DE102004061360A1 - Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle mit mikrokristallinem Silizium sowie Schichtfolge - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle mit mikrokristallinem Silizium sowie Schichtfolge Download PDF

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle mit mikrokristallinem Silizium sowie eine Schichfolge. DOLLAR A Erfindungsgemäß wird bei pin- oder nip-Dünnschichtsolarzellen auf die untere p- oder n-Schicht mit einem HWCVD-Verfahren eine mikrokristalline Siliziumschicht aufgetragen, bevor die mikrokristalline i-Schicht aufgetragen wird. DOLLAR A Dadurch wird der Wirkungsgrad der Dünnschichtsolarzelle um bis zu 0,8% absolut erhöht.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle mit mikrokristallinem Silizium sowie eine Schichtfolge.
  • Mikrokristalline Dünnschichtsolarzellen umfassen verschiedene Schichten von Silizium, die sich in ihrer Dotierung und in ihrem Kristallisationsgrad unterscheiden. Die Schichten werden auf Substraten, wie Glas abgeschieden. Hierzu sind verschiedene Verfahren bekannt. Bei dem PECVD-Verfahren wird ein Gasgemisch in einem Plasma in Fragmente zerlegt, bei dem HWCVD-Verfahren findet die Zerlegung des Gases oder des Gasgemisches durch Erhitzen eines Drahtes statt. Bei beiden Verfahren scheiden sich Zersetzungsprodukte auf dem Substrat ab, wodurch es zu einer Beschichtung kommt. Weiterhin ist nach dem Stand der Technik das Photo CVD-Verfahren und das Sputtern bekannt, mit denen eine Abscheidung von Schichten auf Oberflächen möglich ist.
  • Man unterscheidet zwischen pin- und nip- Zellen, die sich in ihrer Schichtfolge unterscheiden.
  • Bei einer pin-Solarzelle ist die dem transparenten Substrat benachbarte Schicht eine p- Schicht, also eine p-dotierte Siliziumschicht, die i-Schicht befindet sich auf der p-Schicht und ist nicht dotiert. Auf der i-Schicht befindet sich die n-Schicht, welche n- dotiert ist. Bei einer nip-Solarzelle sind die p- und die n-Schicht gegeneinander ausgetauscht und umschließen ebenfalls eine i-Schicht.
  • Bei der mikrokristallinen p-Schicht handelt es sich um p- dotiertes Silizium, welches beispielsweise mit Bor dotiert ist.
  • Wie diese Schichen abgeschieden werden ist dem Fachmann bekannt.
  • Für eine p-Schicht werden Gasgemische enthaltend Siliziumverbindungen, positiv dotierende Verbindungen, beispielsweise Borverbindungen sowie Wasserstoffgas eingesetzt, die zersetzt und auf der Oberfläche abgeschieden werden. Die resultierende Schicht ist mikrokristallin. Hierfür können die bekannten Verfahren HWCVD, PECVD und Photo-CVD eingesetzt werden.
  • Für die Abscheidung der mikrokristallinen i-Schicht, wird ein Gemisch umfassend eine Siliziumverbindung und Wasserstoff zersetzt, wobei sich eine mikrokristalline Si-Schicht abscheidet. Hierfür können ebenfalls die bekannten Verfahren HWCVD, PECVD, Sputtern und Photo-CVD eingesetzt werden.
  • Für die Abscheidung der mikrokristallinen n-Schicht wird ein Gemisch umfassend eine siliziumhaltige Verbindung, Wasserstoff und negativ dotierende Verbindungen, wie beispielsweise eine Phosphorhaltige Verbindung zersetzt. Auch hier können die Verfahren HWCVD, PECVD und Photo-CVD eingesetzt werden.
  • Nach einem bekanten Verfahren werden Dünnschichtsolarzellen mittels PECVD auf transparenten Substraten abgeschieden. Die Depositionsreihenfolge ist dabei pin oder auch nip, wobei die einzelnen Schichten in der Regel in verschiedenen Kammern abgeschieden werden. Beim PECVD werden die mikrokristallinen Schichten unter Verwendung verschiedener möglicher Anregungsfrequenzen, wie Radiofrequenzen, Mikrowelle oder Vhf (very high frequency) abgeschieden. Zu Erzielung von hohen Abscheideraten sind beim PECVD hohe Plasmaleistungen erforderlich. Das HWCVD-Verfahren erfordert hohe Drahttemperaturen zum Erzielen von hohen Abscheideraten. Bisher wurden bei hohen Abscheideraten Solarzellen mit niedrigem Füllfaktor und niedriger Leerlaufspannung hergestellt. Das HWCVD-Verfahren ist zudem deutlich zeitaufwändiger als das PECVD-Verfahren. Bei niedrigen Substrattemperaturen konnten Solarzellen mit sehr hohem Voc und FF erzielt werden.
