JP2011139032A - 粗面を有するledを形成するための光学アライメント法 - Google Patents
粗面を有するledを形成するための光学アライメント法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011139032A JP2011139032A JP2010255740A JP2010255740A JP2011139032A JP 2011139032 A JP2011139032 A JP 2011139032A JP 2010255740 A JP2010255740 A JP 2010255740A JP 2010255740 A JP2010255740 A JP 2010255740A JP 2011139032 A JP2011139032 A JP 2011139032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- wafer
- led
- wafer alignment
- alignment mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 87
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title abstract description 21
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 18
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 14
- 238000003909 pattern recognition Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 3
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012634 optical imaging Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7065—Production of alignment light, e.g. light source, control of coherence, polarization, pulse length, wavelength
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/708—Mark formation
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】この方法では、二乗平均平方根(RMS)表面粗さσsを有する少なくとも一つの粗面化アライメントマークがウエハ上に形成される。粗面化アライメントマークは、ウエハアライメントマークが位置するLED10の表面をプラズマエッチングによって粗面化する際に形成される。また、この方法では、約2σsから約8σsの範囲の波長λAを有するアライメント光を利用して、少なくとも一つの粗面化ウエハアライメントマークが結像される。また、この方法では、検出画像がアライメント対照と比較されてウエハアライメントが確立される。ウエハアライメントが一旦確立すれば、p型コンタクト90p及びn型コンタクト90nをLEDの上面の適切な位置にそれぞれ形成することができる。
【選択図】図1A
Description
さらに、この方法では、検出画像がアライメント対照と比較されてウエハアライメントが確立される。さらに、この方法では、確立されたウエハアライメントに基づいて、粗面上に少なくとも一つの電気コンタクトが形成されるのが好ましい。
また、この方法では、粗面が形成される層の屈折率をnとした場合、σsは、
i)約2λLEDから約8λLED
ii)約(0.5)λLED/nからλLED/n
iii)約λLED/nからλLED
の範囲のうち少なくとも何れか一つの範囲にあるのが好ましい。
また、この方法では、アライメント対照としてレチクルアライメントマークが利用され、ウエハアライメントマーク画像とレチクルアライメントマーク画像とが重畳されるのが好ましい。
また、この方法では、アライメント光の波長λAが約1μmから約2μmの範囲にあるのが好ましい。
また、この方法では、粗面形成時に、ウエハに対してプラズマエッチングが実行されるのが好ましい。
さらに、この方法では、複数のウエハアライメントマークを利用してエンハンストグローバルアライメントが実行されるのが好ましい。
また、この方法では、粗面は、a)p型GaN層上と、b)透明導電層上または透明導電層下との少なくとも何れかに形成されるのが好ましい。
また、この方法では、アライメント対照にレチクルアライメントマークが含まれるのが好ましい。
さらに、この方法では、プラズマエッチングを利用して、少なくとも一つの粗面化アライメントマークが形成されるのが好ましい。
また、この方法では、粗面化アライメントマークが透明導電層の下方に位置するのが好ましい。
さらに、この方法では、確立したウエハアライメントに基づいて、ウエハ上に少なくとも一つの電気コンタクトが形成されるのが好ましい。
また、この方法では、λLEDはLEDが発光する光の波長であり、nは少なくとも一つの粗面化アライメントマークを支持する層の屈折率であり、σsは、a)約λLED/nから約λLEDの範囲と、b)約(0.5)λLED/nから約λLED/nの範囲との少なくとも一つの範囲にあるのが好ましい。
また、この方法では、アライメント光の波長λAは約1μmから約2μmの範囲にあるのが好ましい。
また、この方法では、確立したウエハアライメントにエンハンストグローバルアライメントが含まれるのが好ましい。
また、この方法では、LED構造の上面がp型GaN層の上面であり、少なくとも一つの電気コンタクトがp型コンタクトであるのが好ましい。
また、この方法では、LED構造の上面が粗面化されるとき、プラズマエッチングが実行されるのが好ましい。
また、この方法では、ウエハアライメントの確立時、検出画像及びアライメント対照に対してパターン認識が実行され、検出画像の位置がアライメント対照の位置と一致するまでウエハが移動されるのが好ましい。
図2は、スルーザレンズ光学アライメントシステム150を有するリソグラフィシステム100の一例の概略図である。光学アライメントシステムの一例は、米国特許第5,402,205号及び米国特許第5,621,813号に開示されており、これらの特許は参照することにより本発明に援用される。参照として直交座標XYZが示される。
Claims (20)
- 発光ダイオード(LED)のリソグラフィ加工時のウエハアライメント方法であって、
少なくとも一つのウエハアライメントマークをウエハ上に形成する工程と、
前記ウエハアライメントマークの直上または上方に二乗平均平方根(RMS)表面粗さσsを有する粗面を形成する工程と、
