JP2011204765A - 半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】支持基板の分離工程や樹脂封止体の切断工程等に起因する配線層の剥離やダメージを抑制することを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板上1に熱可塑性樹脂からなる剥離層2と配線層3を順に形成する。配線層3のダイシング領域D上に存在する有機絶縁膜を除去する。装置形成領域に対応する配線層3上に半導体チップ9をそれぞれ実装する。剥離層2上に複数の半導体チップ9を覆う封止樹脂層12を形成する。剥離層2を加熱し、配線層3と複数の半導体チップ9と封止樹脂層12とを樹脂封止体から支持基板1を分離する。樹脂封止体をダイシング領域に基づいて切断し、半導体装置を構成する構造体を個片化する。
【選択図】図1
【解決手段】支持基板上1に熱可塑性樹脂からなる剥離層2と配線層3を順に形成する。配線層3のダイシング領域D上に存在する有機絶縁膜を除去する。装置形成領域に対応する配線層3上に半導体チップ9をそれぞれ実装する。剥離層2上に複数の半導体チップ9を覆う封止樹脂層12を形成する。剥離層2を加熱し、配線層3と複数の半導体チップ9と封止樹脂層12とを樹脂封止体から支持基板1を分離する。樹脂封止体をダイシング領域に基づいて切断し、半導体装置を構成する構造体を個片化する。
【選択図】図1
Description
本発明は半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
携帯電話等の小型・薄型の携帯型電子機器は、半導体装置の搭載領域の面積が狭く、かつ高さも低いことから、複数の半導体チップを搭載する場合には単一の基板の両面に半導体チップをそれぞれ実装した、いわゆる両面実装型の半導体装置が用いられている。両面実装型の半導体装置は、例えば以下のようにして作製される。まず、所定の支持基板を準備し、支持基板上に配線層を形成した後、配線層の表面に一方の面の半導体チップを実装する。次いで、支持基板を除去した後に、配線層の裏面に他方の面の半導体チップを実装することによって、目的とする両面実装型の半導体装置を作製する。
両面実装型の半導体装置を作製するにあたっては、支持基板の除去工程が重要となる。すなわち、支持基板の除去工程には、支持基板の繰り返し使用を可能にしつつ、半導体チップや配線層に不具合を生じさせることなく、支持基板を短時間で簡便に除去することが求められる。このような点に対して、特許文献1には支持基板上に熱可塑性樹脂からなる樹脂層(剥離層)を形成し、その上に有機絶縁膜と金属配線とで配線層を形成し、さらに配線層上に半導体チップを実装して樹脂封止した後、樹脂層(剥離層)を加熱しつつ平行方向に移動させ、樹脂層をせん断することによって、配線層と半導体チップと封止樹脂層とで構成された構造体を支持基板から分離する方法が記載されている。
熱可塑性樹脂からなる樹脂層を加熱しながらせん断して支持基板を分離する方法は、例えば剥離層を溶解したり、また高温で焼失させる方法等に比べて、支持基板を短時間で簡便に除去することができ、また半導体チップや配線層への熱的な悪影響も小さいというような利点を有する。しかしながら、樹脂層(剥離層)をせん断して支持基板を分離する際にエッジ部分に応力が集中し、配線層が剥離するおそれがある。
また、配線層上に複数の半導体チップを実装して樹脂封止した後、配線層を封止樹脂と共に切断して各構造体(半導体装置)に個片化する場合、配線層にダメージが生じるおそれがある。これも配線層の剥離の原因となる。さらに、熱可塑性樹脂を剥離層として使用した際に、配線層を構成する有機絶縁膜と剥離層(熱可塑性樹脂層)との間に過剰な混合層が生成すると、接続パッドを形成する開口部に過剰なテーパが生じたり、またパッド表面の混合層を除去する工程が必要になるというような不都合を招くおそれがある。
本発明の目的は、剥離層に熱可塑性樹脂を用いたことによる不都合を解消することを可能にした半導体装置とその製造方法を提供することにある。すなわち、本発明は支持基板の分離工程や樹脂封止体の切断工程等に起因する配線層の剥離やダメージを抑制することを可能にした半導体装置とその製造方法を提供することを目的としている。また、本発明は配線層を構成する有機絶縁膜と剥離層(熱可塑性樹脂層)との間に生じる混合層に基づく装置形状の低下や工程の増加等を抑制することを可能にした半導体装置とその製造方法を提供することを目的としている。