    •
  • Es ist die Aufgabe der Erfindung ein Verfahren zur Herstellung von Solarzellen zu schaffen, welches zu Solarzellen mit größerem Wirkungsgrad, insbesondere größerem Voc und FF führt. Die Leerlaufspannung der Solarzellen soll durch das Verfahren vergrößert werden. Weiterhin soll eine Schichtfolge zur Verfügung gestellt werden, welche Eigenschaften besitzt, welche höhere Leerlaufspannungen und Füllfaktoren ermöglichen. Das Verfahren soll in möglichst kurzer Zeit durchzuführen sein.
  • Ausgehend vom Oberbegriff des Anspruchs 1 wird die Aufgabe erfindungsgemäß gelöst durch die im kennzeichnen den Teil es Anspruchs 1 angegebenen Merkmale.
  • Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich pin- und nip-Solarzellen auf der Basis von mikrokristallinem Silizium herzustellen, welche einen höheren Wirkungsgrad, d.h. eine höhere Leerlaufspannung (Voc) und einen höheren Füllfaktor (FF) besitzen.
  • Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Im Folgenden soll die Erfindung erläutert werden.
  • Bei der Herstellung der erfindungsgemäßen Solarzellen bzw. Schichtfolgen wird in einem ersten Schritt eine transparente, Strom leitende Schicht auf ein transparentes Substrat, wie beispielsweise Glas oder Kunststoff abgeschieden, die in der Fachwelt als TCO-Schicht bezeichnet wird. Sie hat üblicherweise eine Schichtdicke von 0,5–2 μm und kann beispielsweise aber nicht beschränkend folgende Zusammensetzung haben: SnO2, ZnO, ITO.
  • Die Abscheidung kann dabei nach konventionellen Methoden erfolgen, wie beispielsweise Sputtern oder CVD.
  • Im Folgenden wird das erfindungsgemäße Verfahren für eine pin-Solarzelle erläutert. Von der Erfindung ist aber die die Herstellung einer nip-Solarzelle umfasst. Bei deren Herstellung werden die gleichen Schritte durchgeführt, nur dass die Reihenfolge für die Auftragung der p- und der n-Schicht vertauscht sind.
  • Auf die TCO-Schicht wird in einem weiteren Schritt eine mikrokristalline p-Schicht vorzugsweise mittels des PECVD-Verfahrens auf das transparente Substrat mit der darüber liegenden TCO-Schicht abgeschieden. Die Abscheidung kann aber auch mit anderen nachdem Stand der Technik bekannten Verfahren, wie beispielsweise dem HWCVD-Verfahren, Sputtern oder dem Photo-CVD-Verfahren erfolgen.
  • Dieser Schritt wird mit dem Fachmann bekannten Verfahrensparametern und Gasgemischen durchgeführt.
  • Als Gasgemischkomponenten sind eine Siliziumhaltige Verbindung, Wasserstoff sowie eine Verbindung enthalten, welche einen Stoff abscheidet, welcher zu einer p-Dotierung führt.
  • Als Siliziumhaltige Verbindung kommt beispielsweise, aber nicht beschränkend mindestens eine Komponente aus der Gruppe bestehend aus SiH4, Methylsilan, Dimethylsilan, Trimethylsilan, Tetramethylsilan, Disilan, Trisilan oder Halogensilane, wie HSiCl3, H2SiCl2, H3SiCl1, SiCl4 bzw. die entsprechenden Fluorverbindungen in Betracht.
  • Die Konzentration der Siliziumverbindungen liegt beispielsweise zwischen 0,1% und 10%.
  • Der Gesamtdruck kann beispielsweise zwischen 0,2 hPa und 20 hPa liegen.
  • Als Verbindung, welche die Komponente abscheidet, die zu einer p-Dotierung führt wird beispielsweise aber nicht beschränkend mindestens eine Komponente aus der Gruppe bestehend aus Diboran, Trimethylboran oder Organylverbindungen von Ga und Al, wie die Trimethyle oder Triethyle eingesetzt werden.
