JP2011114152A - 電力制御装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】パワーモジュール1は、IGBT素子53aを形成する第1活性領域R1と、トランジスタ素子54aを形成する第2活性領域R2と、を有する半導体素子2を備えている。半導体素子2では、第1活性領域R1の熱集中箇所が第2活性領域R2で置換されるように第1及び第2活性領域R1,R2が配置されている。そのため、第1活性領域R1で生じた熱にあっては、下方向及び面方向外側だけでなく面方向内側へも熱伝播され、発熱していない第2活性領域R2を介して放熱することができる。すなわち、第1活性領域R1で生じた熱が半導体素子2の中央部へ熱集中するのを防ぐ(緩和する)と共に、周囲への熱拡散効果を高め、半導体素子2の最高温度を低下させ、温度分布を均一化することができる。
【選択図】図2
Description
前記半導体素子の厚さ方向に沿う方向から見て、前記第1活性領域は所定幅を有するコの字状を呈すると共に、前記第2活性領域は前記第1活性領域の内側に配置され、
前記一対の半導体素子は、前記第1活性領域の開口側が互いに対向するように並設されていることを特徴とする。
まず、本発明の第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態に係るパワーモジュールの回路図である。図1においては、(a)が昇圧時の回路図を示し、(b)が降圧時の回路図を示している。図1に示すように、本実施形態のパワーモジュール(電力制御装置)1は、ハイブリット自動車等の車両に搭載される車両用インバータに用いられるものである。ここでのパワーモジュール1は、上アーム部A1と下アーム部A2とからなる回路Cを構成する。
次に、第2実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、上記第1実施形態と異なる点について主に説明する。
次に、第3実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、上記第2実施形態と異なる点について主に説明する。
Claims (7)
- 電力制御素子を形成する第1活性領域と、補助回路素子を形成する第2活性領域と、を有する半導体素子を備え、
前記半導体素子では、前記第1活性領域の熱集中箇所が前記第2活性領域で置換されるように前記第1及び第2活性領域が配置されていることを特徴とする電力制御装置。 - 電力制御素子を形成する第1活性領域と、補助回路素子を形成する第2活性領域と、を有する半導体素子を備え、
前記半導体素子では、前記第1活性領域の中央部が前記第2活性領域で置換されるように前記第1及び第2活性領域が配置されていることを特徴とする電力制御装置。 - 電力制御素子を形成する第1活性領域と、補助回路素子を形成する第2活性領域と、を有する半導体素子を備え、
前記第1活性領域は、前記第2活性領域の周囲に配置されていることを特徴とする電力制御装置。 - 電力制御素子を形成する第1活性領域と、補助回路素子を形成する第2活性領域と、を有する半導体素子を複数備え、
前記第2活性領域は、前記半導体素子の熱集中箇所に配置されていることを特徴とする電力制御装置。 - 電力制御素子を形成する第1活性領域と、補助回路素子を形成する第2活性領域と、を有する半導体素子を複数備え、
前記第2活性領域は、前記半導体素子の中央部に配置されていることを特徴とする電力制御装置。 - 電力制御素子を形成する第1活性領域と、補助回路素子を形成する第2活性領域と、を有する板状の半導体素子を少なくとも一対備え、
前記半導体素子の厚さ方向に沿う方向から見て、前記第1活性領域は所定幅を有するコの字状を呈すると共に、前記第2活性領域は前記第1活性領域の内側に配置され、
前記一対の半導体素子は、前記第1活性領域の開口側が互いに対向するように並設されていることを特徴とする電力制御装置。 - 前記電力制御素子は、トランジスタ素子又はFET素子であり、
前記補助回路素子は、ダイオード素子であることを特徴とする請求項1〜6の何れか一向記載の電力制御装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009269004A JP5407808B2 (ja) | 2009-11-26 | 2009-11-26 | 電力制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP5407808B2 JP5407808B2 (ja) | 2014-02-05 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP5407808B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A977 | Report on retrieval |
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A521 | Written amendment |
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