JP2011138156A - フォトニック結晶半導体デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】n−InP基板11上に下部DBR層1、コア層2、上部DBR層3、誘電体多層膜6が順次積層される。コア層2及び上部DBR層3には膜厚方向に延びる複数の空孔9が形成され、これによりフォトニック結晶構造が実現される。このフォトニック結晶構造は、複数の空孔9に挟まれて空孔9が存在しない線欠陥部10を有し、線欠陥部10が光導波路として機能する。
【選択図】図1
Description
本発明のフォトニック結晶半導体デバイスは、
半導体基板と、
前記半導体基板上に積層された下部半導体分布ブラッグ反射多層膜と、
前記下部半導体分布ブラッグ反射多層膜上に積層された半導体コア層と、
前記半導体コア層上に積層された上部半導体分布ブラッグ反射多層膜と、
前記上部半導体分布ブラッグ反射多層膜上に積層された誘電体多層膜とを有し、
前記上部半導体分布ブラッグ反射膜と前記半導体コア層を貫通する複数の空孔により、光の波長に近い2次元的な屈折率の周期構造を有するフォトニック結晶構造が前記半導体コア層に形成され、
前記2次元的な屈折率の周期構造は、前記空孔に挟まれ前記空孔が存在しない線状の欠陥部を有することを特徴とするものである。
前記複数の空孔は、前記上部クラッド層と前記下部クラッド層を貫通していることが望ましい。
本発明の可変波長フィルタは、そのフォトニック結晶構造の部分に対して電流あるいは電圧を印加する電極を備えている本発明のフォトニック結晶半導体デバイスと、
前記電極に接続された可変電源と、
を備え、前記欠陥部を透過する光の波長フィルタリングを行うことを特徴とする。
本発明の光変調器は、そのフォトニック結晶構造の部分に対して電流あるいは電圧を印加する電極を備えている本発明のフォトニック結晶半導体デバイスと、
前記電極に接続された電源と、
前記電源から前記フォトニック結晶半導体デバイスへの電源供給をスイッチングするスイッチと、
前記スイッチのスイッチング制御を行う制御手段と、
を備え、前記欠陥部を透過する光のオンオフあるいは変調を行うことを特徴とする。
本発明の可変波長レーザは、そのフォトニック結晶構造の部分に対して電流あるいは電圧を印加する電極を備えている本発明のフォトニック結晶半導体デバイスと、
前記電極に接続された可変電源と、
を備え、前記欠陥部で増幅された可変波長のレーザ光を出力することを特徴とする。
本発明のフォトニック結晶半導体デバイスの製造方法は、光の波長に近い2次元的な屈折率の周期構造に欠陥部を設けたフォトニック結晶構造を用いたフォトニック結晶半導体デバイスの製造方法において、
半導体基板上に下部半導体分布ブラッグ反射多層膜、前記フォトニック結晶が形成される半導体コア層、上部半導体分布ブラッグ反射多層膜を順次積層する積層工程と、
前記上部半導体分布ブラッグ反射多層膜および前記半導体コア層を貫通する複数の空孔を形成する空孔形成工程と、
前記上部半導体ブラッグ反射多層膜の上部に誘電体多層膜を形成する誘電体多層膜形成工程と、
を含み、
前記空孔形成工程は、前記空孔に挟まれ、かつ空孔が存在しない線状の欠陥部を形成することを含むことを特徴とする。
前記空孔形成工程は、前記選択酸化層およびコンタクト層をも貫通する空孔を形成するとともに、前記選択酸化層の一部に酸化した電流狭窄用の酸化部を形成する工程であることが望ましい。
まず、実施の形態1にかかるフォトニック結晶半導体デバイスである可変波長フィルタについて説明する。
まず、MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)結晶成長装置を用いて、n−InP半導体基板11上に下部DBR層1、コア層2、上部DBR層3、選択酸化層4、コンタクト層5を順次形成する。その後、フォトリソグラフィおよびドライエッチング装置によって、コンタクト層5および選択酸化層4の一部の領域21を除去する(図4)。
つぎに、この発明の第2の実施の形態について説明する。上述した実施の形態では、線欠陥部10を有したフォトニック結晶構造を有するフォトニック結晶半導体デバイスであったが、この実施の形態2では、点欠陥部を有したフォトニック結晶構造を有するフォトニック結晶半導体デバイスを実現している。
なお、図12における空孔39の深さは、図8に示した空孔9と同様に、下部DBR層1に到達しない深さにしてもよい。
図14は、本発明の第3の実施の形態を示すスーパープリズムとして使用されるフォトニック結晶半導体デバイスを示す斜視図であり、また、図15は、図14に示すフォトニック結晶半導体デバイスのコア層を示す平面図である。なお、これらの図において、図1、図11と同じ符合は同じ要素を示している。
図16は、本発明の第4の実施の形態に係る半導体レーザ集積型フォトニック結晶光デバイスを示す斜視断面図、図17は図16のI−I線断面図、図18は図16のII−II線断面図である。なお、図16、図17において、図1と同じ符合は同じ要素を示している。
ストライプ状の活性層15の一端は可変波長フィルタ40の線欠陥部10のコア層2の端部に接続されている。
2,32 コア層
2a,2b クラッド層
32a 活性層
3,6,36 多層膜
4,34 選択酸化層
4a,34a 酸化部
5,35 コンタクト層
7,37,18 p側電極
8,38 n側電極
9,39 空孔
10 線欠陥部
11 n−InP基板
12,23,42 電源
14,16 クラッド層
15 活性層
17 コンタクト層
20 半導体レーザ
24 スイッチ
25 制御部
30 点欠陥部
Claims (19)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に積層された下部半導体分布ブラッグ反射多層膜と、
