JP2011192902A - 層間絶縁膜の成膜方法および層間絶縁膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とCH3を含む公知化合物である絶縁膜材料と、窒素を含有するガスとを用いてプラズマCVD法によって層間絶縁膜を成膜することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。また、層間絶縁膜の成膜方法であって、基板上に珪素とCH3を含む公知化合物である絶縁膜材料を用いてプラズマCVD法によって層間絶縁膜を成膜した後、加熱雰囲気において窒素を含有するガスを基板に供給することを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法を提供する。
【選択図】なし
Description
そのため、最近では配線層を構成する材料として、従来のアルミニウムから抵抗率の低い銅が用いられている。
また、配線間には、隣接する銅配線を分離するとともに、配線層を構成する銅原子の拡散を抑制する層間絶縁膜(バリア膜ともいう)が形成されている。
ダングリングボンドのような原子欠陥によるリーク電流特性の悪化は、炭素含有割合が20%以上のSiCNH膜、SiCH膜、SiOCH膜において多数認められている。
以下、本発明を適用した第1の実施形態である層間絶縁膜の成膜方法および層間絶縁膜について説明する。
まず、本実施形態で用いられる絶縁膜材料について説明する。本実施形態の絶縁膜材料は、上記化学式(1)に示された化合物であり、その構造にCH3を含む公知化合物であって、公知合成方法によって得ることができる。
もっとも、これらの化合物を用いて、比誘電率が低く、かつ面内均一およびリーク電流特性が良好になるように層間絶縁膜を成膜する方法は、従来知られていない。
4MSは、上記化学式(1)において、X=CH3、Y=CH3、Z=CH3で表わされる化合物である。3MSは、上記化学式(1)において、X=CH3、Y=CH3、Z=Hで表わされる化合物である。2MSは、上記化学式(1)において、X=CH3、Y=H、Z=Hで表わされる化合物である。
次に、本実施形態の層間絶縁膜の成膜方法について説明する。
本実施形態の層間絶縁膜の成膜方法は、基本的には、シリコンウェーハ等の基板上に上記化学式(1)で示される絶縁膜材料と、窒素を含有するガスを用いてプラズマCVD法によって層間絶縁膜を成膜する方法である。
また、窒素を含有するガスは、アンモニアガスであることが好ましいが、これに限定されない。また、窒素を含有するガスの純度も特に限定されない。
ここで、絶縁膜中の窒素含有量は、フーリエ変換赤外分光装置で得ることができる吸収スペクトルから、SiHのピーク波数より下記数式(1)で算出することができる。
また、絶縁膜材料および窒素を含有するガスは、1気圧における沸点が300℃以下であることが望ましい。
図1に示したプラズマ成膜装置1は、減圧可能なチャンバー2を備え、このチャンバー2は、排気管3、開閉弁4を介して排気ポンプ5に接続されている。また、チャンバー2には、図示しない圧力計が備えられ、チャンバー2内の圧力が測定できるようになっている。チャンバー2内には、相対向する一対の平板状の上部電極6と下部電極7とが設けられている。上部電極6は、高周波電源8に接続され、上部電極6に高周波電流が印加されるようになっている。
また、上部電極6には、ガス供給配管11が接続されている。このガス供給配管11には、図示しない成膜用ガス供給源が接続され、この成膜用ガス供給装置からの成膜用のガスが供給され、このガスは上部電極6内に形成された複数の貫通孔を通って、下部電極7に向けて拡散しつつ流れ出るようになっている。
プラズマ成膜装置のチャンバー2内の下部電極7上に基板9を置き、成膜用ガス供給源から上記成膜用ガスをチャンバー2内に送り込む。高周波電源8から高周波電流を上部電極6に印加して、チャンバー2内にプラズマを発生させる。これにより、基板9上に上記成膜用ガスから気相化学反応により生成した絶縁膜が形成される。
基板9には、主にシリコンウェーハからなるものが用いられるが、このシリコンウェーハ上にはあらかじめ形成された他の絶縁膜、導電膜、配線構造などが存在していてもよい。
絶縁膜材料流量 :5〜200cc/分 (2種以上の場合は合計量である)
窒素含有ガスの流量 :0〜200cc/分
圧力 :0.2Pa〜5000Pa
RFパワー :30〜2000W、好ましくは50〜700W
LFパワー :0〜1000W、好ましくは0〜200W
基板温度 :500℃以下
反応時間 :60秒程度(任意の時間でよい)
成膜厚さ :5nm〜800nm
次に、本実施形態の層間絶縁膜について、説明する。
本実施形態の層間絶縁膜は、上述のプラズマCVD用絶縁膜材料と、窒素を含有するガスとを用い、プラズマ成膜装置によって、プラズマCVD反応により成膜されたものである。
この層間絶縁膜は、窒素含有量が0.02%以上30%以下であることが好ましい。窒素の含有量が0.02%よりも少ないと、面内均一性、リーク電流特性を良好にすることができず、また30%よりも多いと、比誘電率が増大し、不都合となる。
本実施形態の層間絶縁膜は、絶縁膜材料と、窒素を含有するガス(アンモニアガス)とを用いてプラズマCVD反応によって成膜されたものであるため、絶縁膜形成時に、層間絶縁膜中の炭素原子もしくはSi原子付近に形成されやすいダングリングボンドの生成が抑制されて、電流のリークパスが減少したものと考えられる。