前記少なくとも一つのウエハアライメントマークに対して、約2σsから約8σsの範囲の波長λAを有するアライメント光を照射する工程と、
前記少なくとも一つのウエハアライメントマークから反射されたアライメント光を利用して、前記少なくとも一つのウエハアライメントマークの画像を形成して検出する工程と、
前記検出画像をアライメント参照と比較してウエハアライメントを確立する工程と
を備えるウエハアライメント方法。 - 前記確立したウエハアライメントに基づいて、前記粗面上に少なくとも一つの電気コンタクトを形成する工程をさらに備える
請求項1に記載のウエハアライメント方法。 - nを前記粗面が形成される層の屈折率とした場合、σsは、
i)約2λLEDから約8λLED
ii)約(0.5)λLED/nからλLED/n
iii)約λLED/nからλLED
の範囲のうち少なくとも何れか一つの範囲にある
請求項1又は2に記載のウエハアライメント方法。 - 前記アライメント対照としてレチクルアライメントマークを利用することと、前記ウエハアライメントマーク画像とレチクルアライメントマーク画像とを重畳させることを含む
請求項1から3のいずれかに記載のウエハアライメント方法。 - 前記アライメント光の波長λAは、約1μmから約2μmの範囲にある
請求項1から4のいずれかに記載のウエハアライメント方法。 - 前記粗面を形成する工程は、前記ウエハに対してプラズマエッチングを実行する工程を含む請求項1から5のいずれかに記載のウエハアライメント方法。
- 複数のウエハアライメントマークを利用してエンハンストグローバルアライメントを実行する工程をさらに備える
請求項1から6のいずれかに記載のウエハアライメント方法。 - 前記粗面は、a)p型GaN層上と、b)透明導電層上または前記透明導電層下との少なくともいずれかに形成される
請求項1から7のいずれかに記載のウエハアライメント方法。 - 発光ダイオード(LED)のリソグラフィ加工時のウエハアライメント方法であって、
二乗平均平方根(RMS)表面粗さσsを有する少なくとも一つの粗面化アライメントマークを前記ウエハ上に形成する工程と、
約2σsから約8σsの範囲の波長λAを有するアライメント光を利用して、前記少なくとも一つの粗面化ウエハアライメントマークを結像する工程と、
前記検出画像をアライメント対照と比較してウエハアライメントを確立する工程と
を備えるウエハアライメント方法。 - 前記アライメント対照は、レチクルアライメントマークを含む
請求項9に記載のウエハアライメント方法。 - プラズマエッチングを利用して、前記少なくとも一つの粗面化アライメントマークを形成する工程をさらに備える
請求項9又は10に記載のウエハアライメント方法。 - 前記粗面化アライメントマークは、透明導電層の下方に位置する
請求項9から11のいずれかに記載のウエハアライメント方法。 - 前記確立したウエハアライメントに基づいて、前記ウエハ上に少なくとも一つの電気コンタクトを形成する工程をさらに備える
請求項9から12のいずれかに記載のウエハアライメント方法。 - λLEDは前記LEDが発光する光の波長であり、nは前記少なくとも一つの粗面化アライメントマークを支持する層の屈折率であり、
σsは、a)約λLED/nから約λLEDの範囲と、b)約(0.5)λLED/nから約λLED/nの範囲との少なくとも一つの範囲にある
請求項9から13のいずれかに記載のウエハアライメント方法。 - 前記アライメント光の波長λAは、約1μmから約2μmの範囲にある
請求項9から14のいずれかに記載のウエハアライメント方法。 - 前記確立したウエハアライメントは、エンハンストグローバルアライメントを有する
請求項9から15のいずれかに記載のウエハアライメント方法。 - 関連するLED波長λLEDと、LED構造とを有する発光ダイオード(LED)上に少なくとも一つの電気コンタクトを形成する方法であって、
前記LED構造の上面に複数のウエハアライメントマークを形成する工程と、
前記複数のウエハアライメントマークを含む前記LED構造の上面を粗面化する工程であって、これにより、複数の粗面化ウエハアライメントマークが形成され、前記上面と前記複数の粗面化ウエハアライメントマークが表面粗さσsを有する工程と、
a)約2σsから約8σsの範囲、b)約1μmから約2μmの範囲およびc)約2λLEDから約8λLEDの範囲の少なくとも一つの範囲の波長λAを有するアライメント光を利用して、少なくとも一つの粗面化ウエハアライメントマークを結像する工程と、
前記検出画像をアライメント対照と比較してウエハアライメントを確立する工程と、
前記LED構造の上面上に少なくとも一つの電気コンタクトを形成する工程と
を備える方法。 - 前記LED構造の上面はp型GaN層の上面であり、
前記少なくとも一つの電気コンタクトはp型コンタクトである
請求項17に記載の方法。 - 前記LED構造の上面を粗面化する工程では、プラズマエッチングが実行される
請求項17又は18に記載の方法。 - ウエハアライメントの確立は、前記検出画像及び前記アライメント対照に対してパターン認識を実行することと、
前記検出画像の位置が前記アライメント対照の位置と一致するまで前記ウエハを移動することとを含む
請求項17から19のいずれかに記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US12/592,735 US8088633B2 (en) | 2009-12-02 | 2009-12-02 | Optical alignment methods for forming LEDs having a rough surface |
US12/592,735 | 2009-12-02 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011139032A true JP2011139032A (ja) | 2011-07-14 |
JP5547043B2 JP5547043B2 (ja) | 2014-07-09 |
Family
ID=44069206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010255740A Expired - Fee Related JP5547043B2 (ja) | 2009-12-02 | 2010-11-16 | 粗面を有するledを形成するための光学アライメント法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8088633B2 (ja) |
JP (1) | JP5547043B2 (ja) |
KR (1) | KR101734548B1 (ja) |
CN (1) | CN102087479B (ja) |
