JP2011204344A - 磁場検出装置およびその使用方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】装置100は、主軸を有し、磁気抵抗積層体110を含む。磁気抵抗積層体は第1および第2の対向する面を有し、フリー層とスペーサ層とリファレンス層とを含む。スペーサ層は第1およびリファレンス層間に位置決めされている。フリー層は第1の平面内に自由磁場配向を有する磁性材料を含む。スペーサ層は非磁性材料を含む。リファレンス層は第2の平面内にピン止めされた磁場配向を有する磁性材料を含む。第2の平面は第1の平面に垂直で装置の主軸に平行である。装置は、磁気抵抗積層体の外表面の少なくとも一部分を取囲む絶縁層120と、絶縁層の少なくとも一部分を取囲む遮蔽層130と、磁気抵抗積層体と遮蔽層との間の電気的接続を提供する導電層140とをさらに含む。
【選択図】図1
Description
背景
磁気メモリにおける進歩は、最終的に5Tb/inch2を超える面密度を達成するであろう。そのような面密度は、2から1のビットアスペクト比(BAR:bit aspect ratio、これはトラック幅/ビット長に等しい)を必要としそうである。そのようなメモリからの読取りに必要な要求ダウントラックおよびクロストラック分解能を読取装置が達成するためには、あらゆる側面からの遮蔽が必要とされそうである。上記のBARで、磁気センサおよび磁気バイアス素子は、極めて小さい面積(272nm2の正方形または253nm2の矩形)に収まる必要があるであろう。現在設計されているような磁気センサは、このサイズまでスケールダウンすることが極めて困難または不可能であるだろう。したがって、このレベルまでスケールダウン可能な新規な磁気センサ設計に対する必要性は依然として存在する。
開示される装置は、主軸を有し、磁気抵抗積層体を含む。磁気抵抗積層体は、第1および第2の対向する面を有する。磁気抵抗積層体は、フリー層と、スペーサ層と、リファレンス層とを含む。スペーサ層は、フリー層とリファレンス層との間に位置決めされている。フリー層は、第1の平面内に自由磁場配向を有する磁性材料を含む。スペーサ層は、非磁性材料を含む。リファレンス層は、第1の平面に垂直で装置主軸に平行なピン止めされた磁場配向を有する磁性材料を含む。この装置は、磁気抵抗積層体の外表面の少なくとも一部分を取囲む絶縁層と、絶縁層の少なくとも一部分を取囲む遮蔽層と、磁気抵抗積層体と遮蔽層との間の電気的接続を提供する導電層とをさらに含む。
開示は、開示のさまざまな実施例の以下の詳細な説明を添付の図面に関連して考慮するとより完全に理解されるだろう。
以下の説明において、本明細書の一部を形成する添付の図面一式を参照する。いくつかの特定的な実施例が図中に例示的に示される。他の実施例が企図され、本開示の範囲または趣旨から逸脱することなくなされてもよいことが理解されるべきである。したがって、以下の詳細な説明は、限定的な意味で取られるべきでない。
Claims (23)
- 主軸を有する装置であって、
磁気抵抗積層体を備え、前記磁気抵抗積層体は、第1および第2の対向する面を有し、
前記磁気抵抗積層体は、フリー層と、スペーサ層と、リファレンス層とを含み、前記スペーサ層は、前記第1およびリファレンス層間に位置決めされており、
前記フリー層は、第1の平面内に自由磁場配向を有する磁性材料を含み、
前記スペーサ層は、非磁性材料を含み、
前記リファレンス層は、第2の平面内にピン止めされた磁場配向を有する磁性材料を含み、
前記第2の平面は、前記第1の平面に垂直で前記装置の前記主軸に平行であり、前記装置は、
前記磁気抵抗積層体の外表面の少なくとも一部分を取囲む絶縁層と、
前記絶縁層の少なくとも一部分を取囲む遮蔽層と、
前記磁気抵抗積層体と前記遮蔽層との間の電気的接続を提供する導電層とをさらに備える、装置。 - 前記スペーサ層は、トンネルバリア材料、貴金属、絶縁材料と導電性材料とを含む複合材料、またはTiNを含む、請求項1に記載の装置。
- 前記フリー層は、コバルト(Co)、鉄(Fe)、ホウ素(B)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、またはそれらの合金を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記フリー層は、面内磁化を備えた最上層と、固有異方性を備えた底層とを含み、前記固有異方性は、前記底層に垂直である、請求項1に記載の装置。
- 前記最上層は、コバルト(Co)、鉄(Fe)、ホウ素(B)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、またはそれらの合金を含み、前記底層は、FePt、CoPt、CoPd、Co/Cu多層膜、Co/Pt多層膜、Co/Pd多層膜、Fe/Pt多層膜、またはFe/Pd多層膜を含む、請求項4に記載の装置。
- 前記リファレンス層は、交換結合された2つの層を含む、請求項1に記載の装置。
- 前記交換結合された第1の層は、Co、CoFe、CoFeB、Ni、Fe、Co/Cu多層膜、またはCoNiFeを含み、前記交換結合された第2の層は、FePt、CoPt、CoPd、Co/Cu多層膜、Co/Pt多層膜、Co/Pd多層膜、Fe/Pt多層膜、またはFe/Pd多層膜を含む、請求項6に記載の装置。
- 前記絶縁層は、約3ナノメートル(nm)から約5nm厚である、請求項1に記載の装置。
- 前記遮蔽層は、約0.2から約2nm厚である、請求項1に記載の装置。
- 前記導電層は、導電性材料とダイヤモンドライク保護膜または導電性非金属材料とからなる二層膜を含む、請求項1に記載の装置。
- 磁気記録および書込ヘッドに組込まれた請求項1に記載の装置。
- 装置の使用方法であって、
磁場検出装置を磁場発生アーティクルに近接させるステップを備え、
前記磁場検出装置は、主軸を有し、磁気抵抗積層体を含み、前記磁気抵抗積層体は、第1および第2の対向する面を有し、
前記磁気抵抗積層体は、フリー層と、スペーサ層と、リファレンス層とを含み、前記スペーサ層は、前記第1およびリファレンス層間に位置決めされており、
前記フリー層は、第1の平面内に自由磁場配向を有する磁性材料を含み、
前記スペーサ層は、非磁性材料を含み、
前記リファレンス層は、第2の平面内にピン止めされた磁場配向を有する磁性材料を含み、
前記第2の平面は、前記第1の平面に垂直で前記装置の前記主軸に平行であり、前記装置は、
前記磁気抵抗積層体の外表面の少なくとも一部分を取囲む絶縁層と、
前記絶縁層の少なくとも一部分を取囲む遮蔽層と、
前記磁気抵抗積層体と前記遮蔽層との間の電気的接続を提供する導電層とをさらに含み、前記方法は、
電流を前記磁場検出装置を通して導くステップと、
