JP2011199058A - Esd保護回路及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ESD保護回路は、端子に一端のP側が接続されグラウンドに他端のN側が接続されるPNPN接合と、グラウンドにP側が接続されるPN接合のN側にソース及びゲートが接続され、前記の端子にドレインが接続されるPMOSトランジスタとを含む。
【選択図】図4
Description
(付記1)
端子に一端のP側が接続されグラウンドに他端のN側が接続されるPNPN接合と、
前記グラウンドにP側が接続されるPN接合のN側にソース及びゲートが接続され、前記端子にドレインが接続されるPMOSトランジスタと
を含むESD保護回路。
(付記2)
前記PN接合は、前記PNPN接合の一部であることを特徴とする付記1記載のESD保護回路。
(付記3)
前記PMOSトランジスタのバルクは前記ソースに接続されることを特徴とする付記1又は2記載のESD保護回路。
(付記4)
前記PNPN接合からなるサイリスタ構造のPゲートと前記グラウンドとの間を接続する抵抗素子を更に含むことを特徴とする付記1乃至3何れか一項記載のESD保護回路。
(付記5)
前記PMOSトランジスタのソースにカソードが接続され、前記グラウンドにアノードが接続されるダイオードを更に含むことを特徴とする付記1乃至4何れか一項記載のESD保護回路。
(付記6)
前記PN接合は、前記PNPN接合とは別個のダイオードであることを特徴とする付記1記載のESD保護回路。
(付記7)
端子と、
前記端子に一端が接続される容量素子と、
前記容量素子の他端に接続され第1の電位と第2の電位との電源電圧により動作する信号回路と、
前記第1の電位と前記第2の電位との間に接続されるパワークランプと、
前記端子に一端のP側が接続されグラウンドに他端のN側が接続されるPNPN接合と、
前記グラウンドにP側が接続されるPN接合のN側にソース及びゲートが接続され、前記端子にドレインが接続されるPMOSトランジスタと
を含む半導体装置。
(付記8)
前記PN接合は、前記PNPN接合の一部であることを特徴とする付記7記載の半導体装置。
(付記9)
前記PMOSトランジスタのバルクは前記ソースに接続されることを特徴とする付記7又は8記載の半導体装置。
(付記10)
前記PNPN接合からなるサイリスタ構造のPゲートと前記グラウンドとの間を接続する抵抗素子を更に含むことを特徴とする付記7乃至9何れか一項記載の半導体装置。
(付記11)
前記PMOSトランジスタのソースにカソードが接続され、前記グラウンドにアノードが接続されるダイオードを更に含むことを特徴とする付記7乃至10何れか一項記載の半導体装置。
(付記12)
前記PN接合は、前記PNPN接合とは別個のダイオードであることを特徴とする付記7記載の半導体装置。
11 容量素子
12 インダクタ素子
13 NMOSトランジスタ
14 電源ライン
15 グラウンドライン
18 パワークランプ
20 ESD保護回路20
21 PNP型トランジスタ
22 NPN型トランジスタ
23 抵抗
24 PMOSトランジスタ
Claims (10)
- 端子に一端のP側が接続されグラウンドに他端のN側が接続されるPNPN接合と、
前記グラウンドにP側が接続されるPN接合のN側にソース及びゲートが接続され、前記端子にドレインが接続されるPMOSトランジスタと
を含むESD保護回路。 - 前記PN接合は、前記PNPN接合の一部であることを特徴とする請求項1記載のESD保護回路。
- 前記PMOSトランジスタのバルクは前記ソースに接続されることを特徴とする請求項1又は2記載のESD保護回路。
- 前記PNPN接合からなるサイリスタ構造のPゲートと前記グラウンドとの間を接続する抵抗素子を更に含むことを特徴とする請求項1乃至3何れか一項記載のESD保護回路。
- 前記PMOSトランジスタのソースにカソードが接続され、前記グラウンドにアノードが接続されるダイオードを更に含むことを特徴とする請求項1乃至4何れか一項記載のESD保護回路。
- 前記PN接合は、前記PNPN接合とは別個のダイオードであることを特徴とする請求項1記載のESD保護回路。
- 端子と、
前記端子に一端が接続される容量素子と、
前記容量素子の他端に接続され第1の電位と第2の電位との電源電圧により動作する信号回路と、
前記第1の電位と前記第2の電位との間に接続されるパワークランプと、
前記端子に一端のP側が接続されグラウンドに他端のN側が接続されるPNPN接合と、
前記グラウンドにP側が接続されるPN接合のN側にソース及びゲートが接続され、前記端子にドレインが接続されるPMOSトランジスタと
を含む半導体装置。 - 前記PN接合は、前記PNPN接合の一部であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記PMOSトランジスタのバルクは前記ソースに接続されることを特徴とする請求項7又は8記載の半導体装置。
- 前記PNPN接合からなるサイリスタ構造のPゲートと前記グラウンドとの間を接続する抵抗素子を更に含むことを特徴とする請求項7乃至9何れか一項記載の半導体装置。
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