TW (1) | TWI532207B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8088633B2 (en) * | 2009-12-02 | 2012-01-03 | Ultratech, Inc. | Optical alignment methods for forming LEDs having a rough surface |
JP5172904B2 (ja) * | 2010-07-13 | 2013-03-27 | 株式会社東芝 | ワイドギャップ半導体基板及びこれを用いた半導体装置の製造方法 |
US8796053B2 (en) * | 2010-12-21 | 2014-08-05 | Ultratech, Inc. | Photolithographic LED fabrication using phase-shift mask |
US8759127B2 (en) * | 2011-08-31 | 2014-06-24 | Toshiba Techno Center Inc. | Gold micromask for roughening to promote light extraction in an LED |
TWI484660B (zh) * | 2011-08-31 | 2015-05-11 | Kabushiki Kaisya Toshiba | 提昇發光二極體內光萃取率的粗化製程之金微遮罩 |
CN103748699B (zh) * | 2011-08-31 | 2017-03-15 | 旭化成株式会社 | 光学用基材以及半导体发光元件 |
US9112102B2 (en) * | 2012-10-30 | 2015-08-18 | Seoul Viosys Co., Ltd. | Light emitting diode and method of fabricating the same |
CN103244910B (zh) * | 2013-03-26 | 2015-09-23 | 达亮电子(苏州)有限公司 | 一种光源模组制造方法 |
US9105517B2 (en) | 2013-09-12 | 2015-08-11 | International Business Machines Corporation | Wafer to wafer alignment by LED/LSD devices |
KR102075988B1 (ko) | 2013-09-25 | 2020-03-02 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광소자 제조방법 |
CN107111255B (zh) * | 2014-12-29 | 2018-11-13 | Asml控股股份有限公司 | 对准系统的反馈控制系统 |
TWI588085B (zh) | 2015-03-26 | 2017-06-21 | 環球晶圓股份有限公司 | 微奈米化晶片及其製造方法 |
CN105047777A (zh) * | 2015-08-26 | 2015-11-11 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 具有粗化侧壁的led垂直芯片结构及制备方法 |
CN105185883B (zh) * | 2015-10-12 | 2019-05-10 | 扬州乾照光电有限公司 | 侧壁粗化的AlGaInP基LED及其制造方法 |
US20170323708A1 (en) * | 2016-05-03 | 2017-11-09 | Texas Instruments Incorporated | Component sheet and method of singulating |
CN113843511B (zh) * | 2021-09-13 | 2024-02-02 | 武汉先同科技有限公司 | 自调节激光强度的手持式激光打标机 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03268316A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH08339957A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Nikon Corp | 露光方法 |
JP2001332490A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006100474A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2006250640A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 表面状態測定方法及び表面状態測定装置 |
WO2007094443A1 (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 調整方法、基板処理方法、基板処理装置、露光装置、検査装置、測定検査システム、処理装置、コンピュータ・システム、プログラム及び情報記録媒体 |
JP2009088519A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 微細パターンの形成方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法 |
JP2009130027A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子用ウエーハの粗面化方法及び半導体発光素子 |
JP2009158696A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4780617A (en) * | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
US5734478A (en) * | 1988-10-12 | 1998-03-31 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
DE59309583D1 (de) | 1992-03-31 | 1999-06-24 | Ellenberger & Poensgen | Fernsteuerbarer Schutzschalter |
JPH06177012A (ja) * | 1992-12-03 | 1994-06-24 | Nikon Corp | アライメント装置 |
US5402205A (en) | 1992-12-21 | 1995-03-28 | Ultratech Stepper, Inc. | Alignment system for a Half-Field Dyson projection system |
US5621813A (en) | 1993-01-14 | 1997-04-15 | Ultratech Stepper, Inc. | Pattern recognition alignment system |
