JP2011114108A - スピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フィルター層22,32が強磁性層23,33/非磁性層24,34/強磁性層25,35からなる反強磁性結合構造を有するとともに互いに異なったスイッチング電流特性を有する強磁性トンネル接合素子21,31を直列に複数個積層し、且つ、前記各強磁性トンネル接合素子21,31の平面面積を同じにする。
【選択図】図2
Description
12 ソース線
13 ビット線
14 双方向性書込/読出電圧発生器
15 センスアンプ
16 ワード線
20 積層型MTJ素子
21 第1MTJ素子
23,33 第1強磁性層
24,34 非磁性スペーサ層
25,35 第2強磁性層
22,32 フィルター層
26,36 トンネルバリア層
27,37 フリー層
28,29,38,39 反強磁性層
30 接続電極層
31 第2MTJ素子
41 p型シリコン基板
42 素子分離領域
43 ゲート絶縁膜
44 ワード線
45 n型ソース領域
46 n型ドレイン領域
47,52,54 層間絶縁膜
48,49,53,55 プラグ
50 ソース線
51 接続導体層
56 ビット線
60 積層型MTJ素子
61 下部電極
62 Ta膜
63 Ru膜
64 NiFe膜
65 Ta膜
66 第1MTJ素子
67,76 PtMn反強磁性層
68,77 フィルター層
69,78 CoFe層
70,79 Ru層
71,80 CoFeB層
72,81 MgOトンネル絶縁膜
73,82 CoFeBフリー層
74 接続電極層
75 第2MTJ素子
Claims (5)
- フィルター層が強磁性層/非磁性層/強磁性層の反強磁性結合構造を有するとともに互いに異なったスイッチング電流特性を有する磁性トンネル接合素子を直列に複数個積層し、且つ、前記各磁性トンネル接合素子の平面面積を同じにしたスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記各磁性トンネル接合素子が、フリー層/トンネル絶縁層/フィルター層/反強磁性層からなるスピンバルブ膜構造、或いは、フリー層/トンネル絶縁層/フィルター層からなる擬似スピンバルブ膜構造のいずれかである請求項1に記載のスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記各磁性トンネル接合素子を構成するフリー層が、Co、Fe或いはNiのいずれかを最大成分とする面内磁化膜である請求項1または請求項2に記載のスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記各磁性トンネル接合素子のフィルター層を構成する非磁性層が、Ru、Ir、Rhのいずれか、或いは、これらの合金からなる請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ。
- 前記各磁性トンネル接合素子のフィルター層を構成する2層の強磁性層の膜厚差が、各磁性トンネル接合素子毎に異ならせることによって、平行化書込電流と反平行化書込電流のバランスを互いに異ならせている請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のスピン注入型磁気ランダムアクセスメモリ。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013055088A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-21 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗素子及び磁気記憶装置 |
JP2013058522A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Toshiba Corp | 記憶装置及びその製造方法 |
JP2013530479A (ja) * | 2010-05-06 | 2013-07-25 | クアルコム,インコーポレイテッド | 双安定素子のクラスタ状態にあるマルチレベルメモリの確率的なプログラミングの方法および装置 |
CN110323247A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-11 | 中国科学院微电子研究所 | Mram器件及其制造方法及包括mram的电子设备 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216965A (ja) * | 2005-02-05 | 2006-08-17 | Samsung Electronics Co Ltd | スピン分極電流を利用したマルチビット磁気メモリ素子とその製造及び駆動方法 |
JP2007013118A (ja) * | 2005-05-26 | 2007-01-18 | Maglabs Inc | 積層されたトグルメモリセルが反対に方向付けられた容易軸バイアスを有する磁気ランダムアクセスメモリ |
JP2007504651A (ja) * | 2003-08-26 | 2007-03-01 | グランディス インコーポレイテッド | スピン転移スイッチングを利用し且つ複数のビットを記憶する磁気メモリ素子 |
-
2009
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007504651A (ja) * | 2003-08-26 | 2007-03-01 | グランディス インコーポレイテッド | スピン転移スイッチングを利用し且つ複数のビットを記憶する磁気メモリ素子 |
JP2006216965A (ja) * | 2005-02-05 | 2006-08-17 | Samsung Electronics Co Ltd | スピン分極電流を利用したマルチビット磁気メモリ素子とその製造及び駆動方法 |
JP2007013118A (ja) * | 2005-05-26 | 2007-01-18 | Maglabs Inc | 積層されたトグルメモリセルが反対に方向付けられた容易軸バイアスを有する磁気ランダムアクセスメモリ |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013530479A (ja) * | 2010-05-06 | 2013-07-25 | クアルコム,インコーポレイテッド | 双安定素子のクラスタ状態にあるマルチレベルメモリの確率的なプログラミングの方法および装置 |
US9135976B2 (en) | 2010-05-06 | 2015-09-15 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus of probabilistic programming multi-level memory in cluster states of bi-stable elements |
JP2013055088A (ja) * | 2011-08-31 | 2013-03-21 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗素子及び磁気記憶装置 |
JP2013058522A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Toshiba Corp | 記憶装置及びその製造方法 |
CN110323247A (zh) * | 2019-07-04 | 2019-10-11 | 中国科学院微电子研究所 | Mram器件及其制造方法及包括mram的电子设备 |
CN110323247B (zh) * | 2019-07-04 | 2021-08-31 | 中国科学院微电子研究所 | Mram器件及其制造方法及包括mram的电子设备 |
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