  • Die Konzentration der p-dotierenden Verbindung liegt beispielsweise zwischen 0,1%–2% bezogen auf die siliziumhaltige Verbindung.
  • Das Gasgemisch, welches die Komponenten siliziumhaltige Verbindung, die Verbindung, welche die Komponente abscheidet, welche zu einer p-Dotierung führt und Wasserstoff umfasst wird mittels des PECVD-Verfahrens oder einem anderen verfahren, wie dem HWCVD-Verfahren oder dem Photo-CVD-Verfahren zersetzt und die resultierenden Komponenten lagern sich in Form einer mikrokristallinen p-dotierten Siliziumschicht ab.
  • Die Substrattemperatur kann beispielsweise zwischen 50°C und 300°C liegen.
  • Die sich abscheidenden Schichten haben eine Schichtdicke von 2 nm–100 nm, vorzugsweise 5 nm–30 nm, besonders bevorzugt 10 nm–20 nm.
  • In nächsten Schritt wird erfindungsgemäß eine mikrokristalline Siliziumschicht mit dem HWCVD-Verfahren abgeschieden. Es hat sich überraschenderweise gezeigt, dass die Abscheidung einer Schicht von mikrokristallinem Silizium mittels des HWCVD-Verfahrens zu einer Steigerung der Leerlaufspannung, des Füllfaktors und damit zu einer Erhöhung des Wirkungsgrades von Solarzellen führt. Die Schichtdicke des mit dem HWCVD-Verfahren abgeschiedenen Schicht kann eine Stärke von 2 nm–200 nm, vorzugsweise 5 nm–50 nm, besonders bevorzugt 10 nm–20 nm betragen.
  • Zu deren Abscheidung wird ein Gas umfassend Wasserstoff und eine Silizium abscheidende Verbindung, wie beispielsweise aber nicht beschränkend SiH4, Disilan, Trisilan oder Halogensilane, wie HSiCl3, H2SiCl2, H3SiCl1, SiCl4 bzw. die entsprechenden Fluorverbindungen verwendet.
  • Für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrensschrittes werden vorzugsweise aber nicht beschränkend folgende Parameter eingesetzt:
    Drahtmaterial: Wolfram, Tantal, Graphit, Rhenium oder Osmium oder hoch schmelzende Materialien.
    Drahttemperatur: 1200°C–2200°C (oder bevorzugt 1500 °C–1800 °C)
    Substrattemperatur: <400°C (<300 °C in pin)
    Druck: 1 Pa–100 Pa ( oder bevorzugt 2 Pa–10 Pa)
    Wasserstoffverdünnung: 0,1%–20% Silan in Wasserstoff
  • Die mit diesen Parametern hergestellt Schicht (hergestellt mit HWCVD) ist 2 nm–200-nm dick, vorzugsweise 5–20 nm und hat eine Kristallinität von > 0%.
  • Die Substrattemperaturen liegen bei vorzugsweise 50 °C–300°C, besonders bevorzugt zwischen 150 °C und 200°C.
  • Die Gaskonzentrationen liegen beispielsweise bei 0,1–10% Silan oder Siliziumhaltige Verbindung bezogen auf- Wasserstoff.
  • Die Bereiche des Gesamtdruckes liegen in der Größenordnung zwischen 1 Pa–100 Pa.
  • Diese als Zwischenschicht aufgetragene mikrokristalline Siliziumschicht bewirkt, dass die gesamte Solarzelle eine höhere Leerlaufspannung und einen höheren Füllfaktor und damit einen höheren Wirkungsgrad besitzt. Sie bildet einen Teil der auf die p-dotierte Schicht aufgetragen mikrokristallinen i- Schicht.
  • Der absolute Wirkungsgrad wird bis zu 0,8% erhöht, die Leerlaufspannung bis zu 25 mV und der Füllfaktor bis zu 3% erhöht.
  • In einem weiteren Schritt wird vorzugsweise mittels des PECVD -Verfahrens eine weitere mirkrokristalline i- Siliziumschicht abgeschieden. Bei diesem Verfahrensschritt können wie bei den anderen Schritten auch alternativ-Verfahren, wie HWCVD, Sputtern oder Photo-CVD eingesetzt werden.
  • Die Abscheidung kann grundsätzlich mit den gleichen Komponenten durchgeführt werden, wie bei der Abscheidung der Zwischenschicht.
