JP2011135053A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- p型層、発電層となる微結晶シリコン層を含むi型層、n型層の積層構造を備えた光電変換装置の製造方法において、
前記i型層を形成する工程であって、第1の微結晶シリコン層を形成し、前記第1の微結晶シリコン層上に、前記第1の微結晶シリコン層より結晶化率が高く、結晶化率の面内分布が小さくなる条件で第2の微結晶シリコン層を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第1の微結晶シリコン層は、ガラス基板に単膜として成膜した場合に、ラマン分光法における520cm-1付近のラマン散乱強度Icと480cm-1付近のラマン散乱強度Iaとのピーク高さの比Ic/Iaが2〜4の範囲となる条件で形成され、
前記第2の微結晶シリコン層は、ガラス基板に単膜として成膜した場合に、前記ピーク高さの比Ic/Iaが4〜6の範囲となる条件で形成されることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第1の微結晶シリコン層を形成する前に、前記第1の微結晶シリコン層及び前記第2の微結晶シリコン層より結晶化率が高く、結晶化率の面内分布が高くなる条件でバッファ層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項3に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記バッファ層は、ガラス基板に単膜として成膜した場合に、ラマン分光法における520cm-1付近のラマン散乱強度Icと480cm-1付近のラマン散乱強度Iaとのピーク高さの比Ic/Iaが10以上及びその膜厚が40nm以上、又は、前記ピーク高さの比Ic/Iaが13以上とすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - p型ドーパントを含むp型層、発電層となる微結晶シリコン層を含むi型層、n型ドーパントを含むn型層の積層構造を備えた光電変換装置において、
前記i型層は、第1の微結晶シリコン層と、前記第1の微結晶シリコン層より結晶化率が高く、結晶化率の面内分布が小さくなる条件で形成された第2の微結晶シリコン層と、の積層構造を有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項5に記載の光電変換装置であって、
前記第1の微結晶シリコン層は、その膜厚が100nm以上2500nm以下の範囲であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項5又は6に記載の光電変換装置であって、
前記第1の微結晶シリコン層及び前記第2の微結晶シリコン層より結晶化率が高く、結晶化率の面内分布が高くなる条件で形成されたバッファ層をさらに備え、
前記バッファ層上に前記第1の微結晶シリコン層が形成されていることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項7に記載の光電変換装置であって、
前記バッファ層は、ガラス基板に単膜として成膜した場合に、ラマン分光法における520cm-1付近のラマン散乱強度Icと480cm-1付近のラマン散乱強度Iaとのピーク高さの比Ic/Iaが10以上及びその膜厚が40nm以上、又は、前記ピーク高さの比Ic/Iaが13以上であることを特徴とする光電変換装置。
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