前記下部半導体分布ブラッグ反射多層膜上に積層された半導体コア層と、
前記半導体コア層上に積層された上部半導体分布ブラッグ反射多層膜と、
前記上部半導体分布ブラッグ反射多層膜上に積層された誘電体多層膜とを有し、
前記上部半導体分布ブラッグ反射膜と前記半導体コア層を貫通する複数の空孔により、光の波長に近い2次元的な屈折率の周期構造を有するフォトニック結晶構造が前記半導体コア層に形成され、
前記2次元的な屈折率の周期構造は、前記空孔に挟まれ前記空孔が存在しない線状の欠陥部を有することを特徴とするフォトニック結晶半導体デバイス。 - 前記下部半導体分布ブラッグ反射多層膜と前記半導体コア層との間に積層された下部クラッド層、及び前記半導体コア層と前記上部半導体分布ブラッグ反射多層膜との間に積層された上部クラッド層とをさらに有し、
前記複数の空孔は、前記上部クラッド層と前記下部クラッド層を貫通していることを特徴とする請求項1に記載のフォトニック結晶半導体デバイス。 - 前記複数の空孔は、前記下部半導体分布ブラッグ反射多層膜の一部あるいは前記下部半導体分布ブラッグ反射多層膜の全層を貫通していることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトニック結晶半導体デバイス。
- 前記半導体コア層の近傍に電流狭窄用のAlを含む選択酸化層が設けられることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のフォトニック結晶半導体デバイス。
- 前記半導体コア層は、活性層を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のフォトニック結晶半導体デバイス。
- 前記半導体コア層は、多重量子井戸構造を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載のフォトニック結晶半導体デバイス。
- 前記半導体コア層は、InGaAsPを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のフォトニック結晶半導体デバイス。
- 前記半導体コア層は、GaInNAsSbを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のフォトニック結晶半導体デバイス。
- 前記半導体コア層は、AlGaInAsを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のフォトニック結晶半導体デバイス。
- 前記半導体コア層と光学的に接続された活性層を有する半導体レーザ素子が前記半導体基板上に形成されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一つに記載のフォトニック結晶半導体デバイス。
- 前記活性層は、前記半導体コア層の前記線状の欠陥部と光学的に接続されていることを特徴とする請求項10に記載のフォトニック結晶半導体デバイス。
- 前記フォトニック結晶構造の部分に対して電流あるいは電圧を印加する電極を備えたことを特徴とする請求項1〜11のいずれか一つに記載のフォトニック結晶半導体デバイス。
- 請求項12に記載のフォトニック結晶半導体デバイスと、
前記電極に接続された可変電源と、
を備え、前記欠陥部を透過する光の波長フィルタリングを行うことを特徴とする可変波長フィルタ。 - 請求項12に記載のフォトニック結晶半導体デバイスと、
前記電極に接続された電源と、
前記電源から前記フォトニック結晶半導体デバイスへの電源供給をスイッチングするスイッチと、
前記スイッチのスイッチング制御を行う制御手段と、
を備え、前記欠陥部を透過する光のオンオフあるいは変調を行うことを特徴とする光変調器。 - 請求項12に記載のフォトニック結晶半導体デバイスと、
前記電極に接続された可変電源と、
を備え、前記欠陥部で増幅された可変波長のレーザ光を出力することを特徴とする可変波長レーザ。 - 光の波長に近い2次元的な屈折率の周期構造に欠陥部を設けたフォトニック結晶構造を用いたフォトニック結晶半導体デバイスの製造方法において、
半導体基板上に下部半導体分布ブラッグ反射多層膜、前記フォトニック結晶が形成される半導体コア層、上部半導体分布ブラッグ反射多層膜を順次積層する積層工程と、
前記上部半導体分布ブラッグ反射多層膜および前記半導体コア層を貫通する複数の空孔を形成する空孔形成工程と、
前記上部半導体ブラッグ反射多層膜の上部に誘電体多層膜を形成する誘電体多層膜形成工程と、
を含み、
前記空孔形成工程は、前記空孔に挟まれ、かつ空孔が存在しない線状の欠陥部を形成することを含むことを特徴とするフォトニック結晶半導体デバイスの製造方法。 - 前記空孔形成工程は、前記下部半導体分布ブラッグ反射多層膜の一部、あるいは前記下部半導体分布ブラッグ反射多層膜の全層を貫通する複数の空孔を形成することを含むことを特徴とする請求項16に記載のフォトニック結晶半導体デバイスの製造方法。
- 前記積層工程は、前記上部半導体ブラッグ反射多層膜の上部に、選択酸化層およびコンタクト層を順次さらに積層し、
前記空孔形成工程は、前記選択酸化層およびコンタクト層をも貫通する空孔を形成するとともに、前記選択酸化層の一部に酸化した電流狭窄用の酸化部を形成することを特徴とする請求項16又は17に記載のフォトニック結晶半導体デバイスの製造方法。 - 前記コンタクト層の一部上面および前記半導体基板の下部に電極を形成する電極形成工程をさらに含むことを特徴とする請求項16〜18のいずれか一つに記載のフォトニック結晶半導体デバイスの製造方法。
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