  • Die zur Abscheidung verwendeten Verbindungen sind Wasserstoff, sowie mindestens aber nicht beschränkend eine Komponente aus der Gruppe bestehend aus SiH4, Disilan, Trisilan, oder Halogensilane, wie HSiCl3, H2SiCl2, H3SiCl1, SiCl4 bzw. die entsprechenden Fluorverbindungen.
  • Diese Schicht hat vorzugsweise eine Kristallinität von > 20%.
  • Die Silankonzentrationen bzw. die Konzenztration der siliziumhaltigen Verbindung können beispielsweise 0,1%–100 betragen. Wasserstoff ist fakultativ zugegen.
  • Die Temperatur liegt in einem Bereich von vorzugsweise 50–400 °C, besonders bevorzugt 150 °C–200 °C bei pin-Schichtfolgen oder 150 °C–250 °C bei nip-Schichtfolgen.
  • Der Gesamtdruck liegt beispielsweise zwischen 0,2 hPa–20 hPa.
  • Die Schichtdicke der mit dem PECVD-Verfahren abgeschiedenen mikrokristallinen i-Schicht liegt vorzugsweise zwischen 0,2 μm und 10 μm, besonders bevorzugt zwischen 0,5 μm–2 μm.
  • Eigenschaften der i-Schicht:
    • Hergestellt mit PECVD (rf, vhf, Mikrowelle u.s.w.)
    • Dicke: vorzugsweise 0,5 μm–5 μm.
    • Kristallinität > 20%.
  • Die mit dem HWCVD-Verfahren und dem PECVD-Verfahren abgeschiedene Schicht bilden eine i-Schicht aus mikrokristallinem Silizium, welche gegenüber einer i-Schicht nach dem Stand der Technik, eine höhere Leerlaufspannung, einen höheren Füllfaktor und einen höheren Wirkungsgrad ermöglicht.
  • Auf die i-Schicht wird eine n-Schicht abgeschieden.
  • Die n-Schicht kann amorph oder mikrokristallin sein.
  • Hierzu wird ein Gasgemisch umfassend eine Siliziumabscheidende Verbindung, ggf. Wasserstoff und eine n-Dotierung bewirkende Komponente eingesetzt.
  • Als siliziumabscheidende Komponente kann beispielsweise aber nicht beschränkend SiH4, Methylsilan, Dimethylsilan, Trimethylsilan, Tetramethylsilan, oder HSiCl3, H2SiCl2, HSiCl3 oder SiCl4 verwendet werden.
  • Als eine n-Dotierende Verbindung kann beispielsweise Phoshpin eingesetzt werden.
  • Die Abscheidung der n-dotierten Schicht kann beispielsweise mit dem PECVD-Verfahren, Photo-CVD, Sputtern oder mit dem HWCVD-Verfahren durchgeführt werden.
  • Die Schichtdicke der n-Schicht liegt vorzugsweise zwischen 5 nm und 50 nm Besonders bevorzugt zwischen 10 nm und 30 nm.
  • Die bevorzugten Beschichtungstemperaturen liegen zwischen 100°C und 400°C.
  • Der Gesamtdruck liegt üblicherweise zwischen 0,2 hPa–20 hPa.
  • Die Konzentration der Siliziumhaltigen Verbindung in der Gasphase liegt zwischen 0,1%–100%.
  • Phosphin wird in einem Konzentrationsbereich zwischen vorzugsweise 0,1%–5% bezogen auf Silan oder die siliziumhaltige Verbindung eingesetzt.
  • Die Prozentangaben bedeuten jeweils Volumenprozent.
  • Üblicherweise wird die oberste Schicht, also bei pin, die n-Schicht und bei nip, die p-Schicht mit einer reflektierenden Schicht beschichtet. Diese kann zum Beispiel aus einer TCO Schicht und einer Metallschicht, beispielsweise aus Ag oder Al bestehen.
  • Von der Erfindung sind auch Stapelungen von Schichten umfasst, welche die erfindungsgemäße Schichtfolge mindestens einmal enthalten.
