JP2011135053A5 - - Google Patents
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Claims (8)
- ｐ型層、発電層となる微結晶シリコン層を含むｉ型層、ｎ型層の積層構造を備えた光電変換装置の製造方法において、
前記ｉ型層を形成する工程であって、第１の微結晶シリコン層を形成し、前記第１の微結晶シリコン層上に、前記第１の微結晶シリコン層より結晶化率が高く、結晶化率の面内分布が小さくなる条件で第２の微結晶シリコン層を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項１に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第１の微結晶シリコン層は、ガラス基板に単膜として成膜した場合に、ラマン分光法における５２０ｃｍ-1付近のラマン散乱強度Ｉｃと４８０ｃｍ-1付近のラマン散乱強度Ｉａとのピーク高さの比Ｉｃ／Ｉａが２〜４の範囲となる条件で形成され、
前記第２の微結晶シリコン層は、ガラス基板に単膜として成膜した場合に、前記ピーク高さの比Ｉｃ／Ｉａが４〜６の範囲となる条件で形成されることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項１又は２に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第１の微結晶シリコン層を形成する前に、前記第１の微結晶シリコン層及び前記第２の微結晶シリコン層より結晶化率が高く、結晶化率の面内分布が高くなる条件でバッファ層を形成する工程をさらに含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項３に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記バッファ層は、ガラス基板に単膜として成膜した場合に、ラマン分光法における５２０ｃｍ-1付近のラマン散乱強度Ｉｃと４８０ｃｍ-1付近のラマン散乱強度Ｉａとのピーク高さの比Ｉｃ／Ｉａが１０以上及びその膜厚が４０ｎｍ以上、又は、前記ピーク高さの比Ｉｃ／Ｉａが１３以上とすることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - ｐ型ドーパントを含むｐ型層、発電層となる微結晶シリコン層を含むｉ型層、ｎ型ドーパントを含むｎ型層の積層構造を備えた光電変換装置において、
前記ｉ型層は、第１の微結晶シリコン層と、前記第１の微結晶シリコン層より結晶化率が高く、結晶化率の面内分布が小さくなる条件で形成された第２の微結晶シリコン層と、の積層構造を有することを特徴とする光電変換装置。 - 請求項５に記載の光電変換装置であって、
前記第１の微結晶シリコン層は、その膜厚が１００ｎｍ以上２５００ｎｍ以下の範囲であることを特徴とする光電変換装置。 - 請求項５又は６に記載の光電変換装置であって、
前記第１の微結晶シリコン層及び前記第２の微結晶シリコン層より結晶化率が高く、結晶化率の面内分布が高くなる条件で形成されたバッファ層をさらに備え、
前記バッファ層上に前記第１の微結晶シリコン層が形成されていることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項７に記載の光電変換装置であって、
前記バッファ層は、ガラス基板に単膜として成膜した場合に、ラマン分光法における５２０ｃｍ-1付近のラマン散乱強度Ｉｃと４８０ｃｍ-1付近のラマン散乱強度Ｉａとのピーク高さの比Ｉｃ／Ｉａが１０以上及びその膜厚が４０ｎｍ以上、又は、前記ピーク高さの比Ｉｃ／Ｉａが１３以上であることを特徴とする光電変換装置。
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