本発明の第1の態様に係る半導体装置の製造方法は、支持基板上に熱可塑性樹脂からなる剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に有機絶縁膜と前記有機絶縁膜を貫通する金属配線とで構成された配線層を形成する工程と、前記配線層のダイシング領域に存在する前記有機絶縁膜を除去する工程と、前記配線層の複数の装置形成領域にそれぞれ半導体チップが配置されるように、前記配線層上に複数の半導体チップを実装する工程と、前記配線層を有する前記剥離層上に、前記複数の半導体チップのそれぞれの少なくとも一部を覆う封止樹脂層を形成する工程と、前記剥離層を加熱し、前記配線層と前記複数の半導体チップと前記封止樹脂層とを備える樹脂封止体から前記支持基板を分離する工程と、前記樹脂封止体を前記ダイシング領域に基づいて切断し、前記配線層と前記半導体チップと前記封止樹脂層とを備える構造体を個片化する工程とを具備することを特徴としている。
本発明の第1の態様に係る半導体装置は、有機絶縁膜と前記有機絶縁膜を貫通する金属配線とを備え、支持基板からの剥離面である第1の面を有する配線層と、前記配線層の前記第1の面と対向する第2の面上に実装され、前記金属配線と電気的に接続された半導体チップと、前記配線層上に設けられ、前記半導体チップの少なくとも一部を覆う封止樹脂層とを具備する半導体装置であって、前記封止樹脂層は前記配線層の前記第1の面を露出させつつ、前記配線層の端面を包むように設けられており、かつ前記金属配線は前記配線層の前記第1の面に露出し、かつ前記第1の面に向けて外形が小さくなる形状を有する接続パッドを備えていることを特徴としている。
本発明の第2の態様に係る半導体装置の製造方法は、支持基板上に熱可塑性樹脂からなる剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に、有機絶縁膜と前記有機絶縁膜を貫通する金属配線とで構成された配線層を、前記有機絶縁膜の外周が前記剥離層の外周より小さくなるように形成する工程と、前記配線層上に半導体チップを実装する工程と、前記配線層を有する前記剥離層上に、前記半導体チップの少なくとも一部を覆う封止樹脂層を、その外周が前記有機絶縁膜の外周より大きく、かつ前記剥離層の外周より小さくなるように形成する工程と、前記剥離層を加熱し、前記配線層と前記半導体チップと前記封止樹脂層とを備える樹脂封止体から前記支持基板を分離する工程とを具備することを特徴としている。
本発明の第3の態様に係る半導体装置の製造方法は、支持基板上に熱可塑性樹脂からなる剥離層を形成する工程と、前記剥離層上に有機絶縁膜材料を塗布する工程と、前記有機絶縁膜材料の塗布膜に開口部を形成する工程と、前記開口部内に露出した前記剥離層と前記有機絶縁膜材料との混合層を除去する工程と、前記有機絶縁膜材料の塗布膜をキュア処理して有機絶縁膜を形成する工程と、少なくとも前記開口部内に金属配線を形成し、前記剥離層上に前記有機絶縁膜と前記金属配線とを備える配線層を設ける工程と、前記配線層上に半導体チップを実装する工程と、前記配線層を有する前記剥離層上に、前記半導体チップの少なくとも一部を覆う封止樹脂層を形成する工程と、前記剥離層を加熱し、前記配線層と前記半導体チップと前記封止樹脂層とを備える樹脂封止体から前記支持基板を分離する工程とを具備することを特徴としている。
本発明の第3の態様に係る半導体装置は、有機絶縁膜と前記有機絶縁膜を貫通する金属配線とを備え、支持基板からの剥離面である第1の面を有する配線層と、前記配線層の前記第1の面と対向する第2の面上に実装され、前記金属配線と電気的に接続された半導体チップと、前記配線層上に設けられ、前記半導体チップの少なくとも一部を覆う封止樹脂層とを具備する半導体装置であって、前記金属配線は前記配線層の前記第1の面に露出した接続パッドを備え、かつ前記接続パッドの露出部分を除く前記配線層の前記第1の面に、前記支持基板からの分離時に用いられた剥離層と前記有機絶縁膜との混合層が存在することを特徴としている。
本発明の第1の態様による半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、支持基板の分離工程や樹脂封止体の切断工程等に起因する配線層の剥離やダメージを抑制することができる。従って、製造歩留りや信頼性に優れる半導体装置を提供することが可能となる。
本発明の第2の態様による半導体装置の製造方法によれば、支持基板の分離工程等に起因する配線層の剥離やダメージを抑制することができる。従って、製造歩留りや信頼性に優れる半導体装置を提供することが可能となる。
本発明の第3の態様による半導体装置の製造方法及び半導体装置によれば、配線層を構成する有機絶縁膜と剥離層(熱可塑性樹脂層)との間に生じる混合層に基づく装置形状の低下や工程の増加等を抑制することが可能となる。