前記磁場検出装置の抵抗を測定するステップとをさらに備える、方法。 - 前記電流を前記磁場検出装置を通して前記磁気抵抗積層体の前記リファレンス層から前記スペーサ層へ、前記フリー層へ、前記導電層へ、そして前記遮蔽層へと導く、請求項12に記載の方法。
- 前記磁場発生アーティクルは、磁気記録媒体である、請求項12に記載の方法。
- 前記磁場検出装置の抵抗は、前記磁気記録媒体に格納された値を示す、請求項14に記載の方法。
- 装置の使用方法であって、前記装置は、主軸を有し、磁気抵抗積層体を含み、前記磁気抵抗積層体は、第1および第2の対向する面を有し、
前記磁気抵抗積層体は、フリー層と、スペーサ層と、リファレンス層とを含み、前記スペーサ層は、前記第1およびリファレンス層間に位置決めされており、
前記フリー層は、第1の平面内に自由磁場配向を有する磁性材料を含み、
前記スペーサ層は、非磁性材料を含み、
前記リファレンス層は、第2の平面内にピン止めされた磁場配向を有する磁性材料を含み、
前記第2の平面は、前記第1の平面に垂直で、前記主軸に平行であり、前記装置は、
前記磁気抵抗積層体の外表面の少なくとも一部分を取囲む絶縁層と、
前記絶縁層の少なくとも一部分を取囲む遮蔽層とをさらに含み、
前記方法は、
前記フリー層の前記磁場配向をスピンさせるステップと、
前記装置の外部磁場を検出するために前記磁気抵抗積層体にわたる抵抗を監視するステップとをさらに備える、方法。 - 前記フリー層の前記磁場配向を、少なくとも約50μAmpのDCバイアス電流からのスピン注入磁化反転を用いることによってスピンさせる、請求項16に記載の方法。
- 前記フリー層の前記磁場配向を、DCバイアス電流と、前記フリー層における前記スピンの固有スピン注入磁化反転振動周波数に等しい周波数を有するAC電流とを印加することによってスピンさせる、請求項16に記載の方法。
- 前記フリー層の前記磁場配向をスピンさせるステップは、前記磁場検出装置からのノイズを削減する、請求項16に記載の方法。
- 前記磁気抵抗積層体にわたる抵抗を監視するために前記AC電流をフィルタにかけるステップをさらに備える、請求項18に記載の方法。
- 装置の形成方法であって、
基板上に少なくとも1つの電気的コンタクトを形成するステップと、
前記第1の電気的コンタクトの少なくとも一部分の上に磁気抵抗積層体を形成するステップと、
前記磁気抵抗積層体層をエッチングして、前記磁気抵抗積層体を形成するステップと、
前記磁気抵抗積層体の少なくとも一部分を取囲む絶縁層を形成するステップと、
前記絶縁層の少なくとも一部分を取囲む遮蔽層を形成するステップとを備える、方法。 - 基板上に第2のコンタクトを形成するステップと、前記遮蔽層を前記第2のコンタクトに電気的に接続するステップとをさらに備える、請求項21に記載の方法。
- 前記遮蔽層を前記第2のコンタクトに電気的に接続するステップは、前記遮蔽層の少なくとも一部分と前記第2のコンタクトまたはそこに電気的に接続された導電性材料の少なくとも一部分とを被覆する導電層を形成することによって達成される、請求項22に記載の方法。
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
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---|---|---|---|
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015503085A (ja) * | 2011-10-19 | 2015-01-29 | リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミネソタ | 高スループット生体分子試験用の磁気生体医学センサ及び感知システム |
US9927431B2 (en) | 2011-09-14 | 2018-03-27 | Regents Of The University Of Minnesota | External field—free magnetic biosensor |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10579920B2 (en) | 2007-12-24 | 2020-03-03 | Dynamics Inc. | Systems and methods for programmable payment cards and devices with loyalty-based payment applications |
JP2010108540A (ja) * | 2008-10-29 | 2010-05-13 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
US8491800B1 (en) * | 2011-03-25 | 2013-07-23 | WD Media, LLC | Manufacturing of hard masks for patterning magnetic media |
US8922954B2 (en) * | 2013-05-06 | 2014-12-30 | Seagate Technology Llc | Data reader with back edge surface |
US9564403B2 (en) | 2013-09-27 | 2017-02-07 | Infineon Technologies Ag | Magnetic shielding of perpendicular STT-MRAM |
TWI479171B (zh) * | 2013-11-29 | 2015-04-01 | Ching Ray Chang | 磁場感測裝置及方法 |
CN111276600B (zh) | 2015-03-31 | 2023-09-08 | Tdk株式会社 | 磁阻效应元件 |
US10255934B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-04-09 | Tdk Corporation | Magnetoresistance effect element |
JPWO2016158926A1 (ja) | 2015-03-31 | 2018-02-01 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果素子 |
US10261139B2 (en) * | 2016-02-19 | 2019-04-16 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of making a magnetic field sensor |
CN112578321B (zh) * | 2020-11-30 | 2022-07-19 | 华东师范大学 | 一种原位声补偿数字式磁场传感器 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165441A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
JP2004289100A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-10-14 | Japan Science & Technology Agency | Cpp型巨大磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気部品並びに磁気装置 |
JP2005286223A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および再生ヘッド |
JP2009026442A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Cppセンサを有する磁気ヘッド |
JP2009032382A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tdk Corp | Cpp型磁界検出素子及びその製造方法 |
JP2010003354A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | スピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 |
JP2010016408A (ja) * | 2009-10-19 | 2010-01-21 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5695864A (en) | 1995-09-28 | 1997-12-09 | International Business Machines Corporation | Electronic device using magnetic components |
US5696656A (en) * | 1996-09-06 | 1997-12-09 | International Business Machines Corporation | Highly sensitive orthogonal spin valve read head |
US6664784B1 (en) * | 1998-11-26 | 2003-12-16 | Nec Corporation | Magneto-resistive sensor with ZR base layer and method of fabricating the same |
US6466419B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-10-15 | Seagate Technology Llc | Current perpendicular to plane spin valve head |
US6700760B1 (en) * | 2000-04-27 | 2004-03-02 | Seagate Technology Llc | Tunneling magnetoresistive head in current perpendicular to plane mode |
US6680829B2 (en) * | 2000-09-13 | 2004-01-20 | Seagate Technology Llc | MR structures for high areal density reader by using side shields |
US6771473B2 (en) * | 2001-01-22 | 2004-08-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive element and method for producing the same |
US6680832B2 (en) * | 2001-05-11 | 2004-01-20 | International Business Machines Corporation | CPP magnetoresistive sensors with in-stack longitudinal biasing and overlapping magnetic shield |
US6791868B2 (en) | 2003-01-02 | 2004-09-14 | International Business Machines Corporation | Ferromagnetic resonance switching for magnetic random access memory |
US7324309B1 (en) * | 2003-03-06 | 2008-01-29 | Maxtor Corporation | Cross-track shielding in a GMR head |
DE10314172B4 (de) * | 2003-03-28 | 2006-11-30 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Betreiben einer Anordnung aus einem elektrischen Bauelement auf einem Substrat und Verfahren zum Herstellen der Anordnung |
US7573737B2 (en) * | 2003-08-19 | 2009-08-11 | New York University | High speed low power magnetic devices based on current induced spin-momentum transfer |
US6980469B2 (en) * | 2003-08-19 | 2005-12-27 | New York University | High speed low power magnetic devices based on current induced spin-momentum transfer |
US7911832B2 (en) * | 2003-08-19 | 2011-03-22 | New York University | High speed low power magnetic devices based on current induced spin-momentum transfer |