  • Von der Erfindung sind auch Schichtfolgen mit folgenden Mustern umfasst:
    • A) mikrokristalline p-Schicht mit dem HWCVD-Verfahren aufgebrachte mikrokristalline intrinsische Siliziumschicht, eine mit dem PECVD-Verfahren aufgebrachte i-Schicht eine mikrokristalline oder amorphe n-Schicht Oder weiterhin eine Dünnschichtsolarzelle mit: einem transparenten Substrat, – einer TCO-Schicht – einer mikrokristallinen p-Schicht – einer mit dem HWCVD-Verfahren aufgebrachten mikrokristallinen intrinsischen Siliziumschicht – einer mit dem PECVD-Verfahren aufgebrachten i-Schicht – einer mikrokristallinen oder amorphe n-Schicht – einer reflektierenden Schicht.
    • B) mikrokristalline n-Schicht mit dem HWCVD-Verfahren aufgebrachte mikrokristalline intrinsische Siliziumschicht, eine mit dem PECVD-Verfahren aufgebrachten i-Schicht eine mikrokristalline oder amorphe p-Schicht Oder weiterhin eine Dünnschichtsolarzelle mit: – einem transparenten Substrat, – einer TCO-Schicht – einer mikrokristallinen n-Schicht – einer mit dem HWCVD-Verfahren aufgebrachten mikrokristallinen intrinsichen Siliziumschicht – einer mit dem PECVD-Verfahren aufgebrachten i-Schicht – einer mikrokristallinen oder amorphen p-Schicht – einer reflektierenden Schicht
  • Die Schichten p, n, TCO sind konventionell und nicht auf die in der Beschreibung dargestellten Parameter und Herstellungsweisen beschränkt.
    •
  • Auf die p-Schicht, die mittels vhf-PECVD auf ein ZnO-Substrat abgeschieden wurde, wird eine 5–50 nm dicke intrinsische HW-Schicht abgeschieden. Diese Schicht wird mit einer Drahttemperatur von 1650°C, 3,5 Pa und 2-10% Silan in Waserstoff bei einer Depositionsrate von 1–2 Å/s abgeschieden. Anschließend wird die Herstellung der Solarzelle mit der Abscheidung der i-Schicht mittels vhf-PECVD bei hoher Wachstumsrate fortgesetzt. Dadurch erhöht sich die Leerlaufspannung um 20 mV, der Füllfaktor um 2% und der Wirkungsgrad um 0,8% absolut.
  • Die Vorteilhaften Eigenschaften der erfindungsgemäßen Solarzelle gehen aus den Figuren hervor:
  • In 1 ist der Vergleich der Leerlaufspannungen zwischen pin-Solarzellen mit und ohne die erfindungsgemäße Zwischenschicht dargestellt.
  • Auf der Abszisse ist die Silankonzentration für die i-Schicht-Abscheidung in % aufgetragen.
  • Dir Ordinate zeigt die erzielten Leelaufspannungen in mV.
  • Die Kreise stellen Solarzellen ohne erfindungsgemäße Zeichenschicht dar,
  • Die Dreiecke stellen Solarzellen mit erfindungsgemäßer Zwischenschicht dar. Es ist erkennbar, wie sich die Leerlaufspannung erfindungsgemäß vergrößert.
  • 2 zeigt den Vergleich der Füllfaktoren zwischen pin-Solarzellen mit und ohne die erfindungsgemäße Zwischenschicht dargestellt.
  • Auf der Abszisse ist die Silankonzentration für die i-Schicht Abscheidung in % aufgetragen.
  • Dir Ordinate zeigt die erzielten Füllfaktoren in %. Die Kreise stellen Solarzellen ohne erfindungsgemäße Zeichenschicht dar,
  • Die Dreiecke stellen Solarzellen mit erfindungsgemäßer Zwischenschicht dar. Es ist erkennbar, wie sich die Füllfaktoren erfindungsgemäß erhöhen.

Claims (23)

  1. Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle bei dem eine pin- oder nip-Schichtfolge hergestellt wird, dadurch gekennzeichnet, dass folgende Schichten übereinander abgeschieden werden: a) eine mikrokristalline p- oder n-Schicht b) eine mikrokristalline Siliziumschicht, welche durch ein HWCVD-Verfahren aufgetragen wird, c) eine mikrokristalline i-Schicht d) im Falle des Vorliegens einer p-Schicht als Lage a) eine n-Schicht und im Falle des Vorliegens einer n-Schicht als Lage a) eine p-Schicht, welche entweder mikrokristallin oder amorph sein können.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht b) in einer Schichtdicke von 2 nm–200 nm aufgetragen wird.
  3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass Die Schicht b) in einer Schichtdicke von 5 nm–50 nm aufgetragen wird.