以下、本発明を実施するための形態について説明する。図1ないし図10は本発明の第1の実施形態による半導体装置の製造方法を示す図である。第1の実施形態の半導体装置の製造工程においては、まず図1(a)及び図3(a)に示すように、支持基板1として8インチのSiウエハ等を用意し、その上に厚さ5μmの剥離層2を形成する。支持基板1はガラス基板、サファイヤ基板、樹脂基板等であってもよい。支持基板1は複数の装置形成領域Xとそれらの間に設けられるダイシング領域Dとに相当する部分を有している。
剥離層2は、例えばポリスチレン系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、セルロース系樹脂、ポリイミド系樹脂等の熱可塑性樹脂で形成する。剥離層2の厚さは1〜20μmの範囲とすることが好ましく、さらに3〜15μmの範囲とすることがより好ましい。剥離層2の厚さが1μm未満であると、支持基板1の分離工程で剥離層2を良好にせん断することが困難となるおそれがある。剥離層2を厚く形成した場合においても、その厚さは20μm程度で十分であり、剥離層2の厚さをそれより厚くすると製造コストの増加を招くことになる。
次に、図1(b)に示すように、剥離層2上に配線層3を形成する。配線層3は複数の装置形成領域X上にそれぞれ形成される。配線層3の形成工程について、図3及び図4を参照して詳述する。まず、図3(b)に示すように、剥離層2上に配線層3を構成する第1の有機絶縁膜4Aを形成する。第1の有機絶縁膜4Aには、例えば厚さ3μm程度のポリイミド系樹脂を適用する。第1の有機絶縁膜4Aは、ポリベンゾオキサゾール系樹脂膜、フェノール系樹脂膜、アクリル系樹脂膜等であってもよい。
この際、図3(c)に示すように、第1の有機絶縁膜4Aのダイシング領域Dに存在する部分を除去する。これによって、後述する支持基板1の分離工程や樹脂封止体の切断工程等に起因する配線層3の剥離やダメージを抑制することができる。次いで、第1の有機絶縁膜4Aに露光現像処理を施して、例えば直径が20μmの開口部5を40μmピッチで形成する。開口部5は配線層3の第1の面(支持基板1からの剥離面)3aに配置される接続パッドと対応するように形成される。さらに、開口部5の形状は第1の面3aとは反対側の第2の面3bから第1の面3aに向けて外形が小さくなるような形状とされている。開口部5の形状は、例えば第1の面3aの開口径が第2の面3bの開口径より10〜50%程度小さい形状であることが好ましい。これによっても、後工程での配線層3の剥離やダメージを抑制することができる。
次いで、配線層3を構成する金属配線を形成する。具体的には、まず図4(a)に示すように、めっきのシード層6として例えば厚さ0.05μmのTi膜と厚さ0.1μmのCu膜とを形成する。その上にレジストを5μmの厚さで塗布し、これに露光現像処理を施すことによって、金属配線の形成領域となる開口部を有するレジスト膜7を形成する。そして、シード層6を電極として電解Cuめっきを行って、例えば幅3μmの金属配線8を形成する。金属配線8は少なくとも第1の有機絶縁膜4Aの開口部5を充填するように形成される。なお、金属配線8はCuに限らず、Al、Ag、Au等で形成してもよい。
図4(b)に示すように、レジスト膜7を除去し、さらに第1の有機絶縁膜4A上に露出しているシード層6のCu膜とTi膜をエッチングして除去する。Cu膜のエッチングには硫酸と過酸化水素水との混合液等が用いられ、Ti膜のエッチングにはアンモニア水と過酸化水素水との混合液等が用いられる。この後、図4(c)に示すように、第1の有機絶縁膜4Aの形成工程と同様にして、配線層3の第2の面3b側の接続パッドに相当する部分を開口させた第2の有機絶縁膜4Bを形成する。第2の有機絶縁膜4Bにも、例えば直径が20μmの開口を40μmピッチで形成し、開口内に金属配線8を露出させる。第2の有機絶縁膜4Bは第1の有機絶縁膜4Aと同様な有機樹脂材料で形成される。
第2の有機絶縁膜4Bは第1の有機絶縁膜4Aと同一形状に形成される。従って、金属配線8と第1及び第2の有機絶縁膜4A、4Bとで構成される配線層3は、図4(c)に示したように、装置形成領域Xのみに存在することになる。ダイシング領域Dには、配線層3を構成する有機絶縁膜4A、4Bは存在していない。また、金属配線8は開口部5内に形成された接続パッド8aを有している。接続パッド8aは開口部5の形状に基づいて、配線層3の第2の面(支持基板1からの剥離面とは反対側の面)3bから第1の面(支持基板1からの剥離面)3aに向けて外形が小さくなるような形状を有している。接続パッド8aは、例えば第1の面3aの露出径が第2の面3bの露出径より10〜50%程度小さい形状であることが好ましい。