JP4433820B2 (ja) | 2004-02-20 | 2010-03-17 | Tdk株式会社 | 磁気検出素子およびその形成方法ならびに磁気センサ、電流計 |
JP2005251342A (ja) | 2004-03-08 | 2005-09-15 | Tdk Corp | 磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 |
US7280325B1 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Ferromagnetic structure including a first section separated from a ferromagnetic layer by an electrically conductive nonmagnetic spacer and a second section elongated relative to the first section in at least one dimension |
JP4575136B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2010-11-04 | 株式会社東芝 | 磁気記録素子、磁気記録装置、および情報の記録方法 |
US7230845B1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-06-12 | Grandis, Inc. | Magnetic devices having a hard bias field and magnetic memory devices using the magnetic devices |
JP4358279B2 (ja) * | 2007-08-22 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 磁気記録ヘッド及び磁気記録装置 |
CN101276879B (zh) * | 2008-04-01 | 2010-06-09 | 北京科技大学 | 一种双自由层垂直铁磁性隧道结结构 |
US8416539B2 (en) * | 2008-08-07 | 2013-04-09 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic field sensing system using spin-torque diode effect |
US8395867B2 (en) * | 2009-03-16 | 2013-03-12 | Dimitar Velikov Dimitrov | Magnetic sensor with a recessed reference layer assembly and a front shield |
-
2010
- 2010-02-26 US US12/713,473 patent/US8705213B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-21 JP JP2011034328A patent/JP5734696B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-25 CN CN201110050869.3A patent/CN102169728B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004165441A (ja) * | 2002-11-13 | 2004-06-10 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
JP2004289100A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-10-14 | Japan Science & Technology Agency | Cpp型巨大磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気部品並びに磁気装置 |
JP2005286223A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子および再生ヘッド |
JP2009026442A (ja) * | 2007-07-17 | 2009-02-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | Cppセンサを有する磁気ヘッド |
JP2009032382A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Tdk Corp | Cpp型磁界検出素子及びその製造方法 |
JP2010003354A (ja) * | 2008-06-19 | 2010-01-07 | Toshiba Corp | スピントルク発振子、磁気記録ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置 |
JP2010016408A (ja) * | 2009-10-19 | 2010-01-21 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9927431B2 (en) | 2011-09-14 | 2018-03-27 | Regents Of The University Of Minnesota | External field—free magnetic biosensor |
JP2015503085A (ja) * | 2011-10-19 | 2015-01-29 | リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ ミネソタ | 高スループット生体分子試験用の磁気生体医学センサ及び感知システム |
US9823316B2 (en) | 2011-10-19 | 2017-11-21 | Regents Of The University Of Minnesota | Magnetic biomedical sensors and sensing system for high-throughput biomolecule testing |
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