  4. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Schicht b) in einer Schichtdicke von 10 nm–20 nm aufgetragen wird.
  5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass für die Abscheidung der Schicht b) mindestens eine Komponente der Siliziumverbindungen aus der Gruppe bestehend aus SiH4, Disilan, Trisilan oder Halogensilane, wie HSiCl3, H2SiCl2, H3SiCl1, SiCl4 verwendet wird.
  6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass bei dem HWCVD-Verfahren ein Draht aus Materialien der Gruppe bestehend aus Wolfram, Tantal, Graphit, Rhenium oder Osmium eingesetzt wird.
  7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Draht zur Herstellung der Schicht b) auf eine Temperatur von 1200°C bis 2200°C aufgeheizt wird.
  8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrattemperatur bei der Herstellung der Schicht b) < 400 °C beträgt.
  9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass der Prozessdruck bei der Herstellung der Schicht b) 1 Pa–100 Pa beträgt.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Prozessdruck 2 Pa–10 Pa beträgt.
  11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass Gaskonzentration von Silan oder der Siliziumhaltigen Verbindung zwischen 0,1%–20% in Volumenprozent beträgt.
  12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Substrattemperatur zwischen 50°C und 300°C liegt.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Sunstrattemperatur zwischen 150°C und 200°C liegt.
  14. Schichtfolge umfassend folgende Schichten: – eine mikrokristalline p- Schicht, – eine mit dem HWCVD-Verfahren aufgetragene mikrokristalline Siliziumschicht, – eine mit dem PECVD-Verfahren aufgetragene mirkokristalline i-Schicht – eine mikrokristalline oder amorphe n-Schicht.
  15. Schichtfolge nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die mit dem HWCVD-Verfahren aufgetragene mikrokristalline Siliziumschicht eine Schicht ist, die nach einem der Verfahrenschritte der Ansprüche 2 bis 13 aufgetragen wurde.
  16. Schichtfolge nach einem der Ansprüche 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, dass sich die mikrokristalline p- Schicht auf einer TCO-Schicht befindet, welche auf ein transparentes Medium aufgebracht ist.
  17. Schichtfolge nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass sich über der n-Schicht eine reflektierende Schicht oder eine Stapelung von weiteren Schichten befindet.
  18. Schichtfolge umfassend folgende Schichten: – eine mikrokristalline n- Schicht, – eine mit dem HWCVD-Verfahren aufgetragene mikrokristalline Siliziumschicht, – eine mit dem PECVD-Verfahren aufgetragene mikrokristalline i-Schicht – eine mikrokristalline oder amorphe p-Schicht.
  19. Schichtfolge nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die mit dem HWCVD-Verfahren aufgetragene mikrokristalline Siliziumschicht eine Schicht ist, die nach einem der Verfahrenschritte der Ansprüche 2 bis 13 aufgetragen wurde.
  20. Schichtfolge nach einem der Ansprüche 18 oder 19, dadurch gekennzeichnet, dass sich die mikrokristalline n- Schicht auf einer TCO-Schicht befindet, welche auf ein transparentes Medium aufgebracht ist.
  21. Schichtfolge nach einem der Ansprüche 18 bis 20, dadurch gekennzeichnet, dass sich über der p-Schicht reflektierende Schicht oder eine Stapelung von weiteren Schichten befindet.
