JP2014086580A - 保護回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電源端子間には、制御回路が接続される。制御回路は、サージ等により、電源端子間の電圧が所定の値を超えた時に、制御信号を出力する。その制御信号により導通状態が制御されるシャントトランジスタの出力電流路に、電源端子間の電源電圧により逆バイアスされるPN接合を有する電圧クランプ素子が、直列接続される。
【選択図】図1
Description
図1は、第1の実施形態の保護回路を示す図である。第1の電源端子(101)には、高電位側の電源電圧、例えば、18Vが印加される。第2の電源端子(102)には、低電位側の電源電圧、例えば、接地電位(0V)が印加される。第1、第2の電源端子間には、制御回路(103)が接続される。制御回路(103)は、サージ等により過渡的な電圧変動が生じ、第1、第2の電源端子間の電圧が所定の値を超えた時に、制御信号を出力する。ソース電極、ゲート電極、及び、ドレイン電極を有するシャントNMOSトランジスタ(104)のゲート電極は、制御回路(103)に接続され、制御信号を受ける。シャントNMOSトランジスタ(104)のソース電極とバックゲート電極は、第2の電源端子(102)に接続される。第1、第2の電源端子間に接続される電源電圧により逆バイアスされるPN接合を有する電圧クランプ素子(105)が、シャントNMOSトランジスタ(104)のドレイン電極と、第1の電源端子(101)間に接続される。すなわち、電圧クランプ素子(105)は、シャントNMOSトランジスタ(104)の出力電流に直列接続される。第1、第2の電源端子間には、内部回路(図示せず)が、接続される。
図3は、第2の実施形態を示す図である。本実施形態においては、シャントトランジスタとして、PMOSトランジスタが用いられている。第1の実施形態と共通の構成要素については、同一の番号を付し、説明を省略する。第1の電源端子(101)と第2の電源端子(102)間に、制御回路(113)が接続される。制御回路(113)は、第1、第2の電源端子間の電圧が、ESD等により、所定の電圧を越えて上昇した場合に制御信号を出力する。シャントPMOSトランジスタ(106)のソース電極とバックゲート電極は、第1の電源端子(101)に接続される。シャントPMOSトランジスタ(106)のドレイン電極と第2の電源端子(102)間には、逆バイアスされるPN接合を有する電圧クランプ素子(105)が接続される。すなわち、電圧クランプ素子(105)は、第1、第2の電源端子間に接続されるシャントPMOSトランジスタ(106)の出力電流路に、直列接続される。第1、第2の電源端子間には、内部回路(図示せず)が、接続される。
Claims (5)
- 高電位側の電源電圧が印加される第1の電源端子と、
低電位側の電源電圧が印加される第2の電源端子と、
前記第1、第2の電源端子間に接続され、前記第1と第2の電源端子間の電圧が所定の値を超えた時に、制御信号を出力する制御回路と、
前記第1、第2の電源端子間にその出力電流路が接続され、その導通状態が前記制御信号によって制御されるシャントトランジスタと、
前記第1、第2の電源端子間の電源電圧により逆バイアスされるPN接合を有し、前記シャントトランジスタの出力電流路に直列接続される電圧クランプ素子と、
を具備することを特徴とする保護回路。 - 前記制御回路は、
前記第1と第2の電源端子間に接続される抵抗とコンデンサの直列回路からなるバイアス回路と、
前記抵抗とコンデンサの接続部にゲート電極が接続され、その出力電流路が前記第1、第2の電源端子間に接続されるMOSトランジスタを有し、前記MOSトランジスタのドレイン電極から前記制御信号が出力されることを特徴とする請求項1に記載の保護回路。 - 前記電圧クランプ素子のPN接合は、ダイオードのPN接合であることを特徴とする請求項1または2に記載の保護回路。
- 前記シャントトランジスタは、NMOSトランジスタであり、前記電圧クランプ素子は、前記NMOSトランジスタのドレイン電極と前記第1の電源端子間に接続されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の保護回路。
- 前記シャントトランジスタは、PMOSトランジスタであり、前記電圧クランプ素子は、前記PMOSトランジスタのドレイン電極と前記第2の電源端子間に接続されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の保護回路。
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