しかし、チャンバー内に窒素を含有するガスが存在すると、層間絶縁膜中のSiと窒素を含有するガスのうちのHもしくはNとが結合してSiH結合もしくはSiN結合を形成してダングリングボンドが解消される。
CH3を含むiBTMS、DiBDMS等のイソブチル系材料を用いると、例えば比誘電率が3.5未満のような低い誘電率を有するように成膜すると、基板(ウェーハ)面上および基板面内で均一に反応が進まなくなる。これを面内均一性が悪いという。面内均一性が悪いと、成膜された層間絶縁膜の厚さが均一でなくなり、例えば、最大厚さと最小厚さで3%以上の差が生じる場合がある。
しかしながら、窒素を含有するガスを添加することで、Si‐CH3とNとが反応してSiNH3を形成し、さらにSiNHSi結合が容易に形成される。したがって、反応が基板全体で生じ、面内均一性が改善される。
以上のように、ダングリングボンドの生成を抑制する際にはSiH結合やSiN結合が存在することでSiNHSi架橋が形成されやすいように、また、特にイソブチル系材料を用いる場合ではSiCH2Si結合を増やすように成膜を行うから、結果としてSiCH3が比較的多く層間絶縁膜中に残留する。このため、層間絶縁膜の密度が低下し、比誘電率が低減される。
次に、本発明の第2の実施形態である層間絶縁膜の成膜方法および層間絶縁膜について説明する。なお、本実施形態は、第1の実施形態の変形例であり、同様の部分については説明を省略する。
不活性ガスには、例えば窒素を用いることができ、基板温度は例えば350℃程度にして熱処理を行う。
ただし、本発明は以下の実施例によって何ら限定されるものではない。
まず、実施例1では、図1に示すような平行平板型の容量結合プラズマCVD装置を使用し、あらかじめ350℃程度に加熱したサセプタ上に、8インチ(直径200mm)のシリコンウェーハ(基板)を搬送し、絶縁膜材料ガスとしてイソブチルトリメチルシラン(iBTMS)を30cc/min、窒素含有ガスとしてアンモニアを30cc/minの体積流量で流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力(RFパワー)を700Wに、プラズマ発生用低周波電源の出力(LFパワー)を0Wに設定して層間絶縁膜を成膜した。このときのプラズマCVD装置のチャンバー内圧力は4torrであった。
なお、成膜された層間絶縁膜中の、上記数式(1)を用いて算出した窒素含有割合が、30%未満になるようにアンモニア流通量を決定している。
次に、実施例2では、絶縁膜材料としてジイソブチルジメチルシラン(DiBDMS)を30cc/min、窒素含有ガスとしてアンモニアを30cc/minの体積流量で流通させ、プラズマ発生用高周波電源装置の出力を650Wに設定して層間絶縁膜を成膜した。このときのプラズマCVD装置のチャンバー内圧力は3torrであった。なお、その他の条件は、実施例1と同様である。
次に、比較例1として、絶縁膜材料としてイソブチルトリメチルシラン(iBTMS)を30cc/minの体積流量で流通させて層間絶縁膜を成膜した。このときのプラズマCVD装置のチャンバー内圧力は3torrであった。なお、その他の条件は、実施例1と同様である。
次に、比較例2として、絶縁膜材料としてジイソブチルジメチルシラン(DiBDMS)を30cc/minの体積流量で流通させて層間絶縁膜を成膜した。その他の条件は、実施例2と同様である。
次に、実施例3では、絶縁膜材料としてイソブチルトリメチルシラン(iBTMS)を用い、窒素含有ガスとしてアンモニアを選択し、絶縁膜材料に対する窒素含有ガスの割合ごとに、プラズマCVD法によって成膜した際のリーク電流と比誘電率を調べた。結果を表2及び図2に示す。なお、図2は、縦軸はリーク電流特性(電界が1MV/cmの時のリーク電流A/cm2)、横軸は比誘電率を表わしており、パラメータはアンモニアの量で絶縁膜材料に対する割合を表している。
次に、実施例6では、窒素含有ガスとしてアンモニアを選択し、絶縁膜材料に対する窒素含有ガスの割合を、0.02%以上15%以下の範囲に設定し、プラズマCVD法によって成膜した際の、膜中窒素量、比誘電率、およびリーク電流を調べた。結果を表5に示す。なお、絶縁膜材料として選択した材料、圧力、パワー密度、絶縁膜材料の流量およびアンモニアの流量については、表5に示す条件とした。
また、比較例3では、窒素を含有するガスを用いずにプラズマCVD法によって成膜した際の、膜中窒素量、比誘電率、およびリーク電流を調べた。結果を表6に示す。なお、絶縁膜材料として選択した材料、圧力、パワー密度、絶縁膜材料の流量およびアンモニアの流量については、表6に示す条件とした。
Claims (5)
- 層間絶縁膜の成膜方法であって、
基板上に上記化学式(1)で示される絶縁膜材料を用いてプラズマCVD法によって層間絶縁膜を成膜した後、加熱雰囲気において窒素を含有するガスを基板に供給することを特徴とすることを特徴とする層間絶縁膜の成膜方法。 - 前記窒素を含有するガスがアンモニアガスであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の層間絶縁膜の成膜方法。
- 請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載の層間絶縁膜の成膜方法によって成膜された層間絶縁膜。
- 前記層間絶縁膜中の窒素含有量が0.02%以上30%以下であることを特徴とする請求項4に記載の層間絶縁膜。
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