  22. Dünnschichtsolarzelle umfassend eine Schichtfolge nach einem der Ansprüche 14 bis 21.
  23. Dünnschichtsolarzelle dadurch gekennzeichnet, dass sie nach einem der Ansprüche 1 bis 13 hergestellt wurde.
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JP2007547162A JP5336084B2 (ja) 2004-12-21 2005-12-13 マイクロ結晶シリコンを有する薄膜太陽電池及び積層体を製造する方法
AU2005318723A AU2005318723B2 (en) 2004-12-21 2005-12-13 Method for production of a thin-layer solar cell with microcrystalline silicon and layer sequence
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US11/793,690 US8110246B2 (en) 2004-12-21 2005-12-13 Method for producing a thin-film solar cell by use of microcrystalline silicon and a layer sequence
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CN2005800441709A CN101088171B (zh) 2004-12-21 2005-12-13 利用微晶硅制造薄层太阳能电池的方法以及层序列
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8642450B2 (en) 2007-11-09 2014-02-04 Alliance For Sustainable Energy, Llc Low temperature junction growth using hot-wire chemical vapor deposition
WO2009069544A1 (ja) * 2007-11-30 2009-06-04 Kaneka Corporation シリコン系薄膜光電変換装置
CN101820006B (zh) * 2009-07-20 2013-10-02 湖南共创光伏科技有限公司 高转化率硅基单结多叠层pin薄膜太阳能电池及其制造方法
JP4902779B2 (ja) * 2009-11-30 2012-03-21 三洋電機株式会社 光電変換装置及びその製造方法
WO2011076466A2 (en) * 2009-12-22 2011-06-30 Oerlikon Solar Ag, Truebbach Thin-film silicon tandem solar cell and method for manufacturing the same
KR20130112148A (ko) * 2012-04-03 2013-10-14 엘지전자 주식회사 박막 태양 전지
US8735210B2 (en) * 2012-06-28 2014-05-27 International Business Machines Corporation High efficiency solar cells fabricated by inexpensive PECVD
WO2015065302A2 (en) 2013-10-30 2015-05-07 Arzum Elektri̇kli̇ Ev Aletleri̇ San. Ve Ti̇c. A.Ş. A thermos with two chambers
CN108336185A (zh) * 2018-02-09 2018-07-27 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种钝化接触晶体硅太阳电池的制备方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3441044C2 (de) * 1984-11-09 1991-04-25 Total Energie Developpement + Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh & Co Phototronics Ohg, 8011 Putzbrunn, De

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5124545A (en) * 1989-03-23 1992-06-23 Victor Company Of Japan, Ltd. Light-to-light conversion element provided with wavelength selecting reflection layer and imaging device provided with the light-to-light conversion element
US5397737A (en) * 1992-05-05 1995-03-14 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Deposition of device quality low H content, amorphous silicon films
CN1135635C (zh) * 1994-03-25 2004-01-21 阿莫科/恩龙太阳公司 增强光电器件和电子器件的光和电特性的等离子淀积工艺
JPH11135818A (ja) * 1997-10-30 1999-05-21 Sharp Corp 太陽電池
EP0949688A1 (de) * 1998-03-31 1999-10-13 Phototronics Solartechnik GmbH Dünnschichtsolarzelle, Verfahren zu deren Herstellung sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE19935046C2 (de) 1999-07-26 2001-07-12 Schott Glas Plasma-CVD-Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer mikrokristallinen Si:H-Schicht auf einem Substrat sowie deren Verwendung
JP4412766B2 (ja) * 1999-07-29 2010-02-10 京セラ株式会社 薄膜多結晶Ｓｉ太陽電池
JP2002198549A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Kyocera Corp 薄膜結晶質シリコン系太陽電池
JP2003282902A (ja) * 2002-03-20 2003-10-03 Kyocera Corp 薄膜太陽電池
JP2003298077A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Ebara Corp 太陽電池
JP2003347220A (ja) * 2002-05-29 2003-12-05 Kyocera Corp Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス
JP2004158619A (ja) * 2002-11-06 2004-06-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイスおよびその製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3441044C2 (de) * 1984-11-09 1991-04-25 Total Energie Developpement + Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gmbh & Co Phototronics Ohg, 8011 Putzbrunn, De

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Rath, J.K. et al.: Application of hot-wire chemi- cal vapour-deposited Si:H films in thin film transistors and solar cells. In: Thin Solid Films. 2001, Vol. 395, S. 320-329
Rath, J.K. et al.: Application of hot-wire chemi- cal vapour-deposited Si:H films in thin film transistors and solar cells. In: Thin Solid Films.2001, Vol. 395, S. 320-329 *
Schropp, R.E.I.: Present status of micro-and poly- crystalline silicon solar cells made by hotwire chemical vapour deposition. In: Thin Solid Films. 2004 (März), Vol. 451-452, S. 455-465
Schropp, R.E.I.: Present status of micro-and poly-crystalline silicon solar cells made by hotwire chemical vapour deposition. In: Thin Solid Films. 2004 (März), Vol. 451-452, S. 455-465 *
van Veen, M.K. et al.: Incorporation of amorphous and microcrystalline silicon in n-i-p solar cells. In: Thin Solid Films. 2003, Vol. 430, S. 216-219
van Veen, M.K. et al.: Incorporation of amorphous and microcrystalline silicon in n-i-p solar cells.In: Thin Solid Films. 2003, Vol. 430, S. 216-219 *

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