US5654553A (en) * | 1993-06-10 | 1997-08-05 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an alignment sensor for aligning a mask image with a substrate |
US5601957A (en) * | 1994-06-16 | 1997-02-11 | Nikon Corporation | Micro devices manufacturing method comprising the use of a second pattern overlying an alignment mark to reduce flattening |
EP1041608B1 (en) * | 1997-11-20 | 2008-09-17 | Nikon Corporation | Method and system for detecting a mark |
US6455877B1 (en) | 1999-09-08 | 2002-09-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | III-N compound semiconductor device |
WO2001065591A1 (fr) * | 2000-03-02 | 2001-09-07 | Nikon Corporation | Appareil de mesure de position et dispositif d'alignement |
WO2005004247A1 (en) * | 2003-07-03 | 2005-01-13 | Epivalley Co., Ltd. | Iii-nitride compound semiconductor light emitting device |
KR100568298B1 (ko) * | 2004-03-30 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 외부양자효율이 개선된 질화물 반도체 및 그 제조방법 |
US7473936B2 (en) * | 2005-01-11 | 2009-01-06 | Semileds Corporation | Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening |
US7186580B2 (en) * | 2005-01-11 | 2007-03-06 | Semileds Corporation | Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening |
KR100706952B1 (ko) | 2005-07-22 | 2007-04-12 | 삼성전기주식회사 | 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 |
KR100610639B1 (ko) | 2005-07-22 | 2006-08-09 | 삼성전기주식회사 | 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법 |
KR100661602B1 (ko) * | 2005-12-09 | 2006-12-26 | 삼성전기주식회사 | 수직 구조 질화갈륨계 led 소자의 제조방법 |
US8134681B2 (en) | 2006-02-17 | 2012-03-13 | Nikon Corporation | Adjustment method, substrate processing method, substrate processing apparatus, exposure apparatus, inspection apparatus, measurement and/or inspection system, processing apparatus, computer system, program and information recording medium |
KR100896576B1 (ko) * | 2006-02-24 | 2009-05-07 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP5259082B2 (ja) | 2006-12-21 | 2013-08-07 | 三菱電機株式会社 | 一致検証方法及び装置 |
US7909253B2 (en) * | 2007-05-24 | 2011-03-22 | Northrop Grumman Systems Corporation | Image detection system and methods |
US8088633B2 (en) * | 2009-12-02 | 2012-01-03 | Ultratech, Inc. | Optical alignment methods for forming LEDs having a rough surface |
-
2009
- 2009-12-02 US US12/592,735 patent/US8088633B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-15 KR KR1020100100720A patent/KR101734548B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-16 JP JP2010255740A patent/JP5547043B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-22 TW TW099140240A patent/TWI532207B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-11-30 CN CN201010567087.2A patent/CN102087479B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-11-22 US US13/302,308 patent/US8781213B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03268316A (ja) * | 1990-03-16 | 1991-11-29 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH08339957A (ja) * | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Nikon Corp | 露光方法 |
