JP2011119005A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁区制御層5からセンサ膜2に印加される磁界が浮上面近傍の領域よりも素子上部において大きくなるように、磁区制御膜5の膜厚を浮上面近傍よりも素子内部において厚くする、又は磁区制御キャップ膜の膜厚を浮上面近傍よりも素子内部において厚くする、又はセンサキャップ膜3の膜厚を浮上面近傍より素子内部において厚くする。これらの膜厚が変化する位置は素子高さ方向において、センサ膜端部位置及び素子高さ方向絶縁膜端部位置とほぼ同一の場所に配置する。
【選択図】図1
Description
2 センサ膜
3 センサキャップ膜
4 トラック絶縁膜
5 磁区制御膜
6 磁区制御キャップ膜
7 エッチング抑制層
8 素子高さ規定レジストパターン
9 素子高さ方向絶縁膜
11 上部磁気ギャップ膜
12 上部磁気シールド
13 固定層
21 レジスト
22 素子高さパターン
31 センサ下地層
32 反強磁性層
33 固定層
34 中間層
35 自由層
50 記録ヘッド
51 下部磁極
52 コイル
53 コイル絶縁膜
54 主磁極
60 再生ヘッド
200 磁気ヘッド
260 磁気ディスク
261 スピンドル
263 ジンバル
264 ボイスコイルモータ
265 信号処理回路
Claims (10)
- 磁化方向が固定された固定層、中間層、及び外部磁界により磁化方向が変化する自由層を備えるセンサ膜と、
前記センサ膜の上に設けられたセンサキャップ膜と、
前記センサ膜の膜厚方向に電流を流す電極を兼ねる一対の上部磁気シールド及び下部磁気シールドと、
前記センサ膜のトラック幅方向の両側に接して配置されたトラック絶縁膜と、
前記トラック絶縁膜に接して前記センサ膜のトラック幅方向の両側に配置された磁区制御膜と、
前記センサ膜の浮上面と逆側の部分に配置された素子高さ方向絶縁膜とを有し、
前記素子高さ方向絶縁膜の前記センサ膜と接する浮上面側端部位置は、前記センサキャップ膜の素子高さ方向端部位置と略同一であり、
前記磁区制御膜は膜厚が素子高さ方向奥側から浮上面方向に向かって徐々に薄くなるような傾斜膜厚を有し、その膜厚が変化する開始位置は、前記素子高さ方向絶縁膜の浮上面側端部位置と略同一であることを特徴とする磁気ヘッド。 - 磁化方向が固定された固定層、中間層、及び外部磁界により磁化方向が変化する自由層を備えるセンサ膜と、
前記センサ膜の上に設けられたセンサキャップ膜と、
前記センサ膜の膜厚方向に電流を流す電極を兼ねる一対の上部磁気シールド及び下部磁気シールドと、
前記センサ膜のトラック幅方向の両側に接して配置されたトラック絶縁膜と、
前記トラック絶縁膜に接して前記センサ膜のトラック幅方向の両側に配置された磁区制御膜と、
前記磁区制御膜の上に配置された磁区制御キャップ膜と、
前記センサ膜の浮上面と逆側の部分に配置された素子高さ方向絶縁膜とを有し、
前記素子高さ方向絶縁膜の前記センサ膜と接する浮上面側端部位置は、前記センサキャップ膜の素子高さ方向端部位置と略同一であり、
前記磁区制御キャップ膜は膜厚が素子高さ方向奥側から浮上面方向に向かって徐々に薄くなるような傾斜膜厚を有し、その膜厚が変化する開始位置あるいは前記磁区制御キャップ膜の素子高さ方向端部位置は、前記素子高さ方向絶縁膜の浮上面側端部位置と略同一であることを特徴とする磁気ヘッド。 - 請求項1又は2記載の磁気ヘッドにおいて、前記センサキャップ膜の膜厚は、浮上面に近い位置より浮上面から遠い位置の方が厚いことを特徴とする磁気ヘッド。
- 請求項1〜3のいずれか1項記載の磁気ヘッドにおいて、前記下部磁気シールドと前記上部磁気シールドの間隔は、浮上面に近い領域より浮上面から遠い領域の方が広いことを特徴とする磁気ヘッド。
- 前記請求項1〜4のいずれか1項記載の磁気ヘッドにおいて、記録ヘッドを備えることを特徴とする磁気ヘッド。
- 下部磁気シールド上に、磁化方向が固定された固定層、中間層、及び外部磁界により磁化方向が変化する自由層を備えるセンサ膜と、センサキャップ膜を積層して形成する工程と、
前記センサ膜及び前記センサキャップ膜をトラック幅方向に所望の幅を残してエッチング加工する工程と、
前記センサ膜及び前記センサキャップ膜のエッチング端部にトラック絶縁膜を形成し、更にその上に磁区制御膜を形成する工程と、
素子高さ方向の寸法に前記センサ膜をエッチング加工する工程と、
前記センサ膜の素子高さ方向のエッチング端部に素子高さ方向絶縁膜を配置する工程と、
前記素子高さ方向絶縁膜をエッチングマスクとして、前記磁区制御膜上部を傾斜エッチングする工程と、
上部磁気シールドを形成する工程と、
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 請求項6記載の磁気ヘッドの製造方法において、前記磁区制御膜上部を傾斜エッチングする工程では前記センサキャップ膜も同時に傾斜エッチングすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
- 請求項6又は7記載の磁気ヘッドの製造方法において、前記磁区制御膜の上に磁区制御キャップ層を形成し、前記磁区制御膜上部を傾斜エッチングする工程では前記磁区制御キャップ層を傾斜エッチングすることを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
- 請求項6又は7記載の磁気ヘッドの製造方法において、前記磁区制御膜上にエッチング抑制膜を形成し、素子高さ方向の寸法に前記センサ膜をエッチング加工する工程の際に前記磁区制御膜のエッチングを抑制することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
- 請求項8記載の磁気ヘッドの製造方法において、前記磁区制御キャップ膜上にエッチング抑制膜を形成し、素子高さ方向の寸法に前記センサ膜をエッチング加工する工程の際に前記磁区制御膜のエッチングを抑制することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
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