金属配線8の接続パッド8aは有機絶縁膜4を貫通するように設けられており、配線層3の第1及び第2の面3a、3bにそれぞれ露出している。接続パッド8aの第2の面3b側の露出部は、配線層3に実装される半導体チップとの接続面として機能する。また、接続パッド8aの第1の面3a側の露出部は、他の半導体チップや配線基板等との接続面として機能する。なお、図4では単層の金属配線8を示しているが、2層もしくはそれ以上の金属配線で配線層3を構成してもよい。有機絶縁膜4は金属配線8の層数に応じて形成される。そのような場合においても、ダイシング領域D上の有機絶縁膜4は除去する。有機絶縁膜4を積層した配線層3の厚さは50μm以下とすることが好ましく、さらには30μm以下とすることが望ましい。
次に、図1(c)に示すように、配線層3上に複数の半導体チップ9を実装する。半導体チップ9は装置形成領域Xに形成された配線層3上にそれぞれ配置される。半導体チップ9の実装工程について、図5を参照して詳述する。ここでは、配線層3と半導体チップ9との接続にフリップチップ(FC)接続を適用した例について述べる。従って、半導体チップ9はSn−Ag合金等からなる金属バンプ10を有している。金属バンプ10は、Sn、Au、Ag、Cu、Bi、In、Ge、Ni、Pd、Pt、Pb等やこれらの合金、混合物で形成してもよい。金属バンプ10は接続パッド8aと対応するように40μmピッチで形成されており、またその直径は20μmとされている。
半導体チップ9は、図5(a)に示すように、金属バンプ10が接続パッド8aの第2の面3b側に露出した部分と接続されるようにFC実装される。半導体チップ9は複数の装置形成領域Xに対応する配線層3上にそれぞれ実装される。金属バンプ10は接続パッド8aの露出部にバリアメタルとしてNi/Pd/Au積層膜等を形成した後に接続してもよい。FC実装は、金属バンプ10上にフラックスを塗布した半導体チップ9を、フリップチップボンダで配線層3上に搭載し、リフロー炉に入れて接続を行う。その後、フラックスを洗浄液で除去する。フラックスを用いずに、金属バンプ10の表面酸化膜をプラズマ等で除去した後、フリップチップボンダを用いてパルスヒートで接続してもよい。
次いで、図5(b)に示すように、FC接続後の半導体チップ9と配線層3との隙間にアンダーフィル樹脂11を充填する。この後、図1(d)及び図5(c)に示すように、配線層3の第2の面3b上に封止樹脂層12を形成する。封止樹脂層12は半導体チップ9の少なくとも一部を配線層3と共に覆うように形成される。封止樹脂層12はモールド成型等で形成される。図1(d)及び図5(c)は封止樹脂層12で半導体チップ9全体を覆った状態を示している。封止樹脂層12は半導体チップ9の一部を覆う(例えば半導体チップ9の側面を覆い、半導体チップ9の裏面を露出させる)ように形成してもよい。
封止樹脂層12は配線層3の第2の面3b上のみならず、剥離層2上に一様に形成される。封止樹脂層12は、複数の配線層3上に実装された複数の半導体チップ9を一括して覆うように、支持基板1の剥離層2上に形成される。従って、隣接する配線層3間にも封止樹脂層12が形成される。すなわち、配線層3の形成工程でダイシング領域に応じて有機絶縁膜4を除去した部分にも封止樹脂層12が形成される。このため、配線層3の端面(側面)は封止樹脂層12で包まれることになる。封止樹脂層12で配線層3の端面を包み込むことによって、後工程での配線層3の剥離やダメージを抑制することができる。
封止樹脂層12の全体形状(外形)は、図6に示すような形状とすることが好ましい。すなわち、封止樹脂層12はその外周が配線層3の有機絶縁膜4の外周より大きく、かつ剥離層2の外周より小さくなるように形成することが好ましい。すなわち、封止樹脂層12の外周が配線層3の有機絶縁膜4の外周と剥離層2の外周との中間に位置するように配置する。例えば、支持基板2が8インチのSiウエハの場合、剥離層2の外周のエッジカットを1mmとし、封止樹脂層12の外周のエッジカットを2.5mm、配線層3の有機絶縁膜4の外周のエッジカットは5mmとする。
このように、配線層3の形成領域を封止樹脂層12より狭くし、かつ封止樹脂層12の形成領域を剥離層2より狭くすることによって、支持基板2の分離工程における配線層3の端部への応力集中、さらに封止樹脂層12の端部への応力集中を抑制することができる。従って、配線層3の剥離やダメージを抑制することが可能となる。封止樹脂層12をモールド成型するにあたって、金型の型締め面は露出した剥離層2に直接押し当てられることになり、モールド樹脂が外周に飛び出すフラッシュが生じるおそれがあるが、これは剥離層2を構成する熱可塑性樹脂の弾性率を下げることで抑制することができる。
複数の配線層3とそれらの上に個々に実装された半導体チップ9と封止樹脂層12とを備える樹脂封止体13は、支持基板1から分離された後に切断されて個片化される。このような樹脂封止体13のみを加工する工程を実施するにあたって、封止樹脂層12には樹脂封止体13の回転方向を識別する位置合せ用の切り欠きやマーク等(以下では総称して位置合せ部と記す)を形成することが好ましい。位置合せ部としての切り欠き形状としては、ノッチ形状やオリフラ形状が挙げられる。位置合せ部としてのマークの形成方法は、封止樹脂層12に印字を行う、また傷や凹部を形成する等が挙げられる。