JP2001332490A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2006100474A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2006250640A (ja) * | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Ricoh Co Ltd | 表面状態測定方法及び表面状態測定装置 |
WO2007094443A1 (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-23 | Nikon Corporation | 調整方法、基板処理方法、基板処理装置、露光装置、検査装置、測定検査システム、処理装置、コンピュータ・システム、プログラム及び情報記録媒体 |
JP2009088519A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 微細パターンの形成方法及びこれを用いた半導体発光素子の製造方法 |
JP2009130027A (ja) * | 2007-11-21 | 2009-06-11 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子用ウエーハの粗面化方法及び半導体発光素子 |
JP2009158696A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Sharp Corp | 半導体発光素子の製造方法および半導体発光素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120062726A1 (en) | 2012-03-15 |
TWI532207B (zh) | 2016-05-01 |
KR20110063286A (ko) | 2011-06-10 |
JP5547043B2 (ja) | 2014-07-09 |
CN102087479A (zh) | 2011-06-08 |
US20110129948A1 (en) | 2011-06-02 |
CN102087479B (zh) | 2014-09-17 |
KR101734548B1 (ko) | 2017-05-11 |
TW201138146A (en) | 2011-11-01 |
US8781213B2 (en) | 2014-07-15 |
US8088633B2 (en) | 2012-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5547043B2 (ja) | 粗面を有するledを形成するための光学アライメント法 | |
TWI411895B (zh) | 做為對準標記之二元弦波次波長光柵 | |
TWI375131B (en) | A scatterometer and a focus analysis method | |
US6421124B1 (en) | Position detecting system and device manufacturing method using the same | |
JP2634597B2 (ja) | ウエハをレチクルヘアラインする方法および装置 | |
US20140320835A1 (en) | Method and device for inspecting spatial light modulator, and exposure method and device | |
CN107407894B (zh) | 测量装置及测量方法、曝光装置及曝光方法、以及器件制造方法 | |
JP2014072313A (ja) | アライメント計測システム、重ね合わせ計測システム及び半導体装置の製造方法 | |
US9594315B2 (en) | Detection apparatus, lithography apparatus and method of manufacturing article | |
JP5734819B2 (ja) | 位相シフトマスクを使用したフォトリソグラフィによるledの作製 | |
TW200949236A (en) | Foreign particle inspection apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing semiconductor device | |
TWI453534B (zh) | 具輔助相區之相偏移光罩、使用該相偏移光罩之圖案化半導體基板的方法與使用該相偏移光罩形成發光二極體的方法 | |
TWI460559B (zh) | 用於微影裝置之位階感測器配置、微影裝置及器件製造方法 | |
JP4730712B2 (ja) | 照明光学装置、露光装置、および露光方法 | |
JP2019004143A (ja) | 検出装置、リソグラフィー装置および物品製造方法 | |
JP4444984B2 (ja) | レチクル欠陥検査装置およびこれを用いた検査方法 | |
JP5984459B2 (ja) | 露光装置、露光装置の制御方法及びデバイス製造方法 | |
JP2012059853A (ja) | 検出条件最適化方法、プログラム作成方法、並びに露光装置及びマーク検出装置 | |
JP2008042036A (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
TWI782144B (zh) | 雷射光束監視系統 | |
JP2012038795A (ja) | 検出条件最適化方法、プログラム作成方法、並びに露光装置及びマーク検出装置 | |
JP2005019865A (ja) | 位置検出方法及び露光装置 | |
JP2012195378A (ja) | マーク検出方法及び露光方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120705 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20131113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131121 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140123 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140415 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140514 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5547043 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |