JP2005333120A - 静電保護素子 - Google Patents
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Abstract
チップ内の素子配置に依存することなく、安定動作を実現するサイリスタ型の静電保護
素子を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかる静電保護素子は、PNPトランジスタTr1と、NPNトランジスタT
r2によりサイリスタ構造を有するものである。そして、PウェルPW1と、基板電位固
定用PウェルPW2の間の領域は、P型半導体基板と同じ組成の領域とし、Pウェルより
も不純物濃度を低くくしている。従って、PウェルPW1と、基板電位固定用PウェルP
W2の間の領域は抵抗RSUBが形成されるため、サイリスタの安定動作を実現できる。
【選択図】 図1
Description
るために、一般に静電保護素子が設けられている。
図1に本発明の実施例1にかかる静電保護素子の構造を示し、また、図2にその等価回路図を示す。この本発明にかかる静電保護素子は、サイリスタ型の静電保護素子である。
互いに絶縁分離されている。
図3は、本発明の実施例2にかかる静電保護素子の構造を示す図である。図3において、図1と同様の部分には、同じ番号を付している。図4は、その等価回路である。本実施例が図1と異なる部分について、以下に説明する。その他は、図1の実施例1と同様である。
図5は本発明の実施例3にかかる静電保護素子の構造を示す平面図である。図5では、STI領域が省略されている。図5において、図3と同様の構成要素には、同じ符号を付してある。本実施例が図3の実施例2と異なるのは、本実施例においては、サイリスタのアノードとなるP+拡散層PD1とカソードとなるN+拡散層ND2をそれぞれ一対備えている点であり、その他は実施例2と同様である。
ND2 N+拡散層
NW1 Nウェル
PD1 P+拡散層
PD2 P+拡散層
PS1 P型半導体基板
PW1 Pウェル
PW2 Pウェル
PW3 Pウェル
RA 抵抗
RPW 寄生抵抗
RSUB 抵抗
STI 素子分離絶縁膜
Tr1 PNPトランジスタ
Tr2 NPNトランジスタ
Claims (9)
- 静電気放電による被保護回路の破壊を防止するための静電保護素子であって、
第1導電型の半導体基板と、
前記半導体基板に形成された第2導電型ウェルと、
前記第2導電型ウェルに形成され、信号端子に接続された第1導電型拡散層と、
前記半導体基板に形成された第1導電型ウェルAと、
前記第1導電型ウェルAに形成され、接地端子に接続された第2導電型拡散層と、
前記第1導電型ウェルAと離間して前記半導体基板に形成された第1導電型ウェルBと、
前記第1導電型ウェルBに形成され、接地端子と接続された第1導電型拡散層とを備えたことを特徴とする静電保護素子。 - 前記第1導電型ウェルBに第2導電型MOSトランジスタが形成されたことを特徴とする請求項1記載の静電保護素子。
- 前記第1導電型はP型であり、前記第2導電型はN型であることを特徴とする請求項1記載の静電保護素子。
- 前記第1導電型ウェルAと前記第1導電型ウェルBとの間の領域が第1導電型であり、且つ当該第1導電型ウェルA及び前記第1導電型ウェルBよりも不純物濃度が低いことを特徴とする請求項1記載の静電保護素子。
- 前記第1導電型ウェルAと前記第1導電型ウェルBとの間の領域は、前記第1導電型の半導体基板と同じ組成を有することを特徴とする請求項1記載の静電保護素子。
- Nウェル内に設けられたP+拡散層をエミッタとし、前記Nウェルをベースとし、PウェルをコレクタとするPNPトランジスタと、前記Pウェル内に設けられたN+拡散層をエミッタとし、前記Pウェルをベースとし、前記NウェルをコレクタとするNPNトランジスタによりP型半導体基板上にサイリスタ構造を構成する静電保護素子であって、
前記Pウェルと離間して基板電位固定用Pウェルが設けられていることを特徴とする静電保護素子。 - 前記基板電位固定用PウェルにNMOSトランジスタが形成されたことを特徴とする請求項6記載の静電保護素子。
- 前記Pウェルと前記基板電位固定用Pウェルとの間の領域がP型領域であり、且つ前記Pウェルおよび前記基板電位固定用Pウェルよりも不純物濃度が低いことを特徴とする請求項6記載の静電保護素子。
- 前記Pウェルと前記基板電位固定用Pウェルの間の領域は、前記P型半導体基板と同じ組成の領域を有することを特徴とする請求項6記載の静電保護素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005119629A JP2005333120A (ja) | 2004-04-23 | 2005-04-18 | 静電保護素子 |
Applications Claiming Priority (2)
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JP2004127787 | 2004-04-23 | ||
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Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005333120A true JP2005333120A (ja) | 2005-12-02 |
Family
ID=35487527
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005119629A Pending JP2005333120A (ja) | 2004-04-23 | 2005-04-18 | 静電保護素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005333120A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008205148A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | New Japan Radio Co Ltd | 縦型pnpバイポーラトランジスタ用静電破壊保護素子 |
JP2010050328A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Panasonic Corp | 静電気保護素子 |
JP2010182727A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置 |
JP2011199058A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Fujitsu Semiconductor Ltd | Esd保護回路及び半導体装置 |
-
2005
- 2005-04-18 JP JP2005119629A patent/JP2005333120A/ja active Pending
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