図7は支持基板1のノッチ14に対応させて形成した封止樹脂層12のノッチ15を示している。図8は支持基板1のオリフラ16に対応させて形成した封止樹脂層12のオリフラ17を示している。図9は位置合せ用として凹状のマーク18を形成した封止樹脂層12を示している。図9は平面形状が丸のマーク18を示しているが、マーク18の平面形状は四角や十字等であってもよい。図9では図示を省略したが、マーク18は支持基板1の位置合せ用のノッチやオリフラ等に対応させて形成されている。このようなノッチ15、オリフラ17、マーク18等を封止樹脂層12に形成しておくことによって、支持基板1を分離した樹脂封止体13の位置合せを容易に実施することができる。
次に、図2(a)及び図10(a)に示すように、支持基板1とその上に剥離層2を介して形成された樹脂封止体13とを備える積層体を所定の温度に加熱し、剥離層2としての熱可塑性樹脂層を軟化させながら、支持基板1と樹脂封止体13とを略平行な方向に相対的に移動させる。支持基板1と樹脂封止体13との間に生じるせん断力を利用して、軟化した剥離層2をせん断することによって、樹脂封止体13から支持基板1から分離する。この際、支持基板1と樹脂封止体13との略平行な移動に加えて、上下方向にも多少の割合で移動させることによって、支持基板1の分離を促進することができる。
剥離層2としての熱可塑性樹脂層の加熱温度は、例えば220〜260℃の範囲とすることが好ましい。このような温度の加熱処理であれば、半導体チップ9の熱的ダメージ、FC接続部や配線層3の変形等を招くことなく、支持基板1を短時間で簡便に分離することができる。また、分離した支持基板1は繰り返し使用することができる。加熱処理による支持基板1と樹脂封止体13との分離をより容易に行うために、剥離層2を構成する熱可塑性樹脂は250℃における粘度が100Pa・s以下であることが好ましい。
剥離層2をせん断して支持基板1を分離するにあたって、各配線層3の端面を封止樹脂層12で包み込んでいると共に、封止樹脂層12全体としても配線層3の端面を包み込んでいるため、剥離層2のせん断時における配線層3の端面への応力集中を防ぐことができる。すなわち、剥離層2のせん断時における応力集中の起点は封止樹脂層12となる。さらに、配線層3の第1の面に露出する接続パッド8aを第2の面3aから第1の面3aに向けて外形が小さくなるような形状としているため、接続パッド8aに加わる応力を低減することができる。これらによって、配線層3の剥離やダメージを抑制することが可能となる。従って、半導体装置のリフロー時やTCT時における配線の破断等を抑制され、信頼性や耐久性に優れる半導体装置を提供することができる。
支持基板1の分離方法は、剥離層2をせん断して支持基板1を樹脂封止体13から分離する方法に限られるものではない。例えば、支持基板1としてSiウエハを使用すると共に、剥離層2をフェノール系熱可塑性樹脂で形成した場合、Siウエハを下側にして熱板に載せて250℃に加熱する。フェノール系熱可塑性樹脂は250℃においてガラス転移点を超え、弾性率が10Pa・s以下となって軟化する。熱可塑性樹脂はガラス転移点を超えた温度での粘度が10kPa・s以下であることが好ましい。
上記した加熱状態からSiウエハと樹脂封止体13との積層体を常温の絶縁板上に移動させ、そのまま自然冷却させる。例えば、封止樹脂層12のガラス転移点は160℃、ガラス転移点以上の温度における熱膨張係数は33ppm、ガラス転移点未満の温度における熱膨張係数は7ppmである。このため、封止樹脂層12は冷却中に大きく収縮する。封止樹脂層12のガラス転移点は120〜170℃の範囲であることが好ましく、ガラス転移点以上の温度における熱膨張係数は30〜60ppmの範囲、ガラス転移点未満の温度における熱膨張係数は6〜30ppmの範囲であることが好ましい。
封止樹脂層12を含む樹脂封止体13は、熱可塑性樹脂層からなる剥離層2と接着されているため、封止樹脂層12が収縮すると支持基板(Siウエハ)1とは逆方向に応力が発生する。そのため、熱可塑性樹脂のガラス転移点以上の温度の間において、樹脂封止体13の外周から支持基板(Siウエハ)1が剥がれる。このような封止樹脂層12と支持基板(Siウエハ)1との熱膨張係数の差を利用し、加熱後の冷却工程で生じる熱応力に基づいて樹脂封止体13から支持基板1を分離させてもよい。この方法は支持基板1の分離に必要な装置は熱板のみであり、大型な装置や吸引機構等も不要にすることができるため、支持基板1を樹脂封止体13から低コストで分離させることが可能となる。
