | 2016-01-18 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド用基材及びインプリントモールド |
JP2016085941A (ja) * | 2014-10-29 | 2016-05-19 | トヨタ自動車株式会社 | 非水電解液二次電池および該電池に用いられる電極体 |
JP2015111683A (ja) * | 2014-12-22 | 2015-06-18 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用モールド複合体およびその製造方法 |
US10705421B2 (en) | 2015-04-09 | 2020-07-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus and method of manufacturing article |
TWI622486B (zh) * | 2015-04-09 | 2018-05-01 | 佳能股份有限公司 | 壓印設備及製造物品的方法 |
JP2018534623A (ja) * | 2015-11-20 | 2018-11-22 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | インプリント装置 |
KR102523787B1 (ko) * | 2022-02-03 | 2023-04-21 | 주식회사피에스디이 | 기포 문제를 해결하기 위한 임프린팅 장치 및 임프린팅 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8764431B2 (en) | 2014-07-01 |
WO2011111441A1 (ja) | 2011-09-15 |
JP5469041B2 (ja) | 2014-04-09 |
US20110217479A1 (en) | 2011-09-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5469041B2 (ja) | 微細構造転写方法およびその装置 | |
KR101622818B1 (ko) | 나노임프린팅 방법 및 나노임프린팅 방법을 실행하기 위한 나노임프린팅 장치 | |
JP6313591B2 (ja) | インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法 | |
KR20120083842A (ko) | 유리 기판 유지 수단, 및 그것을 사용한 euv 마스크 블랭크의 제조 방법 | |
JP2006326927A (ja) | インプリント装置、及び微細構造転写方法 | |
JP2012099790A (ja) | インプリント装置、及び、物品の製造方法 | |
JP2007019479A (ja) | インプリント装置、インプリント方法及びチップの製造方法 | |
WO2011111792A1 (ja) | 微細構造転写装置及び微細構造転写方法 | |
JP2011150780A (ja) | 両面インプリント装置 | |
JP2013074115A (ja) | ナノインプリント装置およびナノインプリント方法、並びに、歪み付与デバイスおよび歪み付与方法 | |
JP2007194304A (ja) | インプリント装置およびインプリント方法 | |
JP7033994B2 (ja) | 成形装置及び物品の製造方法 | |
US9405193B2 (en) | Imprint apparatus, imprint method and article manufacturing method | |
JP2017112230A (ja) | インプリント装置および物品製造方法 | |
JP2010167643A (ja) | 微細構造転写装置 | |
JP5328495B2 (ja) | インプリント装置及び物品の製造方法 | |
JP2014069339A (ja) | スタンパ、スタンパ製造装置及びその製造方法並びに微細構造転写方法 | |
TWI654060B (zh) | Imprinting device, imprinting method and article manufacturing method | |
JP2014007260A (ja) | インプリント装置、収納ケース及び物品の製造方法 | |
JP2019186347A (ja) | 加工装置、インプリント装置、平坦化装置、および加工方法 | |
JP2019041005A (ja) | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 | |
JP2017516302A (ja) | ナノ構造を型押しする方法及び装置 | |
WO2012020741A1 (ja) | 光インプリント方法及び装置 | |
JP2012099789A (ja) | インプリント装置、及び、物品の製造方法 | |
JP2013022807A (ja) | 微細構造転写装置及びスタンパ移送方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130730 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130827 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131025 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140130 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5469041 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |