JP2011134896A5 - - Google Patents
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上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、被エッチング層上に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ４ガスとＣＯＳガスとＯ２ガスとを含むエッチングガスを処理室内に導入し、導入されたエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むエッチング方法において、前記エッチングガスに含まれる前記ＣＯＳガスの流量及び前記Ｏ２ガスの流量を比例させるように制御することを特徴とするエッチング方法が提供される。
また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、ＣＦ４ガスとＣＯＳガスとＯ２ガスとを含むエッチングガスを処理室に供給するガス供給源と、前記処理室に所望の高周波電力を供給する高周波電源と、を備え、高周波電力を用いて前記エッチングガスからプラズマを生成し、前記プラズマにより反射防止膜及びパターン化されたレジスト膜が形成された被処理体に対して、エッチング処理を施すことによって、前記反射防止膜に所望のパターンを形成するエッチング処理装置において、前記エッチングガスに含まれる前記ＣＯＳガスの流量及び前記Ｏ２ガスの流量が比例するように制御されることを特徴とするエッチング処理装置が提供される。
Claims (11)
- 被エッチング層上に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜上にパターン化されたレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして、ＣＦ４ガスとＣＯＳガスとＯ２ガスとを含むエッチングガスを処理室内に導入し、導入されたエッチングガスを用いて前記反射防止膜をエッチングすることにより、前記反射防止膜に所望のパターンを形成する工程と、を含むエッチング方法において、
前記エッチングガスに含まれる前記ＣＯＳガスの流量及び前記Ｏ２ガスの流量を比例させるように制御することを特徴とするエッチング方法。 - 前記ＣＯＳガスが前記反射防止膜のエッチング面のコーティングに用いられ、前記Ｏ２ガスが前記ＣＯＳガスによる前記コーティングの抑止に用いられることを特徴とする請求項１に記載のエッチング方法。
- 前記レジスト膜は、ＡｒＦレジスト膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載のエッチング方法。
- 前記反射防止膜は、シリコンを含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記エッチングガスに含まれるＣＯＳガスの流量の上限は５０ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記エッチングガスに含まれるＣＦ４ガスの流量は、５０〜３００ｓｃｃｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記エッチングガスに含まれるＯ２ガスの流量の上限は１００ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記処理室内の圧力は、３０〜１００ｍＴの範囲内であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のエッチング方法。
- 前記処理室内の圧力の上限は７５ｍＴであることを特徴とする請求項８に記載のエッチング方法。
- ＣＦ４ガスとＣＯＳガスとＯ２ガスとを含むエッチングガスを処理室に供給するガス供給源と、
前記処理室に所望の高周波電力を供給する高周波電源と、を備え、
高周波電力を用いて前記エッチングガスからプラズマを生成し、前記プラズマにより反射防止膜及びパターン化されたレジスト膜が形成された被処理体に対して、エッチング処理を施すことによって、前記反射防止膜に所望のパターンを形成するエッチング処理装置において、
前記エッチングガスに含まれる前記ＣＯＳガスの流量及び前記Ｏ２ガスの流量が比例するように制御されることを特徴とするエッチング処理装置。 - 前記ＣＯＳガスが前記反射防止膜のエッチング面のコーティングに用いられ、前記Ｏ２ガスが前記ＣＯＳガスによる前記コーティングの抑止に用いられることを特徴とする請求項１０に記載のエッチング処理装置。
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