剥離層2をせん断して支持基板1を分離した場合、図10(b)に示すように、配線層3の第1の面3aには剥離層2の残渣層2aが生じる。このため、図2(b)及び図10(c)に示すように、熱可塑性樹脂の残渣層2aをアセトン等の溶媒で除去する。溶媒は熱可塑性樹脂を構成しているものでもよい。熱可塑性樹脂の残渣層2aを除去し、さらに配線層3の第1の面3aに露出したシード層6をエッチングして除去することによって、接続パッド(Cuパッド等)8aを配線層3の第1の面3aに露出させることができる。なお、配線層3の第1の面3a(接続パッド8aの露出部を除く)に剥離層2の一部(有機絶縁膜4や封止樹脂層12との混合層であってもよい)が残存していると、その後に形成する樹脂との密着性が良好になり、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
この後、図2(c)に示すように、支持基板1から分離した封止樹脂体13をブレード19でダイシング領域Dに沿って切断することによって、配線層3と半導体チップ9と封止樹脂層12とを備える構造体(半導体装置)20をそれぞれ個片化する。封止樹脂体13の切断箇所には封止樹脂層12のみしか存在していないため、封止樹脂体13の切断時に配線層3にダメージを与えることがなく、また配線層3が剥離することもない。これも半導体装置のTCT時における信頼性の向上等に寄与する。構造体15における配線層3の外周部分に形成された封止樹脂層12の幅は50μm以下とすることが好ましく、さらには30μm以下とすることが望ましい。これよりも大きくなると配線層3の有効面積が減少したり、半導体装置の大型化等を招くことになる。
上述した製造工程を経て作製された半導体装置20は、例えば図11に示すような両面実装型の半導体パッケージ(半導体部品)21の構成部品として用いられる。図11に示す両面実装型の半導体パッケージ21の作製工程について、図12を参照して述べる。まず、図12(a)に示すように、配線層3の第1の面3aに露出した接続パッド(Cuパッド等)8a上に必要に応じてNi/Pd/Au積層膜17を形成する。次に、図12(b)に示すように、第2の半導体チップ23を配線層3の第1の面3a上にFC実装する。すなわち、半導体チップ23の金属バンプ24を接続パッド8aにFC接続する。第2の半導体チップ23と配線層3との間にはアンダーフィル樹脂25を充填してもよい。
配線層3の第2の面3b上には第1の半導体チップ9が実装されているため、配線層3の両面に半導体チップ9、23を実装した半導体装置26が構成される。この後、両面実装型の半導体装置26をパッケージ基板27上にマウントペーストを用いて搭載し、さらにボンディングワイヤ(Auワイヤ等)28を介して半導体装置26とパッケージ基板27とを電気的に接続する。さらに、半導体チップ23を封止するように樹脂モールドを行い、パッケージ基板27の裏面に金属ボールを搭載して外部接続端子29を形成することによって、両面実装型の半導体パッケージ21が完成する。
上述した製造工程にしたがって作製した半導体パッケージ21を温度サイクル試験(TCT)に供し、その信頼性を調べた。なお、温度サイクル試験は−55℃(30分)→25℃(5分)→125℃(30分)を1サイクルとして行った。その結果、3000サイクル後においても両面実装型の半導体装置26の各面のFC接続箇所に破断の発生は認められなかった。配線層3に形成した接続パッド8aが剥離層2に向かって小さくなっていることと、配線層3の外周を封止樹脂層12で覆っていることによって、配線層3の伸び縮みが抑えられ、接続パッド8aにかかる応力が小さくなることに基づいて、TCT時の接続パッド8aと半田バンプ10、24との破断を抑制することが可能となる。
また、図13に示すように、半導体装置15をパッケージ基板30に実装して片面実装型の半導体パッケージ(半導体部品)31を作製することも可能である。半導体パッケージ31は以下のようにして作製される。まず、配線層3の第1の面3aに露出した接続パッド(Cuパッド等)8a上に金属バンプ32を形成する。このような金属バンプ32を形成した半導体装置15をパッケージ基板30にFC実装することによって、半導体パッケージ31を作製する。半導体装置15とパッケージ基板30との間にアンダーフィル樹脂を充填してもよいし、また半導体装置15全体を樹脂モールドしてもよい。このような半導体パッケージ31をTCTに供したところ、FC接続箇所に破断の発生は認められなかった。これも封止樹脂層12や接続パッド8aの形状に基づくものである。
上述した実施形態の製造方法においては、配線層3と半導体チップ9とをFC接続した例について説明したが、配線層3と半導体チップ9とはワイヤボンディングを適用して電気的に接続することも可能である。すなわち、図14(a)に示すように、例えば厚さを50μm程度に薄厚化した半導体チップ33をマウント材34で配線層3にマウントする。配線層3の有機絶縁膜4は前述したように装置形成領域のみに形成されており、ダイシング領域には存在していない。半導体チップ33は多段に積層してもよい。半導体チップ33の電極パッド(Alパッド)35と配線層3の接続パット8a(必要に応じてNi/Pd/Au積層膜36を介して)とを金属ワイヤ37で接続する。そして、図14(b)に示すように、剥離層2上に封止樹脂層12を形成する。その他の工程は半導体チップ9をFC接続した半導体装置の製造工程と同様にして実施される。
次に、本発明の第2の実施形態による半導体装置の製造方法について、図15及び図16を参照して説明する。なお、第1の実施形態による半導体装置の製造方法と同一部分については一部説明及び図示を省略する。まず、図15(a)に示すように、支持基板1上に熱可塑性樹脂からなる剥離層2を形成し、さらに第1の有機絶縁膜4Aとなる有機絶縁膜材料(ポリイミド系樹脂、ポリベンゾオキサゾール系樹脂、フェノール系樹脂、アクリル系樹脂等)の塗布膜41を形成する。支持基板1や剥離層2の構成は第1の実施形態と同様である。剥離層2や有機絶縁膜材料の種類や形成方法によっては、それらの間に混合層42(剥離層2と有機絶縁膜材料との混合層42)が生成する場合がある。
次いで、図15(b)に示すように、有機絶縁膜材料の塗布膜41に露光現像処理を施して開口部5を形成する。開口部5内には混合層42が露出している。開口部5内に混合層42が存在している状態で有機絶縁膜材料の塗布膜41をキュア処理すると、開口部5の壁面テーパが過剰になだらかになる、すなわち表面側に向かって開口径が大きくなるような不都合(開口部5の形状不良)が生じる。さらに、開口部5内の混合層42は絶縁膜であるため、接続パッド8aの露出を妨げる要因となる。
そこで、有機絶縁膜材料の塗布膜41をキュア処理する前に、開口部5内の混合層42を除去する。開口部5内の混合層42は、例えばドライエッチングやウエットエッチングにより除去する。ドライエッチングではアッシャー装置を使用し、O2アッシャー等を適用して混合層42を除去する。このとき、有機絶縁膜材料の塗布膜41が残るようなエッチング条件を選択する。あるいは、混合層42のエッチングレートが有機絶縁膜材料の塗布膜41のエッチングレートより早くなる条件下でエッチングを行ってもよい。この後、有機絶縁膜材料の塗布膜41をキュア処理することによって、図15(c)に示すように、開口部5を有する第1の有機絶縁膜4Aを形成する。
上述した第1の有機絶縁膜4Aを用いて、第1の実施形態と同様に配線層3を形成する。次いで、第1の実施形態と同様に配線層3上に半導体チップ9をFC実装し、さらにアンダーフィル樹脂11と封止樹脂層12を形成する(図16(a))。次に、第1の実施形態と同様にして樹脂封止体13から支持基板1を分離する(図16(b))。配線層3の第1の面3aには剥離層2の残渣が生じるため、これをアセトン等の溶媒で除去し、さらに配線層3の第1の面3aに露出したシード層6をエッチングして、接続パッド(Cuパッド等)8aを配線層3の第1の面3aに露出させる。
そして、第1の実施形態と同様に樹脂封止体13を切断して個片化することによって、配線層3と半導体チップ9と封止樹脂層12とを備える構造体(半導体装置)15を作製する(図16(c))。支持基板1の分離工程や樹脂封止体13の切断工程を実施するにあたって、第1の実施形態と同様な構成(配線層3や封止樹脂層12の形状)を適用することが好ましい。第2の実施形態による半導体装置15は、第1の実施形態と同様に、両面実装型の半導体パッケージ21(図11)の構成部品として用いたり、あるいは片面実装型の半導体パッケージ31(図13)の作製に使用される。
第2の実施形態による半導体装置15において、剥離層2と有機絶縁膜材料との混合層42はそれらの密着強度を向上させる。従って、リフロー工程やTCTにおける層間剥離を抑制することができる。開口部5内の混合層42は予め除去しているため、開口部5の形状不良の発生を抑制することができ、また支持基板1の分離工程後に剥離層2の残渣を除去することで、接続パッド8aの表面を容易に露出させることができる。さらに、配線層3の第1の面3aには、接続パッド8aの露出面を除いて混合層42が存在しているため、その後に別の樹脂層を形成する際に密着性が向上させることが可能となる。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、支持基板上に剥離層を介して配線層を形成し、さらに配線層上に半導体チップを実装した後に、支持基板を分離して各種構造の半導体装置を製造する方法に適用することができる。そのような半導体装置の製造方法についても、本発明に含まれるものである。また、本発明の実施形態は本発明の技術的思想の範囲内で拡張もしくは変更することができ、この拡張、変更した実施形態も本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1…支持基板、2…熱可塑性樹脂からなる剥離層、3…配線層、4…有機絶縁膜、5…開口部、8…金属配線、8a…接続パッド、9,23…半導体チップ、10,24…金属バンプ、12…封止樹脂層、13…樹脂封止体、20…半導体装置、41…有機絶縁膜材料の塗布膜、42…剥離層と有機絶縁膜材料との混合層。
Claims (5)
- 支持基板上に熱可塑性樹脂からなる剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に有機絶縁膜と前記有機絶縁膜を貫通する金属配線とで構成された配線層を形成する工程と、
前記配線層のダイシング領域に存在する前記有機絶縁膜を除去する工程と、
前記配線層の複数の装置形成領域にそれぞれ半導体チップが配置されるように、前記配線層上に複数の半導体チップを実装する工程と、
前記配線層を有する前記剥離層上に、前記複数の半導体チップのそれぞれの少なくとも一部を覆う封止樹脂層を形成する工程と、
前記剥離層を加熱し、前記配線層と前記複数の半導体チップと前記封止樹脂層とを備える樹脂封止体から前記支持基板を分離する工程と、
前記樹脂封止体を前記ダイシング領域に基づいて切断し、前記配線層と前記半導体チップと前記封止樹脂層とを備える構造体を個片化する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 有機絶縁膜と前記有機絶縁膜を貫通する金属配線とを備え、支持基板からの剥離面である第1の面を有する配線層と、
前記配線層の前記第1の面と対向する第2の面上に実装され、前記金属配線と電気的に接続された半導体チップと、
前記配線層上に設けられ、前記半導体チップの少なくとも一部を覆う封止樹脂層とを具備する半導体装置であって、
前記封止樹脂層は前記配線層の前記第1の面を露出させつつ、前記配線層の端面を包むように設けられており、かつ前記金属配線は前記配線層の前記第1の面に露出し、かつ前記第1の面に向けて外形が小さくなる形状を有する接続パッドを備えていることを特徴とする半導体装置。 - 支持基板上に熱可塑性樹脂からなる剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に、有機絶縁膜と前記有機絶縁膜を貫通する金属配線とで構成された配線層を、前記有機絶縁膜の外周が前記剥離層の外周より小さくなるように形成する工程と、
前記配線層上に半導体チップを実装する工程と、
前記配線層を有する前記剥離層上に、前記半導体チップの少なくとも一部を覆う封止樹脂層を、その外周が前記有機絶縁膜の外周より大きく、かつ前記剥離層の外周より小さくなるように形成する工程と、
前記剥離層を加熱し、前記配線層と前記半導体チップと前記封止樹脂層とを備える樹脂封止体から前記支持基板を分離する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 支持基板上に熱可塑性樹脂からなる剥離層を形成する工程と、
前記剥離層上に有機絶縁膜材料を塗布する工程と、
前記有機絶縁膜材料の塗布膜に開口部を形成する工程と、
前記開口部内に露出した前記剥離層と前記有機絶縁膜材料との混合層を除去する工程と、
前記有機絶縁膜材料の塗布膜をキュア処理して有機絶縁膜を形成する工程と、
少なくとも前記開口部内に金属配線を形成し、前記剥離層上に前記有機絶縁膜と前記金属配線とを備える配線層を設ける工程と、
前記配線層上に半導体チップを実装する工程と、
前記配線層を有する前記剥離層上に、前記半導体チップの少なくとも一部を覆う封止樹脂層を形成する工程と、
前記剥離層を加熱し、前記配線層と前記半導体チップと前記封止樹脂層とを備える樹脂封止体から前記支持基板を分離する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 有機絶縁膜と前記有機絶縁膜を貫通する金属配線とを備え、支持基板からの剥離面である第1の面を有する配線層と、
前記配線層の前記第1の面と対向する第2の面上に実装され、前記金属配線と電気的に接続された半導体チップと、
前記配線層上に設けられ、前記半導体チップの少なくとも一部を覆う封止樹脂層とを具備する半導体装置であって、
前記金属配線は前記配線層の前記第1の面に露出した接続パッドを備え、かつ前記接続パッドの露出部分を除く前記配線層の前記第1の面に、前記支持基板からの分離時に用いられた剥離層と前記有機絶縁膜との混合層が存在することを特徴とする半導体装置。
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